1.一種雙凹形高壓陶瓷電容器，其特征在于，包括有焊錫、引線、樹脂包封層、電極層和陶瓷介電基體，所述的陶瓷介電基體為上下底面各有一圓臺形空缺的中心對稱的圓柱體，空缺圓臺的軸與陶瓷介電基體的軸重合，圓臺圓面面積小于圓柱底面面積，空缺圓臺側面的斜面與圓臺較小面積圓面的交界處存在一段截面為弧線的過渡面，即陶瓷介電基體中心部分的厚度比邊緣薄，底面中心位置的圓面與底面外圈圓環(huán)之間存在一形如圓臺側面的斜面，斜面與陶瓷介電基體底面中心圓面間存在一段截面為弧線的過渡面，陶瓷介電基體上設有電極，電極上焊接引線，樹脂包封層包裹電極、陶瓷介電基體及部分引線。
2.根據權利要求1所述的一種雙凹形高壓陶瓷電容器，其特征在于，所述的電極為三層，底層為鎳或鎳鎘含量各占50％的鎳鉻合金，中層為銅，頂層為銅錫合金。
3.根據權利要求2所述的一種雙凹形高壓陶瓷電容器，其特征在于，所述的電極頂層銅錫合金面積小于等于電極銅層面積。
4.根據權利要求2所述的一種雙凹形高壓陶瓷電容器，其特征在于，所述的電極頂層銅錫合金中，錫含量為30％-99％。
5.根據權利要求1所述的一種雙凹形高壓陶瓷電容器的制造工藝，其特征在于，包括雙凹形高壓陶瓷電容器陶瓷介電基體制備、陶瓷介電基體電極化，引線焊接、樹脂包封料涂覆、標識打印、測試，具體工藝過程如下：
1)雙凹形高壓陶瓷電容器陶瓷瓷粉沖壓成型，形成具備一定強度的雙凹形生片。
2)生片經隧道窯燒結成瓷，形成雙凹形高壓陶瓷電容器的陶瓷介電基體。
3)陶瓷介電基體風浴清潔。
4)陶瓷介電基體表面覆蓋掩膜板。
5)采用真空濺射方法并配合相應掩膜板，依次在陶瓷介電基體表面濺射出電極底層、中層、頂層。
6)在電極上焊接外接引線。
7)涂覆樹脂包封料，包裹陶瓷介電基體、電極及部分引線。
8)樹脂上打印標識，按國家標準對產品進行各項測試。