技術(shù)編號(hào)：12807159
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體技術(shù)，尤其涉及一種垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件及其制作方法。背景技術(shù)垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(VerticalDouble-diffusedMentalOxideSemiconductor，VDMOS)器件，在眾多功率半導(dǎo)體器件中，同時(shí)具有雙極型晶體管和普通MOS器件的優(yōu)點(diǎn)。與雙極型晶體管相比，它的開關(guān)速度快，開關(guān)損耗小，輸入阻抗高，驅(qū)動(dòng)功率小，頻率特性好，跨導(dǎo)線性度高，沒有雙極型功率器件的二次擊穿問題，安全工作區(qū)大。因此，不論是開關(guān)應(yīng)用還是線性應(yīng)用，VDMOS器件都是...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。