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用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測(cè)的裝置和方法以及制備硅晶片的方法與流程

文檔序號(hào):12369840閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測(cè)的裝置和方法以及制備硅晶片的方法,該裝置包括:基座;晶圓固定部件,所述晶圓固定部件設(shè)置在所述基座上且用于固定待檢測(cè)的晶圓;第一激光發(fā)射部件,所述第一激光發(fā)射部件設(shè)置在所述基座上,并且適于朝向所述待檢測(cè)的晶圓的背面上的缺陷發(fā)射激光;以及第二激光發(fā)射部件,所述第二激光發(fā)射部件設(shè)置在所述基座上,適于朝向所述待檢測(cè)的晶圓的正面發(fā)射激光,并且所述第二激光發(fā)射部件和所述第一激光發(fā)射部件的發(fā)射光路重疊。由此,根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測(cè)的裝置可以實(shí)現(xiàn)背面異常晶圓的正面定位,從而可以排除產(chǎn)品品質(zhì)的不安全隱患,并且有效避免產(chǎn)品浪費(fèi)。

技術(shù)研發(fā)人員:張梁花;吳海平;鐘觀發(fā)
受保護(hù)的技術(shù)使用者:比亞迪股份有限公司
文檔號(hào)碼:201510245237
技術(shù)研發(fā)日:2015.05.14
技術(shù)公布日:2017.01.04

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