Oled器件的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種封裝結(jié)構(gòu)，具體是OLED器件的封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]有機電致發(fā)光二極管(Organiclight-emittingd1des，OLED)器件因具有眾多突出優(yōu)點，在平板顯示與平面光源領(lǐng)域有著廣闊前景。柔性O(shè)LED更是未來的一個發(fā)展趨勢，將廣泛應(yīng)用于可穿戴式設(shè)備。然而，OLED產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展也受到器件壽命、出光效率不利因素的制約。用于形成OLED器件的有機功能材料在有水汽和氧氣存在的條件下，會發(fā)生不可逆的氧化反應(yīng)，用于形成OLED器件的活潑金屬陰極在水氧環(huán)境下會被侵蝕，這在很大程度上縮短OLED的壽命。由于存在著表面等離子損失、有機-無機界面的波導(dǎo)損失、出光面-空氣界面的全反射損失，僅有約20%的光能出射到OLED器件之外，其余約80%的光線被限制在OLED器件內(nèi)部，使得器件出光效率低下。
[0003]如圖2所示，為了提高出光效率，現(xiàn)有技術(shù)提供了一種柔性O(shè)LED器件的封裝結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置于柔性基板10上待封裝的OLED器件11、無機保護層12、圍堰膜層13、微球冠層15以及填充膜層14，無機保護層包覆于所述OLED器件上，圍堰膜層閉合設(shè)置于無機保護層的四周，填充膜層設(shè)置于圍堰膜層與無機保護層之間并包覆于無機保護層上，微球冠層設(shè)置于填充膜層之上，本發(fā)明的封裝方法主要步驟為依次在柔性基板上形成OLED器件、無機保護層、圍堰膜層、填充膜層以及微球冠層OLED器件的壽命及出光率，本發(fā)明提供的封裝方法，具有較強的可操作性，能有效保證封裝精度，提高封裝效率。
[0004]然而上述現(xiàn)有技術(shù)仍存在如下技術(shù)缺陷:
所述無機保護層與填充膜層是采用激光封裝的方式進行封裝的，為了提高封裝材料對激光的吸收能力，通常需要向其中加入氧化鉍或者氧化釩等摻雜顆粒，而這些材料經(jīng)激光固化后是黑色的，當(dāng)其應(yīng)用于透明顯示器件(當(dāng)然也包括透明光源等其他器件)中時，會在外界可見，從而嚴(yán)重影響產(chǎn)品的美觀。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明意在通過改良封裝材料，形成無色透明的OLED器件封裝結(jié)構(gòu)。
[0006]本方案中的OLED器件的封裝結(jié)構(gòu)，包括柔性基板，設(shè)置于柔性基板上的OLED器件、無機保護層、圍堰膜層以及填充膜層，圍堰膜層呈環(huán)形，所述OLED器件、無機保護層與填充膜層均設(shè)于圍堰膜層內(nèi)，所述無機保護層與填充膜層依次包覆于所述OLED器件上，所述圍堰膜層緊密貼合在所述填充膜層的周側(cè);所述無機保護層內(nèi)摻入有摻雜顆粒，所述摻雜顆粒為氧化鋁、氮化硅與三氧化二鋱的混合物。
[0007]三氧化二鋱主要吸收紅外光和紫外光，故可見光范圍內(nèi)無吸收，由此其經(jīng)特定波長的激光(如紅外激光或紫外激光)熔融并且固化后是無色透明的，不會影響透明顯示器件的美觀性。將三氧化二鋱與氧化鋁、氮化硅配伍形成摻雜顆粒的組合物，然后用激光封裝方式所形成的封裝層(無機保護層與填充膜層)均為無色透明的形態(tài)。
[0008]進一步，所述填充膜層分為近OLED層與遠OLED層，近OLED層內(nèi)摻雜顆粒的粒徑在12?34納米之間，遠OLED層內(nèi)摻雜顆粒的粒徑在570?1200納米之間。
[0009]近OLED層的摻雜顆粒粒徑小于遠OLED層，這樣近OLED層的整體折射率大于填充膜層的整體折射率，其中近OLED層相對靠近OLED器件，因此，發(fā)光二極管發(fā)出的光線會先通過折射率較高的近OLED層，進而提高整體出光量。接著，光線再通過遠OLED層而被摻雜顆粒粒子散射，進而產(chǎn)生均勻的出光效果。
[0010]進一步，所述圍堰膜層的寬度為0.5?1.5皿1，高度為50?ΙΟΟμπι，圍堰膜層采用光敏樹脂，粘度為550000?650000mPa*s。
[0011 ] 進一步，所述摻雜顆粒在近OLED層與遠OLED層中的質(zhì)量濃度均介于0.0Olwt %與0.5wt% 之間。
[0012]摻雜顆粒的質(zhì)量濃度太低，會降低無機保護層的折射率以及填充膜層的散射率；如果質(zhì)量濃度太高，摻雜顆粒容易凝聚而造成遮光效應(yīng)，影響出光效果。
【附圖說明】
[0013]圖1為本發(fā)明實施例OLED器件的封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為現(xiàn)有技術(shù)中OLED器件的封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖3為本發(fā)明中填充膜層與其他封裝材料層關(guān)于O2滲透性的對比檢測圖。
[0015]圖中圓點表示本發(fā)明的填充膜層，三角形表示其他封裝材料層。
【具體實施方式】
[0016]下面通過【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細的說明:
說明書附圖中的附圖標(biāo)記包括:柔性基板1、OLED器件11、無機保護層12、圍堰膜層
13、微球冠層15、填充膜層14。
[0017]實施例一
本實施例基本如附圖1所示:本實施例OLED器件的封裝結(jié)構(gòu)，包括:柔性基底、OLED器件
11、無機保護層12、填充膜層14、微球冠層15以及圍堰膜層13，柔性基底用于承托OLED器件11，0LED器件11上覆蓋無機保護層，圍堰膜層13閉合包圍設(shè)置于柔性基底OLED器件11區(qū)域的四周，填充膜層14設(shè)置于圍堰膜層13和無機保護層12之間并完全覆蓋于無機保護層12，微球冠層15設(shè)置于填充膜層14上，并與填充膜層14緊密相連。
[0018]在本實施例中，圍堰膜層13的寬度為0.5?1.5皿1，高度為50?ΙΟΟμπι，采用光敏樹月旨，粘度為550000?650000mPa.S。填充膜層14采用環(huán)氧樹脂或聚合物單體，粘度為250?350mPa.S。微球冠層15均采用環(huán)氧樹脂膠或聚合物單體膠，粘度為220000?320000mPa.s，聚合物單體膠包括丙烯酸酯單體、含氟丙烯酸酯單體、丙烯酰胺單體。無機保護層12為氧化硅。柔性基板10的材料可以是聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、高分子聚乙烯、烯烴聚合物等。
[0019]本發(fā)明還提供了上述柔性O(shè)LED器件封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，包括以下步驟:
通過光刻和刻蝕方法在柔性基板10上的OLED器件11區(qū)域形成薄膜晶體管陣列，薄膜晶體管陣列用于驅(qū)動OLED器件11，薄膜晶體管的類型不作限制，可以是非晶硅薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管、氧化物薄膜晶體管或有機薄膜晶體管，制作OLED器件11為本技術(shù)領(lǐng)域的公知常識，由于對OLED器件11并沒有特殊的要求，因此OLED器件11的制作方法不再贅述，OLED器件11可以是頂發(fā)光或雙面發(fā)光，發(fā)光的顏色可以是單色、彩色或白色。
[0020]在柔性基板10上包覆