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用于對晶圓進行檢測的裝置和方法以及制備硅晶片的方法與流程

文檔序號:12369840閱讀:來源:國知局

技術特征:

1.一種用于對晶圓進行檢測的裝置,其特征在于,包括:

基座;

晶圓固定部件,所述晶圓固定部件設置在所述基座上且用于固定待檢測的晶圓;

第一激光發(fā)射部件,所述第一激光發(fā)射部件設置在所述基座上,并且適于朝向所述待檢測的晶圓的背面上的缺陷發(fā)射激光;以及

第二激光發(fā)射部件,所述第二激光發(fā)射部件設置在所述基座上,適于朝向所述待檢測的晶圓的正面發(fā)射激光,并且所述第二激光發(fā)射部件和所述第一激光發(fā)射部件的發(fā)射光路重疊。

2.根據(jù)權利要求1所述的用于對晶圓進行檢測的裝置,其特征在于,所述第一激光發(fā)射部件與所述第二激光發(fā)射部件可移動地設置在所述基座上。

3.根據(jù)權利要求1所述的用于對晶圓進行檢測的裝置,其特征在于,進一步包括:

固定連桿,所述固定連桿分別連接所述第一激光發(fā)射部件和所述第二激光發(fā)射部件。

4.根據(jù)權利要求1所述的用于對晶圓進行檢測的裝置,其特征在于,進一步包括:

第一滑軌和第二滑軌,所述第一滑軌和所述第二滑軌分別設置所述基座上;

第一手柄,所述第一手柄的一端可移動地設置在所述第一滑軌中,所述第一手柄的另一端與所述第一激光發(fā)射部件相連;以及

第二手柄,所述第二手柄的一端可移動地設置在所述第二滑軌中,所述第二手柄的另一端與所述第二激光發(fā)射部件相連。

5.根據(jù)權利要求4所述的用于對晶圓進行檢測的裝置,其特征在于,所述第一激光發(fā)射部件可移動地設置在所述第一手柄上,所述第二激光發(fā)射部件與可移動地設置在所述第二手柄上。

6.根據(jù)權利要求4所述的用于對晶圓進行檢測的裝置,其特征在于,所述第一滑軌和所述第二滑軌分別與所述待檢測的晶圓平行。

7.根據(jù)權利要求4所述的用于對晶圓進行檢測的裝置,其特征在于,所述第一滑軌和所述第二滑軌設置在所述基座的側壁上。

8.根據(jù)權利要求1所述的用于對晶圓進行檢測的裝置,其特征在于,所述晶圓固定部件包括:

卡槽固定件;以及

卡槽,所述卡槽可拆卸地設置在所述卡槽固定件中。

9.根據(jù)權利要求8所述的用于對晶圓進行檢測的裝置,其特征在于,所述卡槽為塑料 件。

10.根據(jù)權利要求8所述的用于對晶圓進行檢測的裝置,其特征在于,所述卡槽固定件為樹脂件。

11.根據(jù)權利要求1所述的用于對晶圓進行檢測的裝置,其特征在于,進一步包括:

第三滑軌,所述第三滑軌設置在所述基座上,并且所述晶圓固定部件的一端可移動地設置在所述第三滑軌中。

12.根據(jù)權利要求1所述的用于對晶圓檢測的裝置,其特征在于,所述第一激光發(fā)射部件和所述第二激光發(fā)射部件分別獨立地為激光筆。

13.一種用于對晶圓進行檢測的方法,其特征在于,包括:

(1)朝向待檢測的晶圓的背面的缺陷位點發(fā)射第一激光,朝向所述待檢測的晶圓的正面發(fā)射第二激光,其中,所述第一激光和第二激光的光路重疊;以及

(2)在所述晶圓的正面與所述第二激光的交點處進行標記。

14.根據(jù)權利要求13所述的方法,其特征在于,所述步驟(1)是采用權利要求1~12任一項所述用于對晶圓進行檢測的裝置進行的。

15.一種制備硅晶片的方法,其特征在于,包括:

提供晶圓;

對所述晶圓進行檢測;

剔除所述晶圓上被標記的區(qū)域;以及

對剔除標記區(qū)域晶粒的晶圓進行切割,以便獲得多個硅晶片,

其中,對所述晶圓進行檢測是利用權利要求13或14所述的用于對晶圓進行檢測的方法進行的。

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