本發(fā)明屬于薄膜覆晶封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)的薄膜覆晶封裝過程中，在覆晶薄膜和封裝基板之間放置一層導(dǎo)電薄膜，導(dǎo)電薄膜里含有導(dǎo)電粒子，封裝結(jié)束后覆晶薄膜的凸塊與基板的墊塊通過導(dǎo)電粒子電連接，因此具有很大的電阻，同時凸塊和墊塊的側(cè)面會有部分暴露，為了防止水分浸透及由此引來的腐蝕現(xiàn)象，還需要追加一道密封工序。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是解決上述問題，提供一種簡單有效的的薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，包括以下步驟:

步驟一、在薄膜基底上形成多個導(dǎo)電性的凸塊；

步驟二、把膠體涂抹在薄膜基底上，膠體的涂抹量，以封裝后，膠體恰好能包裹凸塊和墊塊為標(biāo)準(zhǔn)；涂抹位置在于凸塊之間；

步驟三、將基板與薄膜基底對位，使得基板下方的墊塊與薄膜基底上的凸塊一一對應(yīng)，雙雙位于同一垂直線上；

步驟四、完成對位后使基板下移，使得墊塊與凸塊接觸，擠壓基板，膠體受到基板和墊塊的擠壓，橫向擴(kuò)散，最后將墊塊與凸塊包圍并密封起來；

步驟五、固化封裝結(jié)構(gòu)，完成封裝。

優(yōu)選地，膠體為絕緣性樹脂材料。

優(yōu)選地，步驟四是在200℃～250℃的環(huán)境中完成。

優(yōu)選地，步驟四中，擠壓基板的時間至少為5秒。

優(yōu)選地，步驟五中，固化是在100℃～130℃固化或在常溫中放置3小時自然硬化。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明所提供的薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，覆晶薄膜和基板靠膠體進(jìn)行封裝，省略了導(dǎo)電薄膜的使用，縮短封裝時間，使封裝結(jié)構(gòu)簡單化，且凸塊和墊塊直接接觸，可以減小兩者之間的電阻；同時膠體能夠防止封裝結(jié)構(gòu)水分浸透及由此引來的腐蝕現(xiàn)象，不需要額外的密封工序，膠體也能加強(qiáng)覆晶薄膜和基板的結(jié)合能力。

附圖說明

圖1是本發(fā)明中封裝完成后薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記說明：11、薄膜基底；13、凸塊；31、基板；33、墊塊；40、膠體。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明做進(jìn)一步的說明：

如圖1所示，本發(fā)明的薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)，包括覆晶薄膜和基板31，覆晶薄膜包括薄膜基底11以及設(shè)于薄膜基底11上表面的導(dǎo)電性的凸塊13，基板31覆蓋在覆晶薄膜上，基板31的下表面設(shè)有導(dǎo)電性的墊塊33，墊塊33與凸塊13一一對應(yīng)互相接觸，成對的墊塊33與凸塊13應(yīng)位于同一垂直線上，基板31和覆晶薄膜之間填充有膠體40，膠體40將墊塊33與凸塊13包圍并密封起來，膠體40為絕緣性樹脂材料。

上述薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法包括以下步驟：

步驟一、在薄膜基底11上形成多個導(dǎo)電性的凸塊13；

步驟二、把膠體40涂抹在薄膜基底11上，膠體40的涂抹量，以封裝后，膠體40恰好能包裹凸塊13和墊塊33為標(biāo)準(zhǔn)；涂抹位置在于凸塊13之間；

步驟三、將基板31與薄膜基底11對位，使得基板31下方的墊塊33與薄膜基底11上的凸塊13一一對應(yīng)，雙雙位于同一垂直線上；

步驟四、完成對位后使基板31下移，使得墊塊33與凸塊13接觸，擠壓基板31至少5秒，膠體40受到基板31和墊塊33的擠壓，橫向擴(kuò)散，最后將墊塊33與凸塊13包圍并密封起來；該過程是在200℃～250℃的環(huán)境中完成；

步驟五、封裝結(jié)構(gòu)在100℃～130℃固化或在常溫中放置3小時自然硬化，完成封裝。

本發(fā)明的薄膜覆晶封裝結(jié)構(gòu)，凸塊和墊塊靠膠體進(jìn)行封裝，省略了導(dǎo)電薄膜的使用，縮短封裝時間，使封裝結(jié)構(gòu)簡單化，且凸塊和墊塊直接接觸，可以減小兩者之間的電阻；同時膠體能夠防止封裝結(jié)構(gòu)水分浸透及由此引來的腐蝕現(xiàn)象，部需要額外的密封工序，膠體也能加強(qiáng)覆晶薄膜和基板的結(jié)合能力。

本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將會意識到，這里所述的實施例是為了幫助讀者理解本發(fā)明的原理，應(yīng)被理解為本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于這樣的特別陳述和實施例。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以根據(jù)本發(fā)明公開的這些技術(shù)啟示做出各種不脫離本發(fā)明實質(zhì)的其它各種具體變形和組合，這些變形和組合仍然在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。