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有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制作方法

文檔序號:11956034閱讀:244來源:國知局
有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制作方法與工藝

本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備,更特別地,涉及頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。



背景技術(shù):

有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備是自發(fā)光設(shè)備并且具有低功耗、快響應(yīng)時間、高發(fā)光效率、高亮度和廣視角。

基于從有機(jī)發(fā)光裝置發(fā)射的光的發(fā)射方向,將有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備分類為頂部發(fā)射型和底部發(fā)射型。在底部發(fā)射型中,電路元件設(shè)置在發(fā)光層和圖像顯示表面之間,為此原因,開口率降低。另一方面,在頂部發(fā)射型中,電路元件沒有設(shè)置在發(fā)光層和圖像顯示表面之間,因此,開口率增強(qiáng)。

圖1是相關(guān)技術(shù)的頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖。

如圖1中看到的,包括有源層11、柵絕緣層12、柵極13、層間電介質(zhì)14、源極15和漏極16的薄膜晶體管(TFT)層T形成在基板10上,鈍化層20和平整層30順序地形成在TFT層T上。

陽極電極40和輔助電極50形成在平整層30上。輔助電極50減小以下將描述的陰極電極80的電阻。

堤60形成在陽極電極40和輔助電極50上并且限定像素區(qū)。有機(jī)發(fā)光層70形成在由堤60限定的像素區(qū)中,陰極電極80形成在有機(jī)發(fā)光層70上。

在頂部發(fā)光型中,從有機(jī)發(fā)光層70發(fā)射的光穿過陰極電極80并且前行。因此,陰極電極80由透明導(dǎo)電材料形成,為此原因,陰極電極80的電阻增大。為了減小陰極電極80的電阻,陰極電極80連接到輔助電極50。

相關(guān)技術(shù)的頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備具有以下問題。

相關(guān)技術(shù)的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備是應(yīng)用頂部發(fā)射型的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備,并且具有難以沉積有機(jī)發(fā)光層70的缺陷。在相關(guān)技術(shù)的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中,可需要用另外的處理將有機(jī)發(fā)光層70只沉積在陽極電極40上。另外,在均厚沉積有機(jī)發(fā)光層70 的情況下,輔助電極50不可連接到陰極電極80。另外,由于有機(jī)發(fā)光層70沒有被圖案化為在多個像素中的每個中被分開,因此可出現(xiàn)缺陷驅(qū)動。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

因此,本發(fā)明涉及基本上消除了由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺點(diǎn)導(dǎo)致的一個或多個問題的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。

本發(fā)明的一方面涉及提供頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法,其中,盡管有機(jī)發(fā)光層被均厚沉積,但輔助電極連接到陰極電極,防止了像素之間的缺陷驅(qū)動。為此目的,穩(wěn)定地形成分隔壁。

除了本發(fā)明的上述目的之外,以下將描述本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn),但本領(lǐng)域的技術(shù)人員根據(jù)以下描述將清楚地理解這些特征和優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明的額外優(yōu)點(diǎn)和特征將在隨后的描述中部分闡述并且對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在閱讀了下文后將變得顯而易見或者可以通過本發(fā)明的實(shí)踐而得知??赏ㄟ^書面描述及其權(quán)利要求書以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)。

為了實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)并且根據(jù)本發(fā)明的目的,如本文中實(shí)施和廣義描述的,提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備,該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括:陽極電極,其設(shè)置在基板上;輔助電極,其設(shè)置在所述基板上;有機(jī)發(fā)光層,其設(shè)置在所述陽極電極上;陰極電極,其設(shè)置在所述有機(jī)發(fā)光層上和所述輔助電極上;絕緣堤,其設(shè)置在所述輔助電極上,所述堤重疊所述輔助電極的第一部分并且暴露所述輔助電極的第二部分;第一分隔壁,其設(shè)置在所述輔助電極上;第二分隔壁,其設(shè)置在所述第一分隔壁上并且覆蓋所述輔助電極被暴露的第二部分,同時留出所述第二分隔壁和所述堤之間的分隔空間;所述陰極電極通過所述第二分隔壁和所述堤之間的分隔空間電連接到所述輔助電極;其中,所述第二分隔壁由所述第一分隔壁和所述堤支承。

在更具體的實(shí)施方式中,提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備,該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括:多個陽極電極,其設(shè)置在基板上;輔助電極,其設(shè)置在與所述多個陽極電極所設(shè)置的層相同的成上;第一分隔壁,其設(shè)置在所述輔助電極上;第二分隔壁,其設(shè)置在所述第一分隔壁上;陰極電極,其連接到所述輔助電極;堤,其被設(shè)置成重疊所述輔助電極的一部分,其中,所述第二分隔壁由所述第一分隔壁和所述堤支承。

要理解,對本發(fā)明的以上總體描述和以下詳細(xì)描述都是示例性的和說明性的并且旨在對要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步說明。

附圖說明

附圖被包括以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解,并入且構(gòu)成本申請的部分,附圖示出本發(fā)明的實(shí)施方式并且與描述一起用于說明本發(fā)明的原理。在附圖中:

圖1是相關(guān)技術(shù)的頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖;

圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖;

圖3是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的平面圖;

圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的平面圖;

圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的平面圖;

圖6A至圖6C是根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖;

圖7是根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖;

圖8是根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在,將詳細(xì)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施方式,這些實(shí)施方式的示例在附圖中示出。在任何可能的地方,在整個附圖中,將使用相同的參考標(biāo)號表示相同或類似的部件。

將通過下面參照附圖描述的實(shí)施方式來闡述本公開的優(yōu)點(diǎn)和特征及其實(shí)現(xiàn)方法。然而,本發(fā)明可用不同形式實(shí)施,而不應(yīng)該被理解為限于本文中闡述的實(shí)施方式。確切地說,提供這些實(shí)施方式,使得本公開將是徹底和完全的,并且將把本發(fā)明的范圍充分傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。另外,本發(fā)明僅由權(quán)利要求書的范圍來限定。

用于描述本發(fā)明的實(shí)施方式的附圖中公開的形狀、大小、比率、角度和數(shù)量只是示例,因此,本發(fā)明不限于圖示的細(xì)節(jié)。類似的參考標(biāo)號始終表示類似的元件。在下面的描述中,當(dāng)確定相關(guān)的已知功能或構(gòu)造的詳細(xì)描述不必要地混淆了本發(fā)明的重要點(diǎn)時,將省略詳細(xì)描述。在使用本說明書中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情況下,可添加其它部件,除非使用“只”。單數(shù)形式的術(shù)語可包括復(fù)數(shù)形式,除非相反地表示。

盡管沒有明確表示,但元件被理解為包括誤差范圍。

在描述位置關(guān)系時,例如,當(dāng)兩個部件之間的位置關(guān)系被描述為“上”、“上方”、“下方”和“旁邊”時,可在這兩個部件之間設(shè)置一個或更多個其它部件,除非使用“正好”或“正”。

在描述時間關(guān)系時,例如,當(dāng)時間次序被描述為“之后”、“隨后”、“接著”和“之前”時,可包括不連續(xù)的情況,除非使用“正好”或“正”。

應(yīng)該理解,盡管術(shù)語“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各種元件,但這些元件不應(yīng)該受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語只是用于將一個元件與另一個區(qū)分開。例如,在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下,第一元件可被命名為第二元件,類似地,第二元件可被命名為第一元件。

本發(fā)明的各種實(shí)施方式的特征可部分或整體地彼此結(jié)合或組合,并且可按本領(lǐng)域的技術(shù)人員可充分理解的技術(shù)上的各種方式彼此進(jìn)行互鎖和驅(qū)動。本發(fā)明的實(shí)施方式可獨(dú)立于彼此執(zhí)行,或者可按共依存的關(guān)系一起執(zhí)行。

下文中,將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。

如圖2中看到的,在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中,薄膜晶體管(TFT)T、輔助線300、鈍化層165、平整層170、陽極電極180、輔助電極190、堤220、分隔壁230、有機(jī)發(fā)光層240和陰極電極250可形成在基板100上。

TFT T可包括有源層110、柵絕緣層120、柵極130、層間電介質(zhì)140、源極150和漏極160。

有源層110可形成在基板100上,重疊柵極130。有源層110可由基于硅的半導(dǎo)體材料形成,或者可由基于氧化物的半導(dǎo)體材料形成。盡管未示出,但還可在基板100和有源層110之間形成遮光層,在這種情況下,通過遮光層阻擋通過基板100底部入射的外部光,從而防止有源層110因外部光而受損。

柵絕緣層120可形成在有源層110上。柵絕緣層120可將有源層110與柵極130絕緣。柵絕緣層120可由無機(jī)絕緣材料(例如,氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或其多層)形成,但不限于此。

柵極130可形成在柵絕緣層120上。柵極130可被形成為重疊有源層110,使柵絕緣層120在其間。柵極130可由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、 鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)中的一種或其合金形成的單層或多層形成,但不限于此。

層間電介質(zhì)140可形成在柵極130上。層間電介質(zhì)140可由與柵絕緣層120的材料相同的無機(jī)絕緣材料(例如,氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或其多層)形成,但不限于此。

源極150和漏極160可被形成為在層間電介質(zhì)140上彼此面對。在柵絕緣層120和層間電介質(zhì)140中可包括暴露有源區(qū)110的一個端部區(qū)域的第一接觸孔CH1和暴露有源區(qū)110的另一個端部區(qū)域的第二接觸孔CH2。源極150可通過第二接觸孔CH2連接到有源區(qū)110的所述另一個端部區(qū)域,漏極160可通過第一接觸孔CH1連接到有源區(qū)110的所述一個端部區(qū)域。

TFT T的結(jié)構(gòu)不限于圖示的結(jié)構(gòu),可按各種方式被改造成本領(lǐng)域中的技術(shù)人員已知的結(jié)構(gòu)。例如,在附圖中示出柵極130形成在有源層110上的頂柵結(jié)構(gòu),但TFT T可形成為柵極130形成在有源層100下的底柵結(jié)構(gòu)。

輔助線300可設(shè)置在與上面設(shè)置有源極150和漏極160的層相同的層上,并且可被設(shè)置成與源極150和漏極160分開。輔助線300可通過與源極150和漏極160相同的過程同時形成并且可由與源極150和漏極160的材料相同的材料形成。輔助線300可通過第四接觸孔CH4連接到下述的輔助電極190。由于輔助線300通過第四接觸孔CH4連接到輔助電極190,因此輔助電極190和陰極電極250的電阻減小。

鈍化層165可形成在TFT T上,更詳細(xì)地,可形成在源極150、漏極160和輔助線300的頂部。鈍化層165保護(hù)TFT T。鈍化層165可由無機(jī)絕緣材料(例如,SiOx和SiNx)形成,但不限于此。

平整層170可形成在鈍化層165上。平整層170可平整包括TFT T的基板100的上表面。平整層170可由有機(jī)絕緣材料(諸如,亞克力樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂等)形成,但不限于此。

陽極電極180和輔助電極190可形成在平整層170上。也就是說,陽極電極180和輔助電極190可形成在相同層上。在鈍化層165和平整層170中可包括暴露源極150的第三接觸孔CH3,源極150可通過第三接觸孔CH3連接到陽極電極180。另外,在鈍化層165和平整層170中可包括暴露輔助線300的第四接觸孔CH4,輔助線300可通過第四接觸孔CH4連接到輔助電極190。

堤220可形成在陽極電極180和輔助電極190上。堤220可形成在陽極電極180的一側(cè)和另一側(cè),暴露陽極電極180和輔助電極190的頂部并且覆蓋陽極電極180和輔助電極190的側(cè)表面。由于堤220被形成為暴露陽極電極180的頂部,因此確保了顯示圖像的區(qū)域。另外,由于堤220被形成為暴露陽極電極180和輔助電極190的頂部,因此確保了陽極電極180和輔助電極190之間的電連接空間。

此外,堤220可形成在陽極電極180和輔助電極190之間并且可將陽極電極180與輔助電極190絕緣。堤220可由有機(jī)絕緣材料(諸如,聚酰亞胺樹脂、亞克力樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB)等)形成,但不限于此。

分隔壁230可形成在輔助電極190上。分隔壁230可與堤220分開一定距離,輔助電極190可通過分隔壁230和堤220之間的分隔空間電連接到陰極電極250。

在相關(guān)技術(shù)的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中,在沒有形成分隔壁230的情況下,輔助電極190電連接到陰極電極250。另一方面,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式,形成分隔壁230,因此,更容易沉積有機(jī)發(fā)光層240。以下,將對此進(jìn)行詳細(xì)描述。

如果沒有形成分隔壁230,則在沉積有機(jī)發(fā)光層240的過程中,需要覆蓋輔助電極190頂部的掩模圖案,以使輔助電極190的頂部沒有被有機(jī)發(fā)光層240覆蓋。然而,如果形成分隔壁230,則分隔壁230的頂部可充當(dāng)沉積有機(jī)發(fā)光層240的過程中的檐,因此,由于有機(jī)發(fā)光層240沒有沉積在檐下方,因此不需要覆蓋輔助電極190頂部的掩模圖案。也就是說,相對于有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備被從其前方觀看的情況,當(dāng)充當(dāng)檐的分隔壁230的頂部形成為覆蓋分隔壁230和堤220之間的分離空間時,有機(jī)發(fā)光層240不可穿透到分隔壁230和堤220之間的分隔空間中,因此,輔助電極190可被暴露在分隔壁230和堤220之間的分隔空間中。特別地,可通過諸如蒸發(fā)過程的沉積過程形成有機(jī)發(fā)光層240,蒸發(fā)過程在沉積材料的筆直度方面是優(yōu)異的,因此,有機(jī)發(fā)光層240不可沉積在分隔壁230和堤220之間的分隔空間中。

如上所述,分隔壁230頂部的寬度可被形成為大于分隔壁230底部的寬度,以使分隔壁230的頂部充當(dāng)檐。分隔壁230可包括下面的第一分隔壁231和上面的第二分隔壁232。第一分隔壁231可形成在輔助電極190頂部并且可通過與堤220的過程相同的過程由與堤220的材料相同的材料形成。第二分隔壁232可形成在第一分隔壁231的頂部。第二分隔壁232頂部的寬度可被形成為大于第二分隔壁232底部的寬度,特別地,第二分隔壁232的頂部可被形成為覆蓋分隔壁230和堤220之間的分隔空間 并且可充當(dāng)檐。

在這種情況下,第一分隔壁231可不被形成為覆蓋將輔助電極190連接到輔助線300的第四接觸孔CH4。當(dāng)?shù)谒慕佑|孔CH4和第一分隔壁231被形成為彼此重疊時,形成在第一分隔壁231下方的輔助電極190由于第四接觸孔CH4而不可均勻地形成,出于此原因,第一分隔壁231不可均勻地形成。當(dāng)?shù)谝环指舯?31沒有均勻形成時,形成在第一分隔壁231上的第二分隔壁232傾斜,并且有機(jī)發(fā)光層240形成在輔助電極190上,從而造成陰極電極250不可連接到輔助電極190的缺陷。

有機(jī)發(fā)光層240可形成在陽極電極180上。有機(jī)發(fā)光層240可包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。有機(jī)發(fā)光層240可被改造成具有本領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的各種結(jié)構(gòu)。

有機(jī)發(fā)光層240可延伸到堤220的頂部。然而,有機(jī)發(fā)光層240可在覆蓋輔助電極190頂部的狀態(tài)下沒有延伸到輔助電極190的頂部。這是因?yàn)?,?dāng)有機(jī)發(fā)光層240覆蓋輔助電極190的頂部時,難以將輔助電極190電連接到陰極電極250。如上所述,可在沒有覆蓋輔助電極190頂部的掩模的情況下,通過沉積過程形成有機(jī)發(fā)光層240,在這種情況下,有機(jī)發(fā)光層240可形成在分隔壁230的頂部。

陰極電極250可形成在有機(jī)發(fā)光層240上。陰極電極250可形成在發(fā)射光的表面上,因此可由透明導(dǎo)電材料形成。由于陰極電極250由透明導(dǎo)電材料形成,因此陰極電極250的電阻高,出于這個原因,為了降低陰極電極250的電阻,陰極電極250可連接到輔助電極190。也就是說,陰極電極250可通過分隔壁230和堤220之間的分隔空間連接到輔助電極190。可通過在沉積材料的筆直度方面表現(xiàn)差的沉積過程(諸如,濺射過程)形成陰極電極250,因此,在沉積陰極電極250的過程中,陰極電極250可沉積在分隔壁230和堤220之間的分隔空間中。

盡管未示出,但在陰極電極250上可進(jìn)一步形成包封層,包封層防止水滲入。包封層可使用本領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的各種材料。另外,盡管未示出,但可針對各像素進(jìn)一步在陰極電極250上形成濾色器,在這種情況下,可從有機(jī)發(fā)光層240發(fā)射白光。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的平面圖

圖3示出圖2的上述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的平面圖。因此,類似的參考標(biāo)號表示類似的元件,并且就各元件的材料和結(jié)構(gòu)方面,不再重復(fù)相同或類似的描述。

如圖3中看到的,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可包括陽極電極 180、輔助電極190、堤220、第一分隔壁231、第二分隔壁232和輔助線300。

可在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的基板上形成多個陽極電極180。多條輔助線300可分別形成在多個陽極電極180之間并且布置在一個方向上,具有條帶結(jié)構(gòu)。

輔助電極190可形成在輔助線300上,成矩形形狀。然而,本實(shí)施方式不限于。

堤220可被形成為重疊輔助電極190的一部分。

第一分隔壁231可形成在輔助電極190的中心部分,支承第二分隔壁232。第一分隔壁231和第二分隔壁232可在輔助電極190上形成為島形形狀與其它元件分開。

第四接觸孔CH4可形成在輔助電極190上并且可連接到輔助線300。

在與第二分隔壁232對應(yīng)的輔助電極190的區(qū)域中,在除了其中形成有第一分隔壁231的部分區(qū)域外的部分區(qū)域(即,與第二分隔壁232重疊的輔助電極190的一部分)中不形成有機(jī)發(fā)光層的情況下,可形成陰極電極,因此,輔助電極190可電連接到陰極電極。

如上所述,如果形成第二分隔壁232,則第二分隔壁232的頂部可充當(dāng)沉積有機(jī)發(fā)光層時的檐,因此,由于有機(jī)發(fā)光層沒有沉積在檐下方,因此不需要覆蓋輔助電極190頂部的掩模圖案。

然而,第二分隔壁232頂部的寬度可被形成為大于第二分隔壁232底部的寬度,并且由于第一分隔壁231根據(jù)第二分隔壁232底部的大小形成在第二分隔壁232下方,因此第一分隔壁231不穩(wěn)定地支承第二分隔壁232。由于此問題,導(dǎo)致如果第一分隔壁231不可支承第二分隔壁232,則充當(dāng)檐的第二分隔壁232的頂部不可覆蓋分隔壁和堤220之間的分隔空間,出于此原因,有機(jī)發(fā)光層滲入分隔壁和堤220之間的分隔空間中。因此,輔助電極190沒有被暴露,從而造成陰極電極不能電連接到輔助電極190的缺陷。另外,當(dāng)輔助電極190的總大小因形成具有穩(wěn)定大小的第二分隔壁232而增大時,形成在與輔助電極190所設(shè)置的層相同的層上的陽極電極180的大小減小,從而造成開口率減小。

圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的平面圖。

圖4示出圖2的上述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的平面圖。因此,類似的參考標(biāo)號表示類似的元件,就各元件的材料和結(jié)構(gòu)方面,不再重復(fù)相同或類似的描述。

如圖4中看到的,根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可包括陽極電極180、輔助電極190、堤220、第一分隔壁231、第二分隔壁232和輔助線300。 除了第一分隔壁231和第二分隔壁232外的元件與圖3的上述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的元件相同,因此,不再重復(fù)對其的詳細(xì)描述。

圖3的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的第一分隔壁231在輔助電極190上形成為島形形狀與其它元件分開。另一方面,根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的第一分隔壁231的兩端可接觸堤220。因此,根據(jù)本實(shí)施方式,第一分隔壁231可不在輔助電極190上形成為島形形狀與其它元件分開,而是可被形成為接觸堤220,因此,第一分隔壁231穩(wěn)定地支承第二分隔壁232。

此外,圖3的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的第二分隔壁232形成在第一分隔壁231的頂部,僅由第二分隔壁232支承。另一方面,根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的第二分隔壁232可被形成為接觸堤220,第一分隔壁231可形成在與堤220所設(shè)置的層相同的層上,由此,第二分隔壁232被第一分隔壁231和堤220更穩(wěn)定地支承。為此原因,防止出現(xiàn)陰極電極不能電連接到輔助電極190的缺陷。另外,即使輔助電極190的總大小沒有任何增加,也穩(wěn)定地形成第二分隔壁232,因此,第二分隔壁232沒有影響在與其層相同的層上形成的陽極電極180的大小,從而防止開口率減小。

第一分隔壁231可包括接觸堤220的一部分和沒有接觸堤220的另一部分。輔助電極190可被形成為被暴露于堤220和沒有接觸堤220的第一分隔壁231的其它部分之間的區(qū)域中。因此,被暴露的輔助電極190可電連接到陰極電極,從而減小電阻。

有機(jī)發(fā)光層沒有形成在其中沒有形成第一分隔壁231和堤220的、輔助電極190被暴露的區(qū)域中。因此,在輔助電極190被暴露的區(qū)域中,陰極電極可電連接到輔助電極190。

圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的平面圖。

圖5示出圖2的上述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的平面圖。因此,類似的參考標(biāo)號表示類似的元件,就各元件的材料和結(jié)構(gòu)方面,不再重復(fù)相同或類似的描述。

如圖5中看到的,根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可包括陽極電極180、輔助電極190、堤220、第一分隔壁231、第二分隔壁232和輔助線300。除了輔助線300外的元件與圖4的上述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的元件相同,因此,不再重復(fù)對其的詳細(xì)描述。

圖4的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的輔助線300分別形成在多個陽極電極180之間并且布 置在一個方向上,具有條帶結(jié)構(gòu)。另一方面,在根據(jù)本實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中,多條輔助線300可形成為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),其中,多條輔助線300被布置成在多個陽極電極180之間彼此相交。因此,相比于輔助線300形成為條帶結(jié)構(gòu)的情況,在輔助線300形成為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的情況下,輔助線300中的每個的面積可增大,因此,根據(jù)本實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的電阻進(jìn)一步減小。

輔助電極190可形成在輔助線300彼此相交的部分。

圖6A至圖6C是根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性剖視圖并且示出圖5的上述輔助電極的剖視圖。因此,類似的參考標(biāo)號表示類似的元件,就各元件的材料和結(jié)構(gòu)方面,不再重復(fù)相同或類似的描述。

圖6A示出沿著圖5的A-A線截取的橫截面。如圖6A中看到的,陽極電極180和輔助電極190可形成在平整層170上,彼此分開,堤220可形成在陽極電極180和輔助電極190之間并且可將陽極電極180與陽極電極180絕緣。第一分隔壁231可在輔助電極190的頂部被暴露的部分上形成為島形,第二分隔壁232可形成在第一分隔壁231的頂部。

圖6B示出沿著圖5的B-B線截取的橫截面。如圖6B中看到的,陽極電極180、輔助電極190和堤220可形成在平整層170上。由于在第一分隔壁231沒有形成在輔助電極190中的情況下,B-B線位于被暴露的區(qū)域中,因此沒有示出第一分隔壁231。第二分隔壁232的兩端可被形成為接觸堤220。

圖6C示出沿著圖5的C-C線截取的橫截面。如圖6C中看到的,陽極電極180、輔助電極190和堤220可形成在平整層170上。第一分隔壁231可延伸并且可連接到堤220,第二分隔壁232可被形成為由第一分隔壁231和堤220支承。

圖7是根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。

除了添加第一陽極電極180、第二陽極電極200、第一輔助電極190和第二輔助電極210之外,圖7的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備與圖2的上述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備相同,因此,不再提供重復(fù)的描述。

第一陽極電極180和第一輔助電極190可形成在平整層170上。也就是說,第一陽極電極180和第一輔助電極190可形成在同一層上??稍谏鲜鲡g化層165和平整層170中包括暴露源極150的第三接觸孔CH3,源極150可通過第三接觸孔CH3連接到第一陽極電極180。

第一陽極電極180可包括第一下陽極電極181和第一上陽極電極182。

第一下陽極電極181可形成在平整層170和第一上陽極電極182之間并且增強(qiáng)平整層170和第一上陽極電極182之間的粘附力。另外,第一下陽極電極181保護(hù)第一上陽極電極182的底部,從而防止第一上陽極電極182的底部被腐蝕。

第一上陽極電極182可形成在第一下陽極電極181的頂部。第一上陽極電極182可由電阻相對比第一下陽極電極181低的金屬形成。

類似于上述的第一陽極電極180,第一輔助電極190可包括第一下輔助電極191和第一上輔助電極192。

第一下輔助電極191可形成在平整層170和第一上輔助電極192之間。第一下輔助電極191增強(qiáng)平整層170和第一上輔助電極192之間的粘附力并且防止第一上輔助電極192的底部被腐蝕。

第一上輔助電極192可在第一下陽極電極181的頂部上由低電阻金屬形成。

第二陽極電極200可被形成為覆蓋第一陽極電極180的頂部和側(cè)表面,從而防止第一陽極電極180的頂部和側(cè)表面被腐蝕。

第二陽極電極200可包括第二下陽極電極201、第二中心陽極電極202和第二上陽極電極203。

第二下陽極電極201可形成在第一陽極電極180和第二中心陽極電極202之間。第二下陽極電極201可被形成為覆蓋第一陽極電極180的頂部和側(cè)表面,從而防止第一陽極電極180被腐蝕。

第二中心陽極電極202可形成在第二下陽極電極201和第二上陽極電極203之間。第二中心陽極電極202可由比第二下陽極電極201和第二上陽極電極203的電阻低并且反射率更好的材料形成。

第二上陽極電極203可形成在第二中心陽極電極202的頂部,從而防止第二中心陽極電極202的頂部被腐蝕。

第二輔助電極210可形成在第一輔助電極190的頂部。第二輔助電極210可形成在與第二陽極電極200所設(shè)置的層相同的層上。第二輔助電極210可被形成為覆蓋第一輔助電極190的頂部和側(cè)表面,從而防止第一輔助電極190的頂部和側(cè)表面被腐蝕。第二輔助電極210連同第一輔助電極190一起減小陰極電極250的電阻。

第二輔助電極210可包括第二下輔助電極211、第二中心輔助電極212和第二上 輔助電極213。

第二下輔助電極211可形成在第一輔助電極190和第二中心輔助電極212之間。第二下輔助電極211可被形成為覆蓋第一輔助電極190的頂部和側(cè)表面,從而防止第一輔助電極190被腐蝕。

第二中心輔助電極212可形成在第二下輔助電極211和第二上輔助電極213之間。第二中心輔助電極212可由比第二下輔助電極211和第二上輔助電極213的電阻低并且反射率更好的材料形成。

第二上輔助電極213可形成在第二中心輔助電極212的頂部,從而防止第二中心輔助電極212的頂部被腐蝕。

圖8是根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。

除了添加第一連接線185、第二連接線195和第二平整層175之外,圖8的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備與圖2的上述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備相同,因此,不再提供重復(fù)的描述。

在圖7的上述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中,第二陽極電極200和第二輔助電極210分別形成在第一陽極電極180和第一輔助電極190上,因此,第一陽極電極180和陰極電極250的電阻減小。然而,由于第一輔助電極190和第一陽極電極180形成在同一層上,因此用于形成第一陽極電極180和第一輔助電極190的空間仍然有限。為了克服這種局限,在根據(jù)本實(shí)施方式的圖8的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中,與第一陽極電極180連接的第一連接線185可形成在第一陽極電極180下方,與輔助電極190連接的第二連接線195可形成在第一輔助電極190下方。第一陽極電極180和第一輔助電極190分別連接到第一連接線185和第二連接線195,因此面積寬廣,因此,第一陽極電極180和陰極電極250的電阻進(jìn)一步減小。

第一連接線185和第二連接線195可形成在第一平整層170上。也就是說,第一連接線185和第二連接線195可形成在同一層上,彼此分隔開。在鈍化層165和第一平整層170中可包括暴露源極150的第三接觸孔CH3,源極150可通過第三接觸孔CH3連接到第一連接線185。另外,在鈍化層165和第一平整層170中可包括暴露輔助線300的第四接觸孔CH4,輔助線300可通過第四接觸孔CH4連接到第二連接線195。

第二平整層175可形成在第一連接線185和第二連接線195上。陽極電極180和輔助電極190可形成在第二平整層175上。在第二平整層175中可包括暴露第一連 接線185的第五接觸孔CH5,第一連接線185可通過第五接觸孔CH5連接到陽極電極180。也就是說,陽極電極180可通過第一連接線185連接到源極150。另外,在第二平整層175中可包括暴露第二連接線195的第六接觸孔CH6,第二連接線195可通過第六接觸孔CH6連接到輔助電極190。也就是說,輔助電極190可通過第二連接線195連接到輔助線300。

如上所述,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式,在輔助電極的現(xiàn)有大小中穩(wěn)定地形成分隔壁,而開口率沒有任何減小。

此外,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式,可在沒有覆蓋輔助電極頂部的掩模圖案的情況下,形成有機(jī)發(fā)光層,因此,以免增加一個掩模過程。

此外,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式,第一分隔壁穩(wěn)定地支承第二分隔壁,從而防止出現(xiàn)缺陷。

此外,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式,可堆疊形成兩個陽極電極(例如,第一陽極電極和第二陽極電極),以減小陽極電極的電阻,因此,更容易調(diào)節(jié)陽極電極所需的電阻特性。

此外,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式,可堆疊形成兩個輔助電極(例如,第一輔助電極和第二輔助電極),以減小陰極電極的電阻,因此,更容易調(diào)節(jié)輔助電極所需的電阻特性。

此外,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式,輔助線可通過連接線連接到輔助電極,因此,更容易調(diào)節(jié)輔助電極所需的電阻特性。

應(yīng)該清楚,可在沒有本發(fā)明的精神或范圍的情況下,在本發(fā)明中進(jìn)行各種修改和變化。因此,本發(fā)明旨在涵蓋本發(fā)明的修改形式和變形形式,前提是它們落入隨附權(quán)利要求書及其等同物的范圍內(nèi)。

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