有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種能夠減小能耗并提高效率和使用壽命的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括用于實(shí)現(xiàn)不同色彩的第一子像素至第三子像素，其中，第一子像素至第三子像素中的每一個(gè)包括：在基板上彼此相對(duì)的第一電極和第二電極；形成在所述第一電極和所述第二電極之間的發(fā)光層；形成在所述第一電極和所述發(fā)光層之間以與所述第一電極和所述發(fā)光層接觸的多層式空穴傳輸層；以及形成在所述第二電極和所述發(fā)光層之間的電子傳輸層，其中，所述第一子像素至第三子像素中的至少一個(gè)的所述多層式空穴傳輸層包括：由空穴基質(zhì)和具有摻雜濃度1%到10%的p型摻雜劑形成的至少兩層的第一空穴傳輸層；以及由所述空穴基質(zhì)形成的第二空穴傳輸層。
【專利說(shuō)明】有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種能夠減小能耗并提高效率和壽命的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]與最近的信息時(shí)代相一致，在視覺上顯示電子信息信號(hào)的顯示器領(lǐng)域已經(jīng)快速發(fā)展。為了滿足這種發(fā)展，開發(fā)了具有諸如厚度超薄、重量輕，以及低功耗的優(yōu)異性能的各種平板顯示裝置。
[0003]平板顯示裝置的示例包括但不限于，液晶顯示(IXD)裝置、等離子體顯示板(PDP)裝置、場(chǎng)發(fā)射顯示(FED)裝置，以及有機(jī)發(fā)光裝置(0LED)。
[0004]特別地，作為自發(fā)光裝置的OLED比其他平板顯示裝置具有更快的響應(yīng)時(shí)間、更高的發(fā)光效率、更高的亮度以及更寬的視角。
[0005]有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括具有彼此相對(duì)的陽(yáng)極和陰極的子像素，并且在陽(yáng)極和陰極之間設(shè)置有發(fā)光層。從陽(yáng)極注入的空穴和從陰極注入的電子在發(fā)光層中復(fù)合以形成激子，該激子是空穴-電子對(duì)。當(dāng)激子返回基態(tài)時(shí)，激子產(chǎn)生能量，由此發(fā)射光。
[0006]在傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，由于在陽(yáng)極和空穴注入層之間的界面上的間隙，導(dǎo)致陷阱能增加。陷阱能的增加提高空穴注入勢(shì)壘。由于這種原因，不可能向發(fā)光層穩(wěn)定地提供空穴。因此，增加了裝置的能耗并降低了裝置的效率和壽命。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]因此，本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法，其基本上能夠消除由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺點(diǎn)引起的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。
[0008]本發(fā)明的目的是提供一種能夠降低能耗并提高效率和壽命的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
[0009]本發(fā)明的另外的優(yōu)點(diǎn)、目的和特征將會(huì)在隨后的說(shuō)明書中部分地提出，并且當(dāng)研究隨后的說(shuō)明書時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是部分地明顯的，或者可從本發(fā)明的實(shí)踐中得出。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可以通過(guò)書面說(shuō)明書及其權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)并獲得。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的目的，為了實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)和其他優(yōu)點(diǎn)，如在此具體地和寬泛描述的，一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括用于實(shí)現(xiàn)不同顏色的第一子像素、第二子像素和第三子像素，其中，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每一個(gè)包括:在基板上彼此相對(duì)的第一電極和第二電極；形成在所述第一電極和所述第二電極之間的發(fā)光層；形成在所述第一電極和所述發(fā)光層之間以與所述第一電極和所述發(fā)光層接觸的多層式空穴傳輸層；以及形成在所述第二電極和所述發(fā)光層之間的電子傳輸層，其中，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的至少一個(gè)的所述多層式空穴傳輸層包括:由空穴基質(zhì)和具有摻雜濃度1%到10%的P型摻雜劑形成的至少兩層的第一空穴傳輸層；以及由所述空穴基質(zhì)形成的第二空穴傳輸層。
[0011]所述第一子像素可以是通過(guò)紅色發(fā)光層實(shí)現(xiàn)紅色的紅色子像素，所述第二子像素可以是通過(guò)綠色發(fā)光層實(shí)現(xiàn)綠色的綠色子像素，所述第三子像素可以是通過(guò)藍(lán)色發(fā)光層實(shí)現(xiàn)藍(lán)色的藍(lán)色子像素，其中，所述紅色子像素和綠色子像素中的每一個(gè)的所述空穴傳輸層可以包括:通過(guò)順序地堆疊所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層形成的公共空穴傳輸層；以及形成在所述公共空穴傳輸層和所述第一電極之間的光學(xué)調(diào)節(jié)層，并且，所述藍(lán)色子像素的所述空穴傳輸層可以包括通過(guò)順序地堆疊所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層形成的公共空穴傳輸層。
[0012]所述紅色子像素、所述綠色子像素和所述藍(lán)色子像素可以都包括藍(lán)色發(fā)光層，可以在所述紅色發(fā)光層和所述電子傳輸層之間形成所述紅色子像素的所述藍(lán)色發(fā)光層，以及可以在所述綠色發(fā)光層和所述電子傳輸層之間形成所述綠色子像素的所述藍(lán)色發(fā)光層。
[0013]所述光學(xué)調(diào)節(jié)層可以包括順序地形成在所述第一電極和所述公共空穴傳輸層之間的第一光學(xué)調(diào)節(jié)層和第二光學(xué)調(diào)節(jié)層，所述第一光學(xué)調(diào)節(jié)層可以由與所述第一空穴傳輸層的空穴基質(zhì)和P型摻雜劑相同或不同的空穴基質(zhì)和P型摻雜劑形成，以及所述第二光學(xué)調(diào)節(jié)層可以由與所述第二空穴傳輸層的空穴基質(zhì)相同或不同的空穴基質(zhì)形成。
[0014]所述光學(xué)調(diào)節(jié)層可以包括形成在所述第一電極和所述公共空穴傳輸層之間的第一光學(xué)調(diào)節(jié)層，以及所述第一光學(xué)調(diào)節(jié)層可以由與所述第一空穴傳輸層的空穴基質(zhì)和P型摻雜劑相同或不同的空穴基質(zhì)和P型摻雜劑形成。
[0015]所述紅色子像素的所述第一光學(xué)調(diào)節(jié)層可以比所述綠色子像素的所述第一光學(xué)調(diào)節(jié)層具有更大的厚度。
[0016]所述P 型摻雜劑可以由 F4-TCNQ、I, 4_TCAQ、6, 3-TCPQ, TCAQ, TCNTHPQ 或 TCNPQ 形成，以及所述空穴基質(zhì)可以由NPB、PPD、TPAC, BFA-1T或TBDB形成。
[0017]所述P型摻雜劑可以具有比所述空穴基質(zhì)的能級(jí)低的最低未占有分子軌道LUMO能級(jí)。
[0018]包括所述P型摻雜劑的所述第一空穴傳輸層和所述光學(xué)調(diào)節(jié)層可以占據(jù)所述多層式空穴傳輸層的10%到25%。
[0019]在根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種制造包括實(shí)現(xiàn)不同顏色的第一子像素、第二子像素和第三子像素的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法包括以下步驟:在基板上形成所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的第一電極；在所述第一電極上形成多層式空穴傳輸層；在所述空穴傳輸層上形成發(fā)光層；在所述發(fā)光層上形成電子傳輸層；以及在所述電子傳輸層上形成第二電極，其中，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的至少一個(gè)的所述多層式空穴傳輸層包括:由空穴基質(zhì)和具有摻雜濃度1%到10%的P型摻雜劑形成的至少兩層的第一空穴傳輸層；以及由所述空穴基質(zhì)形成的第二空穴傳輸層。
[0020]所述第一子像素可以是通過(guò)紅色發(fā)光層實(shí)現(xiàn)紅色的紅色子像素，所述第二子像素可以是通過(guò)綠色發(fā)光層實(shí)現(xiàn)綠色的綠色子像素，所述第三子像素是通過(guò)藍(lán)色發(fā)光層實(shí)現(xiàn)藍(lán)色的藍(lán)色子像素，形成所述紅色子像素、所述綠色子像素和所述藍(lán)色子像素的所述空穴傳輸層的步驟可以包括:在所述紅色子像素和所述綠色子像素的所述第一電極上形成光學(xué)調(diào)節(jié)層；以及在所述紅色子像素、所述綠色子像素和所述藍(lán)色子像素形成多個(gè)公共空穴傳輸層，其中每個(gè)公共空穴傳輸層包括所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層，以及可以通過(guò)利用遮板進(jìn)行沉積或掃掠來(lái)形成光學(xué)調(diào)節(jié)層、第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層中的至少一個(gè)。
[0021]應(yīng)當(dāng)理解，對(duì)本發(fā)明的上述一般性描述和隨后的詳細(xì)描述是示例性和解釋性的，并旨在對(duì)所要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]用于提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解并且被結(jié)合并構(gòu)成本發(fā)明的一部分的附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明，并與說(shuō)明書一起用來(lái)解釋本發(fā)明的原理，其中:
[0023]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面視圖；
[0024]圖2是不出圖1所不的空穴基質(zhì)和P型慘雜劑之間關(guān)系的視圖；
[0025]圖3A和3B是示出圖1所示的有機(jī)發(fā)光顯示裝置和比較示例的電壓和壽命特性的視圖；
[0026]圖4是示出用于形成圖1所示的空穴傳輸層的設(shè)備的視圖；
[0027]圖5是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面視圖；
[0028]圖6A和6B是示出圖5所示的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的紅色子像素和對(duì)比示例的紅色子像素的電壓和壽命特性的視圖；
[0029]圖7A和7B是示出圖5所示的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的綠色子像素和對(duì)比示例的綠色子像素的電壓和壽命特性的視圖；
[0030]圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面視圖；
[0031]圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面視圖；
[0032]圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方式的另一形式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面視圖；
[0033]圖1lA和IlB是示出圖9所示的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的紅色子像素和對(duì)比示例的紅色子像素的電壓和壽命特性的視圖；
[0034]圖12A和12B是示出圖9所示的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的綠色子像素和對(duì)比示例的綠色子像素的電壓和壽命特性的視圖；
[0035]圖13A至13F是示出形成圖5所示的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的空穴傳輸層的方法的截面視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0036]現(xiàn)在將詳細(xì)地參考本發(fā)明的優(yōu)先實(shí)施方式，在附圖中示出其示例。只要有可能，在附圖中使用的相同的附圖標(biāo)記指代相同或相似的部分。
[0037]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面視圖。
[0038]如圖1所不的有機(jī)發(fā)光顯不裝置包括第一電極102、多層的空穴傳輸層114、發(fā)光層110、電子傳輸層116、第二電極104和覆蓋層120。
[0039]第一電極102和第二電極104中任一個(gè)由半透明電極形成，第一電極102和第二電極104中的另一個(gè)由反射電極形成。在第一電極102是半透明電極并且第二電極104是反射電極的情況下，有機(jī)發(fā)光顯示裝置被構(gòu)造為具有將光向下發(fā)射的后向發(fā)光結(jié)構(gòu)。在第二電極104是半透明電極并且第一電極102是反射電極的情況下，有機(jī)發(fā)光顯示裝置被構(gòu)造為具有將光向上發(fā)射的前向發(fā)光結(jié)構(gòu)。本發(fā)明中，將作為陽(yáng)極并由反射電極形成的第一電極102以及作為陰極并由半透明電極形成的第二電極104作為示例進(jìn)行描述。
[0040]第一電極102被配置成具有多層的結(jié)構(gòu)，包括由鋁(Al)或鋁合金(例如AlNd)形成的金屬層和由銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)形成的透明層。第一電極102起反射電極的作用。
[0041]第二電極104被構(gòu)造成具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。構(gòu)成第二電極104的每個(gè)層可由金屬、無(wú)機(jī)物質(zhì)、金屬混合物、金屬和無(wú)機(jī)物質(zhì)混合物、或以上物質(zhì)的混合物形成。在每個(gè)層由金屬和無(wú)機(jī)物質(zhì)的混合物形成的情況下，金屬與無(wú)機(jī)物質(zhì)的比率是10:1至1:10。在每個(gè)層由金屬混合物形成的情況下，一種金屬與另一種金屬的混合比率是10:1至1:10。第二電極104由金屬(例如，Ag、Mg、Yb、Li或Ca)形成。第二電極104由無(wú)機(jī)物質(zhì)Li02、CaO、LiF或MgF2形成。第二電極104幫助電子的移動(dòng)使得向發(fā)光層110提供大量電子。
[0042]覆蓋層120由折射率比外部空氣層高的材料形成。透射通過(guò)覆蓋層120的光被位于覆蓋層120和外部空氣層之間的界面反射，并且于在第一電極102和覆蓋層120之間被重復(fù)地反射和透射的同時(shí)，通過(guò)覆蓋層120發(fā)射出來(lái)。因此，減小了由于從位于覆蓋層120和外部空氣層之間的界面的全反射導(dǎo)致的大量的光損失，并增加了發(fā)光量，因此提高了發(fā)光效率。
[0043]在發(fā)光層110中，通過(guò)空穴傳輸層114提供的空穴和通過(guò)電子傳輸層116提供的電子復(fù)合以生成光。
[0044]電子傳輸層116從第二電極104向發(fā)光層110提供電子。
[0045]空穴傳輸層114包括交替形成的用P型摻雜劑摻雜的第一空穴傳輸層114a和沒有用P型摻雜劑摻雜的第二空穴傳輸層114b。用P型摻雜劑摻雜的第一空穴傳輸層114a形成為在第一電極102和發(fā)光層110之間具有兩層結(jié)構(gòu)。將圖1中的交替形成兩次的第一和第二空穴傳輸層114a和114b作為示例描述。但是，本發(fā)明的實(shí)施方式并不限于此。
[0046]通過(guò)用P型摻雜劑以1%至10%摻雜濃度對(duì)基質(zhì)進(jìn)行摻雜形成各個(gè)第一空穴傳輸層114a。如果P型摻雜劑的摻雜濃度小于1%，那么不可能獲得器件特性。如果P型摻雜劑的摻雜濃度大于10%，那么空穴的量會(huì)超過(guò)電子的量。因此，激子形成在位于電子傳輸層116和發(fā)光層110之間的界面而不是在發(fā)光層110中，從而降低了效率并縮短了壽命。此時(shí)，空穴基質(zhì)具有5.0eV或更高的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)能級(jí)。p型摻雜劑具有比空穴基質(zhì)的HOMO能級(jí)低的最低未占據(jù)分子軌道(LUMO)能級(jí)。第一空穴傳輸層114a占據(jù)整個(gè)空穴傳輸層114的10%到25%。如果第一空穴傳輸層114a占據(jù)整個(gè)空穴傳輸層114小于10%，那么就不可能獲得比對(duì)比示例更好的效果。如果第一空穴傳輸層114a占據(jù)整個(gè)空穴傳輸層114大于25%,那么空穴的量會(huì)超過(guò)電子的量。因此,激子形成在電子傳輸層116和發(fā)光層110之間的界面而不是在發(fā)光層110中，從而降低了效率并縮短了壽命。
[0047]各個(gè)第二空穴傳輸層114b由具有與各個(gè)第一空穴傳輸層114a相同的材料的基質(zhì)形成。因此，各個(gè)第二空穴傳輸層114b具有5.0eV或更高的HOMO能級(jí)。第二空穴傳輸層114b占據(jù)整個(gè)空穴傳輸層114的75%到90%。
[0048]在第一和第二空穴傳輸層114a和114b中使用的基質(zhì)由例如化學(xué)式I所示的NPB、PPD、TPAC, BFA-1T 或 TBDB 的材料形成。
[0049][化學(xué)式I][0050]
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括用于實(shí)現(xiàn)不同顏色的第一子像素、第二子像素和第三子像素，其中， 所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每一個(gè)包括: 在基板上彼此相對(duì)的第一電極和第二電極； 形成在所述第一電極和所述第二電極之間的發(fā)光層； 形成在所述第一電極和所述發(fā)光層之間以與所述第一電極和所述發(fā)光層接觸的多層式空穴傳輸層；以及 形成在所述第二電極和所述發(fā)光層之間的電子傳輸層， 其中，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的至少一個(gè)的所述多層式空穴傳輸層包括: 由空穴基質(zhì)和具有摻雜濃度1%到10%的P型摻雜劑形成的至少兩層的第一空穴傳輸層；以及 由所述空穴基質(zhì)形成的第二空穴傳輸層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述第一子像素是通過(guò)紅色發(fā)光層實(shí)現(xiàn)紅色的紅色子像素， 所述第二子像素是通過(guò)綠色發(fā)光層實(shí)現(xiàn)綠色的綠色子像素， 所述第三子像素是通過(guò)藍(lán)色發(fā)光層實(shí)現(xiàn)藍(lán)色的藍(lán)色子像素， 其中，所述紅色子像素和綠色子像素中的每一個(gè)的所述空穴傳輸層包括: 通過(guò)順序地堆疊所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層形成的公共空穴傳輸層；以及 形成在所述公共空穴傳輸層和所述第一電極之間的光學(xué)調(diào)節(jié)層，并且其中，所述藍(lán)色子像素的所述空穴傳輸層包括通過(guò)順序地堆疊所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層形成的公共空穴傳輸層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述紅色子像素、所述綠色子像素和所述藍(lán)色子像素都包括藍(lán)色發(fā)光層， 在所述紅色發(fā)光層和所述電子傳輸層之間形成所述紅色子像素的所述藍(lán)色發(fā)光層，以及 在所述綠色發(fā)光層和所述電子傳輸層之間形成所述綠色子像素的所述藍(lán)色發(fā)光層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述光學(xué)調(diào)節(jié)層包括順序地形成在所述第一電極和所述公共空穴傳輸層之間的第一光學(xué)調(diào)節(jié)層和第二光學(xué)調(diào)節(jié)層， 所述第一光學(xué)調(diào)節(jié)層由與所述第一空穴傳輸層的空穴基質(zhì)和P型摻雜劑相同或不同的空穴基質(zhì)和P型慘雜劑形成，以及 所述第二光學(xué)調(diào)節(jié)層由與所述第二空穴傳輸層的空穴基質(zhì)相同或不同的空穴基質(zhì)形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述光學(xué)調(diào)節(jié)層包括形成在所述第一電極和所述公共空穴傳輸層之間的第一光學(xué)調(diào)節(jié)層，以及 所述第一光學(xué)調(diào)節(jié)層由與所述第一空穴傳輸層的空穴基質(zhì)和P型摻雜劑相同或不同的空穴基質(zhì)和P型慘雜劑形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述紅色子像素的所述第一光學(xué)調(diào)節(jié)層比所述綠色子像素的所述第一光學(xué)調(diào)節(jié)層具有更大的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述 P 型摻雜劑由 F4-TCNQ、I, 4-TCAQ、6，3-TCPQ、TCAQ, TCNTHPQ 或 TCNPQ 形成，以及 所述空穴基質(zhì)由NPB、PPD、TPAC, BFA-1T或TBDB形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述P型摻雜劑具有比所述空穴基質(zhì)的能級(jí)低的最低未占有分子軌道LUMO能級(jí)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，包括所述P型摻雜劑的所述第一空穴傳輸層和所述光學(xué)調(diào)節(jié)層占據(jù)所述多層式空穴傳輸層的10%到25%。
10.一種制造包括實(shí)現(xiàn)不同顏色的第一子像素、第二子像素和第三子像素的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，該方法包括以下步驟: 在基板上形成所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的第一電極； 在所述第一電極上形成多層式空穴傳輸層； 在所述空穴傳輸層上形成發(fā)光層； 在所述發(fā)光層上形成電子傳輸層；以及 在所述電子傳輸層上形成第二電極，其中，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的至少一個(gè)的所述多層式空穴傳輸層包括: 由空穴基質(zhì)和具有摻雜濃度1%到10%的P型摻雜劑形成的至少兩層的第一空穴傳輸層；以及 由所述空穴基質(zhì)形成的第二空穴傳輸層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中， 所述第一子像素是通過(guò)紅色發(fā)光層實(shí)現(xiàn)紅色的紅色子像素， 所述第二子像素是通過(guò)綠色發(fā)光層實(shí)現(xiàn)綠色的綠色子像素， 所述第三子像素是通過(guò)藍(lán)色發(fā)光層實(shí)現(xiàn)藍(lán)色的藍(lán)色子像素， 其中，形成所述紅色子像素、所述綠色子像素和所述藍(lán)色子像素的所述空穴傳輸層的步驟包括: 在所述紅色子像素和所述綠色子像素的所述第一電極上形成光學(xué)調(diào)節(jié)層；以及在所述紅色子像素、所述綠色子像素和所述藍(lán)色子像素形成多個(gè)公共空穴傳輸層，其中每個(gè)公共空穴傳輸層包括所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層，以及 通過(guò)利用遮板進(jìn)行沉積或掃掠來(lái)形成光學(xué)調(diào)節(jié)層、第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層中的至少一個(gè)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中， 形成每個(gè)光學(xué)調(diào)節(jié)層的步驟包括在所述第一電極和所述公共空穴傳輸層之間順序地形成第一光學(xué)調(diào)節(jié)層和第二光學(xué)調(diào)節(jié)層， 所述第一光學(xué)調(diào)節(jié)層由與所述第一空穴傳輸層的空穴基質(zhì)和P型摻雜劑相同或不同的空穴基質(zhì)和P型慘雜劑形成，以及 所述第二光學(xué)調(diào)節(jié)層由與所述第二空穴傳輸層的空穴基質(zhì)相同或不同的空穴基質(zhì)形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中， 形成每個(gè)光學(xué)調(diào)節(jié)層的步驟包括在所述第一電極和所述公共空穴傳輸層之間形成第一光學(xué)調(diào)節(jié)層，以及 所述第一光學(xué)調(diào)節(jié)層由與所述第一空穴傳輸層的空穴基質(zhì)和P型摻雜劑相同或不同的空穴基質(zhì)和P型慘雜劑形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的方法，其中，所述紅色子像素的所述第一光學(xué)調(diào)節(jié)層比所述綠色子像素的所述第一光學(xué)調(diào)節(jié)層具有更大的厚度。
15.根據(jù)權(quán)利要求10至13中任一項(xiàng)所述的方法，其中， 所述 P 型摻雜劑由 F4-TCNQ、I, 4-TCAQ、6，3-TCPQ、TCAQ, TCNTHPQ 或 TCNPQ 形成，以及 所述空穴基質(zhì)由NPB、PPD、TPAC, BFA-1T或TBDB形成。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK103915477SQ201310727093
【公開日】2014年7月9日 申請(qǐng)日期:2013年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月28日
【發(fā)明者】李熙東, 金官洙, 宋大權(quán), 樸鎮(zhèn)鎬, 尹成志, 林東赫 申請(qǐng)人:樂(lè)金顯示有限公司