1.一種熱處理制作工藝，包含提供一待加熱的半導(dǎo)體基底；以及利用至少兩個(gè)具有不同能量密度的第一加熱光束及第二加熱光束同時(shí)對(duì)該半導(dǎo)體基底進(jìn)行加熱。
2.如權(quán)利要求1所述的熱處理制作工藝，其中該半導(dǎo)體基底包含一硅晶片。
3.如權(quán)利要求1所述的熱處理制作工藝，另包含同時(shí)利用該第一加熱光束對(duì)該半導(dǎo)體基底的一正面進(jìn)行一毫秒退火制作工藝以及利用該第二加熱光束對(duì)該半導(dǎo)體基底的一背面進(jìn)行一快速升溫退火制作工藝。
4.如權(quán)利要求3所述的熱處理制作工藝，其中該毫秒退火制作工藝的溫度是介于1000℃至1350℃。
5.如權(quán)利要求3所述的熱處理制作工藝，其中該毫秒退火制作工藝的時(shí)間是介于0.1毫秒至20毫秒。