一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置，將公共電極在陣列基板中的膜層位置進行變更，便于采用一次構圖工藝形成位于相鄰膜層的公共電極和柵極的圖形，節(jié)省一道制作工序，有利于減少制作過程中的構圖次數(shù)，提高了陣列基板的制造效率，降低了生產(chǎn)成本。并且，在柵極和公共電極的圖形上依次形成柵絕緣層、有源層、源漏極和數(shù)據(jù)線、絕緣層以及像素電極的圖形時，像素電極與源漏極和數(shù)據(jù)線位于不同膜層，像素電極需要通過貫穿絕緣層的第一過孔與源漏極中的源極相連，這樣，可以避免像素電極與數(shù)據(jù)線位于相鄰膜層時可能存在短路情況，也降低了數(shù)據(jù)線與像素電極之間的寄生電容。
【專利說明】
一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置?！颈尘凹夹g】
[0002]液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有重量輕、厚度薄、功耗低、易于驅動、不含有害射線等優(yōu)點，已經(jīng)廣泛應用在電視、筆記本電腦、移動電話、個人數(shù)字助理等現(xiàn)代信息設備，有著廣闊的發(fā)展前景。
[0003]LCD通常是由陣列基板、對向基板、及置于兩者之間的液晶層組成。陣列基板和對向基板之間的內(nèi)側設置有電極，在電極通電之后，在陣列基板和對向基板之間會產(chǎn)生電場， 進而影響其間液晶的排列，對通過的光線造成遮擋或扭轉，實現(xiàn)相應的顯示效果。
[0004]目前，能夠實現(xiàn)寬視角的液晶顯示技術主要有平面內(nèi)開關(IPS，In_Plane Switch)技術和高級超維場開關(ADS，Advanced Super Dimens1n Switch)技術；其中，ADS 技術通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉換技術可以提高LCD產(chǎn)品的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋 (push Mura)等優(yōu)點。H-ADS(高開口率-高級超維場開關)是ADS技術的一種重要實現(xiàn)方式。
[0005]E-ADS是H-ADS技術的一種變型結構，圖1為采用E-ADS的陣列基板的基本結構示意圖，其制作工藝一般需要以下幾個步驟:
[0006]1、在襯底基板上采用一次構圖工藝形成柵極01的圖形；[〇〇〇7] 2、在柵極01的圖形上形成柵絕緣層(GI);之后，在GI上通過一次構圖工藝分別形成位于相鄰膜層的有源層02的圖形、以及源漏極03和數(shù)據(jù)線04的圖形;或，在GI上先通過一次構圖工藝形成有源層02的圖形，之后通過另一次構圖工藝形成源漏極03和數(shù)據(jù)線04的圖形；
[0008]3、在源漏極03和數(shù)據(jù)線04的圖形上通過一次構圖工藝形成像素電極05的圖形；[〇〇〇9] 4、在像素電極05的圖形上通過一次構圖工藝形成絕緣層06的圖形；[〇〇1〇] 5、在絕緣層06的圖形上通過一次構圖工藝形成公共電極07和屏蔽電極08的圖形， 其中屏蔽電極08的圖形覆蓋數(shù)據(jù)線04的圖形，用于屏蔽數(shù)據(jù)線04的電場對于液晶的影響。
[0011]通過上述描述可知，制作采用E-ADS的陣列基板時至少需要5次構圖工藝，即至少需要使用5次掩膜板(mask)，上述制作工藝所用到的掩模板數(shù)量比較多，使用每個掩模板時都要與襯底基板精確對位，會降低生產(chǎn)效率，增加了生產(chǎn)成本。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置， 用以節(jié)省陣列基板的制作工序。[〇〇13]因此，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制作方法，包括:
[0014]在襯底基板上通過一次構圖工藝形成位于相鄰膜層的公共電極和柵極的圖形；
[0015]在所述柵極和公共電極的圖形上依次形成柵絕緣層、有源層、源漏極和數(shù)據(jù)線、絕緣層以及像素電極的圖形;其中，所述像素電極通過貫穿所述絕緣層的第一過孔與所述源漏極和數(shù)據(jù)線中的源極相連。
[0016]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，在襯底基板上通過一次構圖工藝形成位于相鄰膜層的公共電極和柵極的圖形，具體包括:[〇〇17]在襯底基板上依次形成透明金屬氧化物薄膜層和金屬層；
[0018]在所述金屬層上形成一光刻膠層，使用一掩膜板對所述光刻膠層進行曝光顯影， 得到光刻膠完全去除區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域以及光刻膠完全保留區(qū)域;所述光刻膠完全保留區(qū)域對應于形成柵極的圖形區(qū)域，所述光刻膠部分保留區(qū)域對應于形成公共電極的圖形區(qū)域；
[0019]對所述光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠部分保留區(qū)域分別進行刻蝕，形成公共電極和柵極的圖形。
[0020]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，所述掩模板為半色調(diào)掩模板或灰色調(diào)掩模板。
[0021]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，對所述光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠部分保留區(qū)域分別進行刻蝕，形成公共電極和柵極的圖形，具體包括:
[0022]利用所述光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠層的遮擋，對所述透明金屬氧化物薄膜層和所述金屬層采用刻蝕工藝，去除所述光刻膠完全去除區(qū)域的透明金屬氧化物薄膜層和金屬層的圖形，在所述透明金屬氧化物薄膜層得到所述公共電極的圖形；
[0023]采用灰化工藝去除掉所述光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠層，同時減薄所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠層；
[0024]利用減薄后的所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠層的遮擋，對所述金屬層采用刻蝕工藝，去掉所述光刻膠部分保留區(qū)域的金屬層的圖形，剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠層，得到所述柵極的圖形。
[0025]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，還包括:
[0026]在形成所述柵極的圖形時，同時形成與所述柵極連接的柵線，以及與所述柵線延伸方向相同的第一公共電極線的圖形，所述第一公共電極線與所述公共電極相互連接；
[0027]在形成所述源漏極和數(shù)據(jù)線的圖形時，同時形成與所述數(shù)據(jù)線延伸方向相同且與所述第一公共電極線連接的第二公共電極線的圖形。
[0028]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，還包括:
[0029]在形成所述像素電極的圖形時，同時形成第一橋接墊的圖形;所述第一橋接墊的一端通過貫穿所述絕緣層的第二過孔與所述第二公共電極線連接，所述第一橋接墊的另一端通過貫穿所述絕緣層和所述柵絕緣層的第三過孔與所述第一公共電極線連接。
[0030]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述制作方法中，所述第一公共電極線和所述第二公共電極線在交疊區(qū)域通過貫穿所述柵絕緣層的第四過孔相互連接，還包括:
[0031]在形成所述公共電極的圖形時，同時形成第二橋接墊的圖形;所述第二橋接墊的兩端分別通過貫穿所述柵絕緣層的第五過孔與相鄰的兩條所述第二公共電極線連接。
[0032]另一方面，本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板，包括:依次設置在襯底基板上的公共電極、柵極、柵絕緣層、有源層、同層設置的源漏極和數(shù)據(jù)線、絕緣層以及像素電極;其中，
[0033]所述像素電極通過貫穿所述絕緣層的第一過孔與所述源漏極中的源極相連；
[0034]所述柵極的圖形由圖形一致的位于相鄰膜層的透明金屬氧化物薄膜層和金屬層組成，其中，所述透明金屬氧化物薄膜層為設置所述公共電極的膜層。
[0035]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，還包括:與所述柵極同層設置的柵線和第一公共電極線;所述柵線與所述柵極連接，所述第一公共電極線與所述柵線延伸方向相同且與所述公共電極相互連接；
[0036]以及，與所述數(shù)據(jù)線延伸方向相同且同層設置的第二公共電極線，所述第二公共電極線與所述第一公共電極線相互連接。
[0037]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，還包括:
[0038]與所述像素電極同層設置的第一橋接墊，所述第一橋接墊的一端通過貫穿所述絕緣層的第二過孔與所述第二公共電極線連接，所述第一橋接墊的另一端通過貫穿所述絕緣層和所述柵絕緣層的第三過孔與所述第一公共電極線連接。
[0039]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，所述第一公共電極線和所述第二公共電極線在交疊區(qū)域通過貫穿所述柵絕緣層的第四過孔相互連接； 還包括:
[0040]與所述公共電極同層設置的第二橋接墊，所述第二橋接墊的兩端分別通過貫穿所述柵絕緣層的第五過孔與相鄰的兩條所述第二公共電極線連接。
[0041]另一方面，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括:本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板。[〇〇42]本發(fā)明實施例的有益效果包括:[〇〇43]本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置，將公共電極在陣列基板中的膜層位置進行變更，這樣便于采用一次構圖工藝形成位于相鄰膜層的公共電極和柵極的圖形，節(jié)省一道制作工序，有利于減少制作過程中的構圖次數(shù)，提高了陣列基板的制造效率，降低了生產(chǎn)成本。并且，在通過一次構圖工藝形成柵極和公共電極的圖形之后，依次形成柵絕緣層、有源層、源漏極和數(shù)據(jù)線、絕緣層以及像素電極的圖形時，像素電極與源漏極和數(shù)據(jù)線位于不同膜層，像素電極需要通過貫穿絕緣層的第一過孔與源漏極中的源極相連，這樣，一方面可以避免像素電極與數(shù)據(jù)線位于相鄰膜層時可能存在短路情況， 另一方面也降低了數(shù)據(jù)線與像素電極之間的寄生電容。并且，不需要考慮在像素電極和數(shù)據(jù)線之間設置預設距離而防止短路，即便由于需要在絕緣層中設置連接像素電極和漏極的過孔而影響開口率，但其損失的開口率(1%_2%)非常小，在總體上也利于像素開口率的提升，有利于實現(xiàn)高分辨率設計。【附圖說明】
[0044]圖1為現(xiàn)有技術中陣列基板的結構示意圖；
[0045]圖2為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法的流程示意圖之一；
[0046]圖3為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法的流程示意圖之二；[〇〇47]圖4a至圖4e分別為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法在各步驟完成后陣列基板的結構不意圖；
[0048]圖5為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的結構示意圖之一；[〇〇49]圖6a和圖6b分別為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的結構示意圖之二?！揪唧w實施方式】
[0050]下面結合附圖，對本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置的【具體實施方式】進行詳細地說明。
[0051]附圖中各層薄膜的厚度和區(qū)域大小形狀不反映陣列基板的真實比例，目的只是示意說明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。[〇〇52]本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制作方法，如圖2所示，具體包括以下步驟: [〇〇53] S201、在襯底基板上通過一次構圖工藝形成位于相鄰膜層的公共電極和柵極的圖形；
[0054] S202、在柵極和公共電極的圖形上依次形成柵絕緣層、有源層、源漏極和數(shù)據(jù)線、 絕緣層以及像素電極的圖形;其中，像素電極通過貫穿絕緣層的第一過孔與源漏極和數(shù)據(jù)線中的源極相連。
[0055]本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法，將公共電極在陣列基板中的膜層位置進行變更，這樣，便于在步驟S201中采用一次構圖工藝形成位于相鄰膜層的公共電極和柵極的圖形，節(jié)省一道制作工序，有利于減少制作過程中的構圖次數(shù)，提高了陣列基板的制造效率，降低了生產(chǎn)成本。
[0056]并且，在步驟S202中依次形成柵絕緣層、有源層、源漏極和數(shù)據(jù)線、絕緣層以及像素電極的圖形時，像素電極與源漏極和數(shù)據(jù)線位于不同膜層，像素電極需要通過貫穿絕緣層的第一過孔與源漏極中的源極相連，這樣，一方面可以避免像素電極與數(shù)據(jù)線位于相鄰膜層時可能存在短路情況，另一方面也降低了數(shù)據(jù)線與像素電極之間的寄生電容。由于不需要考慮在像素電極和數(shù)據(jù)線之間設置預設距離而防止短路，即便需要在絕緣層中設置連接像素電極和漏極的過孔而影響開口率，但其損失的開口率(1%_2%)非常小，在總體上也利于像素開口率的提升，有利于實現(xiàn)高分辨率設計。
[0057]在具體實施時，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中的步驟S201在襯底基板上通過一次構圖工藝形成位于相鄰膜層的公共電極和柵極的圖形，如圖3所示，具體可以采用如下步驟實現(xiàn):[〇〇58] S301、在襯底基板100上依次形成透明金屬氧化物薄膜層200和金屬層300,如圖4a 所示；[〇〇59] S302、在金屬層300上形成一光刻膠層400,使用一掩膜板500對光刻膠層400進行曝光顯影，得到光刻膠完全去除區(qū)域a、光刻膠部分保留區(qū)域b以及光刻膠完全保留區(qū)域c， 如圖4b所示;其中，光刻膠完全保留區(qū)域c對應于形成柵極的圖形區(qū)域，光刻膠部分保留區(qū)域b對應于形成公共電極的圖形區(qū)域；
[0060]具體地，在進行曝光顯影時使用的掩膜板500具體可以為半色調(diào)掩模板或灰色調(diào)掩模板，在此不做限定；
[0061]S303、對光刻膠完全去除區(qū)域a和光刻膠部分保留區(qū)域b分別進行刻蝕，形成公共電極和柵極的圖形。[〇〇62]在具體實施時，上述步驟S303對光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠部分保留區(qū)域分別進行刻蝕，形成公共電極和柵極的圖形，具體可以采用如下方式實現(xiàn):
[0063]首先，利用光刻膠完全保留區(qū)域c和光刻膠部分保留區(qū)域b的光刻膠層400的遮擋， 對透明金屬氧化物薄膜層200和金屬層300采用刻蝕工藝，去除光刻膠完全去除區(qū)域a的透明金屬氧化物薄膜層200和金屬層300的圖形，在透明金屬氧化物薄膜層200得到公共電極 07的圖形，如圖4c所示；[〇〇64]之后，采用灰化工藝去除掉光刻膠部分保留區(qū)域b的光刻膠層400,同時減薄光刻膠完全保留區(qū)域c的光刻膠層400，如圖4d所示；[〇〇65]最后，利用減薄后的光刻膠完全保留區(qū)域c的光刻膠層400的遮擋，對金屬層300采用刻蝕工藝，去掉光刻膠部分保留區(qū)域c的金屬層300的圖形，剝離光刻膠完全保留區(qū)域c的光刻膠層400，得到柵極01的圖形，如圖4e所示。
[0066] 在采用上述工藝在襯底基板100上通過一次構圖工藝形成位于相鄰膜層的公共電極07和柵極01的圖形之后，如圖5所示，采用步驟S202依次形成柵絕緣層09、有源層02、源漏極03和數(shù)據(jù)線04、絕緣層06以及像素電極05的圖形;其中，像素電極05通過貫穿絕緣層06的第一過孔A與源漏極03和數(shù)據(jù)線04中的源極相連。[〇〇67] 具體地，可以在柵極01的圖形上形成柵絕緣層09之后，在柵絕緣層09上通過一次構圖工藝分別形成位于相鄰膜層的有源層02的圖形、以及源漏極03和數(shù)據(jù)線04的圖形;或， 在柵絕緣層09上先通過一次構圖工藝形成有源層02的圖形，之后通過另一次構圖工藝形成源漏極03和數(shù)據(jù)線04的圖形。接著，在源漏極03和數(shù)據(jù)線04的圖形上通過一次構圖工藝形成具有過孔A的絕緣層06的圖形。最后，在絕緣層06的圖形上通過一次構圖工藝形成像素電極05的圖形。進一步地，在形成像素電極05的同時，還可以形成覆蓋數(shù)據(jù)線04的用于屏蔽數(shù)據(jù)線04的電場對于液晶的影響的屏蔽電極08的圖形。
[0068]通過上述描述可知，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中，最少可以利用4次構圖工藝，即使用4次掩膜板制作陣列基板，相對于現(xiàn)有的陣列基板的制作工藝， 可以減少掩膜板的使用數(shù)量，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。[〇〇69]并且，在上述制作過程中，在像素電極05和數(shù)據(jù)線04之間設置了絕緣層06,這樣， 一方面可以避免像素電極05與數(shù)據(jù)線04位于相鄰膜層時可能存在短路情況，另一方面也降低了數(shù)據(jù)線04與像素電極05之間的寄生電容。由于不需要考慮在像素電極05和數(shù)據(jù)線04之間設置預設距離而防止短路，即便需要在絕緣層06中設置連接像素電極05和漏極的過孔A 而影響開口率，但其損失的開口率非常小，在總體上也利于像素開口率的提升， 有利于實現(xiàn)高分辨率設計。
[0070]進一步地，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中，由于透明金屬氧化物薄膜層需要同時形成柵極與公共電極的圖形，使得各個像素區(qū)域對應的公共電極之間相對獨立，而在陣列基板工作時，需要各像素區(qū)域的公共電極具有相同的信號輸入，成為一個整體具有統(tǒng)一的電位，因此，需要各像素區(qū)域對應的公共電極之間在橫向縱向上均連接而形成矩陣形式的連接，以保證公共電極作為一個整體的均一性。
[0071]基于此，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中，在步驟S201形成柵極01的圖形時，如圖6a和圖6b所示，同時需要形成與柵極01連接的柵線(圖6a和圖6b中未示出)，以及與柵線延伸方向相同的第一公共電極線10的圖形，第一公共電極線10與公共電極 07相互連接(圖6a和圖6b中未示出連接關系)；并且，在步驟S202形成源漏極03和數(shù)據(jù)線04 的圖形時，如圖6a和圖6b所示，同時形成與數(shù)據(jù)線04延伸方向相同且與第一公共電極線10 連接的第二公共電極線11的圖形。[0〇72]進一步地，為了使第一公共電極線10連接的第二公共電極線11相互連接，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中，在步驟S202形成像素電極05的圖形時，如圖 6a所示，可以同時形成第一橋接墊12的圖形；該第一橋接墊12的一端通過貫穿絕緣層06的第二過孔B與第二公共電極線11連接，第一橋接墊12的另一端通過貫穿絕緣層06和柵絕緣層09的第三過孔C與第一公共電極線10連接。此時，如圖6a所示在絕緣層06中會存在較多的過孔，在后續(xù)進行配向工藝形成配向膜時影響配向膜的均勻性，導致配向不良引起漏光的可能性。
[0073]基于上述可能存在的問題，為了使第一公共電極線10連接的第二公共電極線11相互連接時盡量減少在絕緣層06中設置過孔，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法中，可以利用柵絕緣層來設置連接第一公共電極線10連接的第二公共電極線11的過孔， 具體地，如圖6b所示，可以使第一公共電極線10和第二公共電極線11在交疊區(qū)域通過貫穿柵絕緣層09的第四過孔D相互連接;并且，在步驟S201形成公共電極07的圖形時，如圖6b所示，同時形成第二橋接墊13的圖形;該第二橋接墊13的兩端分別通過貫穿柵絕緣層09的第五過孔E與相鄰的兩條第二公共電極線11連接(圖6b中僅示出了第二橋接墊13的一端與一條第二公共電極線11的連接結構)。
[0074]基于同一發(fā)明構思，本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板，由于該陣列基板解決問題的原理與前述一種陣列基板的制作方法相似，因此該陣列基板的實施可以參見方法的實施，重復之處不再贅述。
[0075]本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板，如圖5所示，具體包括:依次設置在襯底基板 100上的公共電極07、柵極01、柵絕緣層09、有源層02、同層設置的源漏極03和數(shù)據(jù)線04、絕緣層06以及像素電極05;其中，[〇〇76]像素電極05通過貫穿絕緣層06的第一過孔A與源漏極03中的源極相連；
[0077]柵極01的圖形由圖形一致的位于相鄰膜層的透明金屬氧化物薄膜層和金屬層組成，其中，透明金屬氧化物薄膜層為設置公共電極07的膜層。
[0078]本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板，將公共電極07在陣列基板中的膜層位置進行了變更，變?yōu)樵O置在與柵極01的膜層相鄰，這樣便于采用一次構圖工藝形成位于相鄰膜層的公共電極07和柵極01的圖形，節(jié)省一道制作工序，有利于減少制作過程中的構圖次數(shù)，提高了陣列基板的制造效率，降低了生產(chǎn)成本。
[0079]并且，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，像素電極05與數(shù)據(jù)線04位于不同膜層，像素電極05需要通過貫穿絕緣層06的第一過孔A與源漏極03中的源極相連，這樣，一方面可以避免像素電極05與數(shù)據(jù)線04位于相鄰膜層時可能存在短路情況，另一方面也降低了數(shù)據(jù)線04與像素電極05之間的寄生電容。由于不需要考慮在像素電極05和數(shù)據(jù)線04之間設置預設距離而防止短路，即便需要在絕緣層06中設置連接像素電極05和漏極的過孔而影響開口率，但其損失的開口率(1%-2%)非常小，在總體上也利于像素開口率的提升，有利于實現(xiàn)高分辨率設計。
[0080]進一步地，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，為了使各像素區(qū)域對應的公共電極之間在橫向縱向上均連接而形成矩陣形式的連接，以保證公共電極作為一個整體的均一性，如圖6a和圖6b所示，還可以包括:與柵極01同層設置的柵線和第一公共電極線10; 該柵線與柵極01連接，第一公共電極線10與柵線延伸方向相同且與公共電極07相互連接； 以及，與數(shù)據(jù)線04延伸方向相同且同層設置的第二公共電極線11，第二公共電極線11與第一公共電極線10相互連接。
[0081]進一步地，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，為了使第一公共電極線10連接的第二公共電極線11相互連接，如圖6a所示，還可以包括:與像素電極05同層設置的第一橋接墊12,該第一橋接墊12的一端通過貫穿絕緣層06的第二過孔B與第二公共電極線11連接，第一橋接墊12的另一端通過貫穿絕緣層06和柵絕緣層09的第三過孔C與第一公共電極線10連接。此時，如圖6a所示在絕緣層06中會存在較多的過孔，在后續(xù)進行配向工藝形成配向膜時影響配向膜的均勻性，導致配向不良引起漏光的可能性。[〇〇82]因此，為了使第一公共電極線10連接的第二公共電極線11相互連接時盡量減少在絕緣層06中設置過孔;較佳地，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，可以利用柵絕緣層 09來設置連接第一公共電極線10連接的第二公共電極線11的過孔。具體地，如圖6b所示，可以使第一公共電極線10和第二公共電極線11在交疊區(qū)域通過貫穿柵絕緣層09的第四過孔D 相互連接;并且，在陣列基板中設置與公共電極07同層設置的第二橋接墊13,該第二橋接墊 13的兩端分別通過貫穿柵絕緣層09的第五過孔E與相鄰的兩條第二公共電極線11連接(圖 6b中僅示出了第二橋接墊13的一端與一條第二公共電極線11的連接結構)。[〇〇83]基于同一發(fā)明構思，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板，該顯示裝置可以為:手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。該顯示裝置的實施可以參見上述陣列基板的實施例，重復之處不再贅述。[〇〇84]本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置，將公共電極在陣列基板中的膜層位置進行變更，這樣便于采用一次構圖工藝形成位于相鄰膜層的公共電極和柵極的圖形，節(jié)省一道制作工序，有利于減少制作過程中的構圖次數(shù)，提高了陣列基板的制造效率，降低了生產(chǎn)成本。并且，在通過一次構圖工藝形成柵極和公共電極的圖形之后，依次形成柵絕緣層、有源層、源漏極和數(shù)據(jù)線、絕緣層以及像素電極的圖形時，像素電極與源漏極和數(shù)據(jù)線位于不同膜層，像素電極需要通過貫穿絕緣層的第一過孔與源漏極中的源極相連，這樣，一方面可以避免像素電極與數(shù)據(jù)線位于相鄰膜層時可能存在短路情況， 另一方面也降低了數(shù)據(jù)線與像素電極之間的寄生電容。并且，不需要考慮在像素電極和數(shù)據(jù)線之間設置預設距離而防止短路，即便由于需要在絕緣層中設置連接像素電極和漏極的過孔而影響開口率，但其損失的開口率(1%_2%)非常小，在總體上也利于像素開口率的提升，有利于實現(xiàn)高分辨率設計。
[0085]顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【主權項】
1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括:在襯底基板上通過一次構圖工藝形成位于相鄰膜層的公共電極和柵極的圖形；在所述柵極和公共電極的圖形上依次形成柵絕緣層、有源層、源漏極和數(shù)據(jù)線、絕緣層 以及像素電極的圖形;其中，所述像素電極通過貫穿所述絕緣層的第一過孔與所述源漏極 和數(shù)據(jù)線中的源極相連。2.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在襯底基板上通過一次構圖工藝形成位 于相鄰膜層的公共電極和柵極的圖形，具體包括:在襯底基板上依次形成透明金屬氧化物薄膜層和金屬層；在所述金屬層上形成一光刻膠層，使用一掩膜板對所述光刻膠層進行曝光顯影，得到 光刻膠完全去除區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域以及光刻膠完全保留區(qū)域;所述光刻膠完全保 留區(qū)域對應于形成柵極的圖形區(qū)域，所述光刻膠部分保留區(qū)域對應于形成公共電極的圖形 區(qū)域；對所述光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠部分保留區(qū)域分別進行刻蝕，形成公共電極和柵 極的圖形。3.如權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述掩模板為半色調(diào)掩模板或灰色調(diào)掩 模板。4.如權利要求2所述的制作方法，其特征在于，對所述光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠部 分保留區(qū)域分別進行刻蝕，形成公共電極和柵極的圖形，具體包括:利用所述光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠層的遮擋，對所述透明 金屬氧化物薄膜層和所述金屬層采用刻蝕工藝，去除所述光刻膠完全去除區(qū)域的透明金屬 氧化物薄膜層和金屬層的圖形，在所述透明金屬氧化物薄膜層得到所述公共電極的圖形；采用灰化工藝去除掉所述光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠層，同時減薄所述光刻膠完全 保留區(qū)域的光刻膠層；利用減薄后的所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠層的遮擋，對所述金屬層采用刻蝕工 藝，去掉所述光刻膠部分保留區(qū)域的金屬層的圖形，剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻 膠層，得到所述柵極的圖形。5.如權利要求1-4任一項所述的制作方法，其特征在于，還包括:在形成所述柵極的圖形時，同時形成與所述柵極連接的柵線，以及與所述柵線延伸方 向相同的第一公共電極線的圖形，所述第一公共電極線與所述公共電極相互連接；在形成所述源漏極和數(shù)據(jù)線的圖形時，同時形成與所述數(shù)據(jù)線延伸方向相同且與所述 第一公共電極線連接的第二公共電極線的圖形。6.如權利要求5所述的制作方法，其特征在于，還包括:在形成所述像素電極的圖形時，同時形成第一橋接墊的圖形;所述第一橋接墊的一端 通過貫穿所述絕緣層的第二過孔與所述第二公共電極線連接，所述第一橋接墊的另一端通 過貫穿所述絕緣層和所述柵絕緣層的第三過孔與所述第一公共電極線連接。7.如權利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第一公共電極線和所述第二公共電 極線在交疊區(qū)域通過貫穿所述柵絕緣層的第四過孔相互連接，還包括:在形成所述公共電極的圖形時，同時形成第二橋接墊的圖形;所述第二橋接墊的兩端 分別通過貫穿所述柵絕緣層的第五過孔與相鄰的兩條所述第二公共電極線連接。8.—種陣列基板，其特征在于，包括:依次設置在襯底基板上的公共電極、柵極、柵絕緣 層、有源層、同層設置的源漏極和數(shù)據(jù)線、絕緣層以及像素電極;其中，所述像素電極通過貫穿所述絕緣層的第一過孔與所述源漏極中的源極相連；所述柵極的圖形由圖形一致的位于相鄰膜層的透明金屬氧化物薄膜層和金屬層組成， 其中，所述透明金屬氧化物薄膜層為設置所述公共電極的膜層。9.如權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，還包括:與所述柵極同層設置的柵線和 第一公共電極線;所述柵線與所述柵極連接，所述第一公共電極線與所述柵線延伸方向相 同且與所述公共電極相互連接；以及，與所述數(shù)據(jù)線延伸方向相同且同層設置的第二公共電極線，所述第二公共電極 線與所述第一公共電極線相互連接。10.如權利要求9所述的陣列基板，其特征在于，還包括:與所述像素電極同層設置的第一橋接墊，所述第一橋接墊的一端通過貫穿所述絕緣層 的第二過孔與所述第二公共電極線連接，所述第一橋接墊的另一端通過貫穿所述絕緣層和 所述柵絕緣層的第三過孔與所述第一公共電極線連接。11.如權利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述第一公共電極線和所述第二公共 電極線在交疊區(qū)域通過貫穿所述柵絕緣層的第四過孔相互連接;還包括:與所述公共電極同層設置的第二橋接墊，所述第二橋接墊的兩端分別通過貫穿所述柵 絕緣層的第五過孔與相鄰的兩條所述第二公共電極線連接。12.—種顯示裝置，其特征在于，包括:如權利要求8-11任一項所述的陣列基板。
【文檔編號】G02F1/1362GK106024809SQ201610532692
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年7月7日
【發(fā)明人】崔賢植, 田允允
【申請人】京東方科技集團股份有限公司