一種陣列基板的制作方法、陣列基板和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置，所述方法包括：在襯底基板的第一面形成柵線、柵極和覆蓋柵線和柵極的柵絕緣層；在柵絕緣層上形成半導體薄膜；利用所述柵極和柵線作為掩膜對所述半導體薄膜進行構圖，形成位于所述柵線和柵極所在區(qū)域內部的源半導體層；利用所述源半導體層制作目標半導體層。本發(fā)明能夠避免有源層錯位，進而避免由于有源層錯位所導致的顯示器亮度不均勻的問題。
【專利說明】一種陣列基板的制作方法、陣列基板和顯示裝置
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶領域，尤其涉及一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置。【背景技術】
[0002]陣列基板是薄膜晶體管液晶顯示器(TFT IXD)的主要組成之一。薄膜晶體管(TFT)的陣列基板的在制備時，首先要形成柵線、柵極和覆蓋柵線和柵極的柵絕緣層，進一步，在柵絕緣層上形成有源層。
[0003]在形成有源層時，需要在柵絕緣層上先涂覆了用于制造有源層的半導體薄膜，在半導體薄膜上涂布光刻膠，再通過掩膜版從正面照射光刻膠，進而通過刻蝕和顯影等工藝過程來形成所述有源層。
[0004]但是上述的技術方案中，不可避免的會存在掩膜版對位不準的問題，導致制造的有源層錯位。進一步地，有源層的錯位會使得背光源有部分光線照射到有源層上，產生漏電流，最終導致用陣列基板制造得到的顯示器亮度不均勻。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明的目的是提供了一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置，避免有源層錯位，進而避免由于有源層錯位所導致的顯示器亮度不均勻的問題。
[0006]為了實現上述目的，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制作方法，所述方法包括:
[0007]在襯底基板的第一面形成柵線、柵極和覆蓋柵線和柵極的柵絕緣層；
[0008]在柵絕緣層上形成半導體薄膜；
[0009]利用所述柵極和柵線作為掩膜對所述半導體薄膜進行構圖，形成位于所述柵線和柵極所在區(qū)域內部的源半導體層；
[0010]利用所述源半導體層制作目標半導體層。
[0011]上述的陣列基板的制作方法，其中，利用所述柵極和柵線作為掩膜對所述半導體薄膜進行構圖，形成位于所述柵線和柵極所在區(qū)域內部的源半導體層具體為:
[0012]在包括所述半導體薄膜的基板上形成正性光刻膠薄膜；
[0013]從所述基板的與第一面相對的第二面對所述正性光刻膠薄膜進行曝光處理；
[0014]對曝光后的正性光刻膠薄膜進行顯影，去除位于柵線和柵極所在區(qū)域之外的被曝光的正性光刻膠，以暴露位于柵線和柵極所在區(qū)域外的半導體薄膜；
[0015]去除暴露出的位于柵線和柵極所在區(qū)域外的半導體薄膜，得到所述源半導體層。
[0016]上述的陣列基板的制作方法，其中，利用所述源半導體層制作目標半導體層的步驟在形成源漏電極薄膜之前，通過一次構圖工藝完成。
[0017]上述的陣列基板的制作方法，其中，所述利用所述源半導體層制作目標半導體層的步驟具體包括:
[0018]在所述源半導體層上形成正性光刻膠薄膜；[0019]對所述正性光刻膠薄膜進行曝光處理；
[0020]對曝光后的正性光刻膠薄膜進行顯影，去除位于預定形成薄膜晶體管和數據線的區(qū)域之外的被曝光的正性光刻膠，以暴露位于預定形成薄膜晶體管和數據線的區(qū)域之外的源半導體層；
[0021]去除暴露出的位于預定形成薄膜晶體管和數據線的區(qū)域之外的源半導體層，得到所述目標半導體層。
[0022]上述的陣列基板的制作方法，其中，利用所述源半導體層制作目標半導體層的步驟和制作數據線以及薄膜晶體管的源、漏電極一起完成。
[0023]上述的陣列基板的制作方法，其中，制作目標半導體層和制作薄膜晶體管的源、漏電極通過半掩膜工藝一次構圖形成。
[0024]上述的陣列基板的制作方法，其中，所述利用所述源半導體層制作目標半導體層的步驟具體包括:
[0025]在所述源半導體層之上形成源漏電極薄膜；
[0026]去除預定形成薄膜晶體管和數據線的區(qū)域之外的源漏電極薄膜和預定形成薄膜晶體管和數據線的區(qū)域之外的源半導體層；
[0027]對保留在預定形成薄膜晶體管的區(qū)域內的源漏電極薄膜進行刻蝕處理，形成源、漏電極。
[0028]為了實現上述目的，本發(fā)明實施例還提供了一種使用上述任意一項制作的陣列基板。
[0029]為了實現上述目的，本發(fā)明實施例還提供了 一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0030]本發(fā)明實施例利用所述柵極和柵線作為掩膜對用于制作有源層的半導體薄膜進行構圖。首先形成位于所述柵線和柵極所在區(qū)域內部的源半導體層，源半導體層是從相對于形成柵極的第一面的第二面進行曝光得到，得到的源半導體層位于柵線和柵極所在區(qū)域的內部。那么利用該源半導體層制作的目標半導體層也必然位于柵線和柵極所在區(qū)域的內部。本發(fā)明實施例通過上述方式避免有源層錯位，進一步地避免由于有源層錯位而導致的顯示器亮度不均勻的問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]圖1為本發(fā)明實施例提供的陣列基板制作方法的流程示意圖；
[0032]圖2為本發(fā)明實施例提供的源半導體薄膜的結構示意圖；
[0033]圖3為本發(fā)明實施例提供的將數據線布置在源半導體薄膜上的示意圖；
[0034]圖4為本發(fā)明實施例提供的一種形成目標半導體薄膜的示意圖；
[0035]圖5為本發(fā)明實施例提供的另一種形成目標半導體薄膜的示意圖；
[0036]其中，主要組件符號說明:
[0037]1:柵極、2:柵極絕緣層、31:摻雜半導體薄膜、32:本征半導體薄膜、4:源極、5:漏極、6:絕緣層、7:像素電極過孔、8:像素電極、9:基板、10:公共電極、11:柵線、12:數據線、13:預定形成薄膜晶體管的區(qū)域。
【具體實施方式】[0038]為使本發(fā)明實施例要解決的技術問題、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖及具體實施例進行詳細描述。
[0039]本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制作方法，所述方法如圖1所示，包括:
[0040]步驟101，在襯底基板的第一面形成柵線、柵極和覆蓋柵線和柵極的柵絕緣層；
[0041]步驟102，在柵絕緣層上形成半導體薄膜；
[0042]步驟103，利用所述柵極和柵線作為掩膜對所述半導體薄膜進行構圖，形成位于所述柵線和柵極所在區(qū)域內部的源半導體層；
[0043]步驟104，利用所述源半導體層制作目標半導體層。
[0044]在形成半導體薄膜后，按照現有技術的方法，是在涂布光刻膠之后，通過掩膜版從正面照射光刻膠，進而通過顯影和刻蝕等工藝過程來制作有源層。然而現有技術的方案中，不可避免的存在掩膜版的對位不準的問題，因此會導致最終制作的有源層錯位。
[0045]只有當有源層位于柵極和柵線所在區(qū)域內部時，才能利用柵極和柵線的不透光特性來阻擋背光照射到有源層上。而本發(fā)明的具體實施例中，在制作過程中直接利用柵線和柵極的不透光特性，將柵線和柵極作為掩膜板的不透光部來遮擋光線，進而使得最終顯影、刻蝕之后得到的源半導體層位于柵線和柵極所在區(qū)域的內部。因此利用該源半導體層制作的目標半導體層也必然位于柵線和柵極所在區(qū)域的內部。
[0046]而制作的目標半導體層位于柵線和柵極所在區(qū)域內部必然會帶來如下的有益效果:
[0047]避免了有源層的制作過程中，由于掩膜版的對位不準導致的有源層錯位的問題；
[0048]利用柵極和柵線的不透光特性，直接將柵線和柵極作為掩膜板的不透光部來遮擋光線，節(jié)省了陣列基板制作過程中掩膜工藝的成本；
[0049]進一步地，避免了由于有源層錯位導致背光源有部分光線照射到有源層上，產生漏電流，最終避免用陣列基板制造得到的顯示器亮度不均勻的問題。
[0050]上述的陣列基板的制作方法中，步驟101中的柵線和柵極的形成，可以采用任何可以通過一次構圖工藝實現的現有技術來實現。例如，利用普通掩摸工藝實現，借助普通掩膜版對基板上的柵極金屬薄膜進行圖案化，以形成的圖案化的包括柵極和柵線的圖形。具體地，包括:在襯底基板上形成柵金屬薄膜，利用普通掩摸板進行曝光、顯影和刻蝕，得到包括柵極和柵線的圖形。
[0051]另外，在涂覆用于制造有源層的半導體薄膜前，還需要進一步形成覆蓋柵線和柵極的柵絕緣層。其中，形成柵極絕緣層的工藝可以為化學氣相沉積工藝，也可以是本領域技術人員所知的其它工藝，在此不一一列舉。
[0052]然后，在柵絕緣層上形成半導體薄膜，形成工藝為化學氣相沉積工藝，也可以是本領域技術人員所知的其它工藝。
[0053]在本發(fā)明具體實施例中，首先要形成位于柵線和柵極所在區(qū)域內部的源半導體層，形成上述的半導體層可以通過以下方式來實現:
[0054]在包括所述半導體薄膜的基板上形成正性光刻膠薄膜；
[0055]從所述基板的與第一面相對的第二面對所述正性光刻膠薄膜進行曝光處理；
[0056]對曝光后的正性光刻膠薄膜進行顯影，去除位于柵線和柵極所在區(qū)域之外的被曝光的正性光刻膠，以暴露位于柵線和柵極所在區(qū)域外的半導體薄膜；[0057]去除暴露出的位于柵線和柵極所在區(qū)域外的半導體薄膜，得到所述源半導體層。
[0058]本發(fā)明實施例中，綜合利用正性光刻膠和柵極/柵線的不透光性，從所述基板的與第一面相對的第二面對光刻膠薄膜進行曝光。因此顯影后，位于柵線11和柵極I所在區(qū)域之外的被曝光的正性光刻膠能夠被去除，也就使得位于柵線11和柵極I所在區(qū)域外的半導體薄膜會暴露出來。最后去除暴露出的位于柵線和柵極所在區(qū)域外的半導體薄膜，就得到所述源半導體層。
[0059]通過上述過程形成的源半導體薄膜如圖2所示，可以看出以柵極和柵線作為掩膜對所述半導體薄膜進行構圖，得到的源半導體薄膜的其中一部分與柵極和柵線的形狀相同。
[0060]在此步驟中，由于曝光時是從所述基板的與第一面相對的第二面進行的，相當于利用柵極作為掩膜制作源半導體層，因此，形成的源半導體層位于柵線和柵極所在區(qū)域的內部。
[0061]應當注意地是，在形成了所述源半導體層后，由于形成的源半導體層是連續(xù)的，當圖3所示的柵線11被施加高電平時，位于柵線上方的源半導體層就會導通，進而導致所有的數據線被短路。
[0062]因此，在形成上述的源半導體層之后，還需要對其進行“修飾”，得到如圖4所示的目標半導體層13 (圖4中僅僅是示意，本發(fā)明具體實施例并不局限于圖4所示的目標半導體層形狀)。
[0063]綜上所述，在本發(fā)明實施例中，還需要根據源半導體層繼續(xù)制作目標半導體層，使得目標半導體層只覆蓋預定形成薄膜晶體管的區(qū)域內，其具體的實現方式多種多樣，在此僅僅結合兩種實現方式說明如下。
[0064]< 方式一 >
[0065]在方式一中，利用所述源半導體層制作目標半導體層的步驟在形成源漏電極薄膜之前，通過一次構圖工藝完成。
[0066]優(yōu)選地，包括:
[0067]在所述源半導體層上形成正性光刻膠薄膜；
[0068]對所述正性光刻膠薄膜進行曝光處理；
[0069]對曝光后的正性光刻膠薄膜進行顯影，去除位于預定形成薄膜晶體管和數據線的區(qū)域之外的被曝光的正性光刻膠，以暴露位于預定形成薄膜晶體管和數據線的區(qū)域之外的源半導體層；
[0070]去除暴露出的位于預定形成薄膜晶體管和數據線的區(qū)域之外的源半導體層，得到所述目標半導體層。
[0071]在源半導體薄膜上涂布正性光刻膠薄膜，顯影后，去除掉位于預定形成薄膜晶體管13和數據線12的區(qū)域之外的被曝光的正性光刻膠，以暴露位于預定形成薄膜晶體管13和數據線12的區(qū)域之外的源半導體層，如圖4所示，去除掉圖中用圓點標識的位置所對應的源半導體層，得到目標半導體層13。
[0072]在得到目標半導體層后，就可以在目標半導體層上繼續(xù)形成源漏電極，絕緣層、像素電極過孔和像素電極，最終完成整個陣列基板的制作，其中在對S/D層進行刻蝕形成源漏電極之間的溝道時，如果用于制作有源層的半導體薄膜由本征半導體薄膜和摻雜半導體薄膜構成時，還需要進一步刻蝕掉溝道區(qū)域內的摻雜半導體層，源漏電極，絕緣層、像素電極過孔和像素電極的制作過程與現有技術的實現過程相同。
[0073]在本發(fā)明實施例提供的方法中，根據位于柵線和柵極所在區(qū)域內部的源半導體層，通過一次構圖工藝形成只覆蓋了預定形成薄膜晶體管區(qū)域內的目標半導體薄膜，避免了最終制備的顯示器無法正常顯示的問題。
[0074]但是，采用上述方式完成陣列基板的制作時，需要對有源層單獨使用了一次掩膜工藝(對應于目標半導體層形成的過程)，增加了掩膜工藝的成本。在本發(fā)明實施例中還提供另一種實現方式，將根據源半導體層形成目標半導體層與后續(xù)制作源、漏電極的步驟合并在一起，減少掩膜工藝的成本，具體說明如下。
[0075]< 方式二 >
[0076]利用所述源半導體層制作目標半導體層的步驟和制作數據線以及薄膜晶體管的源、漏電極一起完成。
[0077]將目標半導體層與源漏電極同時形成，簡化制作流程。其中，優(yōu)選地，制作目標半導體層和制作薄膜晶體管的源、漏電極通過半掩膜工藝一次構圖形成。
[0078]具體包括:
[0079]在所述源半導體層之上形成源漏電極薄膜；
[0080]去除預定形成薄膜晶體管和數據線的區(qū)域之外的源漏電極薄膜和預定形成薄膜晶體管和數據線的區(qū)域之外的源半導體層；
[0081]對保留在預定形成薄膜晶體管的區(qū)域內的源漏電極薄膜進行刻蝕處理，形成源、漏電極。
[0082]半掩膜工藝可以在刻蝕過程中對不同部位進行不同厚度的刻蝕，如圖5所示，源半導體薄膜需要刻蝕掉A區(qū)域、C區(qū)域以及D區(qū)域中預定形成數據線之外的區(qū)域。源漏電極薄膜同樣需要去除預定形成薄膜晶體管和數據線的區(qū)域之外的薄膜。
[0083]對保留在預定形成薄膜晶體管的區(qū)域內的源漏電極薄膜，即B內區(qū)域的源漏電極薄膜進行刻蝕，形成源漏電極間的溝道區(qū)域。當然，如果用于制作有源層的半導體薄膜由本征半導體薄膜和摻雜半導體薄膜構成時，還需要進一步刻蝕掉對應于溝道區(qū)域內的摻雜半導體層。
[0084]通過上述過程，將制作目標半導體層和制作薄膜晶體管的源、漏電極通過半掩膜工藝一次構圖形成，在實現本發(fā)明目的的同時相比方法一節(jié)省了陣列基板的成本。
[0085]下面基于陣列制造工藝，對本發(fā)明實施例提供的制作陣列基板的整體過程進行詳細說明。
[0086]步驟A，在基板上制作公共電極。
[0087]可以通過現有的掩膜工藝，在玻璃基板上完成公共電極的制作。
[0088]步驟B，在基板的第一面形成柵線、柵極和覆蓋柵線和柵極的柵絕緣層。
[0089]柵線和柵極的形成，可以采用任何可以通過一次構圖工藝實現的現有技術來實現。例如，利用普通掩摸工藝實現，借助普通掩膜版對基板上的柵極金屬薄膜進行圖案化，以形成的圖案化的包括柵極和柵線的圖形。具體地，包括:在基板上沉積柵金屬薄膜，利用普通掩摸板進行曝光、顯影和刻蝕，得到包括柵極和柵線的圖形。
[0090]另外，在涂覆用于制造有源層的半導體薄膜前，還需要進一步形成覆蓋柵線和柵極的柵絕緣層。其中，形成柵極絕緣層的工藝可以為化學氣相沉積工藝，也可以是本領域技術人員所知的其它工藝，在此不一一列舉。
[0091]步驟C，形成有源層和源、漏電極，具體包括:
[0092]步驟Cl，在柵絕緣層上形成半導體薄膜。
[0093]形成工藝為化學氣相沉積工藝，也可以是本領域技術人員所知的其它工藝。
[0094]步驟C2，利用所述柵極和柵線作為掩膜對所述半導體薄膜進行構圖，形成位于所述柵線和柵極所在區(qū)域內部的源半導體層，具體包括:
[0095]在包括所述半導體薄膜的基板上形成正性光刻膠薄膜；
[0096]從所述基板的與第一面相對的第二面對所述正性光刻膠薄膜進行曝光處理；
[0097]對曝光后的正性光刻膠薄膜進行顯影，去除位于柵線和柵極所在區(qū)域之外的被曝光的正性光刻膠，以暴露位于柵線和柵極所在區(qū)域外的半導體薄膜；
[0098]去除暴露出的位于柵線和柵極所在區(qū)域外的半導體薄膜，得到所述源半導體層。
[0099]步驟C3，利用所述源半導體層制作目標半導體層，具體包括:
[0100]在所述源半導體層上形成正性光刻膠薄膜；
[0101]對所述正性光刻膠薄膜進行曝光處理；
[0102]對曝光后的正性光刻膠薄膜進行顯影，去除位于預定形成薄膜晶體管和數據線的區(qū)域之外的被曝光的正性光刻膠，以暴露位于預定形成薄膜晶體管和數據線的區(qū)域之外的源半導體層；
[0103]去除暴露出的位于預定形成薄膜晶體管和數據線的區(qū)域之外的源半導體層，得到所述目標半導體層。
[0104]步驟C4，形成源、漏電極。
[0105]涂布用于制作源漏電極的金屬薄膜，再涂布光刻膠，通過雙色調掩膜版進行曝光、顯影，去除需要形成源漏電極間溝道區(qū)域的光刻膠，刻蝕掉溝道區(qū)域的金屬薄膜，形成源、漏電極。其中如果用于制作有源層的半導體薄膜由本征半導體薄膜和摻雜半導體薄膜構成時，還需要進一步刻蝕掉溝道區(qū)域內的摻雜半導體層。
[0106]當然，為了簡化制作流程，本發(fā)明實施例還可以將步驟C3和C4進行合并，通過一次構圖工藝一起完成，具體為:
[0107]在所述源半導體層之上形成源漏電極薄膜；
[0108]去除預定形成薄膜晶體管和數據線的區(qū)域之外的源漏電極薄膜和預定形成薄膜晶體管和數據線的區(qū)域之外的源半導體層；
[0109]對保留在預定形成薄膜晶體管的區(qū)域內的源漏電極薄膜進行刻蝕處理，形成源、漏電極。
[0110]半掩膜工藝可以在刻蝕過程中對不同部位進行不同厚度的刻蝕，對于預定形成薄膜晶體管和數據線之外的區(qū)域，刻蝕的厚度要保證能夠同時刻蝕掉源漏電極薄膜和源半導體層，對于預定形成薄膜晶體管內的區(qū)域，刻蝕的厚度只需要保證能夠刻蝕掉源漏電極薄膜，形成源漏電極間的溝道區(qū)域即可，當然，如果用于制作有源層的半導體薄膜由本征半導體薄膜和摻雜半導體薄膜構成時，刻蝕的厚度還需要進一步保證能夠刻蝕掉溝道區(qū)域內的摻雜半導體層，形成目標半導體層。
[0111]步驟D，形成像素電極過孔。[0112]在完成步驟C的基板上形成絕緣層，具體地，絕緣層的形成工藝可以為化學氣相沉積工藝，或是本領域技術人員所知的其它工藝。
[0113]然后，同樣可以利用涂布光刻膠，通過雙色調掩膜版進行曝光、顯影，去除需要形成像素電極層過孔區(qū)域的光刻膠，形成像素電極過孔。
[0114]步驟E，形成像素電極。
[0115]在所述絕緣層上及所述像素電極過孔中形成像素電極薄膜(比如氧化銦錫薄膜等)；利用普通掩膜版對所述像素電極薄膜進行圖案化，以形成包括像素電極薄膜的圖形。
[0116]具體地，像素電極薄膜的形成工藝可以為濺射工藝，或是本領域技術人員所知的其它工藝。
[0117]借助該普通掩膜版對形成在氧化銦錫薄膜上的光刻膠層進行曝光、顯影后，需要保留的像素電極薄膜上覆蓋有光刻膠，而不需要保留的像素電極薄膜上的光刻膠被去除，通過刻蝕步驟，將不需要的氧化銦錫薄膜刻蝕掉，剩余的像素電極薄膜即為所需的圖案化的像素電極薄膜。
[0118]本發(fā)明實施例利用所述柵極和柵線作為掩膜對用于制作有源層的半導體薄膜進行構圖，首先形成位于所述柵線和柵極所在區(qū)域內部的源半導體層，進一步地利用所述源半導體層制作只覆蓋預定形成薄膜晶體管和數據線區(qū)域的目標半導體層。避免了有源層的制作過程中，由于掩膜版的對位不準導致的有源層錯位的問題；同時利用柵極和柵線的不透光特性，直接將柵線和柵極作為掩膜板的不透光部來遮擋光線，節(jié)省了陣列基板制作過程中掩膜工藝的成本；進一步地，避免了由于有源層錯位導致背光源有部分光線照射到有源層上，產生漏電流，最終避免用陣列基板制造得到的顯示器亮度不均勻的問題。
[0119]本發(fā)明實施例還提供了一種使用上述任意一項制作的陣列基板。
[0120]本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0121]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括: 在襯底基板的第一面形成柵線、柵極和覆蓋柵線和柵極的柵絕緣層； 在柵絕緣層上形成半導體薄膜； 利用所述柵極和柵線作為掩膜對所述半導體薄膜進行構圖，形成位于所述柵線和柵極所在區(qū)域內部的源半導體層； 利用所述源半導體層制作目標半導體層。
2.如權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，利用所述柵極和柵線作為掩膜對所述半導體薄膜進行構圖，形成位于所述柵線和柵極所在區(qū)域內部的源半導體層具體為: 在包括所述半導體薄膜的基板上形成正性光刻膠薄膜； 從所述基板的與第一面相對的第二面對所述正性光刻膠薄膜進行曝光處理； 對曝光后的正性光刻膠薄膜進行顯影，去除位于柵線和柵極所在區(qū)域之外的被曝光的正性光刻膠，以暴露位于柵線和柵極所在區(qū)域外的半導體薄膜； 去除暴露出的位于柵線和柵極所在區(qū)域外的半導體薄膜，得到所述源半導體層。
3.如權利要求1或2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，利用所述源半導體層制作目標半導體層的步驟在形成源漏電極薄膜之前，通過一次構圖工藝完成。
4.如權利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述利用所述源半導體層制作目標半導體層的步驟具體包括: 在所述源半導體層上形成正性光刻膠薄膜； 對所述正性光刻膠薄膜進行曝光處理； 對曝光后的正性光刻膠薄膜進行顯影，去除位于預定形成薄膜晶體管和數據線的區(qū)域之外的被曝光的正性光刻膠，以暴露位于預定形成薄膜晶體管和數據線的區(qū)域之外的源半導體層； 去除暴露出的位于預定形成薄膜晶體管和數據線的區(qū)域之外的源半導體層，得到所述目標半導體層。
5.如權利要求1或2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，利用所述源半導體層制作目標半導體層的步驟和制作數據線以及薄膜晶體管的源、漏電極一起完成。
6.如權利要求5所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，制作目標半導體層和制作薄膜晶體管的源、漏電極通過半掩膜工藝一次構圖形成。
7.如權利要求6所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述利用所述源半導體層制作目標半導體層的步驟具體包括: 在所述源半導體層之上形成源漏電極薄膜； 去除預定形成薄膜晶體管和數據線的區(qū)域之外的源漏電極薄膜和預定形成薄膜晶體管和數據線的區(qū)域之外的源半導體層； 對保留在預定形成薄膜晶體管的區(qū)域內的源漏電極薄膜進行刻蝕處理，形成源、漏電極。
8.一種使用權利要求1-7中任意一項制作的陣列基板。
9.一種顯示裝置，包括權利要求8所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L27/12GK103700626SQ201310727100
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年12月25日 優(yōu)先權日:2013年12月25日
【發(fā)明者】田肖雄, 張卓, 鄧偉 申請人:京東方科技集團股份有限公司