本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，LED)顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

近年來，發(fā)光二極管技術(shù)的進步已使得亮度強度以及色彩保真度獲得顯著的改善。由于這些技術(shù)的改善，全彩的發(fā)光二極管顯示裝置已經(jīng)成為可獲得并且通用的。

全彩的發(fā)光二極管顯示裝置可借由貼附不同顏色的微型發(fā)光元件在顯示基板而實施。這些不同顏色的微型發(fā)光元件發(fā)射出不同的色光，并且因此彩色影像可以根據(jù)不同色光的組合而被顯示。然而，當微型發(fā)光元件被發(fā)現(xiàn)有缺陷時，因為拆卸工藝很難被執(zhí)行，有缺陷的微型發(fā)光元件很難被更換，并且可能導致顯示基板或其他微型發(fā)光元件的損壞。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法，沒有必要進行拆卸工藝，而拆卸工藝可能對基板或是其他微型發(fā)光元件造成損壞，可提高制造發(fā)光二極管顯示裝置的合格率。

依據(jù)本發(fā)明的一實施方式，一種發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法包含在基板上形成至少一個子像素電路，形成主要電極墊以及第一備用電極墊，且主要電極墊以及第一備用電極墊電性連接至子像素電路，在主要電極墊之上設(shè)置第一微型發(fā)光元件，以及測試第一微型發(fā)光元件。

在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，上述的發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法還包含當?shù)谝晃⑿桶l(fā)光元件被測試為有缺陷時，在第一備用電極墊之上設(shè)置第二微型發(fā)光元件。

在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，上述的發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法還包含當?shù)谝晃⑿桶l(fā)光元件被測試為有缺陷時，將主要電極墊以及子像素電路間的連接失效。

在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，上述的發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法還包含形成保護層以覆蓋第一微型發(fā)光元件，在保護層中形成至少一個開口以暴露出第一微型發(fā)光元件的一部分，以及形成至少一個對向電極連接至第一微型發(fā)光元件被暴露出來的部分。

在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，當?shù)谝晃⑿桶l(fā)光元件被測試為有缺陷時，發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法還包含形成保護層以覆蓋第二微型發(fā)光元件，在保護層中形成至少一個開口以暴露出第二微型發(fā)光元件的一部分，以及形成至少一個對向電極連接至第二微型發(fā)光元件被暴露出來的部分。

在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，當?shù)谝晃⑿桶l(fā)光元件被測試為有缺陷時，發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法還包含形成至少一個開口以暴露出有缺陷的第一微型發(fā)光元件的一部分，以及形成絕緣層以覆蓋有缺陷的第一微型發(fā)光元件被暴露出來的部分。

在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，上述的發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法還包含形成電性連接至子像素電路的第二備用電極墊。

在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，上述的發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法還包含測試第二微型發(fā)光元件，當?shù)诙⑿桶l(fā)光元件被測試為有缺陷時，在第二備用電極墊之上設(shè)置第三微型發(fā)光元件，以及當?shù)诙⑿桶l(fā)光元件被測試為有缺陷時，將子像素電路以及第一備用電極墊間的連接失效。

在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，上述的失效是借由激光切割工藝所實施。

依據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，一種發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法包含在基板上形成子像素的陣列，其中形成各子像素包含在基板之上形成至少一個子像素電路，形成主要電極墊以及第一備用電極墊，且主要電極墊以及第一備用電極墊電性連接至子像素電路，以及在主要電極墊之上設(shè)置第一微型發(fā)光元件。然后，發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法包含測試各子像素的第一微型發(fā)光元件，以及收集各子像素的第一微型發(fā)光元件的測試結(jié)果以及位置信息。

在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，上述的形成各子像素還包含當?shù)谝晃⑿桶l(fā)光元件被測試為有缺陷時，依據(jù)測試結(jié)果以及位置信息在第一備用電極墊之上設(shè)置第二微型發(fā)光元件。

在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，上述的形成各子像素還包含當?shù)谝晃⑿桶l(fā)光元件被測試為有缺陷時，將主要電極墊以及子像素電路間的連接失效。

在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，上述的形成各子像素還包含形成保護層以覆蓋第一微型發(fā)光元件，在保護層中形成至少一個開口以暴露出第一微型發(fā)光元件的一部分，以及形成至少一個對向電極連接至第一微型發(fā)光元件被暴露出來的部分。

在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，當?shù)谝晃⑿桶l(fā)光元件被測試為有缺陷時，形成各子像素還包含形成保護層以覆蓋第二微型發(fā)光元件，在保護層中形成至少一個開口以暴露出第二微型發(fā)光元件的一部分，以及形成至少一個對向電極連接至第二微型發(fā)光元件被暴露出來的部分。

在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，上述的當?shù)谝晃⑿桶l(fā)光元件被測試為有缺陷時，形成各子像素還包含在保護層之內(nèi)形成至少一個開口以暴露出有缺陷的第一微型發(fā)光元件的一部分，以及形成絕緣層以覆蓋有缺陷的第一微型發(fā)光元件被暴露出來的部分。

在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，上述的形成各子像素還包含在各子 像素內(nèi)形成電性連接至子像素電路的第二備用電極墊。

在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，上述的形成各子像素還包含測試第二微型發(fā)光元件，當?shù)诙⑿桶l(fā)光元件被測試為有缺陷時，在第二備用電極墊之上設(shè)置第三微型發(fā)光元件，以及當?shù)诙⑿桶l(fā)光元件被測試為有缺陷時，將子像素電路以及第一備用電極墊間的連接失效。

在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，上述的失效是借由激光切割工藝所實施。

依據(jù)本發(fā)明的又一實施方式，一種發(fā)光二極管顯示裝置包含基板、至少一個子像素電路、多個電極墊以及微型發(fā)光元件?；灏辽僖粋€子像素。子像素電路設(shè)置于基板之上。多個電極墊設(shè)置于子像素之內(nèi)并且電性連接至子像素電路。微型發(fā)光元件設(shè)置于多個電極墊的一個上。

在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，上述的發(fā)光二極管顯示裝置還包含有缺陷的微型發(fā)光元件設(shè)置于多個電極墊的另一個上。子像素電路與多個電極墊的另一個不連接。

在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，上述的發(fā)光二極管顯示裝置還包含保護層以及至少一個對向電極。保護層覆蓋微型發(fā)光元件以及有缺陷的微型發(fā)光元件。保護層具有至少一個開口以暴露出微型發(fā)光元件的一部分。對向電極電性連接至微型發(fā)光元件被暴露出來的部分。

在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，上述的至少一個開口暴露出有缺陷的微型發(fā)光元件的一部分，且發(fā)光二極管顯示裝置還包含絕緣層以覆蓋有缺陷的微型發(fā)光元件被暴露出來的部分。

在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，上述的微型發(fā)光元件以及有缺陷的微型發(fā)光元件均為微型發(fā)光二極管。

在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，上述的多個電極墊具有實質(zhì)相同的形狀。

在本發(fā)明的一個或多個實施方式中，上述的多個電極墊具有各種形狀。

由于每一個子像素包含多個電極墊。當微型發(fā)光元件被測試為有缺陷時，只需要貼附另一個微型發(fā)光元件至另一個電極墊之上。因此之故，本發(fā)明的發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法，沒有必要進行拆卸工藝，而拆卸工藝可能對基板或是其他微型發(fā)光元件造成損壞。因此，可提高制造發(fā)光二極管顯示裝置的合格率。

附圖說明

為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、優(yōu)點與實施方式能更明顯易懂，所附圖式的說明如下：

圖1為依據(jù)本發(fā)明的一實施方式的一種發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法的流程圖；

圖2為依據(jù)本發(fā)明的一實施方式的一種發(fā)光二極管顯示裝置的俯視圖；

圖3A為子像素的俯視圖說明圖1中的制造步驟S1與S2；

圖3B為圖3A沿線段3的剖面圖；

圖3C為具有不同形狀的電極墊的子像素的俯視圖；

圖4A為子像素的俯視圖說明圖1中的制造步驟S3；

圖4B為圖4A沿線段4的剖面圖；

圖5是說明依據(jù)本發(fā)明的一實施方式用于測試微型發(fā)光元件的測試裝置；

圖6為子像素P的剖面圖說明圖1中的制造步驟S7至S9；

圖7A為子像素的俯視圖說明在測試有缺陷的第一微型發(fā)光元件之后的制造步驟S5及S6；

圖7B是依據(jù)本發(fā)明的一實施方式圖7A沿線段7的剖面圖；

圖7C是依據(jù)本發(fā)明的另一實施方式圖7A沿線段7的剖面圖；

圖8A為子像素的俯視圖說明在測試有缺陷的第二微型發(fā)光元件之后的制造步驟S5及S6；

圖8B為圖8A沿線8的剖面圖；以及

圖9為依據(jù)本發(fā)明的一實施方式的具有多個開口以及對向電極在微型發(fā)光元件之上的子像素的剖面放大圖。

具體實施方式

以下將以圖式公開本發(fā)明的多個實施方式，為明確說明起見，許多實務(wù)上的細節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應(yīng)了解到，這些實務(wù)上的細節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明部分實施方式中，這些實務(wù)上的細節(jié)是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些現(xiàn)有慣用的結(jié)構(gòu)與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示。

文中所使用的用語“微型”元件或“微型”發(fā)光二極管可指依據(jù)本發(fā)明的實施方式的某些元件的描述性尺寸。本文中所使用的用語“微型”元件或“微型”發(fā)光二極管意在指的是1微米至1毫米的尺寸。但是，應(yīng)當理解的是，本發(fā)明的實施方式并不必需限于此，實施方式的某些方面可以適用于更大，以及可能更小的尺寸。

應(yīng)當理解的是，當一個元件被稱為“在另一個元件上”時，它可以直接在另一個元件上，或者還可能存在中介元件。相比之下，當一個元件被稱為“直接在另一個元件上”時，則不存在中介元件。

圖1為依據(jù)本發(fā)明的一實施方式的一種發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法的流程圖。如圖1所示，制造方法包含下列步驟：

步驟S1：在基板上形成至少一個子像素電路；

步驟S2：形成電性連接至子像素電路的N個電極墊，其中N為自然數(shù)且N≧2；

步驟S3：在第i個電極墊上設(shè)置微型發(fā)光元件，其中i為自然數(shù)且i≦N；

步驟S4：測試微型發(fā)光元件；

步驟S5：在第k個電極墊上設(shè)置微型發(fā)光元件，其中k為自然數(shù)，k≦N且k≠i；以及

步驟S6：將第i個電極墊以及子像素電路之間的連接失效。

步驟S7：形成保護層以覆蓋微型發(fā)光元件；

步驟S8：在保護層中形成至少一個開口以暴露微型發(fā)光元件的一部分；

步驟S9：形成至少一個對向電極連接至微型發(fā)光元件被暴露出來的部分。

通過上述的制造步驟S1至S9，當微型發(fā)光元件被測試為有缺陷時，也沒有必要將有缺陷的微型發(fā)光元件從電極墊上拆卸。因為在子像素內(nèi)有多個電極墊，只需要貼附另一個微型發(fā)光元件至另一個電極墊。因此之故，由拆卸工藝所造成的損壞可以被避免，并且可提高制造發(fā)光二極管顯示裝置的合格率。

以下的描述參照圖2至圖8，說明如何進行前述步驟S1至S9。圖2、圖3A、圖3B與圖3C說明發(fā)光二極管顯示裝置的制造步驟S1、S2。圖4A與圖4B說明發(fā)光二極管顯示裝置的制造步驟S3。圖5說明發(fā)光二極管顯示裝置的制造步驟S4。圖6說明制造步驟S7至S9。圖7A、圖7B、圖7C、圖8A與圖8B說明制造步驟S5至S9。圖9說明具有多個開口以及對向電極的制造步驟S5至S9。

圖2為依據(jù)本發(fā)明的一實施方式的一種發(fā)光二極管顯示裝置的俯視圖。在步驟S1，至少一個子像素電路被形成于基板之上。如圖2所示，發(fā)光二極管顯示裝置10包含子像素P陣列形成于基板100上。進一步來說，基板100可支撐像素區(qū)域101以及非像素區(qū)域102，像素區(qū)域101包含排列成矩陣的子像素P陣列。非像素區(qū)域102包含數(shù)據(jù)驅(qū)動電路20以及掃描驅(qū)動電路30。數(shù)據(jù)驅(qū)動電路20以及掃描驅(qū)動電路30電性連接至每一個子像素P。

圖3A為子像素P的俯視圖說明制造步驟S1與S2。圖3B為圖3A沿線段3的剖面圖。如圖3A與圖3B所示，形成個別子像素P包含在基板100上形成子像素電路120。進一步來說，形成個別子像素P包含形成層間絕緣層130、140，并且子像素電路120形成于層間絕緣層130、140之內(nèi)。在圖3B所示的實施方式中，子像素電路120直接形成于基板100上，但本發(fā)明并不限于此。在一些實施方式中，子像素電路120可非直接地形成于基板100上。也就是說，可能有其他層設(shè)置于子像素電路120以及基板100之間。

在步驟S2，N個電極墊被形成并被電性連接至子像素電路120。請參照圖3A與圖3B，在形成子像素電路120之后，平坦層150被形成以覆蓋子像素電路120?？刂凭€161被形成于平坦層150之上并電性連接至子像素電路120。如圖3A、圖3B與圖3C所示，多個電極墊，其包含主要電極墊171、第一備用電極墊172以及第二備用電極墊173，被形成于平坦層150之上，且主要電極墊171、第一備用電極墊172以及第二備用電極墊173通過控制線161被電性連接子像素電路120。在各種實施方式中，主要電極墊171、第一備用電極墊172以及第二備用電極墊173可被充當為像素電極。應(yīng)當理解的是，本發(fā)明的電極墊的數(shù)量并不限于3。在其他實施方式中，電極墊的數(shù)量可以為2，包含主要電極墊171以及第一備用電極墊172。在一些實施方式中，電極墊的數(shù)量可以大于4，包含主要電極墊171、第一備用電極墊172、第二備用電極墊173、第三備用電極墊(未顯示于圖中)等等。

在一些實施方式中，平坦層150為選擇性的。在這種情況下，控制線161、主要電極墊171、第一備用電極墊172以及第二備用電極墊173形成于層間絕緣層140之上，并且主要電極墊171、第一備用電極墊172以及第二備用電極墊173通過控制線161被電性連接至子像素電路120。

如圖3A所示，主要電極墊171、第一備用電極墊172以及第二備用電極墊173具有實質(zhì)上相同的形狀，例如矩形。但本發(fā)明并不限于此。圖3C是依據(jù)本發(fā)明另一實施方式的子像素P的俯視圖說明制造步驟S2。如圖3C所示，主要電極墊171、第一備用電極墊172以及第二備用電極墊173具有各種形狀， 例如八邊形、圓形以及矩形。應(yīng)當理解的是此些電極墊，可視形成于其上的微型發(fā)光元件的形狀，而有不同或相同的形狀。例如，在一些實施方式中，子像素P中的各個電極墊的各形狀可選自由圓形、三角形、正方形、五邊形、六邊形以及其他多邊形所組成的群組。

圖4A為依據(jù)本發(fā)明的一實施方式的子像素P的俯視圖說明制造步驟S3。圖4B為圖4A沿線段4的剖面圖。在步驟S3，微型發(fā)光元件被設(shè)置于第i個電極墊上。如圖4A與圖4B所示，第一微型發(fā)光元件181被設(shè)置于主要電極墊171之上。在本實施方式中，第一微型發(fā)光元件181可為微型發(fā)光二極管，且微型發(fā)光二極管可通過轉(zhuǎn)移設(shè)備(未顯示于圖中)，被設(shè)置于主要電極墊171之上。轉(zhuǎn)移設(shè)備可具有轉(zhuǎn)移頭用來將微型發(fā)光二極管從發(fā)光二極管載板上夾取出來。接著，轉(zhuǎn)移設(shè)備可將微型發(fā)光二極管從發(fā)光二極管載板轉(zhuǎn)移至主要電極墊171之上。

圖5是說明依據(jù)本發(fā)明的一實施方式用于測試微型發(fā)光元件的測試裝置500。在步驟S4，微型發(fā)光元件被測試。如圖5所示，測試裝置500被提供。測試裝置500可包含光感測器501以及電極502。電極502可具有開口部503。如圖5所示，當測試第一微型發(fā)光元件181時，電極502被電性連接至第一微型發(fā)光元件181，并且開口部503可暴露第一微型發(fā)光元件181的至少一部分。光感測器501可通過開口部503偵測第一微型發(fā)光元件181的發(fā)射，并且分析儀(未顯示于圖中)可分析第一微型發(fā)光元件181的亮度。倘若第一微型發(fā)光元件181表現(xiàn)出無亮度或不規(guī)則亮度，則第一微型發(fā)光元件181可能有缺陷。在一些實施方式中，分析儀可以進一步分析電極502的電流流動。例如，通過電極502的電流流動，可獲得I-V(電流-電壓)曲線或是漏電流。倘若第一微型發(fā)光元件181表現(xiàn)出不規(guī)則的I-V曲線或是異常的漏電流，則第一微型發(fā)光元件181可能有缺陷。

請參照圖2與圖5，測試被進行于基板100上的每一個子像素P。在測試后，數(shù)據(jù)采集模塊(未顯示于圖中)可收集每一個子像素P的第一微型發(fā)光元件181的測試結(jié)果以及位置信息。因此，如果大部分或是全部的第一微型 發(fā)光元件181被測試為正常，則步驟S7至S9被進行。在某些應(yīng)用中，如果99.8％的第一微型發(fā)光元件181被測試為正常，則步驟S7至S9可被進行。而另一方面，如果至少一個預(yù)定百分比的第一微型發(fā)光元件181被測試為有缺陷時，則步驟S5至S6被進行。在實際應(yīng)用中，如果至少0.2％的第一微型發(fā)光元件181被測試為有缺陷時，步驟S5至S6可被進行。應(yīng)當理解的是，進行步驟S5至S6的缺陷率可以被設(shè)定為滿足產(chǎn)品規(guī)格。

圖6為依據(jù)本發(fā)明的一實施方式的子像素P的剖面圖說明制造步驟S7至S9。在步驟S7，保護層被形成以覆蓋微型發(fā)光元件。在步驟S8，至少一個開口被形成于保護層之內(nèi)以暴露出微型發(fā)光元件的一部分。在步驟S9，至少一個對向電極被形成以連接至微型發(fā)光元件被暴露的部分。

如圖6所示，保護層180被形成于第一微型發(fā)光元件181的周圍，并且保護層180部分覆蓋第一微型發(fā)光元件181。在本實施方式中，保護層180也覆蓋子像素P內(nèi)的控制線161。保護層180內(nèi)的開口O1暴露出第一微型發(fā)光元件181的一部分，并且對向電極190被電性連接至第一微型發(fā)光元件181被暴露出來的部分。進一步來說，在保護層180覆蓋第一微型發(fā)光元件181以及控制線161之后，曝光、顯影及/或蝕刻工藝可被進行以打開保護層180，確保至少一部分的第一微型發(fā)光元件181的頂表面被暴露，以使得對向電極190得以對第一微型發(fā)光元件181電接觸。

圖7A為子像素P的俯視圖說明在測試有缺陷的第一微型發(fā)光元件181X之后的制造步驟S5及S6。圖7B與圖7C為圖7A沿線段7的剖面圖。在步驟S5，微型發(fā)光元件被設(shè)置于第k個電極墊。在步驟S6，第i個電極墊以及子像素電路間的連接被失效。然而，在一些實施方式中，如果有缺陷的微型發(fā)光二極管為斷路或是對像素的電氣特性僅具有較小的影響，則步驟S6可為選擇性的。

如圖7A與圖7B所示，在步驟S4中第一微型發(fā)光元件181X被測試為有缺陷。進一步來說，步驟S4中的檢測測試，可在第一微型發(fā)光元件181X，例如表現(xiàn)出不規(guī)則的亮度時，指示第一微型發(fā)光元件181X為有缺陷的。因此， 步驟S5可被進行并且第二微型發(fā)光元件182可被設(shè)置于第一備用電極墊172之上。由于設(shè)置第二微型發(fā)光元件182的細節(jié)與步驟S3中所述的設(shè)置第一微型發(fā)光元件181類似，因此這里不再重復(fù)敘述。

請參照圖2、圖7A與圖7B，在一實施方式中，第二微型發(fā)光元件182依據(jù)測試結(jié)果而被設(shè)置，且在步驟S4中位置信息是被數(shù)據(jù)采集模塊所收集。進一步來說，依據(jù)每一個第一微型發(fā)光元件181的測試結(jié)果以及位置信息，每一個有缺陷的第一微型發(fā)光元件181X的位置可被獲得。因此之故，轉(zhuǎn)移設(shè)備可以依據(jù)每一個有缺陷的第一微型發(fā)光元件181X的位置信息，將第二微型發(fā)光元件182，設(shè)置于每一個具有有缺陷的第一微型發(fā)光元件181X的子像素P之內(nèi)。

如圖7A與圖7B所示，在設(shè)置第二微型發(fā)光元件182之后，主要電極墊171以及子像素電路120之間的連接被失效。進一步來說，有缺陷的第一微型發(fā)光元件181X與子像素電路120之間的控制線161可以被切斷。在一實施方式中，失效工藝可借由激光切割工藝所實施，但本發(fā)明并不限于此。

在一實施方式中，在將主要電極墊171以及子像素電路120之間的連接失效后，發(fā)光二極管顯示裝置10的制造方法回到了步驟S4，在此步驟中，第二微型發(fā)光元件182被測試。類似地，如果第二微型發(fā)光元件182被測試為正常，則步驟S7至S9被進行。也就是說，保護層180被形成以覆蓋有缺陷的第一微型發(fā)光元件181X以及第二微型發(fā)光元件182。在圖7B的實施方式中，開口O1與開口O2被形成于保護層180之內(nèi)，以暴露出有缺陷的第一微型發(fā)光元件181X以及第二微型發(fā)光元件182的一部分。對向電極190被形成以電性連接有缺陷的第一微型發(fā)光元件181X以及第二微型發(fā)光元件182被暴露出來的部分。由于對第二微型發(fā)光元件182進行步驟S7至S9的細節(jié)與對第一微型發(fā)光元件181進行類似，因此這里不再重復(fù)敘述。

請參照圖7C，在一些實施方式中，在形成對向電極190之前，絕緣層200被形成于開口O1內(nèi)。進一步來說，絕緣層200覆蓋有缺陷的第一微型發(fā)光元件181X被暴露出來的部分，以使對向電極190與有缺陷的第一微型發(fā)光元件 181X絕緣。因此，在圖7C的實施方式中，失效步驟S6可為選擇性的。在各種實施方式中，絕緣層200可由有機材料或是無機材料所制成，并且絕緣層200可例如被噴墨印刷工藝所形成。

圖8A為子像素P的俯視圖說明在測試有缺陷的第二微型發(fā)光元件182X之后的制造步驟S5及S6。圖8B為圖8A沿線8的剖面圖。類似地，如果步驟S4的測試結(jié)果指示第二微型發(fā)光元件182X有缺陷，則步驟S5至S6被進行。也就是說，第三微型發(fā)光元件183被設(shè)置于第二備用電極墊173之上。子像素電路120以及第一備用電極墊172之間的連接被失效。由于對第三微型發(fā)光元件183進行步驟S5至S6的細節(jié)與對第二微型發(fā)光元件182進行類似，因此這里不再重復(fù)敘述。

請參照圖8B，在將子像素電路120以及第一備用電極墊172之間的連接失效后，發(fā)光二極管顯示裝置10的制造方法回到了步驟S4，在此步驟中，第三微型發(fā)光元件183被測試。接著，依據(jù)第三微型發(fā)光元件183的測試結(jié)果，發(fā)光二極管顯示裝置10的制造方法選擇性地回到了步驟S5至S6或步驟S7至S9。以圖8B為例，第三微型發(fā)光元件183被測試為正常。然后，保護層180覆蓋第三微型發(fā)光元件183，并且覆蓋有缺陷的第一微型發(fā)光元件181X以及有缺陷的第二微型發(fā)光元件182X。開口O1與開口O3被形成于保護層180之內(nèi)，以分別暴露出有缺陷的第一微型發(fā)光元件181X以及第三微型發(fā)光元件183的一部分。對向電極190被形成以連接第三微型發(fā)光元件183被暴露出的部分。在一些實施方式中，絕緣層200被形成于開口O1內(nèi)，以使對向電極190與有缺陷的第一微型發(fā)光元件181X絕緣。在這種情況下，因為有缺陷的第一微型發(fā)光元件181X并沒有電性連接至對向電極190，所以失效步驟S6可為選擇性的。然而，在另一實施方式中，如果失效步驟S6被進行，則絕緣層200可為選擇性的，同時對向電極190可通過開口O1，與有缺陷的第一微型發(fā)光元件181X被暴露出來的部分接觸。

請再參照圖2，在實際應(yīng)用中，子像素P中的一些可能只包含一個正常的發(fā)光元件(例如圖6)，并且子像素P的一些可能包含一個正常的發(fā)光元件以 及至少一個有缺陷的發(fā)光元件(例如圖7B與圖8B)。因此之故，在保護層180覆蓋每一個子像素P內(nèi)所有的微型發(fā)光元件之后，光罩可被使用以先在每一個子像素P內(nèi)形成開口O1。然后，如果第一備用電極墊172及/或第二備用電極墊173具有發(fā)光元件于其上，則開口O2以及開口O3被選擇性的形成。在一些實施方式中，開口O2以及開口O3可使用激光光束，曝光由正光阻材料所制成的保護層180所形成。在其他實施方式中，在確保第二備用電極墊173上的第三微型發(fā)光元件183被測試為正常后，開口O3可以被單獨形成。

圖9為依據(jù)本發(fā)明的一實施方式的具有多個開口以及對向電極于微型發(fā)光元件之上的子像素的剖面放大圖。如圖9所示，在本實施方式中，微型發(fā)光元件900為垂直式的微型發(fā)光二極管，其包含有第一型半導體層901、主動層902以及第二型半導體層903。其中主動層902設(shè)置于第一型半導體層901以及第二型半導體層903之間。在本實施方式中，兩個開口O4、O5可被形成于保護層980之內(nèi)，并且兩個對向電極991與992覆蓋開口O4、O5并且互相分開。利用此種配置，對向電極991與992的電位可以被單獨控制。因此，流過微型發(fā)光元件900的電流是可控制且可變的，并且微型發(fā)光元件900的亮度可被相應(yīng)調(diào)整。

除非特別說明，在本說明書(包括任何附隨的權(quán)利要求、摘要和附圖)公開的所有特征可被達到相同、等效或類似的目的的替換特征取代。因此，除非特別說明，所公開的每個特征僅是等效或類似特征的一般系列的一個例子。

雖然本發(fā)明已經(jīng)以實施方式公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作各種變動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視權(quán)利要求所界定者為準。