本發(fā)明涉及一種熱處理制作工藝，尤其是涉及一種利用至少兩個(gè)不同能量密度的加熱光束同時(shí)對(duì)一半導(dǎo)體基底進(jìn)行加熱的制作工藝。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)越來(lái)越精密，集成電路也發(fā)生重大的變革，使得電腦的運(yùn)算性能和存儲(chǔ)容量突飛猛進(jìn)，并帶動(dòng)周邊產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展。而半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也如同摩爾定律所預(yù)測(cè)的，以每18個(gè)月增加一倍晶體管數(shù)目在集成電路上的速度發(fā)展著，同時(shí)半導(dǎo)體制作工藝也已經(jīng)從1999年的0.18微米、2001年的0.13微米、2003年的90納米(nm)，進(jìn)入到2005年65納米，并朝向45納米邁進(jìn)。因此，伴隨著半導(dǎo)體制作工藝的進(jìn)步和微電子元件的微小化，單一芯片上的半導(dǎo)體元件的密度越來(lái)越大，相對(duì)地元件之間的間隔也越來(lái)越小。在此情形下，各種半導(dǎo)體制作工藝皆面臨新的挑戰(zhàn)與瓶頸，必須不斷研發(fā)出能符合高集成度要求的新制作工藝技術(shù)。

現(xiàn)今采用上述快速熱處理制作工藝，包括以高溫爐管或激光退火等制作工藝時(shí)仍產(chǎn)生許多問(wèn)題。舉例來(lái)說(shuō)，以高溫爐管進(jìn)行的快速熱處理制作工藝以及以激光進(jìn)行的毫秒退火制作工藝分屬不同的設(shè)備機(jī)臺(tái)，因此若一MOS晶體管制作工藝中需要進(jìn)行兩種制作工藝，必須先將一待加熱的晶片移至一機(jī)臺(tái)進(jìn)行其中一項(xiàng)熱處理，然后等完成后再將晶片移至另一個(gè)機(jī)臺(tái)進(jìn)行另一項(xiàng)熱處理，在機(jī)臺(tái)的切換上不但耗費(fèi)時(shí)間，又延長(zhǎng)了整個(gè)制作工藝的周期(cycle time)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此本發(fā)明的目的在于提供一種對(duì)一待加熱的半導(dǎo)體基底進(jìn)行熱處理的方 法，以解決上述現(xiàn)有熱制作工藝所伴隨的問(wèn)題。

本發(fā)明較佳實(shí)施例是揭露一種熱處理制作工藝。首先提供一待加熱的半導(dǎo)體基底，然后利用至少兩個(gè)具有不同能量密度的第一加熱光束及第二加熱光束同時(shí)對(duì)該半導(dǎo)體基底進(jìn)行加熱。由此，本發(fā)明除了可省略現(xiàn)有進(jìn)行熱處理制作工藝時(shí)需切換不同機(jī)臺(tái)的麻煩并縮短制作工藝周期，又可改善僅由半導(dǎo)體基底正面加熱而產(chǎn)生圖案化現(xiàn)象的問(wèn)題。

具體實(shí)施方式

一種熱處理制作工藝。首先提供一待加熱的半導(dǎo)體基底，然后利用至少兩個(gè)具有不同能量密度的第一加熱光束及第二加熱光束同時(shí)對(duì)該半導(dǎo)體基底進(jìn)行加熱。由此，本發(fā)明除了可省略現(xiàn)有進(jìn)行熱處理制作工藝時(shí)需切換不同機(jī)臺(tái)的麻煩并縮短制作工藝周期，又可改善僅由半導(dǎo)體基底正面加熱而產(chǎn)生圖案化現(xiàn)象的問(wèn)題。