本發(fā)明涉及一種一邊通過輻射溫度計(jì)對(duì)襯底溫度進(jìn)行監(jiān)視，一邊對(duì)襯底實(shí)施成膜的半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

在專利文獻(xiàn)1中公開了通過輻射溫度計(jì)對(duì)襯底溫度進(jìn)行測(cè)定。

專利文獻(xiàn)1：日本特開平07-159246號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在通過例如高密度等離子CVD(高密度等離子化學(xué)氣相生長)、濺射、熱CVD等進(jìn)行的成膜時(shí)，為了得到期望的膜質(zhì)(電阻率、反射率等)，一邊通過輻射溫度計(jì)對(duì)被處理物(襯底)的溫度進(jìn)行監(jiān)視，一邊推進(jìn)處理。

為了測(cè)定襯底溫度，通過輻射溫度計(jì)對(duì)被處理物的紅外線輻射率和紅外線輻射能量進(jìn)行測(cè)定。紅外線輻射率是在將從被處理物的背面?zhèn)热肷涞募t外線的強(qiáng)度設(shè)為X、將反射光的強(qiáng)度設(shè)為Y時(shí)，通過X－Y進(jìn)行定義的。在存在多個(gè)反射光的情況下，反射光的強(qiáng)度Y是多個(gè)反射光的疊加。

而且，如果多個(gè)反射光發(fā)生干涉而彼此加強(qiáng)，則Y的值變大，因此紅外線輻射率的值變小。這樣存在下述問題，即，如果紅外線輻射率的值變小，則不能夠進(jìn)行高精度的溫度測(cè)定。另外，還存在下述裝置，即，如果紅外線輻射率的值變小，則判斷為沒有能夠進(jìn)行襯底溫度的監(jiān)視，進(jìn)行互鎖而將處理中斷。

本發(fā)明就是為了解決上述問題而提出的，其目的在于提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該半導(dǎo)體裝置的制造方法能夠在使用輻射溫度計(jì)對(duì)被處理物的紅外線輻射率進(jìn)行測(cè)定時(shí)，抑制多個(gè)反射光發(fā)生干涉而彼此加強(qiáng)。

本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有：元件形成工序，在襯底的表面形成元件構(gòu)造，并在該襯底的背面形成背面構(gòu)造；以及成膜工序，一邊使用輻射溫度計(jì)對(duì)該襯底的溫度進(jìn)行測(cè)定，一邊在該元件構(gòu)造的表面成膜，該輻射溫度計(jì)使波長λi的紅外線入射至該背面構(gòu)造而得到該襯底的紅外線輻射率。而且，其特征在于，該背面構(gòu)造具有第1層和第2層，該第1層向外部露出，該第2層與該第1層相接觸，折射率大于該第1層，在將n設(shè)為正的奇數(shù)時(shí)，將該成膜工序中的該第1層的層厚設(shè)為從(2n－1)λi/8至(2n+1)λi/8的范圍。

本發(fā)明涉及的其他半導(dǎo)體裝置的制造方法具有：元件形成工序，在襯底的表面形成元件構(gòu)造，并在該襯底的背面形成背面構(gòu)造；以及成膜工序，一邊使用輻射溫度計(jì)對(duì)該襯底的溫度進(jìn)行測(cè)定，一邊在該元件構(gòu)造的表面成膜，該輻射溫度計(jì)使波長λi的紅外線入射至該背面構(gòu)造而得到該襯底的紅外線輻射率。而且，其特征在于，該背面構(gòu)造具有第1層和第2層，該第1層向外部露出，該第2層與該第1層相接，折射率大于該第1層，在將n設(shè)為正的奇數(shù)時(shí)，將該成膜工序中的該第1層的層厚設(shè)為從(2n－1)λi/8至(2n+1)λi/8范圍。

本發(fā)明涉及的其他半導(dǎo)體裝置的制造方法具有：元件形成工序，在襯底的表面形成元件構(gòu)造，并在該襯底的背面形成背面構(gòu)造；以及成膜工序，一邊使用輻射溫度計(jì)對(duì)該襯底的溫度進(jìn)行測(cè)定，一邊在該元件構(gòu)造的表面成膜，該輻射溫度計(jì)使紅外線入射至該背面構(gòu)造而得到該襯底的紅外線輻射率。而且，其特征在于，在該元件形成工序中，將在該襯底的背面?zhèn)刃纬傻膶拥囊徊糠秩コ?，以使得在該元件形成工序結(jié)束時(shí)該背面構(gòu)造的折射率均勻。

本發(fā)明的其他特征在下面得以明確。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明，通過對(duì)被處理物的背面構(gòu)造進(jìn)行調(diào)整，從而能夠在使用輻射溫度計(jì)對(duì)被處理物的紅外線輻射率進(jìn)行測(cè)定時(shí)，抑制多個(gè)反射光發(fā)生干涉而彼此加強(qiáng)。

附圖說明

圖1是實(shí)施方式1的元件形成工序后的被處理物的斜視圖。

圖2是表示成膜工序所使用的裝置的框圖。

圖3是表示成膜時(shí)的成膜裝置的內(nèi)部的圖。

圖4是表示第1層的層厚和紅外線輻射率的關(guān)系的圖。

圖5是實(shí)施方式2的元件形成工序后的被處理物的斜視圖。

圖6是表示成膜時(shí)的成膜裝置的內(nèi)部的圖。

圖7是實(shí)施方式3的元件形成工序后的被處理物的斜視圖。

圖8是變形例所涉及的被處理物的斜視圖。

具體實(shí)施方式

參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。對(duì)相同或?qū)?yīng)的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注相同的標(biāo)號(hào)，有時(shí)省略重復(fù)說明。

實(shí)施方式1.

在本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，首先，實(shí)施元件形成工序。圖1是元件形成工序后的被處理物10(晶片)的斜視圖。被處理物10具有由硅形成的襯底12。在元件形成工序中，對(duì)襯底12實(shí)施CVD、離子注入、熱處理、濺射、光刻及蝕刻等處理，在襯底12的表面形成元件構(gòu)造14。元件構(gòu)造14包含晶體管、電阻元件及電容器，該元件構(gòu)造14作為整體而形成集成電路(IC)。在元件構(gòu)造14的最上層形成有配線層。

與元件構(gòu)造14的形成相伴，在襯底12的背面形成背面構(gòu)造16。背面構(gòu)造16具有第1層18、第2層20及第3層22。第1層18是向外部露出的多晶硅。第1層18是在電阻元件的材料的成膜時(shí)形成的。即，第1層18在將電阻元件形成于襯底12的表面?zhèn)葧r(shí)不可避免地形成在襯底12的背面?zhèn)?。?層18的層厚是dx。通過對(duì)電阻元件的材料的膜厚進(jìn)行調(diào)整，從而在將n設(shè)為正的偶數(shù)時(shí)，將第1層18的層厚dx設(shè)為從(2n－1)λi/8至(2n+1)λi/8的范圍。此外，λi是從輻射溫度計(jì)輻射的紅外線的波長。

第2層20是與第1層18相接觸的氧化硅膜。第2層20是在用于對(duì)晶體管的柵極電極進(jìn)行圖案化的氧化膜的成膜時(shí)形成的。即，第2層20在將晶體管形成于襯底12的表面?zhèn)葧r(shí)不可避免地形成在襯底12的背面?zhèn)?。該氧化硅膜例如是TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate)。因此，第2層20的折射率小于第1層18。

第3層22是第2層20和襯底12之間的多晶硅。第3層22是在元件構(gòu)造14的晶體管的柵極電極的成膜時(shí)形成的。即，第3層22在將晶體管形成于襯底12的表面?zhèn)葧r(shí)不可避免地形成在襯底12的背面?zhèn)?。如上所述，與元件構(gòu)造14的形成相伴，不可避免地形成背面構(gòu)造16。因此，元件形成工序是在襯底12的表面形成元件構(gòu)造14，并且在襯底12的背面形成背面構(gòu)造16的工序。

接下來，使處理推進(jìn)至在元件構(gòu)造14的表面實(shí)施成膜的成膜工序。圖2是表示成膜工序所使用的裝置的框圖。在成膜裝置30設(shè)置有對(duì)襯底12的溫度進(jìn)行測(cè)定的輻射溫度計(jì)32?？刂破?4一邊對(duì)通過輻射溫度計(jì)32測(cè)定出的襯底溫度進(jìn)行監(jiān)視，一邊控制成膜裝置30。

圖3是表示成膜工序中的成膜裝置的內(nèi)部的圖。在工作臺(tái)40載置有被處理物10。在工作臺(tái)40的上方存在電極60。一邊從電極60的狹縫60a向被處理物10的上方供給材料氣體，一邊對(duì)電極60施加交流電力，由此通過高密度等離子CVD法形成配線層的層間絕緣膜。

在成膜工序中，通過在工作臺(tái)40的下方設(shè)置的冷卻裝置42，經(jīng)由工作臺(tái)40對(duì)被處理物10進(jìn)行冷卻。冷卻裝置42由控制器34控制，以防止在成膜過程中被處理物10的溫度過度上升，將該溫度保持為小于或等于一定溫度。此外，也可以在工作臺(tái)40之中設(shè)置冷卻裝置42。

為了通過成膜工序形成具有期望的特性的層間絕緣膜，重要的是在成膜工序過程中，將被處理物10的溫度保持為期望的值。因此，在成膜工序中，一邊通過輻射溫度計(jì)32對(duì)襯底12(被處理物10)的溫度進(jìn)行測(cè)定，一邊形成層間絕緣膜。輻射溫度計(jì)32對(duì)被處理物10的紅外線輻射率和紅外線輻射能量進(jìn)行測(cè)定，計(jì)算被處理物10的溫度。

對(duì)由輻射溫度計(jì)32實(shí)施的紅外線輻射率的測(cè)定進(jìn)行說明。從輻射溫度計(jì)32使波長λi的紅外線50入射至背面構(gòu)造16。而且，輻射溫度計(jì)32對(duì)紅外線50的反射光52、54的強(qiáng)度進(jìn)行檢測(cè)。通過從紅外線50的強(qiáng)度減去反射光52、54的強(qiáng)度而得到襯底12的紅外線輻射率。此外，在這里，通過對(duì)反射光52、54的強(qiáng)度進(jìn)行測(cè)定，從而模擬地測(cè)定被處理物表面的紅外線的屏蔽度。

第1層18的折射率大于真空或空氣，因此反射光52是從真空或空氣與第1層18的界面進(jìn)行固定端反射后的反射光。因此，反射光52相對(duì)于入射光即紅外線50，相位偏移1/2波長。

由氧化硅膜形成的第2層20的折射率小于由多晶硅形成的第1層18，因此反射光54是從第1層18與第2層20的界面進(jìn)行自由端反射后的反射光。因此，反射光54相對(duì)于入射光即紅外線50，沒有進(jìn)行相位偏移。

因此，反射光52與反射光54的相位差成為1/2波長(λi/2)與2dx(第1層18的層厚的2倍)之和。例如，如果第1層18的層厚dx是(1/4)λi的奇數(shù)倍，則反射光52與反射光54的相位差成為λi的整數(shù)倍，反射光52和反射光54發(fā)生彼此加強(qiáng)的干涉。在該情況下，反射光的強(qiáng)度Y增大，紅外線輻射率(X－Y)的值極端地降低。

另一方面，如果將第1層18的層厚dx設(shè)為(1/2)λi的整數(shù)倍，則反射光52與反射光54的相位差成為(1/2)λi的整數(shù)倍，反射光52和反射光54發(fā)生彼此削弱的干涉。在該情況下，反射光的強(qiáng)度Y降低，能夠?qū)⒓t外線輻射率(X－Y)設(shè)為充分大的值。因此，在本發(fā)明的實(shí)施方式1中，在將n設(shè)為正的偶數(shù)時(shí)，將第1層18的層厚dx設(shè)為從(2n－1)λi/8至(2n+1)λi/8的范圍。該層厚dx的范圍是以(1/2)λi的整數(shù)倍為中心，從該中心在增大以及減小的方向上擴(kuò)展(1/8)λi的范圍。該范圍是避開(1/4)λi的奇數(shù)倍的范圍。因此，在對(duì)被處理物10的紅外線輻射率進(jìn)行測(cè)定時(shí)，能夠抑制多個(gè)反射光發(fā)生干涉而彼此加強(qiáng)。

如上所述，根據(jù)一邊抑制反射光的彼此加強(qiáng)的干涉一邊求出的紅外線輻射率、和被處理物的紅外線輻射能量，求出被處理物10的溫度。而且，控制器34一邊對(duì)被處理物10的溫度維持為期望溫度這一情況進(jìn)行確認(rèn)，一邊執(zhí)行成膜工序。

本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，在將n設(shè)為正的偶數(shù)時(shí)，將成膜工序中的第1層的層厚設(shè)為從(2n－1)λi/8至(2n+1)λi/8的范圍。如果將第1層18設(shè)在該層厚的范圍內(nèi)，則能夠避免多個(gè)反射光發(fā)生干涉而彼此加強(qiáng)，將紅外線輻射率保持得高。由此，將該層厚dx的范圍稱為高輻射率范圍。

圖4是表示第1層18的層厚dx和紅外線輻射率的關(guān)系的圖。用黑點(diǎn)繪制的數(shù)據(jù)是實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)。虛線是近似曲線。在第1層的層厚成為λi(或者(1/2)λi的整數(shù)倍)的點(diǎn)處紅外線輻射率取得最大值。在第1層的層厚成為(6/8)λi(或者(1/4)λi的奇數(shù)倍)的點(diǎn)處紅外線輻射率取得最小值。圖4中的高輻射率范圍是從(7/8)λi至(9/8)λi的范圍。可知在該范圍能夠抑制反射光發(fā)生干涉而彼此加強(qiáng)，將紅外線輻射率維持得高。

元件構(gòu)造14的形成工藝只要是會(huì)形成背面構(gòu)造16的工藝即可，沒有特別的限定。另外，背面構(gòu)造16不限定于具有第1～第3層18、20、22的構(gòu)造。背面構(gòu)造只要具有向外部露出的第1層和折射率小于第1層的第2層即可，能夠進(jìn)行各種變形。例如，也可以將第1層由除了多晶硅以外的材料形成，將第2層由除了氧化硅膜以外的材料(例如氮化硅膜)形成。

另外，認(rèn)為由于在背面構(gòu)造16存在第2層20與第3層22的界面，因此也存在來自該界面的反射光。如果該反射光顯著地對(duì)反射光的強(qiáng)度Y作出貢獻(xiàn)，則也可以對(duì)第2層的層厚進(jìn)行調(diào)整，以使得多個(gè)反射光不發(fā)生彼此加強(qiáng)的干涉。但是，在發(fā)明人進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)中，來自第2層20與第3層22的界面的反射光并沒有顯著地對(duì)反射光的強(qiáng)度Y作出貢獻(xiàn)。而且在對(duì)第2層的層厚進(jìn)行調(diào)整的情況下，元件形成工序變得復(fù)雜。因此，在本發(fā)明的實(shí)施方式1中僅調(diào)整了第1層18的層厚。

在本發(fā)明的實(shí)施方式1中，通過對(duì)電阻元件的材料的膜厚進(jìn)行調(diào)整，從而將第1層18的層厚設(shè)定在上述的高輻射率范圍。但是，即使在元件形成工序結(jié)束時(shí)第1層的層厚沒有處在高輻射率范圍的情況下，只要在成膜工序之前，將第1層變薄以使第1層的層厚進(jìn)入高輻射率范圍即可。即，在成膜工序之前，也可以具有薄膜化工序，在該薄膜化工序中，將第1層的層厚變薄，在將n設(shè)為正的偶數(shù)時(shí)，將第1層的層厚設(shè)為從(2n－1)λi/8至(2n+1)λi/8的范圍。

控制器34也可以并非是單純地對(duì)被處理物10的溫度進(jìn)行監(jiān)視，而是例如基于被處理物10的溫度，對(duì)冷卻裝置42的通電狀態(tài)進(jìn)行調(diào)節(jié)，以使被處理物10的溫度保持固定。

在成膜工序中，通過高密度等離子CVD法形成了層間絕緣膜。但是，在成膜工序中，只要一邊通過輻射溫度計(jì)對(duì)襯底溫度進(jìn)行監(jiān)視一邊成膜即可，也可以利用其他方法形成其他膜。

這些變形也能適當(dāng)應(yīng)用于以下的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法。以下的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法與實(shí)施方式1的共通點(diǎn)多，因此以與實(shí)施方式1的不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說明。

實(shí)施方式2.

圖5是本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的被處理物100的斜視圖。背面構(gòu)造102具有第1層104、第2層106及第3層108。第1層104是向外部露出的氧化硅膜。第2層106是與第1層104相接觸的多晶硅。第2層106(多晶硅)的折射率大于第1層104(氧化硅膜)。第3層108是第2層106與襯底12之間的氧化硅膜。背面構(gòu)造102是在元件形成工序中形成元件構(gòu)造14時(shí)形成的。

通過對(duì)在元件形成工序中形成的氧化硅膜的膜厚進(jìn)行調(diào)整，從而在將n設(shè)為正的奇數(shù)時(shí)，將成膜工序中的第1層104的層厚dy設(shè)為從(2n－1)λi/8至(2n+1)λi/8的范圍。

圖6是表示成膜工序中的成膜裝置的內(nèi)部的圖。從輻射溫度計(jì)32使波長λi的紅外線50入射至背面構(gòu)造102。而且，輻射溫度計(jì)32對(duì)紅外線50的反射光110、112的強(qiáng)度進(jìn)行檢測(cè)。反射光110是從真空或空氣與第1層104的界面進(jìn)行固定端反射后的反射光。因此，反射光110相對(duì)于入射光即紅外線50，相位偏移1/2波長。

由多晶硅形成的第2層106的折射率大于由氧化硅膜形成的第1層104，因此反射光112是從第1層104與第2層106的界面進(jìn)行固定端反射后的反射光。因此，反射光112相對(duì)于入射光即紅外線50，相位偏移1/2波長。

因此，反射光110與反射光112的相位差成為2dy(第1層104的層厚的2倍)。如果第1層104的層厚dy是(1/2)λi的整數(shù)倍，則反射光110與反射光112的相位差成為λi的整數(shù)倍，反射光110和反射光112發(fā)生彼此加強(qiáng)的干涉。

另一方面，如果將第1層104的層厚dy設(shè)為(1/4)λi的奇數(shù)倍，則反射光110與反射光112的相位差成為(1/2)λi的整數(shù)倍，反射光110和反射光112發(fā)生彼此削弱的干涉。在該情況下，反射光的強(qiáng)度Y降低，能夠?qū)⒓t外線輻射率(X－Y)設(shè)為充分大的值。

因此，在本發(fā)明的實(shí)施方式2中，在將n設(shè)為正的奇數(shù)時(shí)，將第1層104的層厚dy設(shè)為從(2n－1)λi/8至(2n+1)λi/8的范圍。該層厚的范圍是以(1/4)波長的奇數(shù)倍為中心，從該中心在增大以及減小的方向上擴(kuò)展(1/8)λi的范圍。該范圍是避開(1/2)λi的整數(shù)倍的范圍。因此，在對(duì)被處理物100的紅外線輻射率進(jìn)行測(cè)定時(shí)，能夠抑制多個(gè)反射光發(fā)生干涉而彼此加強(qiáng)。

在成膜工序之前，也可以具有薄膜化工序，在該薄膜化工序中，將第1層104的層厚變薄，在將n設(shè)為正的奇數(shù)時(shí)，將第1層104的層厚設(shè)為從(2n－1)λi/8至(2n+1)λi/8的范圍。

實(shí)施方式3.

在實(shí)施方式1、2中說明了對(duì)第1層的層厚進(jìn)行調(diào)整而將紅外線輻射率保持得高。需要對(duì)第1層的層厚進(jìn)行調(diào)整的原因在于，背面構(gòu)造是由具有不同的折射率的多個(gè)層構(gòu)成的。因此，在實(shí)施方式3中，使成膜工序中的背面構(gòu)造的折射率均勻。

圖7是實(shí)施方式3的元件形成工序結(jié)束時(shí)的被處理物的斜視圖。在元件形成工序中，將在襯底12的背面?zhèn)刃纬傻膶拥囊徊糠秩コ?，以使得在元件形成工序結(jié)束時(shí)背面構(gòu)造150的折射率均勻。即，通過在元件形成工序?qū)D1的第2層20去除，從而將背面構(gòu)造150設(shè)為僅是第1層18和第3層22。由此，能夠得到僅由多晶硅形成的背面構(gòu)造150。

在成膜工序中，如果從輻射溫度計(jì)使紅外線入射至背面構(gòu)造150，則能夠僅檢測(cè)來自真空或空氣與第1層18的界面的反射光。由此能夠抑制多個(gè)反射光發(fā)生干涉而彼此加強(qiáng)。

本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，使背面構(gòu)造的折射率均勻，將背面構(gòu)造內(nèi)的界面反射消除。能夠在不喪失該特征的范圍進(jìn)行各種變形。例如，如圖8所示，也可以僅通過由氧化硅膜形成的第1層104和第3層108構(gòu)成背面構(gòu)造200。在該情況下，在元件形成工序中將圖5的第2層106去除。此外，成膜工序中的背面構(gòu)造并不限于多晶硅或氧化硅膜，也可以由氮化硅膜等形成。

標(biāo)號(hào)的說明

10被處理物，12襯底，14元件構(gòu)造，16背面構(gòu)造，18第1層，20第2層，22第3層，30成膜裝置，32輻射溫度計(jì)，34控制器，40工作臺(tái)，42冷卻裝置，50紅外線，52、54反射光，60電極，60a狹縫，100被處理物，102、150、200背面構(gòu)造，110、112反射光。

權(quán)利要求書(按照條約第19條的修改)

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有：

元件形成工序，在襯底的表面形成元件構(gòu)造，并在所述襯底的背面形成背面構(gòu)造；以及

成膜工序，一邊使用輻射溫度計(jì)對(duì)所述襯底的溫度進(jìn)行測(cè)定，一邊在所述元件構(gòu)造的表面成膜，該輻射溫度計(jì)使波長λi的紅外線入射至所述背面構(gòu)造而得到所述襯底的紅外線輻射率，

所述背面構(gòu)造具有第1層和第2層，該第1層向外部露出，該第2層與所述第1層相接觸，折射率小于所述第1層，

在將n設(shè)為正的偶數(shù)時(shí)，將所述成膜工序中的所述第1層的層厚設(shè)為從(2n－1)λi/8至(2n+1)λi/8的范圍。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述元件構(gòu)造包含晶體管和電阻元件，

所述背面構(gòu)造在所述第2層和所述襯底之間具有第3層，

所述第3層是在所述晶體管的柵極電極的成膜時(shí)形成的多晶硅，

所述第2層是在用于對(duì)所述柵極電極進(jìn)行圖案化的氧化膜的成膜時(shí)形成的氧化硅膜，

所述第1層是在所述電阻元件的材料的成膜時(shí)形成的多晶硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述成膜工序之前，具有薄膜化工序，在該薄膜化工序中，將所述第1層的層厚變薄，在將n設(shè)為正的偶數(shù)時(shí)，將所述第1層的層厚設(shè)為從(2n－1)λi/8至(2n+1)λi/8的范圍。

4.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有：

元件形成工序，在襯底的表面形成元件構(gòu)造，并在所述襯底的背面形成背面構(gòu)造；以及

成膜工序，一邊使用輻射溫度計(jì)對(duì)所述襯底的溫度進(jìn)行測(cè)定，一邊在所述元件構(gòu)造的表面成膜，該輻射溫度計(jì)使波長λi的紅外線入射至所述背面構(gòu)造而得到所述襯底的紅外線輻射率，

所述背面構(gòu)造具有第1層和第2層，該第1層向外部露出，該第2層與所述第1層相接觸，折射率大于所述第1層，

在將n設(shè)為正的奇數(shù)時(shí)，將所述成膜工序中的所述第1層的層厚設(shè)為從(2n－1)λi/8至(2n+1)λi/8的范圍。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述成膜工序之前，具有薄膜化工序，在該薄膜化工序中，將所述第1層的層厚變薄，在將n設(shè)為正的奇數(shù)時(shí)，將所述第1層的層厚設(shè)為從(2n－1)λi/8至(2n+1)λi/8的范圍。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述元件構(gòu)造具有配線層，

在所述成膜工序中，通過高密度等離子CVD法形成所述配線層的層間絕緣膜。