1.一種發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法包含：
在基板上形成至少一個子像素電路；
形成主要電極墊以及第一備用電極墊，且所述主要電極墊以及所述第一備用電極墊電性連接至所述子像素電路；
在所述主要電極墊之上設(shè)置第一微型發(fā)光元件；以及
測試所述第一微型發(fā)光元件。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法還包含：
當所述第一微型發(fā)光元件被測試為有缺陷時，在所述第一備用電極墊之上設(shè)置第二微型發(fā)光元件。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法還包含：
當所述第一微型發(fā)光元件被測試為有缺陷時，將所述主要電極墊以及所述子像素電路間的連接失效。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法還包含：
形成保護層以覆蓋所述第一微型發(fā)光元件；
在所述保護層中形成至少一個開口以暴露出所述第一微型發(fā)光元件的一部分；以及
形成至少一個對向電極連接至所述第一微型發(fā)光元件被暴露出來的所述部分。
5.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法，其特征在于，當所述第一微型發(fā)光元件被測試為有缺陷時，所述發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法還包含：
形成保護層以覆蓋所述第二微型發(fā)光元件；
在所述保護層中形成至少一個開口以暴露出所述第二微型發(fā)光元件的一部分；以及
形成至少一個對向電極連接至所述第二微型發(fā)光元件被暴露出來的所述部分。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法，其特征在于，當所述第一微型發(fā)光元件被測試為有缺陷時，所述發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法還包含：
形成所述至少一個開口以暴露出有缺陷的所述第一微型發(fā)光元件的一部分；以及
形成絕緣層以覆蓋有缺陷的所述第一微型發(fā)光元件被暴露出來的所述部分。
7.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法還包含：
形成電性連接至所述子像素電路的第二備用電極墊。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法還包含：
測試所述第二微型發(fā)光元件；
當所述第二微型發(fā)光元件被測試為有缺陷時，在所述第二備用電極墊之上設(shè)置第三微型發(fā)光元件；以及
當所述第二微型發(fā)光元件被測試為有缺陷時，將所述子像素電路以及所 述第一備用電極墊間的連接失效。
9.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述失效是借由激光切割工藝所實施。
10.一種發(fā)光二極管顯示器的制造方法，其特征在于，所述發(fā)光二極管顯示器的制造方法包含：
在基板上形成子像素的陣列，其中形成各所述子像素包含：
在所述基板之上形成至少一個子像素電路；
形成主要電極墊以及第一備用電極墊，且所述主要電極墊以及所述第一備用電極墊電性連接至所述子像素電路；以及
在所述主要電極墊之上設(shè)置第一微型發(fā)光元件；
測試各所述子像素的所述第一微型發(fā)光元件；以及
收集各所述子像素的所述第一微型發(fā)光元件的測試結(jié)果以及位置信息。
11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管顯示器的制造方法，其特征在于，形成各所述子像素還包含：
當所述第一微型發(fā)光元件被測試為有缺陷時，依據(jù)所述測試結(jié)果以及所述位置信息在所述第一備用電極墊之上設(shè)置第二微型發(fā)光元件。
12.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管顯示器的制造方法，其特征在于，形成各所述子像素還包含：
當所述第一微型發(fā)光元件被測試為有缺陷時，將所述主要電極墊以及所述子像素電路間的連接失效。
13.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管顯示器的制造方法，其特征在于，形成各所述子像素還包含：
形成保護層以覆蓋所述第一微型發(fā)光元件；
在所述保護層中形成至少一個開口以暴露出所述第一微型發(fā)光元件的一部分；以及
形成至少一個對向電極連接至所述第一微型發(fā)光元件被暴露出來的所述部分。
14.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管顯示器的制造方法，其特征在于，當所述第一微型發(fā)光元件被測試為有缺陷時，形成各所述子像素還包含：
形成保護層以覆蓋所述第二微型發(fā)光元件；
在所述保護層中形成至少一個開口以暴露出所述第二微型發(fā)光元件的一部分；以及
形成至少一個對向電極連接至所述第二微型發(fā)光元件被暴露出來的所述部分。
15.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管顯示器的制造方法，其特征在于，當所述第一微型發(fā)光元件被測試為有缺陷時，形成各所述子像素還包含：
在所述保護層之內(nèi)形成所述至少一個開口以暴露出有缺陷的所述第一微型發(fā)光元件的一部分；以及
形成絕緣層以覆蓋有缺陷的所述第一微型發(fā)光元件被暴露出來的所述部分。
16.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管顯示器的制造方法，其特征在于，形成各所述子像素還包含：
在各所述子像素內(nèi)形成電性連接至所述子像素電路的第二備用電極墊。
17.如權(quán)利要求16所述的發(fā)光二極管顯示器的制造方法，其特征在于，形成各所述子像素還包含：
測試所述第二微型發(fā)光元件；
當所述第二微型發(fā)光元件被測試為有缺陷時，在所述第二備用電極墊之 上設(shè)置第三微型發(fā)光元件；以及
當所述第二微型發(fā)光元件被測試為有缺陷時，將所述子像素電路以及所述第一備用電極墊間的連接失效。
18.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管顯示器的制造方法，其特征在于，所述失效是借由激光切割工藝所實施。
19.一種發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，所述發(fā)光二極管顯示裝置包含：
基板，其包含至少一個子像素；
至少一個子像素電路，其設(shè)置于所述基板之上；
多個電極墊，其設(shè)置于所述子像素之內(nèi)并且電性連接至所述子像素電路；以及
微型發(fā)光元件，其設(shè)置于所述多個電極墊的一個上。
20.如權(quán)利要求19所述的發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，所述發(fā)光二極管顯示裝置還包含：
有缺陷的微型發(fā)光元件設(shè)置于所述多個電極墊的另一個上，其中所述子像素電路與所述多個電極墊的所述另一個不連接。
21.如權(quán)利要求20所述的發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，所述發(fā)光二極管顯示裝置還包含：
保護層，其覆蓋所述微型發(fā)光元件以及有缺陷的所述微型發(fā)光元件，其中所述保護層具有至少一個開口以暴露出所述微型發(fā)光元件的一部分；以及
至少一個對向電極，其電性連接至所述微型發(fā)光元件被暴露出來的所述部分。
22.如權(quán)利要求21所述的發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，所述至少一個開口暴露出有缺陷的所述微型發(fā)光元件的一部分，且所述發(fā)光二極管顯 示裝置還包含絕緣層以覆蓋有缺陷的所述微型發(fā)光元件被暴露出來的所述部分。
23.如權(quán)利要求20所述的發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，所述微型發(fā)光元件以及有缺陷的所述微型發(fā)光元件均為微型發(fā)光二極管。
24.如權(quán)利要求19所述的發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，所述多個電極墊具有實質(zhì)相同的形狀。
25.如權(quán)利要求19所述的發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，所述多個電極墊具有各種形狀。