本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，本發(fā)明涉及一種用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測的裝置和方法以及制備硅晶片的方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體產(chǎn)品往往是經(jīng)過晶圓制造，檢驗(yàn)，切割，封裝等流程制備得到的。許多報(bào)道提到晶圓制造需要進(jìn)行背面金屬化，即晶圓背面為一整片無差異的金屬層，晶圓正面為產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)圖形和切割圖案。而晶圓背面的金屬層，往往存在不同類型、不同程度的異常，這些異常或者已經(jīng)證明對(duì)產(chǎn)品有影響或無法證明。但是目前對(duì)于這些背面異常的晶圓，由于無法在正面定位，故而對(duì)這些晶圓的處理辦法都只能是以一定的異常比例放行或判為不合格品。然而對(duì)于背面異常晶圓放行，會(huì)給產(chǎn)品帶來品質(zhì)隱患，帶來不可預(yù)知的風(fēng)險(xiǎn)。而如果只因晶圓背面局部的異常而整片拒收則造成產(chǎn)品浪費(fèi)，導(dǎo)致正常產(chǎn)品報(bào)廢，產(chǎn)品成本提高。

因此，對(duì)背面異常的晶圓進(jìn)行檢測的技術(shù)亟待研究。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出一種用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測的裝置和方法以及制備硅晶片的方法，該裝置可以實(shí)現(xiàn)背面異常晶圓的正面定位，從而可以排除產(chǎn)品品質(zhì)的不安全隱患。

在本發(fā)明的第一方面，本發(fā)明提出了一種用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測的裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該裝置包括：

基座；

晶圓固定部件，所述晶圓固定部件設(shè)置在所述基座上且用于固定待檢測的晶圓；

第一激光發(fā)射部件，所述第一激光發(fā)射部件設(shè)置在所述基座上，并且適于朝向所述待檢測的晶圓的背面上的缺陷發(fā)射激光；以及

第二激光發(fā)射部件，所述第二激光發(fā)射部件設(shè)置在所述基座上，適于朝向所述待檢測的晶圓的正面發(fā)射激光，并且所述第二激光發(fā)射部件和所述第一激光發(fā)射部件的發(fā)射光路重疊。

由此，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測的裝置可以實(shí)現(xiàn)背面異常晶圓的正面定位，從而可以排除產(chǎn)品品質(zhì)的不安全隱患，并且有效避免產(chǎn)品浪費(fèi)。

在本發(fā)明的第二方面，本發(fā)明提出了一種用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法包括：

(1)朝向待檢測的晶圓的背面的缺陷位點(diǎn)發(fā)射第一激光，朝向所述待檢測的晶圓的正面發(fā)射第二激光，其中，所述第一激光和第二激光的光路重疊；以及

(2)在所述晶圓的正面與所述第二激光的交點(diǎn)處進(jìn)行標(biāo)記。

由此，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測的方法可以實(shí)現(xiàn)背面異常晶圓的正面標(biāo)記，從而可以排除產(chǎn)品品質(zhì)的不安全隱患。

在本發(fā)明的第三方面，本發(fā)明提出了一種制備硅晶片的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法包括：

提供晶圓；

對(duì)所述晶圓進(jìn)行檢測；

剔除所述晶圓上被標(biāo)記的區(qū)域；以及

對(duì)剔除標(biāo)記區(qū)域晶粒的晶圓進(jìn)行切割，以便獲得多個(gè)硅晶片，

其中，對(duì)所述晶圓進(jìn)行檢測是利用上述所述的用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測的方法進(jìn)行的。

由此，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制備硅晶片的方法可以制備得到具有優(yōu)良品質(zhì)的硅晶片產(chǎn)品，并且有效避免了原料的浪費(fèi)。

本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到。

附圖說明

本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測的裝置結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明再一個(gè)實(shí)施例的用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測的裝置結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例的用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測的裝置結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例的用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測的裝置結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例的用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測的裝置結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的制備硅晶片的方法的流程示意圖。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同 或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”、“順時(shí)針”、“逆時(shí)針”、“軸向”、“徑向”、“周向”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個(gè)該特征。在本發(fā)明的描述中，“多個(gè)”的含義是至少兩個(gè)，例如兩個(gè)，三個(gè)等，除非另有明確具體的限定。

在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通或兩個(gè)元件的相互作用關(guān)系，除非另有明確的限定。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接觸，或第一和第二特征通過中間媒介間接接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測的裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參考圖1，該裝置包括：基座100、晶圓固定部件200、第一激光發(fā)射部件300和第二激光發(fā)射部件400，其中，晶圓固定部件200設(shè)置在基座100上且用于固定待檢測的晶圓500；第一激光發(fā)射部件300設(shè)置在基座100上，并且適于朝向待檢測的晶圓500的背面上的缺陷發(fā)射激光；第二激光發(fā)射部件400設(shè)置在基座100上，適于朝向待檢測的晶圓500的正面發(fā)射激光，并且第二激光發(fā)射部件400和第一激光發(fā)射部件300的發(fā)射光路重疊。需要說明的是，“晶圓的背面”為晶圓上金屬化的一面，即晶圓上具有金屬層的一面，“晶圓的正面”指相對(duì)于晶圓背面的一面。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過在待檢測晶圓的背面和正面上設(shè)置光路重疊的第一激光發(fā)射部件和第二激光發(fā)射部件，當(dāng)?shù)谝患す獍l(fā)射部件朝向待檢測的晶圓的背面上的缺陷發(fā)射激光，則第二激光發(fā)射部件正好朝向待檢測的晶圓的背面缺陷區(qū)域?qū)?yīng)的正面發(fā)射激光，由此可以實(shí)現(xiàn)背面異常晶圓的正面定位，從而可以排除 產(chǎn)品品質(zhì)的不安全隱患，并且有效避免產(chǎn)品浪費(fèi)。

下面參考圖2對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測的裝置進(jìn)行詳細(xì)描述。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測的裝置包括：

基座100：根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，基座100的材質(zhì)并不受特別限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)穩(wěn)定性的需要進(jìn)行選擇，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，基座100的材質(zhì)可以為鋁、鋁合金和碳素鋼等。

晶圓固定部件200：根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，晶圓固定部件200設(shè)置在基座100上，且適于固定待檢測的晶圓500。根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，晶圓固定部件200包括卡槽固定件21和卡槽22，并且卡槽固定件可以為兩個(gè)，卡槽22可拆卸地設(shè)置在兩個(gè)卡槽固定件之間，從而可以根據(jù)待檢測晶圓的大小選擇合適的卡槽。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，卡槽固定件21和卡槽22的材質(zhì)并不受特別限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行選擇，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，卡槽22可以為塑料件，卡槽固定件21可以為樹脂件。

第一激光發(fā)射部件300：根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第一激光發(fā)射部件300設(shè)置在基座100上，且適于朝向待檢測晶圓的背面上的缺陷發(fā)射激光。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，第一激光發(fā)射部件300可移動(dòng)的設(shè)置在基座100上。由此，可以根據(jù)檢測需要調(diào)整第一激光發(fā)射部件的位置，從而使得第一激光發(fā)射部件的發(fā)射光路可以朝向待檢測晶圓上的任何位置。根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，第一激光發(fā)射部件可以為激光筆。

第二激光發(fā)射部件400：根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第二激光發(fā)射部件400設(shè)置在基座100上，且適于朝向待檢測晶圓的正面發(fā)射激光，并且第二激光發(fā)射部件400和第一激光發(fā)射部件300的發(fā)射光路重疊。由此，通過第一激光發(fā)射部件朝向待檢測的晶圓的背面上的缺陷發(fā)射激光，則第二激光發(fā)射部件正好朝向待檢測的晶圓的背面缺陷區(qū)域?qū)?yīng)的正面發(fā)射激光，由此可以實(shí)現(xiàn)背面異常晶圓的正面定位。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，第二激光發(fā)射部件400可移動(dòng)的設(shè)置在基座100上。由此，可以根據(jù)檢測需要調(diào)整第二激光發(fā)射部件的位置，從而使得第二激光發(fā)射部件的發(fā)射光路可以朝向待檢測晶圓上的任何位置。根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，第二激光發(fā)射部件400也可以為激光筆。

由此，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測的裝置可以實(shí)現(xiàn)背面異常晶圓的正面定位，從而可以排除產(chǎn)品品質(zhì)的不安全隱患，并且有效避免產(chǎn)品浪費(fèi)。

參考圖3，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測的裝置進(jìn)一步包括：

固定連桿600：根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，固定連桿600分別連接第一激光發(fā)射部件300和第二激光發(fā)射部件400，從而使得第一激光發(fā)射部件和第二激光發(fā)射部件的運(yùn)動(dòng)保持一致，即保證第一激光發(fā)射部件和第二激光發(fā)射部件的發(fā)射光路始終重疊。如圖3所示，固定連桿600可以穿過基座100的底部分別連接第一激光發(fā)射部件300和第二激光發(fā)射部件 400。

參考圖4，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測的裝置進(jìn)一步包括：

第一滑軌700：根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第一滑軌700設(shè)置在基座100上，根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，第一滑軌700設(shè)置在基座100的上表面或側(cè)壁上，參考圖4，第一滑軌700設(shè)置在基座100的靠近晶圓背面的側(cè)壁上，且第一滑軌700與待檢測晶圓500平行設(shè)置。

第二滑軌800：根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第二滑軌800設(shè)置在基座100上，根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，第二滑軌800也可以設(shè)置在基座100的上表面或側(cè)壁上，參考圖4，第二滑軌800設(shè)置在基座100的靠近晶圓正面的側(cè)壁上，且第二滑軌800與待檢測晶圓500平行設(shè)置。

第一手柄900：根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第一手柄900的一端可移動(dòng)地設(shè)置在第一滑軌700中，第一手柄900的另一端與第一激光發(fā)射部件300相連。由此，通過手柄的滑動(dòng)可以帶動(dòng)第一激光發(fā)射部件的發(fā)射光路的移動(dòng)，從而使其發(fā)射光路可以朝向待檢測晶圓上的任何位置。

第二手柄1000：根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第二手柄1000的一端可移動(dòng)地設(shè)置在第二滑軌800中，第二手柄1000的另一端與第二激光發(fā)射部件400相連。根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，第一手柄900和第二手柄1000可以通過固定連桿600連接。由此，可以保證第一手柄和第二手柄運(yùn)動(dòng)步調(diào)一致，從而使得第一激光發(fā)射部件和第二激光發(fā)射部件的發(fā)射光路始終重疊。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，第一手柄900和第二手柄1000上的連接固定連桿600的一端上可以設(shè)置摩擦墊23，對(duì)于摩擦墊的材質(zhì)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)摩擦和彈性需要進(jìn)行選擇，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，摩擦墊可以為橡膠墊。由此，通過設(shè)置該摩擦墊既可以實(shí)現(xiàn)對(duì)手柄的固定，又可以根據(jù)檢測需要對(duì)手柄進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。

根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，第一激光發(fā)射部件300可移動(dòng)地設(shè)置在第一手柄900上，第二激光發(fā)射部件400可移動(dòng)地設(shè)置在第二手柄1000上。由此，當(dāng)發(fā)射光路需要較小范圍的調(diào)整時(shí)，可以僅通過對(duì)第一激光發(fā)射部件和第二發(fā)射部件同時(shí)進(jìn)行微調(diào)就可以將發(fā)射光路朝向晶圓上待檢測位置，而不需要轉(zhuǎn)動(dòng)手柄進(jìn)行調(diào)整。

參考圖5，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測的裝置進(jìn)一步包括：

第三滑軌1100：根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第三滑軌1100可以設(shè)置在基座的表面上，并且晶圓固定部件200的一端可移動(dòng)地設(shè)置在第三滑軌1100中，從而可以根據(jù)實(shí)際檢測需要來調(diào)整晶圓固定部件的位置來調(diào)整激光發(fā)射光路在待檢測晶圓上的位置，進(jìn)而提高該裝置的檢測靈活性。

由此，采用本發(fā)明實(shí)施例的用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測的裝置可以實(shí)現(xiàn)背面異常晶圓的正面定位，從而可以排除產(chǎn)品品質(zhì)的不安全隱患，并且有效避免產(chǎn)品浪費(fèi)。

在本發(fā)明的第二個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法包括：(1)朝向待檢測的晶圓的背面的缺陷位點(diǎn)發(fā)射第一激光，朝向待檢測的晶圓的正面發(fā)射第二激光，其中，第一激光和第二激光的光路重疊；(2)在晶圓的正面與第二激光的交點(diǎn)處進(jìn)行標(biāo)記。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過采用光路重疊的第一激光和第二激光對(duì)待檢測晶圓進(jìn)行檢測，當(dāng)?shù)谝患す獬虼龣z測的晶圓的背面上的缺陷時(shí)，則第二激光正好朝向待檢測的晶圓的背面缺陷區(qū)域?qū)?yīng)的正面，由此可以實(shí)現(xiàn)背面異常晶圓的正面定位，然后通過對(duì)晶圓正面上與第二激光的交點(diǎn)處進(jìn)行標(biāo)記即可實(shí)現(xiàn)對(duì)背面異常晶圓的正面標(biāo)記，從而通過后續(xù)工序即可排除產(chǎn)品品質(zhì)的不安全隱患，并且有效避免產(chǎn)品浪費(fèi)。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，步驟(1)是采用上述描述的用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測的裝置進(jìn)行的。需要說明的是，上述針對(duì)用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測的裝置所描述的特征和優(yōu)點(diǎn)同樣適用于該檢測晶圓的方法，此處不再贅述。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，步驟(2)中在晶圓的正面與第二激光的交點(diǎn)處進(jìn)行標(biāo)記的具體方式并不受特別限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行選擇，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，可以采用人工標(biāo)記的方式對(duì)晶圓正面進(jìn)行標(biāo)記，例如可以采用記號(hào)筆在晶圓的正面與第二激光的交點(diǎn)處進(jìn)行標(biāo)記。

由此，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測的方法可以實(shí)現(xiàn)背面異常晶圓的正面標(biāo)記，從而可以排除產(chǎn)品品質(zhì)的不安全隱患。

在本發(fā)明的第三個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種制備硅晶片的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法包括：提供晶圓；對(duì)晶圓進(jìn)行檢測；剔除晶圓上被標(biāo)記的區(qū)域；對(duì)剔除標(biāo)記區(qū)域晶粒的晶圓進(jìn)行切割，以便獲得多個(gè)硅晶片；其中，對(duì)晶圓進(jìn)行檢測是利用上述所述用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測的方法進(jìn)行的。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過對(duì)晶圓的背面異常區(qū)域?qū)?yīng)的正面區(qū)域進(jìn)行標(biāo)記，并剔除晶圓上被標(biāo)記的區(qū)域，從而消除了背面異常所帶來的產(chǎn)品品質(zhì)的安全隱患，使得最終得到的硅晶片具有較高的品質(zhì)，同時(shí)較以往按照一定比例將異常晶圓判為不合格產(chǎn)品相比，本發(fā)明可以顯著避免原料的浪費(fèi)，進(jìn)而降低硅晶片的成本。

下面參考圖6對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的制備硅晶片的方法進(jìn)行詳細(xì)描述。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，制備硅晶片的方法包括：

S100：提供晶圓。

S200：對(duì)晶圓進(jìn)行檢測

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)晶圓進(jìn)行檢測，從而可以對(duì)晶圓的背面異常區(qū)域?qū)?yīng)的正面區(qū)域進(jìn)行標(biāo)記。具體的，該步驟是采用上述描述的用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測的方法進(jìn)行的。需要說明的是，以上針對(duì)用于對(duì)晶圓進(jìn)行檢測的方法所描述的特征和優(yōu)點(diǎn)同樣適用于該制備硅晶片的方法，此處不再贅述。

S300：剔除晶圓上被標(biāo)記的區(qū)域

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，剔除晶圓上被標(biāo)記的區(qū)域?yàn)樘蕹艟A正面上標(biāo)記區(qū)域的晶粒。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)晶圓上被標(biāo)記的區(qū)域的剔除方式并不受特別限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行選擇，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，可以采用光刻蝕的方式對(duì)晶圓正面上標(biāo)記區(qū)域的晶粒進(jìn)行剔除。

S400：對(duì)剔除標(biāo)記區(qū)域晶粒的晶圓進(jìn)行切割

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，按照實(shí)際尺寸需要對(duì)剔除標(biāo)記區(qū)域晶粒的晶圓進(jìn)行切割，從而可以得到硅晶片。

由此，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制備硅晶片的方法可以制備得到具有優(yōu)良品質(zhì)的硅晶片產(chǎn)品，并且有效避免了原料的浪費(fèi)。

在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對(duì)上述術(shù)語的示意性表述不必須針對(duì)的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。

盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。