技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了用于FINFET的環(huán)繞硅化物。一種方法包括在半導(dǎo)體鰭的中間部分上形成柵極堆疊件，以及在柵極堆疊件的側(cè)壁上形成第一柵極間隔件。形成第一柵極間隔件之后，形成模板介電區(qū)以覆蓋半導(dǎo)體鰭。該方法還包括開(kāi)槽模板介電區(qū)。開(kāi)槽之后，在柵極堆疊件的側(cè)壁上形成第二柵極間隔件。蝕刻半導(dǎo)體鰭的端部部分以在模板介電區(qū)中形成凹槽。在凹槽中外延生長(zhǎng)源極/漏極區(qū)。

技術(shù)研發(fā)人員：江國(guó)誠(chéng);劉繼文;梁英強(qiáng)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
文檔號(hào)碼：201510798935
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.18
技術(shù)公布日：2016.12.21