1.一種納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，包括：
提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有若干懸空的納米線；
形成包圍所述納米線偽柵極結(jié)構(gòu)；
形成覆蓋所述半導(dǎo)體襯底和偽柵極結(jié)構(gòu)的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層的表面與偽柵極結(jié)構(gòu)的表面齊平；
去除所述偽柵極結(jié)構(gòu)，形成暴露出納米線表面的凹槽；
回刻蝕去除位于凹槽內(nèi)的部分厚度的納米線；
在所述去除部分厚度后的納米線表面上外延生長形成半導(dǎo)體溝道層；
在所述半導(dǎo)體溝道層的表面上形成高K柵介質(zhì)層；
在所述高K柵介質(zhì)層上形成金屬柵電極，所述金屬柵電極包圍納米線。
2.如權(quán)利要求1所述的納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述納米線的材料為SiGe、SiC、Ge、GeSn或Ⅲ-Ⅴ化合物。
3.如權(quán)利要求1或2所述的納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述去除部分厚度的納米線采用各向同性的干法刻蝕工藝。
4.如權(quán)利要求3所述的納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述各向同性的干法刻蝕工藝采用的刻蝕氣體為HCl和CF4，所述HCl的流量為5slm～500slm，CF4的流量為5slm～500slm，腔室壓力為5torr～500torr，腔室溫度為25～1000攝氏度。
5.如權(quán)利要求4所述的納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述納米線被去除的厚度為1～20nm。
6.如權(quán)利要求1所述的納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體溝道層的材料為Si、SiB、SiGe、SiC、Ge、GeSn、SiP、SiGeB、SiCP或Ⅲ-Ⅴ化合物。
7.如權(quán)利要求6所述的納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體溝道層的形成工藝為選擇性外延工藝。
8.如權(quán)利要求7所述的納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，所述半導(dǎo)體溝道層的材料為SiGe，選擇性外延工藝采用的源氣體為SiH4和GeH4，SiH4的流量為5sccm～500sccm，GeH4的流量5sccm～500sccm，選擇性氣體為HCl，HCl流量為10～500slm，腔室壓力為5～50torr，腔室溫度為500～1000攝氏度，反應(yīng)時(shí)間為30～3000S。
9.如權(quán)利要求8所述的納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體溝道層的厚度等于納米線被回刻蝕去除的厚度。
10.如權(quán)利要求9所述的納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體溝道層的厚度為1～20nm。
11.如權(quán)利要求1所述的納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，在形成偽柵極結(jié)構(gòu)后，還包括：在所述偽柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁表面形成側(cè)墻。
12.如權(quán)利要求1所述的納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，還包括：在偽柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上形成源區(qū)和漏區(qū)，所述源區(qū)和漏區(qū)分別與納米線的兩端相連。
13.如權(quán)利要求12所述的納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述偽柵極結(jié)構(gòu)的材料與納米線的材料不相同。
14.如權(quán)利要求13所述的納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述偽柵極結(jié)構(gòu)的材料為多晶硅、無定形硅或無形碳。
15.一種納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，包括：
半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有若干懸空的納米線；
位于納米線表面的半導(dǎo)體溝道層；
在所述半導(dǎo)體溝道層的表面上的高K柵介質(zhì)層；
位于高K柵介質(zhì)層上的金屬柵電極，所述金屬柵電極包圍納米線。
16.如權(quán)利要求15所述的納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述半導(dǎo)體溝道層的材料為Si、SiB、SiGe、SiC、Ge、GeSn、SiP、SiGeB、SiCP或Ⅲ-Ⅴ化合物。
17.如權(quán)利要求16所述的納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述半導(dǎo)體溝道層的厚度為1～20nm。
18.如權(quán)利要求15所述的納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，還包括：位于柵電極兩側(cè)的側(cè)墻；位于側(cè)墻兩側(cè)與納米線連接源區(qū)和漏區(qū)。