技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制作方法，該制作方法包括：以襯底和外延層形成漏區(qū)；形成至少兩條多晶硅平面柵以及形成連接在任意相鄰兩條所述多晶硅平面柵之間的至少一個(gè)多晶硅平面橋，以作為柵區(qū)；以所述多晶硅平面柵和多晶硅平面橋作為掩蔽，對(duì)所述外延層進(jìn)行摻雜，以形成多個(gè)阱區(qū)，形成源區(qū)。本發(fā)明的方案在柵區(qū)下會(huì)形成多個(gè)阱區(qū)，在柵區(qū)中多晶硅平面橋下方形成的阱區(qū)通過(guò)擴(kuò)散是連接起來(lái)的，并且在柵區(qū)中多晶硅平面橋下方形成的阱區(qū)比較淺，使得垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件在雪崩狀態(tài)時(shí)，反向電流容易流過(guò)柵區(qū)中多晶硅平面橋下方形成的比較淺的多個(gè)阱區(qū)，提升了該半導(dǎo)體器件的雪崩能量。

技術(shù)研發(fā)人員：張新;李巍;彭強(qiáng);蘇醒;王榮華
受保護(hù)的技術(shù)使用者：無(wú)錫華潤(rùn)華晶微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.25
技術(shù)公布日：2017.07.04