陣列基板以及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種陣列基板以及顯示裝置。一種陣列基板，包括基板以及設(shè)置于基板上的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，柵線與數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置且將基板劃分為多個(gè)像素區(qū)域，像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管，薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極，柵極與柵線電連接，源極與數(shù)據(jù)線電連接，其中，柵極、柵線與數(shù)據(jù)線同層設(shè)置，數(shù)據(jù)線在與柵線交叉的區(qū)域斷開，斷開的數(shù)據(jù)線通過與數(shù)據(jù)線不同層的數(shù)-數(shù)連接線電連接。有益效果是：本實(shí)用新型的陣列基板中，有源層采用金屬氧化物半導(dǎo)體材料形成，整個(gè)陣列基板僅需采用四次構(gòu)圖工藝即可制備完成，且柵線與數(shù)據(jù)線由形成柵極的同層金屬層形成，簡(jiǎn)化了工藝，極大地提高了產(chǎn)能，節(jié)約了成本。
【專利說明】陣列基板以及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種陣列基板以及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，平板顯示裝置已取代笨重的CRT(Cathode Ray Tube,陰極射線管)顯示裝置日益深入人們的日常生活中。目前，常用的平板顯示裝置包括LCD(Liquid Crystal Display:液晶顯不裝置)、PDP (Plasma Display Panel:等離子顯不裝置)和OLED (Organic Light-Emitting Diode:有機(jī)發(fā)光二極管)顯示裝置。尤其是OLED顯示裝置，與LCD相比，具有自發(fā)光、響應(yīng)速度快寬視角等諸多優(yōu)點(diǎn)，可用于柔性顯示、透明顯示,3D顯示等多種應(yīng)用。
[0003]在成像過程中，IXD和有源矩陣驅(qū)動(dòng)式OLED (Active Matrix Organic LightEmission Display,簡(jiǎn)稱AMOLED)顯示裝置中的每一像素點(diǎn)都由集成在陣列基板中的薄膜晶體管(Thin Film Transistor:簡(jiǎn)稱TFT)來驅(qū)動(dòng),從而實(shí)現(xiàn)圖像顯示。每個(gè)薄膜晶體管可獨(dú)立控制一個(gè)像素點(diǎn)，而不會(huì)對(duì)其他像素點(diǎn)造成串?dāng)_。薄膜晶體管作為發(fā)光控制開關(guān)，是實(shí)現(xiàn)LCD和OLED顯示裝置顯示的關(guān)鍵，直接關(guān)系到高性能顯示裝置的發(fā)展方向。
[0004]薄膜晶體管主要包括柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極。目前，有源層通常采用含硅材料或金屬氧化物半導(dǎo)體材料形成。
[0005]采用金屬氧化物半導(dǎo)體材料作為有源層，薄膜晶體管具有較好的開態(tài)電流、開關(guān)特性，且遷移率高，均勻性好，不需要增加補(bǔ)償電路，在掩模數(shù)量和制作難度上均有優(yōu)勢(shì)；金屬氧化物半導(dǎo)體材料具有高氧含量時(shí)能表現(xiàn)出很好的半導(dǎo)體特性，具有較低氧含量時(shí)具有較低的電阻率，因此可作為透明電極使用，足以用于需要快速響應(yīng)和較大電流的應(yīng)用，如應(yīng)用于高頻、高分辨率、中大尺寸的IXD以及OLED顯示裝置中。同時(shí)，金屬氧化物半導(dǎo)體材料形成有源層的制作工藝簡(jiǎn)單，采用濺射等方法即可，與現(xiàn)有的LCD產(chǎn)線匹配性好，容易轉(zhuǎn)型，不需增加額外的設(shè)備，具有成本優(yōu)勢(shì)。
[0006]但是，采用金屬氧化物半導(dǎo)體材料作為有源層，薄膜晶體管的制備工藝一般需采用六次以上的構(gòu)圖工藝，產(chǎn)能較低。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中采用金屬氧化物半導(dǎo)體材料形成有源層的薄膜晶體管的一種典型結(jié)構(gòu)為:在基板I上設(shè)置柵極2a，在柵極2a上設(shè)置柵絕緣層3，在柵絕緣層3上設(shè)置有源層4 (即金屬氧化物半導(dǎo)體層)，在有源層4上設(shè)置刻蝕阻擋層5，在刻蝕阻擋層5上設(shè)置源極6a和漏極6b，在源極6a和漏極6b上設(shè)置鈍化層7，在鈍化層7上設(shè)置像素電極8 (即ITO透明電極層)。
[0007]相應(yīng)的，上述結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的制備方法為:在基板I上沉積柵極金屬材料，采用第一次構(gòu)圖工藝形成柵極2a ;在柵極2a上沉積柵絕緣層3，在柵絕緣層3上沉積有源層4，采用第二次構(gòu)圖工藝形成溝槽區(qū)和源極、漏極接觸區(qū)；在有源層4上沉積刻蝕阻擋層薄膜，采用第三次構(gòu)圖工藝形成刻蝕阻擋層5 ;在刻蝕阻擋層5上沉積金屬材料，采用第四次構(gòu)圖工藝形成源極6a和漏極6b ;在源極6a和漏極6b上沉積鈍化層薄膜,采用第五次構(gòu)圖工藝形成鈍化層7以及鈍化層7中的過孔；在鈍化層7上沉積ITO透明電極材料，采用第六次構(gòu)圖工藝形成像素電極8，像素電極8通過過孔與漏極6b連接。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0008]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足，提供一種陣列基板以及顯示裝置，該陣列基板僅需采用四次構(gòu)圖工藝即可制備完成，且柵線與數(shù)據(jù)線由形成柵極的同層金屬層形成，簡(jiǎn)化了工藝。
[0009]解決本實(shí)用新型技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是該陣列基板，包括基板以及設(shè)置于所述基板上的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，所述柵線與所述數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置且將所述基板劃分為多個(gè)像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極，所述柵極與所述柵線電連接，所述源極與所述數(shù)據(jù)線電連接，其中，所述柵極、所述柵線與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置，所述數(shù)據(jù)線在與所述柵線交叉的區(qū)域斷開，斷開的所述數(shù)據(jù)線通過與所述數(shù)據(jù)線不同層的數(shù)-數(shù)連接線電連接。
[0010]優(yōu)選的是，所述像素區(qū)域內(nèi)還設(shè)置有像素電極，所述數(shù)-數(shù)連接線、所述源極、所述漏極與所述像素電極同層設(shè)置，所述數(shù)-數(shù)連接線設(shè)置于對(duì)應(yīng)著所述數(shù)據(jù)線與所述柵線的斷開區(qū)域、且與斷開的所述數(shù)據(jù)線連接。
[0011]優(yōu)選的是，所述陣列基板還包括柵絕緣層和有源層，所述柵絕緣層設(shè)置于所述柵極與所述源極和所述漏極之間；所述有源層與所述柵極正對(duì)設(shè)置，且位于所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)；所述源極與所述漏極緊鄰所述有源層設(shè)置于對(duì)應(yīng)著所述有源層的兩端、且與所述柵極在正投影方向上部分重疊。
[0012]一種優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，所述陣列基板還包括刻蝕阻擋層，
[0013]所述柵極、所述柵線與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置于所述基板上；
[0014]所述柵絕緣層設(shè)置于所述柵極、所述柵線與所述數(shù)據(jù)線的上方，且完全覆蓋所述柵極、所述柵線與所述數(shù)據(jù)線，所述柵絕緣層在對(duì)應(yīng)著所述數(shù)據(jù)線的區(qū)域開設(shè)有第一連接線過孔和第一源-數(shù)連接線過孔；
[0015]所述有源層設(shè)置于所述柵絕緣層對(duì)應(yīng)著所述柵極的上方，且完全覆蓋所述柵極對(duì)應(yīng)著的區(qū)域；
[0016]所述刻蝕阻擋層設(shè)置于所述有源層的上方，所述刻蝕阻擋層對(duì)應(yīng)著所述有源層的一端開設(shè)有源極過孔，所述刻蝕阻擋層對(duì)應(yīng)著所述有源層的另一端開設(shè)有漏極過孔，所述刻蝕阻擋層對(duì)應(yīng)著所述數(shù)據(jù)線的區(qū)域開設(shè)有第二連接線過孔和第二源-數(shù)連接線過孔；
[0017]所述數(shù)-數(shù)連接線、所述源極、所述漏極與所述像素電極同層設(shè)置于所述刻蝕阻擋層的上方，所述源極嵌入所述源極過孔且與所述有源層接觸，所述源極與所述數(shù)據(jù)線通過所述第一源-數(shù)連接線過孔和所述第二源-數(shù)連接線過孔電連接，所述數(shù)-數(shù)連接線通過所述第一連接線過孔和所述第二連接線過孔使得斷開的多條所述數(shù)據(jù)線電連接；所述漏極嵌入所述漏極過孔且與所述有源層接觸，所述漏極與所述像素電極電連接。
[0018]一種優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，所述陣列基板還包括鈍化層，
[0019]所述有源層設(shè)置于所述基板上；
[0020]所述柵絕緣層設(shè)置于所述有源層的上方，且所述有源層與所述柵線平行的相對(duì)的兩端未被所述柵絕緣層覆蓋；
[0021]所述柵極、所述柵線與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置于所述柵絕緣層的上方，且所述柵極在正投影方向上的面積小于所述有源層的面積；
[0022]所述鈍化層設(shè)置于所述柵極、所述柵線與所述數(shù)據(jù)線的上方，且完全覆蓋所述柵極、所述柵線與所述數(shù)據(jù)線，所述鈍化層對(duì)應(yīng)著所述有源層未被所述柵絕緣層覆蓋的一端開設(shè)有源極過孔，所述鈍化層對(duì)應(yīng)著所述有源層未被所述柵絕緣層覆蓋的另一端開設(shè)有漏極過孔，所述鈍化層對(duì)應(yīng)著所述數(shù)據(jù)線的區(qū)域開設(shè)有連接線過孔和源-數(shù)連接線過孔；
[0023]所述數(shù)-數(shù)連接線、所述源極、所述漏極與所述像素電極同層設(shè)置于所述鈍化層的上方，所述源極嵌入所述源極過孔且與所述有源層接觸，所述源極與所述數(shù)據(jù)線通過源-數(shù)連接線過孔電連接，所述數(shù)-數(shù)連接線通過連接線過孔使得斷開的多條所述數(shù)據(jù)線電連接；所述漏極嵌入所述漏極過孔且與所述有源層接觸，所述漏極與所述像素電極電連接。
[0024]優(yōu)選的是，所述柵極、所述柵線和所述數(shù)據(jù)線采用相同的材料、且在同一構(gòu)圖工藝中形成。
[0025]進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述柵極、所述柵線和所述數(shù)據(jù)線均采用鑰、鑰鈮合金、鋁、鋁釹合金、鈦、鉻或銅形成；所述柵極、所述柵線和所述數(shù)據(jù)線為單層或多層復(fù)合疊層結(jié)構(gòu)，所述柵極、所述柵線和所述數(shù)據(jù)線的厚度范圍為100-3000nm。
[0026]優(yōu)選的是，所述數(shù)-數(shù)連接線、所述源極、所述漏極和所述像素電極采用氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅、氧化銦錫或氧化銦鎵錫形成；
[0027]所述有源層采用金屬氧化物半導(dǎo)體材料形成；
[0028]所述柵絕緣層為單層或多層復(fù)合疊層結(jié)構(gòu)，所述柵絕緣層采用硅氧化物、硅氮化物、鉿氧化物、硅氮氧化物或鋁氧化物形成；
[0029]所述刻蝕阻擋層為單層或多層復(fù)合疊層結(jié)構(gòu)，采用硅氧化物、硅氮化物、鉿氧化物或鋁氧化物形成。
[0030]所述鈍化層為單層或多層復(fù)合疊層結(jié)構(gòu)，采用硅氧化物、硅氮化物、鉿氧化物或鋁氧化物形成。
[0031]一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0032]本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型的陣列基板中，有源層采用金屬氧化物半導(dǎo)體材料形成，整個(gè)陣列基板僅需采用四次構(gòu)圖工藝即可制備完成，且柵線與數(shù)據(jù)線由形成柵極的同層金屬層形成，簡(jiǎn)化了工藝，極大地提高了產(chǎn)能，節(jié)約了成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的剖視圖；
[0034]圖2-1、2-2為本發(fā)明實(shí)施例1中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]其中，
[0036]圖2-1為陣列基板的平面圖；
[0037]圖2-2為圖2-1所示的沿D-D向剖視圖；
[0038]圖3-1至3-8為本發(fā)明實(shí)施例1中陣列基板的制備流程圖；
[0039]其中:
[0040]圖3-1為第一次構(gòu)圖工藝形成包括柵極、柵線和數(shù)據(jù)線的圖形的平面圖；
[0041]圖3-2為圖3-1所示的沿A-A向的剖視圖；[0042]圖3-3為第二次構(gòu)圖工藝形成包括柵絕緣層、有源層的圖形的平面圖；
[0043]圖3-4為圖3-3所示的沿B-B向的剖視圖；
[0044]圖3-5為第三次構(gòu)圖工藝形成包括刻蝕阻擋層的圖形的平面圖；
[0045]圖3-6為圖3-5所示的沿C-C向的剖視圖；
[0046]圖3-7為第四次構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)-數(shù)連接線、源極、漏極和像素電極的圖形的平面圖；
[0047]圖3-8為圖3-7所示的沿D-D向的剖視圖；
[0048]圖4-1、4_2為本發(fā)明實(shí)施例2中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0049]其中:
[0050]圖4-1為陣列基板的平面圖；
[0051]圖4-2為圖4-1所示的沿D-D向的剖視圖；
[0052]圖5-1至5-8為本發(fā)明實(shí)施例2中陣列基板的制備流程圖；
[0053]其中:
[0054]圖5-1為第一次構(gòu)圖工藝形成包括有源層、柵絕緣層的平面圖；
[0055]圖5-2為圖5-1所示的沿A-A向的剖視圖；
[0056]圖5-3為第二次構(gòu)圖工藝形成包括柵極、柵線和數(shù)據(jù)線的圖形的平面圖；
[0057]圖5-4為圖5-3所示的沿B-B向的剖視圖；
[0058]圖5-5為第三次構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層的圖形的平面圖；
[0059]圖5-6為圖5-5所示的沿C-C向的剖視圖；
[0060]圖5-7為第四次構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)-數(shù)連接線、源極、漏極和像素電極的圖形的平面圖；
[0061]圖5-8為圖5-7所示的沿D-D向的剖視圖；
[0062]圖6-1、6_2為對(duì)應(yīng)著圖5-1、5_2中采用光刻膠掩模進(jìn)行構(gòu)圖工藝的示意圖；
[0063]附圖標(biāo)記:1 —基板；2a —柵極；2b_柵線；2c_數(shù)據(jù)線；2d_公共電極線；3 —柵絕緣層；30_柵絕緣層薄膜；4_有源層；40_有源層薄膜；41_光刻膠掩模；5_刻蝕阻擋層；6a—源極；6b-漏極；7 —鈍化層；7a-源極過孔；7b_漏極過孔；7c_連接線過孔；71c_第一連接線過孔；72c-第二連接線過孔；7d-源-數(shù)連接線過孔；71d-第一源-數(shù)連接線過孔；72d-第二源-數(shù)連接線過孔；8 —像素電極；9 一數(shù)-數(shù)連接線。
【具體實(shí)施方式】
[0064]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型陣列基板以及顯示裝置作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0065]一種陣列基板，包括基板以及設(shè)置于基板上的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，所述柵線與所述數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置且將所述基板劃分為多個(gè)像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極，所述柵極與所述柵線電連接，所述源極與所述數(shù)據(jù)線電連接，其中，柵極、柵線與數(shù)據(jù)線同層設(shè)置，數(shù)據(jù)線在與柵線交叉的區(qū)域斷開，斷開的數(shù)據(jù)線通過與數(shù)據(jù)線不同層的數(shù)-數(shù)連接線電連接。
[0066]一種包括上述陣列基板的顯示裝置。
[0067]實(shí)施例1:[0068]如圖2-1和圖2-2所示，陣列基板包括依次層疊設(shè)置于基板I上的柵極2a與數(shù)據(jù)線2c (還同層設(shè)置有柵線2b，圖2-2中未示出)、柵絕緣層3、有源層4、刻蝕阻擋層5以及同層設(shè)置的源極6a、漏極6b、像素電極8和數(shù)-數(shù)連接線9。其中，柵極2a與柵線2b電連接，數(shù)據(jù)線2c與源極6a電連接，柵線2b與數(shù)據(jù)線2c交叉設(shè)置且將基板I劃分為多個(gè)像素區(qū)域。
[0069]在本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線2c在與柵線2b交叉的區(qū)域斷開，斷開的數(shù)據(jù)線2c通過與數(shù)據(jù)線2c不同層的數(shù)-數(shù)連接線9電連接；數(shù)-數(shù)連接線9設(shè)置于對(duì)應(yīng)著數(shù)據(jù)線2c與柵線2b的斷開區(qū)域、且與斷開的數(shù)據(jù)線2c連接。另外，柵絕緣層3設(shè)置于柵極2a與源極6a和漏極6b之間；有源層4與柵極2a正對(duì)設(shè)置，且位于柵絕緣層3遠(yuǎn)離柵極2a的一側(cè)；源極6a與漏極6b緊鄰有源層4設(shè)置于對(duì)應(yīng)著有源層4的兩端、且與柵極2a在正投影方向上部分重疊。
[0070]具體的，如圖2-1和圖2-2所示，陣列基板的結(jié)構(gòu)如下:
[0071]柵極2a、柵線2b與數(shù)據(jù)線2c同層設(shè)置于基板I上；
[0072]柵絕緣層3設(shè)置于柵極2a、柵線2b與數(shù)據(jù)線2c的上方，且完全覆蓋柵極2a、柵線2b與數(shù)據(jù)線2c，柵絕緣層3在對(duì)應(yīng)著數(shù)據(jù)線2c的區(qū)域開設(shè)有第一連接線過孔71c (對(duì)應(yīng)著圖2-1中第二連接線過孔72c下方，圖2-2中未具體示出)和第一源-數(shù)連接線過孔71d(對(duì)應(yīng)著圖2-1中第二源-數(shù)連接線過孔72d下方，圖2-2中未具體示出)；
[0073]有源層4設(shè)置于柵絕緣層3對(duì)應(yīng)著柵極2a的上方，且完全覆蓋柵極2a對(duì)應(yīng)著的區(qū)域；
[0074]刻蝕阻擋層5設(shè)置于有源層4的上方，刻蝕阻擋層5對(duì)應(yīng)著有源層4的一端開設(shè)有源極過孔7a，刻蝕阻擋層5對(duì)應(yīng)著有源層4的另一端開設(shè)有漏極過孔7b，刻蝕阻擋層5對(duì)應(yīng)著數(shù)據(jù)線2c的區(qū)域開設(shè)有第二連接線過孔72c和第二源-數(shù)連接線過孔72d ；
[0075]數(shù)-數(shù)連接線9、源極6a、漏極6b與像素電極8同層設(shè)置于刻蝕阻擋層5的上方，源極6b嵌入源極過孔7a且與有源層4接觸，源極6a與數(shù)據(jù)線2c通過第一源-數(shù)連接線過孔71d和第二源-數(shù)連接線過孔72d電連接，數(shù)-數(shù)連接線9通過第一連接線過孔71c和第二連接線過孔72c使得斷開的多條數(shù)據(jù)線2c電連接；漏極6b嵌入漏極過孔7b且與有源層4接觸，漏極6b與像素電極8電連接。
[0076]優(yōu)選的是，柵極2a、柵線2b和數(shù)據(jù)線2c均采用鑰(Mo)、鑰鈮合金(MoNb)、鋁(Al)、鋁釹合金(AINd)、鈦(Ti)、鉻(Cr)或銅(Cu)形成，優(yōu)選為鑰、鋁或含鑰、鋁的合金；柵極2a、柵線2b和數(shù)據(jù)線2c為單層或多層復(fù)合疊層結(jié)構(gòu)，柵極2a、柵線2b和數(shù)據(jù)線2c的厚度范圍為 100-3000nm。
[0077]源極6a、漏極6b、像素電極8和數(shù)-數(shù)連接線9采用氧化銦鎵鋅(IGZ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鎵錫或銦鎵氧化鋅(ITZO)形成。在本實(shí)施例中，源極6a、漏極6b、像素電極8和數(shù)-數(shù)連接線9，可選擇氧化銦錫、氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅、銦鎵氧化鋅等透明導(dǎo)電材料形成。
[0078]有源層4采用金屬氧化物半導(dǎo)體材料形成，包括由包含銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、氧(O)、錫(Sn)等元素的材料制成，其中必須包含氧元素和其他兩種或兩種以上的元素，如氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫(InSnO)或氧化銦鎵錫(InGaSnO)。
[0079]柵絕緣層3為單層或多層復(fù)合疊層結(jié)構(gòu)，柵絕緣層3采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、鉿氧化物(HfOx)、硅氮氧化物(SiON)或鋁氧化物(AlOx)形成。
[0080]刻蝕阻擋層5為單層或多層復(fù)合疊層結(jié)構(gòu)，采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、鉿氧化物(SiON)或鋁氧化物(AlOx)形成。
[0081]相應(yīng)的，上述陣列基板的制備方法，包括在基板上形成多條柵線和多條數(shù)據(jù)線以將基板劃分為多個(gè)像素區(qū)域的步驟，還包括在像素區(qū)域內(nèi)形成薄膜晶體管的步驟，薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極，柵極與柵線電連接，源極與數(shù)據(jù)線電連接，其中，柵極、柵線與數(shù)據(jù)線采用同一構(gòu)圖工藝形成在同層，數(shù)據(jù)線在與柵線交叉的區(qū)域斷開，斷開的數(shù)據(jù)線通過形成在不同層的數(shù)-數(shù)連接線與數(shù)據(jù)線電連接。
[0082]在具體闡述之前，應(yīng)該理解的是，本實(shí)用新型中，構(gòu)圖工藝，可只包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時(shí)還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝；光刻工藝，是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機(jī)等形成圖形的工藝?？筛鶕?jù)本實(shí)用新型中所形成的結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的構(gòu)圖工藝。
[0083]具體的，該方法包括如下步驟:
[0084]步驟S1:采用一次構(gòu)圖工藝，在基板上形成包括柵極、柵線和數(shù)據(jù)線的圖形，數(shù)據(jù)線在與柵線交叉的區(qū)域斷開。
[0085]在該步驟中，如圖3-1、圖3-2所示，在基板I上形成電極金屬膜，采用一次構(gòu)圖工藝形成包括柵極2a、柵線2b (圖3-2中未示出)和數(shù)據(jù)線2c的圖形，數(shù)據(jù)線2c在與柵線2b交叉的區(qū)域斷開。從該步驟中可知，柵極2a、柵線2b、數(shù)據(jù)線2c是采用同一層電極金屬膜形成的。
[0086]其中，采用沉積、濺射或熱蒸發(fā)的方法在基板I上形成電極金屬薄膜。
[0087]進(jìn)一步的，在陣列基板的非像素區(qū)域，形成包括柵極2a、柵線2b與數(shù)據(jù)線2c的圖形的同時(shí)，還形成有公共電極線2d，公共電極線2d留待后續(xù)工藝中形成公共電極后，與公共電極電連接，這里不再詳述。
[0088]其中，剖視圖3-2為沿著平面圖3-1中A-A向的剖視圖。這里，為能更突出地示意本實(shí)施例中陣列基板在制備過程中的剖面結(jié)構(gòu)，剖視圖3-2與平面圖3-1的比例設(shè)置稍有不同，以下各剖視圖與各平面圖與此同。
[0089]步驟S2:采用一次構(gòu)圖工藝，在完成步驟SI的基板上形成包括柵絕緣層的圖形，以及在柵絕緣層對(duì)應(yīng)著柵極的上方形成包括有源層的圖形。
[0090]在該步驟中，如圖3-3、圖3-4所示，在完成步驟SI的基板I上形成柵絕緣層薄膜(FGI Deposition),即在柵極2a、柵線2b和數(shù)據(jù)線2c的上方形成柵絕緣層薄膜；然后在柵絕緣層薄膜的上方形成有源層薄膜(Active Deposition)。采用一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成包括柵絕緣層3和有源層4的圖形，柵絕緣層3對(duì)應(yīng)著數(shù)據(jù)線2c的區(qū)域形成有第一連接線過孔71c和第一源-數(shù)連接線過孔71d。
[0091]其中，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition:簡(jiǎn)稱PECVD)形成柵絕緣層薄膜，采用沉積、濺射或熱蒸發(fā)等方法形成有源層薄膜。
[0092]這里，由于柵絕緣層3 —般采用透明材料(硅氧化物、硅氮化物、鉿氧化物、硅氮氧化物、鋁氧化物)形成，對(duì)平面圖的觀察不會(huì)造成阻礙，因此在圖3-3的平面示意圖中略去柵絕緣層3的示意，只相應(yīng)示出其中開設(shè)的連接線過孔和源-數(shù)連接線過孔的位置；同時(shí)，為便于了解像素區(qū)域中各層結(jié)構(gòu)以及各層之間的位置關(guān)系，平面圖3-3中的各層設(shè)置為具有一定透明度，以下各平面圖與此同。
[0093]步驟S3:采用一次構(gòu)圖工藝，在完成步驟S2的基板上形成包括刻蝕阻擋層的圖形。
[0094]在該步驟中，如圖3-5、圖3-6所示，在完成步驟S2的基板上形成刻蝕阻擋層薄膜，采用一次構(gòu)圖工藝形成包括刻蝕阻擋層5的圖形。刻蝕阻擋層5對(duì)應(yīng)著有源層4的一端形成有源極過孔7a，刻蝕阻擋層5對(duì)應(yīng)著有源層4的另一端形成有漏極過孔7b，刻蝕阻擋層5對(duì)應(yīng)著數(shù)據(jù)線2c的區(qū)域形成有第二連接線過孔72c和第二源-數(shù)連接線過孔72d。
[0095]其中，采用沉積、濺射、熱蒸發(fā)或用特殊的PECVD等方法形成刻蝕阻擋層薄膜。蝕刻阻擋層薄膜的特點(diǎn)是膜層含有較低的氫含量、并且有很好的表面特性。
[0096]步驟S4:采用一次構(gòu)圖工藝，在完成步驟S3的基板形成包括數(shù)-數(shù)連接線、源極、漏極和像素電極的圖形。
[0097]在該步驟中，如圖3-7、圖3-8所示，在完成步驟S3的基板I上形成透明電極金屬薄膜，采用一次構(gòu)圖工藝在刻蝕阻擋層5上對(duì)應(yīng)著有源層4的一端形成源極6a，在對(duì)應(yīng)著有源層4的另一端形成漏極6b，在對(duì)應(yīng)著數(shù)據(jù)線2c的區(qū)域形成數(shù)-數(shù)連接線9，同時(shí)，在靠近漏極6b的一側(cè)形成像素電極8，像素電極8與漏極6b電連接。
[0098]其中:源極6a嵌入源極過孔7a且與有源層4接觸，源極6a與數(shù)據(jù)線2c通過第一源-數(shù)連接線過孔71d (在圖3-7中對(duì)應(yīng)著第二源-數(shù)連接線過孔72d的下方)和第二源-數(shù)連接線過孔72d電連接，數(shù)-數(shù)連接線9通過第一連接線過孔71c (在圖3-7中對(duì)應(yīng)著第二連接線過孔72c的下方)和第二連接線過孔72c使得斷開的多條數(shù)據(jù)線2c電連接，斷開的數(shù)據(jù)線2c得以連接在一起；漏極6b嵌入漏極過孔7b且與有源層4接觸，漏極6b與像素電極8電連接。
[0099]其中，采用沉積、濺射或熱蒸發(fā)的方法形成電極金屬薄膜，電極金屬薄膜的厚度范圍為20-150nm。本實(shí)施例中的電極金屬薄膜采用金屬氧化物半導(dǎo)體，具體的可以是:氧化銦鎵鋅(IGZ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化銦錫(ITO)或氧化銦鎵錫(InGaSnO)形成，例如:采用氧化銦錫(ITO)材料作為電極金屬，并采用濺射成膜的工藝形成非晶態(tài)的透明電極金屬薄膜，再通過退火使之晶化。本實(shí)施例中，由于形成薄膜晶體管的有源層采用了金屬氧化物半導(dǎo)體材料，使得源極與漏極之間的電子遷移率增加，因此能獲得較好的源極與漏極之間的電子遷移率。
[0100]在本實(shí)施例中，形成像素電極的透明電極金屬薄膜還同時(shí)形成了用于連接斷開的數(shù)據(jù)線的數(shù)-數(shù)連接線，數(shù)-數(shù)連接線通過在柵絕緣層中開設(shè)的第一連接線過孔、第一源-數(shù)連接線過孔以及在刻蝕阻擋層中開設(shè)的第二連接線過孔、第二源-數(shù)連接線過孔，使得斷開的多段數(shù)據(jù)線得以連接成完整的數(shù)據(jù)線。
[0101]這里應(yīng)該理解的是，數(shù)-數(shù)連接線9只要能使得斷開的數(shù)據(jù)線2c之間互相電連接即可，對(duì)數(shù)-數(shù)連接線9的寬度不做限定；同時(shí)，為了較好地示出數(shù)據(jù)線2c與第二連接線過孔72c的位置關(guān)系，在圖3-7中數(shù)-數(shù)連接線9的寬度略小于數(shù)據(jù)線2c的寬度。但是，在實(shí)際生產(chǎn)工藝中，數(shù)-數(shù)連接線9的寬度通常設(shè)計(jì)為不小于數(shù)據(jù)線2c的寬度，以保證數(shù)據(jù)線2c之間良好的導(dǎo)通性。
[0102]本實(shí)施例的陣列基板，相比現(xiàn)有技術(shù)中采用金屬氧化物半導(dǎo)體作為有源層時(shí)，需采用六次構(gòu)圖工藝才能形成陣列基板的制備，本實(shí)施例只需四次構(gòu)圖工藝即可完成陣列基板的制備，大大簡(jiǎn)化了工藝流程，節(jié)省了工藝時(shí)間。
[0103]一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0104]實(shí)施例2:
[0105]在本實(shí)施例中，陣列基板中的薄膜晶體管為頂柵型結(jié)構(gòu)。
[0106]如圖4-1和圖4-2所示，本實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)具體如下:
[0107]有源層4設(shè)置于基板I上；
[0108]柵絕緣層3設(shè)置于有源層4的上方，且有源層4與柵線2b平行的相對(duì)的兩端未被柵絕緣層3覆蓋；
[0109]柵極2a、柵線2b與數(shù)據(jù)線2c同層設(shè)置于柵絕緣層3的上方，且柵極2a在正投影方向上的面積小于有源層4的面積；
[0110]鈍化層7設(shè)置于柵極2a、柵線2b與數(shù)據(jù)線2c的上方，且完全覆蓋柵極2a、柵線2b與數(shù)據(jù)線2c，鈍化層7對(duì)應(yīng)著有源層4未被柵絕緣層3覆蓋的一端開設(shè)有源極過孔7a，鈍化層7對(duì)應(yīng)著有源層未被柵絕緣層3覆蓋的另一端開設(shè)有漏極過孔7b，鈍化層7對(duì)應(yīng)著數(shù)據(jù)線2c的區(qū)域開設(shè)有連接線過孔7c和源-數(shù)連接線過孔7d ；
[0111]數(shù)-數(shù)連接線9、源極6a、漏極6b與像素電極8同層設(shè)置于鈍化層7的上方，源極6a嵌入源極過孔7a且與有源層4接觸，源極6a與數(shù)據(jù)線2c通過源-數(shù)連接線過孔7d電連接，數(shù)-數(shù)連接線9通過連接線過孔7c使得斷開的多條數(shù)據(jù)線2c電連接；漏極6b嵌入漏極過孔7b且與有源層4接觸，漏極6b與像素電極8電連接。
[0112]相應(yīng)的，如圖5-1至5-8所示，上述陣列基板的制備方法具體包括如下步驟:
[0113]步驟S1:采用一次構(gòu)圖工藝，在基板上形成包括有源層的圖形，以及在有源層的上方形成包括柵絕緣層的圖形，有源層與柵線平行的相對(duì)的兩端未被柵絕緣層覆蓋。
[0114]在該步驟中，如圖5-1、圖5-2所示，采用金屬氧化物半導(dǎo)體材料在基板I上方形成有源層薄膜，金屬氧化物半導(dǎo)體材料包括氧化銦鎵鋅(IGZ0)、氧化銦(Ιη203)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦錫鋅(ITZO)等。
[0115]在本實(shí)施例中，在基板I上先后形成有源層薄膜和柵絕緣層薄膜。采用第一次構(gòu)圖工藝形成包括有源層4和柵絕緣層3的圖形。其中，有源層4與柵線2b平行的相對(duì)的兩端未被柵絕緣層3覆蓋，以便于后續(xù)工藝中有源層4與源極6a和漏極6b的接觸。
[0116]作為一種示例，如圖6-1、圖6-2所示，該步驟更具體的步驟如下:
[0117]步驟Sll:利用磁控濺射方式沉積厚度范圍為30_50nm的金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜(如圖6-1中的有源層薄膜40)，然后利用PECVD方式沉積厚度范圍為200-400nm的柵絕緣層薄膜(如圖6-1中的柵絕緣層薄膜30)；
[0118]步驟S12:在柵絕緣層薄膜30上方涂覆一層光刻膠，并采用灰色調(diào)掩模板或半色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影工藝，完全去除部分光刻膠，同時(shí)還部分保留部分光刻膠(具體的完全去除部分和部分保留部分由有源層與柵絕緣層的圖形決定)，形成光刻膠掩模41，如圖6-1所示；然后在光刻膠掩模41的保護(hù)下，通過濕刻工藝形成包括有源層4的圖形；并通過第一次干刻工藝形成包括柵絕緣層3的部分圖形。[0119]步驟S13:通過灰化工藝，繼續(xù)對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，去除部分保留的光刻膠，如圖6-2所示，改變光刻膠掩模41的保護(hù)范圍，然后通過第二次干刻工藝形成包括柵絕緣層3的完整圖形。
[0120]步驟S2:采用一次構(gòu)圖工藝，在完成步驟SI的基板上形成包括柵極、柵線和數(shù)據(jù)線的圖形，數(shù)據(jù)線在與柵線交叉的區(qū)域斷開，柵極在正投影方向上的面積小于有源層的面積。
[0121]在該步驟中，如圖5-3、圖5-4所示，利用磁控濺射方式沉積厚度范圍為200-300nm的電極金屬薄膜，采用第二次構(gòu)圖工藝形成包括柵極2a、柵線2b和數(shù)據(jù)線2c的圖形。
[0122]在本實(shí)施例中，電極金屬優(yōu)選銅(Cu)，同時(shí)還可以優(yōu)選鋁(Al)，鑰(Mo)等材料。
[0123]步驟S3:采用一次構(gòu)圖工藝，在完成步驟S2的基板上形成包括鈍化層的圖形。
[0124]在該步驟中，如圖5-5、圖5-6所示，采用沉積、濺射或熱蒸發(fā)的方法形成鈍化層薄膜。具體的，可利用PECVD方式沉積厚度范圍為200-400nm的鈍化層薄膜，然后形成包括鈍化層7的圖形。其中，鈍化層7對(duì)應(yīng)著有源層4未被柵絕緣層3覆蓋的一端形成有源極過孔7a，鈍化層對(duì)應(yīng)著有源層4未被柵絕緣層3覆蓋的另一端形成有漏極過孔7b ;鈍化層7中對(duì)應(yīng)著數(shù)據(jù)線2c的區(qū)域形成有連接線過孔7c和源-數(shù)連接線過孔7d。
[0125]在本實(shí)施例中，鈍化層7為單層或多層復(fù)合疊層結(jié)構(gòu)，采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、鉿氧化物(SiON)或鋁氧化物(AlOx)形成。
[0126]這里，由于鈍化層7 —般采用透明材料(硅氧化物、硅氮化物、鉿氧化物、硅氮氧化物、鋁氧化物)形成，對(duì)平面圖的觀察不會(huì)造成阻礙，因此在圖5-5的平面示意圖中略去鈍化層7的示意，只相應(yīng)示出其中開設(shè)的源極過孔、漏極過孔、數(shù)據(jù)線過孔和源-數(shù)連接線過孔的位置；同時(shí)，為便于了解像素區(qū)域中各層結(jié)構(gòu)以及各層之間的位置關(guān)系，平面圖5-5中的各層設(shè)置為具有一定透明度，以下各平面圖與此同。
[0127]步驟S4:采用一次構(gòu)圖工藝，在完成步驟S3的基板形成包括數(shù)-數(shù)連接線、源極、漏極和像素電極的圖形。
[0128]在該步驟中，如圖5-7、圖5-8所示，利用磁控濺射方式沉積厚度范圍為30_200nm的透明電極金屬薄膜，采用第四次構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)-數(shù)連接線9、源極6a、漏極6b和像素電極8的圖形。
[0129]其中，源極6a嵌入源極過孔7a且與有源層4接觸，源極6a與數(shù)據(jù)線2c通過源-數(shù)連接線過孔7d電連接，數(shù)-數(shù)連接線9通過連接線過孔7c使得斷開的多條數(shù)據(jù)線2c電連接，斷開的數(shù)據(jù)線2c得以連接在一起；漏極6b嵌入漏極過孔7b且與有源層4接觸，漏極6b與像素電極8電連接。
[0130]采用本實(shí)用新型中的陣列基板,可很方便地形成TN(Twisted Nematic,扭曲向列)模式、VA (Vertical Alignment,垂直取向)模式的液晶顯示裝置,還可以形成OLED顯示裝置。
[0131]同時(shí)，作為一種變型，本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易想到，在本實(shí)用新型陣列基板的基礎(chǔ)上，在透明的像素電極的下方或上方，加入透明的電極金屬薄膜形成公共電極，也即ADS(ADvanced Super Dimension Switch,高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù))模式等其他模式。其中，ADS模式為:通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶分子工作效率并增大了透光效率。同樣應(yīng)該理解是，變型的陣列基板中，像素電極可以為板狀也可以為狹縫狀，相應(yīng)的，公共電極可以為狹縫狀也可以為板狀，只要保證處于上方的電極為狹縫狀、處于下方的電極為板狀即可。高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高IXD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。
[0132]本實(shí)用新型的陣列基板中，有源層采用金屬氧化物半導(dǎo)體材料形成，整個(gè)陣列基板僅需采用四次構(gòu)圖工藝即可制備完成，且柵線與數(shù)據(jù)線由形成柵極的同層金屬層形成，簡(jiǎn)化了工藝，極大地提高了產(chǎn)能，節(jié)約了成本。
[0133]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本實(shí)用新型的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本實(shí)用新型并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實(shí)用新型的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括基板以及設(shè)置于所述基板上的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，所述柵線與所述數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置且將所述基板劃分為多個(gè)像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極，所述柵極與所述柵線電連接，所述源極與所述數(shù)據(jù)線電連接，其特征在于，所述柵極、所述柵線與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置，所述數(shù)據(jù)線在與所述柵線交叉的區(qū)域斷開，斷開的所述數(shù)據(jù)線通過與所述數(shù)據(jù)線不同層的數(shù)-數(shù)連接線電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素區(qū)域內(nèi)還設(shè)置有像素電極，所述數(shù)-數(shù)連接線、所述源極、所述漏極與所述像素電極同層設(shè)置，所述數(shù)-數(shù)連接線設(shè)置于對(duì)應(yīng)著所述數(shù)據(jù)線與所述柵線的斷開區(qū)域、且與斷開的所述數(shù)據(jù)線連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括柵絕緣層和有源層，所述柵絕緣層設(shè)置于所述柵極與所述源極和所述漏極之間；所述有源層與所述柵極正對(duì)設(shè)置，且位于所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)；所述源極與所述漏極緊鄰所述有源層設(shè)置于對(duì)應(yīng)著所述有源層的兩端、且與所述柵極在正投影方向上部分重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括刻蝕阻擋層， 所述柵極、所述柵線與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置于所述基板上； 所述柵絕緣層設(shè)置于所述柵極、所述柵線與所述數(shù)據(jù)線的上方，且完全覆蓋所述柵極、所述柵線與所述數(shù)據(jù)線，所述柵絕緣層在對(duì)應(yīng)著所述數(shù)據(jù)線的區(qū)域開設(shè)有第一連接線過孔和第一源-數(shù)連接線過孔； 所述有源層設(shè)置于所述柵絕緣層對(duì)應(yīng)著所述柵極的上方，且完全覆蓋所述柵極對(duì)應(yīng)著的區(qū)域； 所述刻蝕阻擋層設(shè)置于所述有源層的上方，所述刻蝕阻擋層對(duì)應(yīng)著所述有源層的一端開設(shè)有源極過孔，所述刻 蝕阻擋層對(duì)應(yīng)著所述有源層的另一端開設(shè)有漏極過孔，所述刻蝕阻擋層對(duì)應(yīng)著所述數(shù)據(jù)線的區(qū)域開設(shè)有第二連接線過孔和第二源-數(shù)連接線過孔； 所述數(shù)-數(shù)連接線、所述源極、所述漏極與所述像素電極同層設(shè)置于所述刻蝕阻擋層的上方，所述源極嵌入所述源極過孔且與所述有源層接觸，所述源極與所述數(shù)據(jù)線通過所述第一源-數(shù)連接線過孔和所述第二源-數(shù)連接線過孔電連接，所述數(shù)-數(shù)連接線通過所述第一連接線過孔和所述第二連接線過孔使得斷開的多條所述數(shù)據(jù)線電連接；所述漏極嵌入所述漏極過孔且與所述有源層接觸，所述漏極與所述像素電極電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括鈍化層， 所述有源層設(shè)置于所述基板上； 所述柵絕緣層設(shè)置于所述有源層的上方，且所述有源層與所述柵線平行的相對(duì)的兩端未被所述柵絕緣層覆蓋； 所述柵極、所述柵線與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置于所述柵絕緣層的上方，且所述柵極在正投影方向上的面積小于所述有源層的面積； 所述鈍化層設(shè)置于所述柵極、所述柵線與所述數(shù)據(jù)線的上方，且完全覆蓋所述柵極、所述柵線與所述數(shù)據(jù)線，所述鈍化層對(duì)應(yīng)著所述有源層未被所述柵絕緣層覆蓋的一端開設(shè)有源極過孔，所述鈍化層對(duì)應(yīng)著所述有源層未被所述柵絕緣層覆蓋的另一端開設(shè)有漏極過孔，所述鈍化層對(duì)應(yīng)著所述數(shù)據(jù)線的區(qū)域開設(shè)有連接線過孔和源-數(shù)連接線過孔； 所述數(shù)-數(shù)連接線、所述源極、所述漏極與所述像素電極同層設(shè)置于所述鈍化層的上方，所述源極嵌入所述源極過孔且與所述有源層接觸，所述源極與所述數(shù)據(jù)線通過源-數(shù)連接線過孔電連接，所述數(shù)-數(shù)連接線通過連接線過孔使得斷開的多條所述數(shù)據(jù)線電連接；所述漏極嵌入所述漏極過孔且與所述有源層接觸，所述漏極與所述像素電極電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求3-5中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極、所述柵線和所述數(shù)據(jù)線采用相同的材料、且在同一構(gòu)圖工藝中形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極、所述柵線和所述數(shù)據(jù)線均采用鑰、鑰鈮合金、鋁、鋁釹合金、鈦、鉻或銅形成；所述柵極、所述柵線和所述數(shù)據(jù)線為單層或多層復(fù)合疊層結(jié)構(gòu)，所述柵極、所述柵線和所述數(shù)據(jù)線的厚度范圍為100-3000nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)-數(shù)連接線、所述源極、所述漏極和所述像素電極采用氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅、氧化銦錫或氧化銦鎵錫形成；所述有源層采用金屬氧化物半導(dǎo)體材料形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述柵絕緣層為單層或多層復(fù)合疊層結(jié)構(gòu)，所述柵絕緣層采用硅氧化物、硅氮化物、鉿氧化物、硅氮氧化物或鋁氧化物形成； 所述刻蝕阻擋層為單層或多層復(fù)合疊層結(jié)構(gòu)，采用硅氧化物、硅氮化物、鉿氧化物或鋁氧化物形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述柵絕緣層為單層或多層復(fù)合疊層結(jié)構(gòu)，所述柵絕緣層采用硅氧化物、硅氮化物、鉿氧化物、硅氮氧化物或鋁氧化物形成； 所述鈍化層為單層或多層復(fù)合疊層結(jié)構(gòu)，采用硅氧化物、硅氮化物、鉿氧化物或鋁氧化物形成。
11.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L23/528GK203503657SQ201320385292
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年7月1日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月1日
【發(fā)明者】成軍, 寧策, 孫宏達(dá), 楊維, 王珂 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司