本申請(qǐng)要求于2015年5月28日提交的韓國專利申請(qǐng)第10-2015-0075395號(hào)的權(quán)益，其通過引用合并到本文中如同在本文中完全闡述一樣。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置，并且更具體地涉及頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光顯示裝置是自發(fā)光裝置，并且具有低功耗、快速響應(yīng)時(shí)間、高發(fā)光效率、高亮度以及寬視角。

有機(jī)發(fā)光顯示裝置基于從有機(jī)發(fā)光器件發(fā)出的光的傳輸方向劃分為頂部發(fā)光型和底部發(fā)光型。在底部發(fā)光型中，電路元件設(shè)置在發(fā)光層與圖像顯示表面之間，并且由于這個(gè)原因，開口率降低。另一方面，在頂部發(fā)光型中，電路元件不設(shè)置在發(fā)光層與圖像顯示表面之間，因此開口率提高。

圖1是相關(guān)技術(shù)的頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性截面圖。

如圖1中可見，在基板10上的有源區(qū)AA中形成有包括有源層11、柵極絕緣層12、柵電極13、層間電介質(zhì)14、源電極15和漏電極16的薄膜晶體管(TFT)層T，并且在TFT層T上相繼地形成有鈍化層20和平坦化層30。

在平坦化層30上形成有陽極電極40和輔助電極50。以下將描述輔助電極50減小了陰極電極80的電阻。

堤部(bank)60在陽極電極40和輔助電極50上形成并且限定像素區(qū)。在由堤部60限定的像素區(qū)中形成有機(jī)發(fā)光層70，并且在有機(jī)發(fā)光層70上形成陰極電極80。

在頂部發(fā)光型中，從有機(jī)發(fā)光層70發(fā)出的光穿過陰極電極80。因此，陰極電極80由透明導(dǎo)電材料形成，并且陰極電極80的電阻增加。為了減小陰極電極80的電阻，將陰極電極80連接至輔助電極50。

柵極絕緣層12和層間電介質(zhì)14形成在基板10上的焊盤區(qū)PA中，在層間電介質(zhì)14上形成有信號(hào)焊盤90，并且在信號(hào)焊盤90上形成有鈍化層20。在鈍化層20中設(shè)置有孔，并且信號(hào)焊盤90通過孔暴露于外部。由于信號(hào)焊盤90應(yīng)當(dāng)連接至外部驅(qū)動(dòng)電路，因此信號(hào)焊盤90通過在鈍化層20中形成孔暴露于外部。

相關(guān)技術(shù)的頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有以下問題。

由于信號(hào)焊盤90應(yīng)當(dāng)連接至外部驅(qū)動(dòng)電路，因此信號(hào)焊盤90的頂部暴露于外部。由于這個(gè)原因，信號(hào)焊盤90的頂部被腐蝕，并且腐蝕擴(kuò)展至其它區(qū)域。

可以在信號(hào)焊盤90的頂部上進(jìn)一步形成耐蝕性優(yōu)異的金屬層，以防止信號(hào)焊盤90的頂部被腐蝕，但是在這種情況下，工藝的數(shù)目增加。此外，可以通過同一個(gè)工藝在信號(hào)焊盤90上形成與陽極電極40相同的電極層，以防止信號(hào)焊盤90的頂部被腐蝕而沒有增加工藝數(shù)目。然而，即使在這種情況下，不能防止電極層的材料被腐蝕，或者不能防止腐蝕擴(kuò)展穿過電極層的側(cè)表面。

此外，為了將信號(hào)焊盤90連接至外部驅(qū)動(dòng)電路，通過在鈍化層20中形成孔來暴露出信號(hào)焊盤90的頂部，但是當(dāng)鈍化層20的孔先前形成時(shí)，用于圖案化形成陽極電極40的蝕刻劑會(huì)流動(dòng)穿過孔并損壞信號(hào)焊盤90。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明涉及提供一種基本上避免了由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺點(diǎn)所造成的一個(gè)或更多個(gè)問題的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。

本發(fā)明的一個(gè)方面涉及提供一種頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法，其中使附加工藝數(shù)目最小化，并且防止信號(hào)焊盤被腐蝕以及防止信號(hào)焊盤被蝕刻劑損壞。

本發(fā)明的另外的優(yōu)點(diǎn)和特征將部分地在隨后的描述中闡述，并且將部分地在本領(lǐng)域技術(shù)人員研究下面的內(nèi)容時(shí)變得明顯，或者可以通過本發(fā)明的實(shí)踐而獲知這些優(yōu)點(diǎn)和特征。通過在書面描述及其權(quán)利要求書以及附圖 中特別指出的結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)。

為了獲得這些優(yōu)點(diǎn)和其他優(yōu)點(diǎn)并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如本文中所呈現(xiàn)和大致描述的，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，在該有機(jī)發(fā)光顯示裝置中：在基板的有源區(qū)中設(shè)置有包括柵電極和源電極的薄膜晶體管(TFT)、陽極電極、有機(jī)發(fā)光層、陰極電極、設(shè)置在與陽極電極的層相同的層上并且連接至陰極電極的輔助電極；在基板的焊盤區(qū)中設(shè)置有設(shè)置在與柵電極的層相同的層上的信號(hào)焊盤以及通過接觸孔連接至信號(hào)焊盤的焊盤電極，并且焊盤電極設(shè)置在與源電極的層相同的層上。

在本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，該方法包括：在基板上形成柵電極和信號(hào)焊盤；在柵電極和信號(hào)焊盤上形成層間電介質(zhì)，并且在層間電介質(zhì)上形成源電極和焊盤電極；在源電極和焊盤電極上形成鈍化層；在鈍化層上形成陽極電極以及與陽極電極分離的輔助電極；以及去除鈍化層的形成在焊盤電極上的至少一部分，用于向外暴露出焊盤電極。

應(yīng)該理解，本發(fā)明的上述一般描述和下面的詳細(xì)描述都是示例性和說明性的，并且旨在提供如所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步的說明。

附圖說明

本申請(qǐng)包括附圖用以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解并且附圖被并入本申請(qǐng)中并構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，附圖示出本發(fā)明的實(shí)施方案，并且與說明書一起用于說明本發(fā)明的原理。在附圖中：

圖1是相關(guān)技術(shù)的頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性截面圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面圖；

圖4A至圖4M是示出制造根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的截面圖；以及

圖5A至圖5L是示出制造根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的截面圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明的示例性實(shí)施方案，在附圖中示出本發(fā)明的示例性實(shí)施方案的實(shí)例。貫穿附圖將盡可能使用相同的附圖標(biāo)記來指代相同或相似的部分。

將通過參照附圖描述的下面的實(shí)施方案來闡明本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征以及本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)方法。然而，本發(fā)明可以以不同的形式來呈現(xiàn)并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為限于本文中所闡述的實(shí)施方案。更確切地說，提供這些實(shí)施方案使得本公開將嚴(yán)密且完整，并且將對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。此外，本發(fā)明僅由權(quán)利要求的范圍來限定。

在用于描述本發(fā)明的實(shí)施方案的附圖中所公開的形狀、尺寸、比例、角度和數(shù)字僅為示例，因此本發(fā)明不限于所示出的細(xì)節(jié)。在通篇中相同的附圖標(biāo)記指代相似的元件。在下面的描述中，在確定相關(guān)的已知功能或配置的詳細(xì)描述不必要地使本發(fā)明的主題模糊的情況下，則將省略該詳細(xì)描述。在使用本說明書中所描述的“包含”、“具有”和“包括”的情況下，除了使用“僅...”之外，可以添加另一部分。單數(shù)形式的術(shù)語可以包括復(fù)數(shù)形式，除非被指出與此相反。

在解釋元件時(shí)，雖然未明確描述，但是元件被解釋為包括誤差范圍。

在描述位置關(guān)系時(shí)，例如，在兩個(gè)部件之間的位置關(guān)系被描述為“在...上”、“在...上方”、“在...下”和“緊鄰...”的情況下，可以在所述兩個(gè)部件之間設(shè)置一個(gè)或更多個(gè)其他部件，除非使用“剛剛”或“直接”。

在描述時(shí)間關(guān)系時(shí)，例如，在時(shí)間順序被描述為“在...之后”、“隨后...”、“接下來...”和“在...之前”的情況下，可以包括不連續(xù)的情況，除非使用“剛剛”或“直接”。

應(yīng)理解的是，雖然本文中可以使用術(shù)語“第一”、“第二”等來描述各種元件，但是這些元件不應(yīng)當(dāng)受限于這些術(shù)語。這些術(shù)語僅用于區(qū)分一個(gè)元件與另一元件。例如，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，第一元件可以被稱為第二元件，并且類似地，第二元件可以被稱為第一元件。

本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施方案的特征可以彼此部分地或整體地結(jié)合或組合，并且如本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠充分理解的，所述特征可以以各種方式彼此相互作用并且在技術(shù)上被驅(qū)動(dòng)。本發(fā)明的實(shí)施方案可以彼此獨(dú)立地被實(shí)施，或者可以以相互依賴的關(guān)系一起被實(shí)施。

在下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方案。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面圖。

如圖2中可見，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括：包括在基板100中的有源區(qū)AA和焊盤區(qū)PA。

可以在基板100的有源區(qū)AA中形成薄膜晶體管(TFT)T、鈍化層165、平坦化層170、第一陽極電極180、第二陽極電極200、第一輔助電極190、第二輔助電極210、堤部220、分隔壁230、有機(jī)發(fā)光層240以及陰極電極250。

TFT T可以包括有源層110、柵極絕緣層120、柵電極130、層間電介質(zhì)140、源電極150和漏電極160。

有源層110可以形成在基板100上以交疊柵電極130。有源層110可以由硅基半導(dǎo)體材料形成，或者可以由氧化物基半導(dǎo)體材料形成。雖然未示出，但是可以在基板100與有源層110之間進(jìn)一步形成遮光層，并且在這種情況下，穿過基板100的底部入射的外部光被遮光層阻擋，從而防止有源層110被外部光損壞。

柵極絕緣層120可以形成在有源層110上。柵極絕緣層120可以使有源層110與柵電極130絕緣。柵極絕緣層120可以由無機(jī)絕緣材料例如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其多層形成，但是不限于此。柵極絕緣層120可以延伸至焊盤區(qū)PA。

柵電極130可以形成在柵極絕緣層120上。柵電極130可以形成為交疊有源層110，并且柵極絕緣層120在柵電極130與有源層110之間。

柵電極130可以包括下部柵電極131和上部柵電極132。

下部柵電極131可以形成在柵極絕緣層120與上部柵電極132之間，并且可以增強(qiáng)柵極絕緣層120與上部柵電極132之間的粘合力。此外，下部柵電極131保護(hù)上部柵電極132的底部，從而防止上部柵電極132的底部被腐蝕。因此，下部柵電極131的氧化速率可以低于上部柵電極132的氧化速率。即，下部柵電極131可以由比形成上部柵電極132的材料的耐蝕性強(qiáng)的材料形成。如上所述，下部柵電極131可以用作粘合增強(qiáng)層或防蝕層，并且可以由鉬(Mo)和鈦(Ti)的合金(MoTi)形成，但是不限于此。

上部柵電極132可以形成在下部柵電極131的頂部上。上部柵電極132可以由具有低電阻的金屬銅(Cu)形成，但是不限于此。上部柵電極132可以由具有比下部柵電極131的電阻相對(duì)較低的電阻的金屬形成。為了減小柵電極130的總電阻，上部柵電極132的厚度可以形成為比下部柵 電極131的厚度厚。

層間電介質(zhì)140可以形成在柵電極130上。層間電介質(zhì)140可以由與柵極絕緣層120的無機(jī)絕緣材料例如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其多層相同的無機(jī)絕緣材料形成，但是不限于此。層間電介質(zhì)140可以延伸至焊盤區(qū)PA。

源電極150和漏電極160可以形成為在層間電介質(zhì)140上彼此面對(duì)?？梢栽跂艠O絕緣層120和層間電介質(zhì)140中包括暴露出有源層110的一端區(qū)域的第一接觸孔CH1和暴露出有源層110的另一端區(qū)域的第二接觸孔CH2。源電極150可以通過第二接觸孔CH2連接至有源層110的所述另一端區(qū)域，以及漏電極160可以通過第一接觸孔CH1連接至有源層110的所述一端區(qū)域。

源電極150可以由包括下部源電極151和上部源電極152的多層形成。

下部源電極151可以形成在層間電介質(zhì)140與上部源電極152之間，并且可以增強(qiáng)層間電介質(zhì)140與上部源電極152之間的粘合力。此外，下部源電極151保護(hù)上部源電極152的底部，從而防止上部源電極152的底部被腐蝕。因此，下部源電極151的氧化速率可以低于上部源電極152的氧化速率。即，下部源電極151可以由比形成上部源電極152的材料的耐蝕性強(qiáng)的材料形成。如上所述，下部源電極151可以用作粘合增強(qiáng)層或防蝕層，并且可以由Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但是不限于此。

上部源電極152可以形成在下部源電極151的頂部上。上部源電極152可以由具有低電阻的金屬Cu形成，但是不限于此。上部源電極152可以由具有比下部源電極151的電阻相對(duì)較低的電阻的金屬形成。為了減小源電極150的總電阻，上部源電極152的厚度可以形成為比下部源電極151的厚度厚。

類似于上述的源電極150，漏電極160可以形成為包括下部漏電極161和上部漏電極162的多層。

下部漏電極161可以形成在層間電介質(zhì)140與上部漏電極162之間。下部漏電極161增強(qiáng)層間電介質(zhì)140與上部漏電極162之間的粘合力，并且此外，下部漏電極161防止上部漏電極162的底部被腐蝕。因此，下部漏電極161的氧化速率可以低于上部漏電極162的氧化速率。即，下部漏電極161可以由比形成上部漏電極162的材料的耐蝕性強(qiáng)的材料形成。如 上所述，下部漏電極161可以由與下部源電極151的上述材料相同的Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但是不限于此。

上部漏電極162可以形成在下部漏電極161的頂部上，并且可以由與上部源電極152的上述材料相同的Cu形成，但是不限于此。上部漏電極162的厚度可以形成為比下部漏電極161的厚度厚，從而減小漏電極160的總電阻，

上部漏電極162可以由與上部源電極152的材料相同的材料形成，以具有與上部源電極152的厚度相同的厚度，并且下部漏電極161可以由與下部源電極151的材料相同的材料形成，以具有與下部源電極151的厚度相同的厚度。在這種情況下，漏電極160和源電極150可以通過同一工藝同時(shí)形成。

TFT T的結(jié)構(gòu)不限于所示的結(jié)構(gòu)，并且可以以各種方式修改成對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說已知的結(jié)構(gòu)。例如，在附圖中示出柵電極130形成在有源層110上的頂部柵極結(jié)構(gòu)，但是TFT T可以形成為柵電極130形成在有源層110下的底部柵極結(jié)構(gòu)。

鈍化層165可以形成在TFT T上，并且更詳細(xì)地可以形成在源電極150和漏電極160的頂部上。鈍化層165保護(hù)TFT T。鈍化層165可以由無機(jī)絕緣材料例如SiOx或SiNx形成，但是不限于此。鈍化層165可以延伸至焊盤區(qū)PA。

平坦化層170可以形成在鈍化層165上。平坦化層170可以使包括TFT T的基板100的上表面平坦。平坦化層170可以由有機(jī)絕緣材料例如丙烯酸類樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂等形成，但是不限于此。平坦化層170可以不延伸至焊盤區(qū)PA。

第一陽極電極180和第一輔助電極190可以形成在平坦化層170上。即，第一陽極電極180和第一輔助電極190可以形成在同一層上。鈍化層165和平坦化層170中可以包括暴露出源電極150的第三接觸孔CH3，并且源電極150可以通過第三接觸孔CH3連接至第一陽極電極180。在一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施方案中，第一陽極電極180與源電極150連接。然而，源電極150和漏電極160可以基于晶體管的模式而轉(zhuǎn)換。因此，在一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施方案中，第一陽極電極180可以與漏電極160而不是源電極150連接。因此，第一陽極電極180可以與源電極150或者漏電極160連接。

第一陽極電極180可以包括第一下部陽極電極181和第一上部陽極電 極182。

第一下部陽極電極181可以形成在平坦化層170與第一上部陽極電極182之間，并且可以增強(qiáng)平坦化層170與第一上部陽極電極182之間的粘合力。此外，第一下部陽極電極181保護(hù)第一上部陽極電極182的底部，從而防止第一上部陽極電極182的底部被腐蝕。因此，第一下部陽極電極181的氧化速率可以低于第一上部陽極電極182的氧化速率。即，第一下部陽極電極181可以由比形成第一上部陽極電極182的材料的耐蝕性強(qiáng)的材料形成。此外，第一上部陽極電極181保護(hù)上部源電極152的頂部，從而防止上部源電極152的頂部被腐蝕。因此，第一下部陽極電極181的氧化速率可以低于上部源電極152的氧化速率。即，第一下部陽極電極181可以由比形成上部源電極152的材料的耐蝕性強(qiáng)的材料形成。如上所述，第一下部陽極電極181防止上部源電極152的頂部被腐蝕，因此源電極150可以形成為上述的雙層結(jié)構(gòu)。第一下部陽極電極181可以用作粘合增強(qiáng)層或防蝕層，并且可以由Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但是不限于此。

第一上部陽極電極182可以形成在第一下部陽極電極181的頂部上。第一上部陽極電極182可以由具有低電阻的金屬Cu形成，但是不限于此。第一上部陽極電極182可以由具有比第一下部陽極電極181的電阻相對(duì)較低的電阻的金屬形成。為了減小第一陽極電極180的總電阻，第一上部陽極電極182的厚度可以形成為比第一下部陽極電極181的厚度厚。

類似于上述的第一陽極電極180，第一輔助電極190可以包括第一下部輔助電極191和第一上部輔助電極192。

第一下部輔助電極191可以形成在平坦化層170與第一上部輔助電極192之間。第一下部輔助電極191可以增強(qiáng)平坦化層170與第一上部輔助電極192之間的粘合力，并且此外，第一下部輔助電極191防止第一上部輔助電極192的底部被腐蝕。因此，第一下部輔助電極191的氧化速率可以低于第一上部輔助電極192的氧化速率。即，第一下部輔助電極191可以由比形成第一上部輔助電極192的材料的耐蝕性強(qiáng)的材料形成。如上所述，第一下部輔助電極191可以由與第一下部陽極電極181的上述材料相同的Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但是不限于此。

第一上部輔助電極192可以形成在第一下部輔助電極191的頂部上，并且可以由與第一上部陽極電極182的上述材料相同的材料Cu形成，但是不限于此。第一上部輔助電極192可以由具有比第一下部輔助電極191 的電阻相對(duì)較低的電阻的金屬形成。具有相對(duì)低的電阻的第一上部輔助電極192的厚度可以形成為比具有相對(duì)高的電阻的第一下部輔助電極191的厚度厚，從而減小第一輔助電極190的總電阻。

第一上部輔助電極192可以由與第一上部陽極電極182的材料相同的材料形成，以具有與第一上部陽極電極182的厚度相同的厚度，并且第一下部輔助電極191可以由與第一下部陽極電極181的材料相同的材料形成，以具有與第一下部陽極電極181的厚度相同的厚度。在這種情況下，第一輔助電極190和第一陽極電極180可以通過同一工藝同時(shí)形成。

第二陽極電極200可以形成在第一陽極電極180的頂部上。第二陽極電極200可以形成為接觸第一陽極電極180的整個(gè)頂表面和側(cè)表面。即，第二陽極電極200與第一陽極電極180之間可以不形成(例如可以省略)分離絕緣層，因此無需形成絕緣層和接觸孔的工藝。第二陽極電極200可以沿著向上方向反射從有機(jī)發(fā)光層240發(fā)出的光，為此，第二陽極電極200可以由具有良好反射率的材料形成。此外，第二陽極電極200可以形成為覆蓋第一陽極電極180的頂表面和側(cè)表面，并且防止第一陽極電極180的頂表面和側(cè)表面被腐蝕。

第二陽極電極200可以包括第二下部陽極電極201、第二中間陽極電極202和第二上部陽極電極203。

第二下部陽極電極201可以形成在第一陽極電極180與第二中間陽極電極202之間。第二下部陽極電極201可以形成為覆蓋第一陽極電極180的頂表面和側(cè)表面，從而防止第一陽極電極180被腐蝕。為此，第二下部陽極電極201的氧化速率可以比構(gòu)成第一陽極電極180的第一下部陽極電極181和第一上部陽極電極182中的每一個(gè)的氧化速率低。即，第二下部陽極電極201可以由比形成第一下部陽極電極181和第一上部陽極電極182的材料的耐蝕性強(qiáng)的材料形成。此外，第二下部陽極電極201保護(hù)第二中間陽極電極202的底部，從而防止第二中間陽極電極202的底部被腐蝕。為此，第二下部陽極電極201的氧化速率可以低于第二中間陽極電極202的氧化速率。即，第二下部陽極電極201可以由比形成第二中間陽極電極202的材料耐蝕性強(qiáng)的材料形成。第二下部陽極電極201可以由諸如銦錫氧化物(ITO)等的透明導(dǎo)電材料形成，但是不限于此。

第二中間陽極電極202可以形成在第二下部陽極電極201與第二上部陽極電極203之間。第二中間陽極電極202可以由具有與第二下部陽極電極201和第二上部陽極電極203相比較低的電阻和較好的反射率的材料形 成，例如，第二中間陽極電極202可以由銀(Ag)形成。然而，本實(shí)施方案不限于此。具有相對(duì)低的電阻的第二中間陽極電極202的厚度可以形成為比具有相對(duì)高的電阻的第二下部陽極電極201和第二上部陽極電極203中的每一個(gè)的厚度厚，從而減小第二陽極電極200的總電阻。

第二上部陽極電極203可以形成在第二中間陽極電極202的頂部上，從而防止第二中間陽極電極202的頂部被腐蝕。為此，第二上部陽極電極203的氧化速率可以低于第二中間陽極電極202的氧化速率。即，第二上部陽極電極203可以由比形成第二中間陽極電極202的材料的耐蝕性強(qiáng)的材料形成。第二上部陽極電極203可以由諸如ITO等的透明導(dǎo)電材料形成，但是不限于此。

第二輔助電極210可以形成在第一輔助電極190的頂部上。第二輔助電極210可以形成在與其上設(shè)置有第二陽極電極200的層相同的層上。第二輔助電極210可以形成為接觸第一輔助電極190的整個(gè)頂表面和側(cè)表面。即，在第二輔助電極210與第一輔助電極190之間可以不形成(例如可以省略)分離絕緣層，因此無需形成絕緣層和接觸孔的工藝。第二輔助電極210減小了陰極電極250以及第一輔助電極190的電阻。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案，可以堆疊形成兩個(gè)輔助電極(例如第一輔助電極190和第二輔助電極210)用于減小陰極電極250的電阻，因此更容易調(diào)整輔助電極的期望的電阻特性。此外，第二輔助電極210可以形成為覆蓋第一輔助電極190的頂表面和側(cè)表面，從而防止第一輔助電極190的頂表面和側(cè)表面被腐蝕。

第二輔助電極210可以包括第二下部輔助電極211、第二中間輔助電極212和第二上部輔助電極213。

第二下部輔助電極211可以形成在第一輔助電極190與第二中間輔助電極212之間。第二下部輔助電極211可以形成為覆蓋第一輔助電極190的頂表面和側(cè)表面，從而防止第一輔助電極190被腐蝕。為此，第二下部輔助電極211的氧化速率可以比配置第一輔助電極190的第一下部輔助電極191和第一上部輔助電極192中的每一個(gè)的氧化速率低。即，第二下部輔助電極211可以由比形成第一下部輔助電極191和第一上部輔助電極192的材料的耐蝕性強(qiáng)的材料形成。此外，第二下部輔助電極211保護(hù)第二中間輔助電極212的底部，從而防止第二中間輔助電極212的底部被腐蝕。為此，第二下部輔助電極211的氧化速率可以低于第二中間輔助電極212的氧化速率。即，第二下部輔助電極211可以由比形成第二中間輔助 電極212的材料的耐蝕性強(qiáng)的材料形成。第二下部輔助電極211可以由諸如ITO等的透明導(dǎo)電材料形成，但是不限于此。

第二中間輔助電極212可以形成在第二下部輔助電極211與第二上部輔助電極213之間。第二中間輔助電極212可以由具有與第二下部輔助電極211和第二上部輔助電極213相比較低的電阻和較好的反射率的材料形成，例如，第二中間輔助電極212可以由銀(Ag)形成。然而，本實(shí)施方案不限于此。具有相對(duì)低的電阻的第二中間輔助電極212的厚度可以形成為比具有相對(duì)高的電阻的第二下部輔助電極211和第二上部輔助電極213中的每一個(gè)的厚度厚，從而減小第二輔助電極210的總電阻。

第二上部輔助電極213可以形成在第二中間輔助電極212的頂部上，從而防止第二中間輔助電極212的頂部被腐蝕。為此，第二上部輔助電極213的氧化速率可以低于第二中間輔助電極212的氧化速率。即，第二上部輔助電極213可以由比形成第二中間輔助電極212的材料的耐蝕性強(qiáng)的材料形成。第二上部輔助電極213可以由諸如ITO等的透明導(dǎo)電材料形成，但是不限于此。

第二上部輔助電極213可以由與第二上部陽極電極203的材料相同的材料形成，以具有與第二上部陽極電極203的厚度相同的厚度，第二中間輔助電極212可以由與第二中間陽極電極202的材料相同的材料形成，以具有與第二中間陽極電極202的厚度相同的厚度，以及第二下部輔助電極211可以由與第二下部陽極電極201的材料相同的材料形成，以具有與第二下部陽極電極201的厚度相同的厚度。在這種情況下，第二輔助電極210和第二陽極電極200可以通過同一工藝同時(shí)形成。

堤部220可以形成在第二陽極電極200和第二輔助電極210上。

堤部220可以形成在第二陽極電極200的一側(cè)與另一側(cè)上以暴露出第二陽極電極200的頂部。由于堤部220形成為暴露出第二陽極電極200的頂部，因此確保顯示圖像的區(qū)域。此外，由于堤部220形成在第二陽極電極200的一側(cè)與另一側(cè)上，因此防止容易被腐蝕的第二中間陽極電極202的側(cè)表面暴露于外部，從而防止第二中間陽極電極202的側(cè)表面被腐蝕。

堤部220可以形成在第二輔助電極210的一側(cè)和另一側(cè)上以暴露出第二輔助電極210的頂部。由于堤部220形成為暴露出第二輔助電極210的頂部，因此確保第二輔助電極210與陰極電極250之間的電連接空間。此外，由于堤部220形成在第二輔助電極210的一側(cè)和另一側(cè)上，因此防止 容易被腐蝕的第二中間輔助電極212的側(cè)表面暴露于外部，從而防止第二中間輔助電極212的側(cè)表面被腐蝕。

此外，堤部220可以形成在第二陽極電極200與第二輔助電極210之間，并且可以使第二陽極電極200絕緣于第二輔助電極210。堤部220可以由諸如聚酰亞胺樹脂、丙烯酸類樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB)等的有機(jī)絕緣材料形成，但是不限于此。

分隔壁230可以形成在第二輔助電極210上。分隔壁230可以與堤部220分離特定距離，并且第二輔助電極210可以穿過分隔壁230與堤部220之間的分離空間電連接至陰極電極250。第二輔助電極210可以在沒有形成分隔壁230的情況下電連接至陰極電極250。然而，如果形成了分隔壁230，更容易沉積形成有機(jī)發(fā)光層240。下面將對(duì)此進(jìn)行更詳細(xì)地描述。

如果沒有形成分隔壁230，那么在沉積有機(jī)發(fā)光層240時(shí)需要覆蓋第二輔助電極210的頂部的掩模圖案，以使第二輔助電極210的頂部不被有機(jī)發(fā)光層240覆蓋。然而，如果形成了分隔壁230，那么分隔壁230的頂部可以在沉積有機(jī)發(fā)光層240時(shí)用作檐(eave)，因此由于在檐下沒有沉積有機(jī)發(fā)光層240，因此無需覆蓋第二輔助電極210的頂部的掩模圖案。即，對(duì)于有機(jī)發(fā)光顯示裝置從前面看的情形，當(dāng)用作檐的分隔壁230的頂部的寬度大于分隔壁230與堤部220之間的分離寬度時(shí)，即，當(dāng)分隔壁230的頂部形成為覆蓋分隔壁230與堤部220之間的分離空間時(shí)，有機(jī)發(fā)光層240不能透入分隔壁230與堤部220之間的分離空間，因此可以在分隔壁230與堤部220之間的分離空間中暴露出第二輔助電極210。特別地，可以通過沉積工藝如沉積材料直線性優(yōu)異的蒸鍍工藝形成有機(jī)發(fā)光層240，因此有機(jī)發(fā)光層240未沉積在分隔壁230與堤部220之間的分離空間中。

如上所述，分隔壁230的頂部的寬度可以形成為大于分隔壁230的底部的寬度，以使得分隔壁230的頂部用作檐。分隔壁230可以包括下部第一分隔壁231和上部第二分隔壁232。第一分隔壁231可以形成在第二輔助電極210的頂部上，并且可以通過與堤部220的工藝相同的工藝由與堤部220的材料相同的材料形成。第二分隔壁232可以形成在第一分隔壁231的頂部上。第二分隔壁232的頂部的寬度可以形成為大于第二分隔壁232的底部的寬度，并且特別地，由于第二分隔壁232的頂部的寬度大于分隔壁230與堤部220之間的分離寬度，因此第二分隔壁232的頂部可以用作檐。

有機(jī)發(fā)光層240可以形成在第二陽極電極200上。有機(jī)發(fā)光層240可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。有機(jī)發(fā)光層240可以被修改以具有對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說已知的各種結(jié)構(gòu)。

有機(jī)發(fā)光層240可以延伸至堤部220的頂部。然而，有機(jī)發(fā)光層240可以以覆蓋第二輔助電極210的頂部的狀態(tài)不延伸至第二輔助電極210的頂部。這是因?yàn)楫?dāng)有機(jī)發(fā)光層240覆蓋第二輔助電極210的頂部時(shí)，難以使第二輔助電極210電連接至陰極電極250。如上所述，有機(jī)發(fā)光層240可以通過沉積工藝形成而無需覆蓋第二輔助電極210頂部的掩模，并且在這種情況下，有機(jī)發(fā)光層240可以形成在分隔壁230的頂部上。

陰極電極250可以形成在有機(jī)發(fā)光層240上。陰極電極250可以形成在光發(fā)出的表面上，因此陰極電極250可以由透明導(dǎo)電材料形成。由于陰極電極250由透明導(dǎo)電材料形成，因此陰極電極250的電阻高，由于這個(gè)原因，為了減小陰極電極250的電阻，陰極電極250可以連接至第二輔助電極210。即，陰極電極250可以穿過分隔壁230與堤部220之間的分離空間連接至第二輔助電極210。陰極電極250可以通過沉積工藝如沉積材料直線性不好的濺射工藝形成，因此陰極電極250可以在沉積陰極電極250的工藝中沉積在分隔壁230與堤部220之間的分離空間中。

雖然未示出，但是可以在陰極電極250上進(jìn)一步形成封裝層以防止水滲入。封裝層可以使用對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說已知的各種材料。此外，雖然未示出，但是可以在陰極電極250上進(jìn)一步形成用于每個(gè)像素的濾色器，并且在這種情況下，可以從有機(jī)發(fā)光層240發(fā)出白光。

柵極絕緣層120、信號(hào)焊盤300、層間電介質(zhì)140、焊盤電極400和鈍化層165可以形成在基板100的焊盤區(qū)PA中。

柵極絕緣層120可以形成在基板100上。柵極絕緣層120可以通過從有源區(qū)AA延伸出來形成在整個(gè)焊盤區(qū)PA上。

信號(hào)焊盤300可以形成在柵極絕緣層120上。信號(hào)焊盤300可以形成在與有源區(qū)AA中的柵電極130所設(shè)置的層相同的層上。信號(hào)焊盤300可以包括下部信號(hào)焊盤301和上部信號(hào)焊盤302。

下部信號(hào)焊盤301可以形成在柵極絕緣層120與上部信號(hào)焊盤302之間，并且可以增強(qiáng)柵極絕緣層120與上部信號(hào)焊盤302之間的粘合力。此外，下部信號(hào)焊盤301保護(hù)上部信號(hào)焊盤302的底部，從而防止上部信 號(hào)焊盤302的底部被腐蝕。因此，下部信號(hào)焊盤301的氧化速率可以低于上部信號(hào)焊盤302的氧化速率。即，下部信號(hào)焊盤301可以由比形成上部信號(hào)焊盤302的材料的耐蝕性強(qiáng)的材料形成。如上所述，下部信號(hào)焊盤301可以用作粘合增強(qiáng)層或防蝕層，并且可以由Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但是不限于此。

上部信號(hào)焊盤302可以形成在下部信號(hào)焊盤301的頂部上。上部信號(hào)焊盤302可以由具有低電阻的金屬Cu形成，但是不限于此。上部信號(hào)焊盤302可以由具有比下部信號(hào)焊盤301的電阻相對(duì)較低的電阻的金屬形成。為了減小信號(hào)焊盤300的總電阻，上部信號(hào)焊盤302的厚度可以形成為比下部信號(hào)焊盤301的厚度厚。

上部信號(hào)焊盤302可以由與上部柵電極132的材料相同的材料形成，以具有與上部柵電極132的厚度相同的厚度，并且下部信號(hào)焊盤301可以由與下部柵電極131的材料相同的材料形成以具有與下部柵電極131的厚度相同的厚度。在這種情況下，信號(hào)焊盤300和柵電極130可以通過同一工藝同時(shí)形成。

層間電介質(zhì)140可以形成在信號(hào)焊盤300上。層間電介質(zhì)140可以形成為覆蓋信號(hào)焊盤300的側(cè)表面，從而防止信號(hào)焊盤300的側(cè)表面被腐蝕。層間電介質(zhì)140可以從有源區(qū)AA延伸出。層間電介質(zhì)140中可以包括暴露出信號(hào)焊盤300的一部分的第四接觸孔CH4。

焊盤電極400可以形成在層間電介質(zhì)140上。焊盤電極400可以通過第四接觸孔CH4連接至信號(hào)焊盤300。焊盤電極400可以暴露于外部并且連接至外部驅(qū)動(dòng)器。

焊盤電極400保護(hù)信號(hào)焊盤300的頂部。信號(hào)焊盤300的頂部可以由相對(duì)易受腐蝕的上部信號(hào)焊盤302來配置，因此焊盤電極400可以形成為覆蓋通過第四接觸孔CH4暴露出的上部信號(hào)焊盤302的頂部，從而防止上部信號(hào)焊盤302被腐蝕。如上所述，由于焊盤電極400防止上部信號(hào)焊盤302的頂部被腐蝕，因此信號(hào)焊盤300可以形成為上述的雙層結(jié)構(gòu)。即，信號(hào)焊盤300的頂部可以由相對(duì)易受腐蝕的上部信號(hào)焊盤302來配置。焊盤電極400的氧化速率可以低于上部信號(hào)焊盤302的氧化速率。即，焊盤電極400可以由比形成上部信號(hào)焊盤302的材料的耐蝕性強(qiáng)的材料形成。此外，由于焊盤電極400暴露于外部，因此焊盤電極400可以由具有強(qiáng)耐蝕性的材料形成。焊盤電極400可以由與第一下部源電極151和/或第一下部漏電極161的上述材料相同的Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但是 不限于此。焊盤電極400可以由與第一下部源電極151和/或第一下部漏電極161的材料相同的材料形成，以具有與第一下部源電極151和/或第一下部漏電極161的厚度相同的厚度。在這種情況下，焊盤電極400與第一下部源電極151，焊盤電極400與第一下部漏電極161，或者焊盤電極400、第一下部源電極151以及第一下部漏電極161可以通過相同的掩模工藝形成圖案，因此沒有增加單獨(dú)的工藝。

鈍化層165可以形成在焊盤電極400上。鈍化層165可以從有源區(qū)AA延伸出。鈍化層165中可以包括暴露出焊盤電極400的一部分的第五接觸孔CH5。因此，焊盤電極400可以通過第五接觸孔CH5連接至外部驅(qū)動(dòng)電路。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面圖。除了焊盤區(qū)PA的結(jié)構(gòu)改變之外，圖3中的有機(jī)發(fā)光顯示裝置與圖2中的上述有機(jī)發(fā)光顯示裝置相同。因此，相同的附圖標(biāo)記指代相似的元件。在下文中，將僅詳細(xì)描述與圖2中的上述元件不同的元件。

如圖3中可見，根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方案，鈍化層165可以不延伸至焊盤區(qū)PA。因此，鈍化層165可以不覆蓋焊盤電極400的頂部。如上所述，由于鈍化層165形成為未覆蓋焊盤電極400的頂部，因此焊盤電極400的整個(gè)頂部可以暴露于外部，因此增強(qiáng)焊盤電極400與外部驅(qū)動(dòng)器的連接性。

圖4A至圖4M是示出制造根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的截面圖，并且涉及制造圖2中的上述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。因此，相同的附圖標(biāo)記指代相似的元件，并且在每個(gè)元件的材料和結(jié)構(gòu)方面，不重復(fù)相同或相似的描述。

首先，如圖4A中可見，可以在基板100上相繼形成有源層110、柵極絕緣層120、柵電極130、信號(hào)焊盤300、層間電介質(zhì)140、源電極150、漏電極160和焊盤電極400。

為了提供更詳細(xì)的描述，可以在基板100上形成有源層110，可以在有源層110上形成柵極絕緣層120，可以在柵極絕緣層120上形成柵電極130和信號(hào)焊盤300，可以在柵電極130和信號(hào)焊盤300上形成層間電介質(zhì)140，可以在柵極絕緣層120和層間電介質(zhì)140中形成第一接觸孔CH1和第二接觸孔CH2，以及可以在層間電介質(zhì)140中形成第四接觸孔CH4。隨后，可以形成通過第一接觸孔CH1連接至有源層110的一端區(qū)域的漏 電極160、通過第二接觸孔CH2連接至有源層110的另一端區(qū)域的源電極150以及通過第四接觸孔CH4連接至信號(hào)焊盤300的焊盤電極400。

在此，有源層110、柵電極130、源電極150和漏電極160可以形成在有源區(qū)AA中，柵極絕緣層120和層間電介質(zhì)140可以形成為從有源區(qū)AA延伸至焊盤區(qū)PA，并且信號(hào)焊盤300和焊盤電極400可以形成在焊盤區(qū)PA中。通過這樣的工藝，可以在有源區(qū)AA中形成TFT T，并且可以在焊盤區(qū)PA中形成信號(hào)焊盤300和焊盤電極400。

柵電極130可以配置為具有下部柵電極131和上部柵電極132，并且信號(hào)焊盤300可以配置為具有下部信號(hào)焊盤301和上部信號(hào)焊盤302。柵電極130和信號(hào)焊盤300可以通過同一圖案化工藝由相同的材料同時(shí)形成。

源電極150可以配置為具有下部源電極151和上部源電極152，漏電極160可以配置為具有下部漏電極161和上部漏電極162，以及焊盤電極400可以配置為具有下部焊盤電極401和上部焊盤電極402。源電極150、漏電極160和焊盤電極400可以通過同一圖案化工藝由相同的材料同時(shí)形成。

源電極150、漏電極160和焊盤電極400可以通過使用光致抗蝕劑(PR)圖案作為掩模來形成圖案。即，可以相繼地沉積用于形成源電極150、漏電極160和焊盤電極400的下部電極材料層和上部電極材料層，然后，可以在上部電極材料層上形成PR圖案。通過采用PR圖案作為掩模蝕刻下部電極材料層和上部電極材料層，可以形成如所示出的源電極150、漏電極160和焊盤電極400。

在這種情況下，PR圖案可以包括具有相對(duì)厚的第一厚度d1的區(qū)和具有相對(duì)薄的第二厚度d2的另一區(qū)。具有第一厚度d1的區(qū)可以對(duì)應(yīng)于源電極150和漏電極160的上部區(qū)域。具有第二厚度d2的另一區(qū)可以對(duì)應(yīng)于焊盤電極400的上部區(qū)域。此外，在沒有與源電極150、漏電極160和焊盤電極400交疊的區(qū)中可以不形成(例如可以省略)PR圖案。

可以通過半色調(diào)掩模工藝獲得包括具有第一厚度d1的區(qū)和具有第二厚度d2的另一區(qū)的PR圖案。

隨后，如圖4B中可見，通過灰化PR圖案，可以去除焊盤電極400上的PR圖案。

即，當(dāng)PR圖案被灰化時(shí)，可以去除具有相對(duì)薄的第二厚度d2并且 設(shè)置在焊盤電極400上的PR圖案，并且僅可以留下具有相對(duì)厚的第一厚度的d1并且設(shè)置在源電極150和漏電極160上的PR圖案。在這種情況下，設(shè)置在源電極150和漏電極160上的PR圖案可以以具有比第一厚度d1薄的第三厚度d3的狀態(tài)留下。

隨后，如圖4C中可見，通過使用所留下的PR圖案作為掩模，可以去除上部焊盤電極402而沒有蝕刻上部源電極152和上部漏電極162。

為了對(duì)此提供更詳細(xì)的描述，當(dāng)上部焊盤電極402由Cu形成并且下部焊盤電極401由Mo和Ti的合金(MoTi)形成時(shí)，可以通過用于選擇性蝕刻僅Cu的蝕刻劑來去除僅上部焊盤電極402。具體地，通過使用包含由磷酸、硝酸和醋酸組成的三組分混合酸的蝕刻劑，下部焊盤電極401可以原樣留下，并且在蝕刻工藝中可以去除上部焊盤電極402。可以基于上部焊盤電極402的具體材料來改變蝕刻劑的組分。

由易受腐蝕的材料形成的上部焊盤電極402可以在圖案化形成源電極150和漏電極160的工藝中被去除，因此可以獲得包括具有極好耐蝕性并且暴露于外部的下部焊盤電極401的焊盤電極(圖2中的焊盤電極400)。

隨后，如圖4D中可見，可以通過剝離留下的PR圖案將源電極150和漏電極160暴露于外部。

如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，通過使用包括具有第一厚度d1的區(qū)和具有第二厚度d2的另一區(qū)并且已經(jīng)通過半色調(diào)掩模工藝獲得的PR圖案，可以通過一次掩模工藝對(duì)源電極150、漏電極160和包括下部焊盤電極401的焊盤電極(圖2中的焊盤電極400)形成圖案。

隨后，如圖4E中可見，可以在源電極150、漏電極160和下部焊盤電極401上形成鈍化層165，并且可以在鈍化層165上形成平坦化層170?？梢栽阝g化層165和平坦化層170中的每一個(gè)的預(yù)定區(qū)域中形成第三接觸孔CH3，因此源電極150可以通過第三接觸孔CH3暴露于外部。

鈍化層165可以形成為從有源區(qū)AA延伸至焊盤區(qū)PA，并且平坦化層170可以形成在有源區(qū)AA中。由于在焊盤區(qū)PA中未形成有TFT，因此對(duì)使焊盤區(qū)PA的表面平坦的必要性小，因此在焊盤區(qū)PA中可以不形成(例如可以省略)平坦化層170。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案，下部焊盤電極401可以在形成向外暴露出源電極150的第三接觸孔CH3的工藝中不暴露于外部。由于下部焊盤電極401應(yīng)當(dāng)連接至外部驅(qū)動(dòng)器，因此可以去除鈍化層165的覆蓋下部焊 盤電極401的頂部的區(qū)域，并且可以采用形成第三接觸孔CH3的工藝同時(shí)執(zhí)行去除鈍化層165的覆蓋下部焊盤電極401的頂部的區(qū)域的工藝。然而，如果采用形成第三接觸孔CH3的工藝同時(shí)執(zhí)行去除鈍化層165的覆蓋下部焊盤電極401的頂部的區(qū)域的工藝，那么下部焊盤電極401可能在稍后執(zhí)行的圖案化形成第一陽極電極180和第一輔助電極190的工藝中被所使用的蝕刻劑損壞。因此，在本發(fā)明的實(shí)施方案中，下部焊盤電極401可以在形成第三接觸孔CH3的工藝中不暴露于外部，以防止下部焊盤電極401被蝕刻劑損壞。

隨后，如圖4F中可見，可以在設(shè)置在有源區(qū)AA中的平坦化層170上形成彼此分離的第一陽極電極180和第一輔助電極190。詳細(xì)地，第一陽極電極180可以形成為通過第三接觸孔CH3連接至源電極150。

第一陽極電極180可以配置為具有第一下部陽極電極181和第一上部陽極電極182，并且第一輔助電極190可以配置為具有第一下部輔助電極191和第一上部輔助電極192。

第一陽極電極180和第一輔助電極190可以通過同一圖案化工藝由相同的材料同時(shí)形成。

圖案化形成第一陽極電極180和第一輔助電極190的工藝可以包括使用蝕刻劑的蝕刻工藝。形成在焊盤區(qū)PA中的下部焊盤電極401可以在蝕刻工藝中被一起蝕刻。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，如上所述，鈍化層165防止下部焊盤電極401被損壞。

隨后，如圖4G中可見，可以在設(shè)置在有源區(qū)AA中的第一陽極電極180上形成第二陽極電極200，并且可以在設(shè)置在有源區(qū)AA中的第一輔助電極190上形成第二輔助電極210。

第二陽極電極200可以形成為覆蓋第一陽極電極180的頂表面和側(cè)表面，并且第二輔助電極210可以形成為覆蓋第一輔助電極190的頂表面和側(cè)表面。第二陽極電極200和第二輔助電極210可以通過同一圖案化工藝由相同的材料同時(shí)形成。

第二陽極電極200可以包括第二下部陽極電極201、第二中間陽極電極202和第二上部陽極電極203。第二輔助電極210可以包括第二下部輔助電極211、第二中間輔助電極212和第二上部輔助電極213。

在下文中，圖4H至圖4J示出在形成堤部220的工藝中去除鈍化層165的覆蓋下部焊盤電極401的頂部的區(qū)域的詳細(xì)工藝。

如圖4H中可見，可以在有源區(qū)AA和焊盤區(qū)PA中的每個(gè)區(qū)中形成PR圖案220a。

PR圖案220a可以形成在第二陽極電極200、第二輔助電極210、平坦化層170和鈍化層165上。

PR圖案220a可以包括具有相對(duì)厚的第一厚度t1的區(qū)和具有相對(duì)薄的第二厚度t2的另一區(qū)。具有第一厚度t1的區(qū)可以對(duì)應(yīng)于第二陽極電極200的側(cè)區(qū)域，并且還可以對(duì)應(yīng)于第二輔助電極210的側(cè)區(qū)域和部分中心區(qū)域。具有第二厚度t2的另一區(qū)可以對(duì)應(yīng)于具有第一厚度t1的區(qū)之間的空間。詳細(xì)地，具有第二厚度t2的另一區(qū)可以對(duì)應(yīng)于第二陽極電極200的中心區(qū)域、對(duì)應(yīng)于在第二輔助電極210的中心區(qū)域中的具有第一厚度t1的區(qū)之間的空間、以及對(duì)應(yīng)于焊盤區(qū)PA。此外，在與下部焊盤電極401交疊的區(qū)中可以不形成(例如可以省略)PR圖案220a。

可以通過半色調(diào)掩模工藝來獲得具有如下結(jié)構(gòu)的PR圖案220a：該結(jié)構(gòu)包括具有第一厚度t1的區(qū)和具有第二厚度t2的另一區(qū)，并且在與下部焊盤電極401交疊的區(qū)中未形成該結(jié)構(gòu)。

隨后，如圖4I中可見，通過使用PR圖案220a作為掩模，可以通過去除鈍化層165的覆蓋下部焊盤電極401的頂部的區(qū)域來形成第五接觸孔CH5。即，由于第五接觸孔CH5形成在鈍化層165中，因此下部焊盤電極401可以通過第五接觸孔CH5暴露于外部。

隨后，如圖4J中可見，堤部220和第一分隔壁231可以通過灰化PR圖案220a來形成。

當(dāng)PR圖案220a被灰化時(shí)，可以從具有相對(duì)薄的第二厚度t2的區(qū)去除PR圖案220a，并且可以在具有相對(duì)厚的第一厚度t1的區(qū)中留下PR圖案220a，因此堤部220和第一分隔壁231可以通過所留下的PR圖案220a來形成。

為了提供更詳細(xì)的描述，由于從具有相對(duì)薄的第二厚度t2的區(qū)去除了PR圖案220a，因此第二陽極電極200的頂部可以暴露出，第二輔助電極210的頂部的一部分可以暴露出，以及鈍化層165的頂部可以暴露出。此外，由于在具有相對(duì)厚的第一厚度t1的區(qū)中留下了PR圖案220a，因此可以在第二陽極電極200的一側(cè)與另一側(cè)上形成堤部220，可以在第二輔助電極220的一側(cè)與另一側(cè)上形成堤部220，以及可以在第二輔助電極210的頂部上形成第一分隔壁231。第一分隔壁231可以形成為以特定距 離與堤部220分離。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，可以通過使用PR圖案220a作為掩模來形成向外暴露出下部焊盤電極401的第五接觸孔CH5，并且可以通過使用通過灰化PR圖案220a所留下的PR圖案220a來形成堤部220和第一分隔壁231。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，由于第五接觸孔CH5、堤部220和第一分隔壁231通過一次掩模工藝形成，因此減少了掩模工藝的數(shù)目。

隨后，如圖4K中可見，可以在第一分隔壁231的頂部上形成第二分隔壁232，因此可以形成包括第一分隔壁231和第二分隔壁232的分隔壁230。為了分隔壁230的頂部用作檐，第二分隔壁232的頂部的寬度可以形成為大于第二分隔壁232的底部的寬度。特別地，對(duì)于從有機(jī)發(fā)光顯示裝置的前面看該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的情況，第二分隔壁232的頂部可以覆蓋分隔壁230與堤部220之間的分離空間，因此在沉積有機(jī)發(fā)光層240的下述工藝中，有機(jī)發(fā)光層240未沉積在分隔壁230與堤部220之間的分離空間中。

隨后，如圖4L中可見，有機(jī)發(fā)光層240可以形成在第二陽極電極200上。有機(jī)發(fā)光層240可以通過沉積工藝如沉積材料直線性優(yōu)異的蒸鍍工藝形成，因此有機(jī)發(fā)光層240可以沉積在堤部220與分隔壁230的頂部上，但是有機(jī)發(fā)光層240未沉積在分隔壁230與堤部220之間的分離空間中。即，分隔壁230的頂部可以用作沉積有機(jī)發(fā)光層240時(shí)的檐，因此即使在沒有覆蓋第二輔助電極210的頂部的掩模圖案的情況下沉積有機(jī)發(fā)光層240時(shí)，有機(jī)發(fā)光層240也不會(huì)沉積在分隔壁230與堤部220之間的分離空間中。

隨后，如圖4M中可見，可以在有機(jī)發(fā)光層240上形成陰極電極250。

陰極電極250可以形成為穿過分隔壁230與堤部220之間的分離空間連接至第二輔助電極210。陰極電極250可以通過沉積工藝如沉積材料直線性不好的濺射工藝形成，因此陰極電極250可以在沉積陰極電極250的工藝中沉積在分隔壁230與堤部220之間的分離空間中。

如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，由于用于向外暴露出下部焊盤電極401的第五接觸孔CH5在第二陽極電極200與第二輔助電極210形成之后形成，因此在圖案化形成第一陽極電極180和第一輔助電極190的工藝中防止下部焊盤電極401被蝕刻劑損壞。此外，通過在形成堤部220 和第一分隔壁231的工藝中去除鈍化層165的部分區(qū)域，可以在沒有增加單獨(dú)的工藝的情況下形成第五接觸孔CH5。

圖5A至圖5L是示出制造根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的截面圖，并且涉及制造圖3中的上述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。因此，相同的附圖標(biāo)記指代相似的元件，并且在每個(gè)元件的材料和結(jié)構(gòu)方面，不重復(fù)相同或相似的描述。

首先，如圖5A中可見，可以在基板100上相繼地形成有源層110、柵極絕緣層120、柵電極130、信號(hào)焊盤300、層間電介質(zhì)140、源電極150、漏電極160和焊盤電極400。因此，可以在有源區(qū)AA中形成TFT T，并且可以在焊盤區(qū)PA中形成信號(hào)焊盤300和焊盤電極400。

源電極150、漏電極160和焊盤電極400可以通過使用PR圖案作為掩模來形成圖案，所述PR圖案包括具有相對(duì)厚的第一厚度d1的區(qū)和具有相對(duì)薄的第二厚度d2的另一區(qū)。圖5A中所示的這樣的工藝與圖4A中的上述工藝相同。

隨后，如圖5B中可見，通過灰化PR圖案，可以去除焊盤電極400上的PR圖案。由于灰化，可以去除具有相對(duì)薄的第二厚度d2并且設(shè)置在焊盤電極400上的PR圖案，并且具有相對(duì)厚的第一厚度d1并且設(shè)置在源電極150和漏電極160上的PR圖案可以以具有第三厚度d3的狀態(tài)留下。圖5B中所示的這樣的工藝與圖4B中的上述工藝相同。

隨后，如圖5C中可見，通過使用所留下的PR圖案作為掩模，上部焊盤電極402可以被去除而沒有蝕刻上部源電極152和上部漏電極162。

由易受腐蝕的材料形成的上部焊盤電極402可以在圖案化形成源電極150和漏電極160的工藝中被去除，因此可以獲得包括具有極好的耐蝕性并且暴露于外部的下部焊盤電極401的焊盤電極(圖2中的焊盤電極400)。圖5C中所示的這樣的工藝與圖4C中的上述工藝相同。

隨后，如圖5D中可見，源電極150和漏電極160可以通過剝離留下的PR圖案來暴露于外部。圖5D中所示的這樣的工藝與圖4D中的上述工藝相同。

隨后，如圖5E中可見，可以在源電極150、漏電極160和信號(hào)焊盤300上形成鈍化層165，并且可以在鈍化層165上形成平坦化層170。平坦化層170可以包括第三接觸孔CH3。圖5E中所示的這樣的工藝與圖4E中的上述工藝相同。

隨后，如圖5F中可見，可以在設(shè)置在有源區(qū)AA中的平坦化層170上形成彼此分離的第一陽極電極180和第一輔助電極190。詳細(xì)地，第一陽極電極180可以形成為通過第三接觸孔CH3連接至源電極150。圖5F中所示的這樣的工藝與圖4F中的上述工藝相同。

隨后，如圖5G中可見，可以在設(shè)置在有源區(qū)AA中的第一陽極電極180上形成第二陽極電極200，并且可以在設(shè)置在有源區(qū)AA中的第一輔助電極190上形成第二輔助電極210。圖5G中所示的這樣的工藝與圖4G中的上述工藝相同。

隨后，如圖5H中可見，可以在第二陽極電極200的一側(cè)與另一側(cè)上形成堤部220以暴露出第二陽極電極200的頂部。此外，堤部220可以形成在第二輔助電極210的一側(cè)與另一側(cè)上以暴露出第二輔助電極210的頂部。此外，可以在第二輔助電極210的所暴露出的頂部上形成第一分隔壁231。第一分隔壁231可以形成為以特定距離與堤部220分離，因此可以在第一分隔壁231與堤部220之間設(shè)置分離空間。第一分隔壁231和堤部220可以通過同一圖案化工藝由相同的材料同時(shí)形成。

隨后，如圖5I中可見，可以在第一分隔壁231的頂部上形成第二分隔壁232，因此可以形成包括第一分隔壁231和第二分隔壁232的分隔壁230。

為了分隔壁230的頂部用作檐，第二分隔壁232的頂部的寬度可以形成為大于第二分隔壁232的底部的寬度。特別地，對(duì)于從有機(jī)發(fā)光顯示裝置的前面看該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的情況，第二分隔壁232的頂部可以覆蓋分隔壁230與堤部220之間的分離空間，因此在沉積有機(jī)發(fā)光層240的下述工藝中，有機(jī)發(fā)光層240未沉積在分隔壁230與堤部220之間的分離空間中。

隨后，如圖5J中可見，有機(jī)發(fā)光層240可以形成在第二陽極電極200上。有機(jī)發(fā)光層240可以沉積在堤部220與分隔壁230的頂部上，但是有機(jī)發(fā)光層240未沉積在分隔壁230與堤部220之間的分離空間中。

隨后，如圖5K中可見，可以在有機(jī)發(fā)光層240上形成陰極電極250。陰極電極250可以形成為穿過分隔壁230與堤部220之間的分離空間連接至第二輔助電極210。

隨后，如圖5L中可見，下部焊盤電極401可以通過去除形成在焊盤區(qū)PA中的鈍化層165來暴露于外部。特別地，通過這樣的工藝，形成在 下部焊盤電極401上的鈍化層165可以被全部去除，因此下部焊盤電極401的整個(gè)頂部可以暴露于外部。

可以通過使用激光圖案化工藝來執(zhí)行去除鈍化層165的工藝，但是不限于此。激光圖案化工藝是將激光輻照裝置500移動(dòng)至基板上沉積有薄層的位置的同時(shí)形成圖案的技術(shù)。

在本發(fā)明的另一實(shí)施方案中，可以在形成堤部220的工藝或在形成封裝層(未示出)的工藝之后執(zhí)行去除形成在焊盤區(qū)PA中的鈍化層165的工藝，因此，由于在圖案化形成第一陽極電極180和第一輔助電極190的工藝中下部焊盤電極401被鈍化層165覆蓋，因此防止下部焊盤電極401被蝕刻劑損壞。此外，可以通過激光圖案化技術(shù)來去除鈍化層165的預(yù)定區(qū)域，因此沒有增加用于暴露出下部焊盤電極401的單獨(dú)的掩模工藝。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，焊盤電極可以形成為覆蓋信號(hào)焊盤的頂部，從而防止信號(hào)焊盤被腐蝕。因此，信號(hào)焊盤可以形成為包括下部信號(hào)焊盤和易受腐蝕的上部信號(hào)焊盤的雙層結(jié)構(gòu)。

此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，用于向外暴露出焊盤電極的接觸孔、堤部和第一分隔壁可以通過一次掩模工藝同時(shí)形成，因此減少了掩模工藝的數(shù)目。

此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，由于在第二陽極電極和第二輔助電極形成之后執(zhí)行向外暴露出下部焊盤電極的工藝，因此在圖案化形成第一陽極電極和第一輔助電極的工藝中防止下部焊盤電極被蝕刻劑損壞。

對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員將明顯的是，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以在本發(fā)明中做出各種修改和變化。因此，本發(fā)明旨在覆蓋本發(fā)明的修改和變化，只要這些修改和變化落入所附權(quán)利要求及其等同內(nèi)容的范圍內(nèi)即可。