本實(shí)用新型屬于電學(xué)領(lǐng)域，涉及一種內(nèi)置IC的集成功率場(chǎng)效應(yīng)管。

背景技術(shù)：

目前市場(chǎng)上LED的運(yùn)用相當(dāng)廣泛，由于LED是特性敏感的半導(dǎo)體器件，又具有負(fù)溫度特性，因而在應(yīng)用過(guò)程中需要對(duì)其進(jìn)行穩(wěn)定工作狀態(tài)和保護(hù)，從而產(chǎn)生了驅(qū)動(dòng)的概念。LED器件對(duì)驅(qū)動(dòng)電源的要求近乎于苛刻，LED不像普通的白熾燈泡，可以直接連接220V的交流市電。LED是2～3伏的低電壓驅(qū)動(dòng)，必須要設(shè)計(jì)復(fù)雜的變換電路，不同用途的LED燈，要配備不同的電源適配器。國(guó)際市場(chǎng)上國(guó)外客戶對(duì)LED驅(qū)動(dòng)電源的效率轉(zhuǎn)換、有效功率、恒流精度、電源壽命、電磁兼容的要求都非常高，設(shè)計(jì)一款好的電源必須要綜合考慮這些因數(shù)，因?yàn)殡娫丛谡麄€(gè)燈具中的作用就好比像人的心臟一樣重要。而LED驅(qū)動(dòng)器中最重要的驅(qū)動(dòng)元件除了變壓器以外，就是功率MOS FET和集成IC了。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）因其低柵極驅(qū)動(dòng)功率、快速切換速度以及出色的并聯(lián)性能等特性，常被用于功率器件。

然而，LED驅(qū)動(dòng)器雖然現(xiàn)廣泛應(yīng)用但是也會(huì)存在電流、電壓難以完好匹配的問(wèn)題，尤其是MOSFET管和集成IC的電參片匹配度不一定完全同步，會(huì)導(dǎo)致電路元件的損壞，MOSFET管和集成IC如圖1所示分開(kāi)設(shè)置。在選用前，兩者需要經(jīng)過(guò)很嚴(yán)格的參數(shù)篩選，篩選過(guò)程繁瑣，而且可能還是會(huì)出錯(cuò)，導(dǎo)致MOSFET管和集成IC電參片仍然不同步。另一方面，MOSFET管的芯片并未完全利用起來(lái)，MOSFET管的芯片材料被浪費(fèi)掉。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型意在提供一種內(nèi)置IC的集成功率場(chǎng)效應(yīng)管，以解決MOSFET管和IC電參片匹配不精確的問(wèn)題。

為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的基礎(chǔ)方案提供一種內(nèi)置IC的集成功率場(chǎng)效應(yīng)管，將IC芯片置于MOSFET內(nèi)部。

基礎(chǔ)方案的原理和有益效果在于：將IC芯片置于MOSFET內(nèi)部，這樣在封裝和測(cè)試MOSFET時(shí)，測(cè)試系統(tǒng)自動(dòng)篩選掉參數(shù)匹配不精確的產(chǎn)品，這樣能夠有效地保證LED驅(qū)動(dòng)電源中MOSFET與集成IC電參數(shù)的精確匹配。

優(yōu)選方案一：此方案為基礎(chǔ)方案的優(yōu)選，所述MOSFET管芯片上設(shè)有直接通過(guò)光刻得到的IC芯片電路。

本方案的原理和有益效果在于， 提供一種簡(jiǎn)單可行結(jié)構(gòu)，將集成IC芯片的電路直接光刻到MOSFET管的內(nèi)部，實(shí)現(xiàn)IC芯片和MOSFET管的一體化，兩個(gè)元件變成了一個(gè)元件，生產(chǎn)成本降低，結(jié)構(gòu)更加緊湊，電路板的體積也會(huì)變小，也會(huì)節(jié)約成本，同時(shí)MOSFET的封裝和測(cè)試都會(huì)更加簡(jiǎn)單；另外，一體化有利于電路的優(yōu)化，減少的電路中的能耗，集成后的MOSFET電流密度更高，電參數(shù)更集中。因?yàn)橐惑w成型，加工時(shí)不容易出現(xiàn)MOSFET管和IC電參片不匹配的問(wèn)題，而且一體的結(jié)構(gòu)再測(cè)試時(shí)精確度更高，達(dá)到了優(yōu)化電路和降低成本的效果。

優(yōu)選方案二：作為優(yōu)選方案一的優(yōu)選，MOSFET的襯底的材料為100晶面的Si晶體。

本方案提供了一種襯底的材料，即可以在上面加工MOSFET管，也能在上面光刻IC芯片。

優(yōu)選方案三：作為優(yōu)選方案一的優(yōu)選，還包括直接光刻在MOSFET板芯片上的導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述IC芯片的引腳與對(duì)應(yīng)的MOSFET管引腳。

本方案的原理和有益效果在于，將連接MOSFET管引腳與IC芯片引腳的導(dǎo)線也用光刻的方式設(shè)置在MOSFET芯片上，進(jìn)一步增加了產(chǎn)品的整體性，使結(jié)構(gòu)更加緊湊，沒(méi)有多余的需要人工連接的導(dǎo)線，減小出錯(cuò)的概率。

優(yōu)選方案四：作為優(yōu)選方案一的優(yōu)選，還包括封殼、第一引腳、第二引腳、第三引腳和散熱片，所述散熱片固定安裝在封殼一側(cè)面，安裝散熱片封殼側(cè)面的對(duì)側(cè)面上固定安裝有第一引腳、第二引腳與第三引腳，所述第一引腳和第三引腳彎折，第一引腳彎折處與水平面的角度為30-45度，第三引腳彎折處與水平面的角度為30-45度。

本方案的原理和有益效果在于，散熱片設(shè)置在與有第一引腳、第二引腳與第三引腳對(duì)側(cè)的封殼側(cè)面上，用于對(duì)封殼內(nèi)電極的散熱，避免發(fā)熱損壞。第一引腳向下彎折與第三引腳向下彎折，30-45度能夠保證MOSFET管能夠良好的焊接，若小于30度，可能會(huì)與其他元件干擾，擾亂元件工作，若大于45度，整個(gè)三極管容易形成立式安裝，焊接的時(shí)候穩(wěn)定性不好。

優(yōu)選方案五：作為優(yōu)選方案一的優(yōu)選，還包括封殼，所述封殼內(nèi)部為裝有酒精的腔體，封殼上方有網(wǎng)狀管道，所述網(wǎng)狀管道與腔體連通。

本方案的原理和有益效果在于，MOSFET管發(fā)熱時(shí)，酒精蒸發(fā)，吸收熱量，使MOSFET管冷卻，酒精氣體進(jìn)入網(wǎng)狀管道，液化為酒精液體，回流到封殼內(nèi)繼續(xù)發(fā)揮散熱作用。網(wǎng)狀管道設(shè)置為網(wǎng)狀的原因是，液化時(shí)酒精放熱，網(wǎng)狀增大了散熱的面積，使散熱更迅速，液化更迅速。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)LED驅(qū)動(dòng)電路板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例內(nèi)置IC的集成功率場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)部結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例內(nèi)置IC的集成功率場(chǎng)效應(yīng)管整體結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖；

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例中封殼截面的部分簡(jiǎn)圖。

具體實(shí)施方式

下面通過(guò)具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明：

說(shuō)明書附圖中的附圖標(biāo)記包括：原IC芯片1、原MOSFET管2、IC芯片3、MOSFET管芯片4、功率場(chǎng)效應(yīng)管5、封殼6、散熱片7、第一引腳8、第二引腳9、空腔10、網(wǎng)狀管道11、第二引腳12。

如圖2所示，本實(shí)施例將IC芯片3的芯片電路光刻到MOSFET管芯片4上，使IC芯片3和MOSFET管芯片4成為一個(gè)整體。MOSFET管芯片4的襯底的材料為（100）晶面的Si晶體。連接IC芯片3的引腳與對(duì)應(yīng)的MOSFET管芯片引腳的導(dǎo)線直接光刻在MOSFET板芯片上。如圖3所示，將芯片用封殼6密封，將三個(gè)引腳留在封殼6外，包括第一引腳8、第二引腳12、第三引腳9。三個(gè)引腳位于封殼6的一個(gè)面上，在對(duì)側(cè)面上設(shè)置散熱片7，增加芯片的散熱效果。第一引腳8和第三引腳9向下彎折，彎折處于水平面的角度都為40度。封殼6的結(jié)構(gòu)圖4所示，封殼6上設(shè)有空腔10，外側(cè)有網(wǎng)狀管道11，空腔10內(nèi)裝有酒精。

本實(shí)施例中，IC芯片3的電路直接光刻到MOSFET管芯片4上，并且將原本需要用導(dǎo)線連接的部分也光刻到芯片上，徹底使兩個(gè)元件變成了一個(gè)元件，增強(qiáng)了其整體性，還能夠縮小應(yīng)用驅(qū)動(dòng)電路板的體積，大大減少了生產(chǎn)的成本，同時(shí)能夠完成MOS FET與成IC的同步測(cè)試及參數(shù)一致性的一次分選，解決了MOSFET與集成IC 的電參數(shù)匹配問(wèn)題，另外集成后的MOSFET電流密度更高，電參數(shù)更集中，優(yōu)化了電路結(jié)構(gòu)，減少了電路應(yīng)用中的能耗。引腳角度的選擇能夠保證MOSFET管能夠良好的焊接，既不會(huì)與其他元件干擾，擾亂元件工作，也不會(huì)形成立式安裝，造成穩(wěn)定性不好的問(wèn)題。散熱片用于散熱，同時(shí)MOSFET管發(fā)熱時(shí)，酒精蒸發(fā)，吸收熱量，使MOSFET管快速冷卻，酒精氣體進(jìn)入網(wǎng)狀管道，液化為酒精液體，回流到封殼內(nèi)繼續(xù)發(fā)揮散熱作用。

總的來(lái)說(shuō)，本實(shí)施例不僅解決了OSFET管和IC電參片匹配不精確的問(wèn)題，還優(yōu)化了電路，同時(shí)保證了元件安裝時(shí)擁有可靠性以及使用時(shí)出擁有眾的散熱性。

以上所述的僅是本實(shí)用新型的實(shí)施例，方案中公知的具體結(jié)構(gòu)和/或特性等常識(shí)在此未作過(guò)多描述。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)的前提下，還可以作出若干變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)該視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍，這些都不會(huì)影響本實(shí)用新型實(shí)施的效果和專利的實(shí)用性。本申請(qǐng)要求的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以其權(quán)利要求的內(nèi)容為準(zhǔn)，說(shuō)明書中的具體實(shí)施方式等記載可以用于解釋權(quán)利要求的內(nèi)容。