有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。有機發(fā)光顯示裝置包括：在基板上彼此相對的第一電極和第二電極；在第一電極和第二電極之間形成的電荷產(chǎn)生層；第一發(fā)光單元，包括在第一電極和電荷產(chǎn)生層之間形成的第一發(fā)光層、從第一電極向第一發(fā)光層提供空穴的空穴傳輸層、以及從電荷產(chǎn)生層向第一發(fā)光層提供電子的第一電子傳輸層；以及第二發(fā)光單元，包括在第二電極和電荷產(chǎn)生層之間形成的第二發(fā)光層、從電荷產(chǎn)生層向第二發(fā)光層提供空穴的空穴傳輸層、以及從第二電極向第二發(fā)光層提供電子的第二電子傳輸層，其中，所述第一發(fā)光單元的空穴傳輸層的總厚度大于所述第二發(fā)光單元的空穴傳輸層的總厚度。
【專利說明】有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及具有增強的壽命和效率的有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]與最近的信息時代相一致，在視覺上顯示電子信息信號的顯示器領(lǐng)域已經(jīng)快速發(fā)展。為了滿足這種發(fā)展，開發(fā)了具有諸如厚度超薄、重量輕，以及低功耗的優(yōu)異性能的各種平板顯示裝置。
[0003]平板顯示裝置的示例包括但不限于，液晶顯示(IXD)裝置、等離子體顯示板(PDP)裝置、場發(fā)射顯示(FED)裝置，以及有機發(fā)光裝置(0LED)。
[0004]特別地，作為自發(fā)光裝置的OLED比其他平板顯示裝置具有更快的響應(yīng)時間、更高的發(fā)光效率、更高的亮度以及更寬的視角。
[0005]然而，OLED比其他平板顯示裝置具有更短的壽命和更低的效率。因此，需要提高OLED的壽命和效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]相應(yīng)地，本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法，其基本消除了由于相關(guān)技術(shù)的局限性和缺點而導(dǎo)致的一個或多個問題。
[0007]本發(fā)明的一個目的是提供一種具有增強的壽命和效率的有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
[0008]本發(fā)明的附加優(yōu)點、目的和特征將在接下來的說明書中部分地闡述并且對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在研究下文后將部分地變得明顯，或者可以通過本發(fā)明的實踐來了解。通過書面的說明書及其權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點。
[0009]為了實現(xiàn)上述目的和其他優(yōu)點，并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如這里所概括和寬泛描述的，一種有機發(fā)光顯示裝置包括:在基板上彼此相對的第一電極和第二電極；在所述第一電極和所述第二電極之間形成的電荷產(chǎn)生層；第一發(fā)光單兀，所述第一發(fā)光單兀包括在所述第一電極和所述電荷產(chǎn)生層之間形成的第一發(fā)光層、從所述第一電極向所述第一發(fā)光層提供空穴的空穴傳輸層、以及從所述電荷產(chǎn)生層向所述第一發(fā)光層提供電子的第一電子傳輸層；以及第二發(fā)光單元，所述第二發(fā)光單元包括在所述第二電極和所述電荷產(chǎn)生層之間形成的第二發(fā)光層、從所述電荷產(chǎn)生層向所述第二發(fā)光層提供空穴的空穴傳輸層、以及從所述第二電極向所述第二發(fā)光層提供電子的第二電子傳輸層，其中，所述第一發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的總厚度大于所述第二發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的總厚度。
[0010]所述第一發(fā)光單元的所述空穴傳輸層可以包括第一空穴傳輸層以及比所述第一空穴傳輸層薄的第二空穴傳輸層，并且所述第二發(fā)光單元的所述空穴傳輸層可以包括第三空穴傳輸層以及比所述第三空穴傳輸層薄的第四空穴傳輸層，其中，所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層的厚度之和大于所述第三空穴傳輸層和所述第四空穴傳輸層的厚度之和。
[0011 ] 所述第一空穴傳輸層的厚度可以大于所述第三空穴傳輸層的厚度。
[0012]所述第一空穴傳輸層可以具有700 A到1200 A的厚度，所述第二空穴傳輸層可以
具有150 A到250 A的厚度，所述第三空穴傳輸層可以具有250 A到350 A的厚度，所述第四空穴傳輸層可以具有100 A到150 A的厚度。
[0013]所述第一空穴傳輸層的空穴遷移率可以高于所述第二空穴傳輸層的空穴遷移率，并且所述第三空穴傳輸層的空穴遷移率可以高于所述第四空穴傳輸層的空穴遷移率。
[0014]所述第一空穴傳輸層的所述空穴遷移率可以高于所述第三空穴傳輸層的所述空穴遷移率。
[0015]所述有機發(fā)光顯示裝置還可以包括在所述第二發(fā)光單元的所述第二電子傳輸層上形成的第二電荷產(chǎn)生層以及在所述第二電荷產(chǎn)生層和所述第二電極之間形成的第三發(fā)光單元，其中，所述第三發(fā)光單元包括在所述第二電極和所述第二電荷產(chǎn)生層之間形成的第三發(fā)光層、從所述第二電荷產(chǎn)生層向所述第三發(fā)光層提供空穴的空穴傳輸層、以及向所述第三發(fā)光層提供電子的第三電子傳輸層，并且所述第一發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的總厚度大于所述第三發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的總厚度，并且所述第三發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的厚度大于所述第二發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的厚度。
[0016]所述第一發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的厚度可以大于1050 A小于1450 A，所述
第二發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的厚度可以在200 A至600 A之間，并且所述第三發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的厚度可以在800 A至1000 A之間。
[0017]所述第一發(fā)光層、所述第二發(fā)光層和所述第三發(fā)光層中的兩個發(fā)光層可以實現(xiàn)藍色，并且其中的另一個發(fā)光層可以實現(xiàn)綠色。
[0018]在本發(fā)明的另一方面，一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法包括以下步驟:在基板上形成第一電極；在所述第一電極上形成第一發(fā)光單元，其中，所述第一發(fā)光單元包括第一發(fā)光層、從所述第一電極向所述第一發(fā)光層提供空穴的空穴傳輸層、以及向所述第一發(fā)光層提供電子的第一電子傳輸層；在所述第一發(fā)光單元上形成向所述第一電子傳輸層提供電子的電荷產(chǎn)生層；在所述電荷產(chǎn)生層上形成第二發(fā)光單元，其中，所述第二發(fā)光單元包括第二發(fā)光層、從所述電荷產(chǎn)生層向所述第二發(fā)光層提供空穴的空穴傳輸層、以及向所述第二發(fā)光層提供電子的第二電子傳輸層；以及在所述第二發(fā)光單元上形成向所述第二電子傳輸層提供電子的第二電極，其中，所述第一發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的總厚度大于所述第二發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的總厚度。
[0019]所述方法還可以包括:在所述第二發(fā)光單元上形成向所述第二電子傳輸層提供電子的第二電荷產(chǎn)生層，以及在所述第二電荷產(chǎn)生層上形成第三發(fā)光單元，其中，所述第三發(fā)光單元包括第三發(fā)光層、從所述第二電荷產(chǎn)生層向所述第三發(fā)光層提供空穴的空穴傳輸層、以及向所述第三發(fā)光層提供電子的第三電子傳輸層，其中，所述第一發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的厚度大于所述第三發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的厚度，并且所述第三發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的厚度大于所述第二發(fā)光單元的空穴傳輸層的厚度。
[0020]應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的上述一般描述和下述詳細描述是示例性和說明性的，且旨在提供所要求保護的本發(fā)明的進一步解釋。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]附圖被包括在本說明書中以提供對本發(fā)明的進一步理解，并結(jié)合到本說明書中且構(gòu)成本說明書的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實施方式，且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。附圖中:
[0022]圖1為根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的截面圖；
[0023]圖2為例示了圖1所示的有機發(fā)光顯示裝置的能帶圖；
[0024]圖3為用于說明根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法的流程圖；
[0025]圖4為根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的截面圖；
[0026]圖5為例示了圖4所示的有機發(fā)光顯示裝置的能帶圖；
[0027]圖6為例示了由圖4和圖5所示的第一發(fā)光層、第二發(fā)光層以及第三發(fā)光層所產(chǎn)生的綠光和藍光的電致發(fā)光強度；
[0028]圖7A和7B為用于說明圖4的所述有機發(fā)光顯示裝置的電致發(fā)光峰值的曲線圖；
[0029]圖8為用于說明根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法的流程圖；以及
[0030]圖9為根據(jù)本發(fā)明的第一或第二實施方式的包括濾色器的有機發(fā)光顯示裝置的截面圖。
【具體實施方式】
[0031]下面將詳細描述本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，在附圖中例示出了其示例。在可能的情況下，相同的標號在整個附圖中代表相同或類似部件。
[0032]之后，將參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細描述。
[0033]圖1為根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的截面圖。圖2為例示了圖1所示的有機發(fā)光顯示裝置的能帶圖。
[0034]參考圖1和圖2，所述有機發(fā)光裝置包括彼此相對的第一電極102和第二電極104,設(shè)置于所述第一電極102和所述第二電極104之間的第一發(fā)光單兀110和第二發(fā)光單元120，以及設(shè)置于所述第一發(fā)光單元110和所述第二發(fā)光單元120之間的電荷產(chǎn)生層130。在本實施方式中，形成了兩個發(fā)光單元，但是并不限于這種實施方式。也就是說，可以形成三個或者更多的發(fā)光單元。
[0035]所述第一電極102和所述第二電極104中的任何一個形成為半透明電極并且這兩個電極中的另一個形成為反射電極。當(dāng)所述第一電極102為半透明電極并且所述第二電極104為反射電極時，所述有機發(fā)光顯示裝置被實施為在底部方向發(fā)光的底部發(fā)光類型。當(dāng)所述第二電極104為半透明電極并且所述第一電極102為反射電極時，所述有機發(fā)光顯示裝置被實施為在頂部方向發(fā)光的頂部發(fā)光類型。在本發(fā)明中，將作為陽極的所述第一電極102形成為反射電極并且將作為陰極的所述第二電極104形成為半透明電極的情況作為示例進行描述。
[0036]所述第一電極102被形成為包括由鋁(AL)或鋁合金(例如，ALNd)所形成的金屬層以及由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)等所形成的透明層的多層并且作為反射電極。
[0037]所述第二電極104形成為單層或多層，并且構(gòu)成所述第二電極104的每一層由金屬、無機材料、金屬混合物、金屬和無機材料的混合物，或者前述物質(zhì)的混合物而形成。當(dāng)每一層由金屬和無機材料的混合物形成時，它們的混合比率為10:1至1:10并且，當(dāng)每一層由金屬混合物形成時，它們的混合比率為10:1至1:10。構(gòu)成所述第二電極104的金屬可以是Ag、Mg、Yb、Li或Ca,構(gòu)成所述第二電極104的所述無機材料可以是Li20、CaO、LiF或MgF2,并且所述金屬和所述無機材料促進了電子的遷移并且從而使得大量電子能夠提供給發(fā)光層 110。
[0038]所述電荷產(chǎn)生層130產(chǎn)生并分離η型電荷，即電子，以及ρ型電荷，即空穴。針對這個操作，所述電荷產(chǎn)生層130包括在所述第一發(fā)光單元110的第一電子傳輸層118上形成的N型電荷產(chǎn)生層130a以及在所述第二發(fā)光單元120的第三空穴傳輸層124a下面形成的P型電荷產(chǎn)生層130b。所述N型電荷產(chǎn)生層130a將電子注入到所述第一發(fā)光單元110，并且所注入的電子和從所述第一電極102傳送的空穴在所述第一發(fā)光單兀110的第一發(fā)光層116中結(jié)合，形成激子并且釋放能量，從而發(fā)射可見光。所述P型電荷產(chǎn)生層130b將空穴注入到所述第二發(fā)光單元120，并且所注入的空穴和從所述第二電極104傳送的電子在第二發(fā)光層126中結(jié)合，形成激子并且釋放能量，從而發(fā)射可見光。
[0039]在這點上,所述第一發(fā)光層116可以包括藍色突光摻雜物和基質(zhì)以發(fā)射藍光，并且所述第二發(fā)光層126可以包括黃-綠磷光摻雜物和基質(zhì)來發(fā)射橙光，這使得能夠發(fā)射白光。此外，可以使用其他熒光摻雜物和磷光摻雜物來產(chǎn)生白光。
[0040]所述第一發(fā)光單元110在所述第一電極102和所述電荷產(chǎn)生層130之間形成。所述第一發(fā)光單元110包括在所述第一電極102上順序地形成的空穴注入層112、第一空穴傳輸層114a和第二空穴傳輸層114b、所述第一發(fā)光層116,以及第一電子傳輸層118。所述第一空穴傳輸層114a和所述第二空穴傳輸層114b從所述第一電極102向所述第一發(fā)光層116提供空穴,所述第一電子傳輸層118從所述電荷產(chǎn)生層130向所述第一發(fā)光層116提供電子，并且經(jīng)由所述第一空穴傳輸層114a和所述第二空穴傳輸層114b提供的所述空穴以及經(jīng)由所述第一電子傳輸層118提供的所述電子在所述第一發(fā)光層116中結(jié)合，從而發(fā)光。
[0041]具體地，所述第一空穴傳輸層114a從所述第一電極102向所述第二空穴傳輸層114b提供空穴并且控制從所述第一發(fā)光單元110產(chǎn)生的藍光的腔(cavity)。所述第一空穴傳輸層114a由根據(jù)厚度在空穴遷移率(5.0X10_3Vs/cm2)上具有較少變化的材料形成。例如，所述第一空穴傳輸層114a由從紅熒烯(rubrene)、NPB, TBP、TAPC, TCTA和2-TMATA
中選擇的至少一種材料形成。在這點上，所述第一空穴傳輸層114a具有大約700 A至大約
1200 A的厚度。
[0042]所述第二空穴傳輸層114b從所述第一空穴傳輸層114a向所述第一發(fā)光層116提供空穴并且控制從所述第一發(fā)光單元110產(chǎn)生的藍光的腔。此外，所述第二空穴傳輸層114b阻擋提供到所述第一發(fā)光層116的電子。在這點上，所述第二空穴傳輸層114b由具有比所述第一空穴傳輸層114a更低的空穴遷移率的材料形成并且阻擋電子使得提供到所述第一發(fā)光層116的電子不會傳送至其他層并且在所述第一發(fā)光層116中與空穴結(jié)合。例如，所述第二空穴傳輸層114b由紅熒烯(rubrene)、NPB, TBP、TAPC, TCTA和2-TMATA中的至少一種形成。[0043]同時，由于所述第二空穴傳輸層114b的空穴遷移率低于所述第一空穴傳輸層114a的空穴遷移率，當(dāng)所述第二空穴傳輸層114b的厚度增加時，驅(qū)動電壓提高并且壽命縮短。因此，所述第二空穴傳輸層114b具有大約150 A至大約250 A的厚度，這比所述第一空穴傳輸層114a的厚度要小。
[0044]所述第二發(fā)光單元120在所述第二電極104和所述電荷產(chǎn)生層130之間形成。所述第二發(fā)光單元120包括在所述電荷產(chǎn)生層130上順序地形成的第三空穴傳輸層124a和第四空穴傳輸層124b、第二發(fā)光層126、以及第二電子傳輸層128。所述第三空穴傳輸層124a和所述第四空穴傳輸層124b從所述電荷產(chǎn)生層130向所述第二發(fā)光層126提供空穴，所述第二電子傳輸層128從所述第二電極104向所述第二發(fā)光層126提供電子，并且經(jīng)由所述第三空穴傳輸層124a和所述第四空穴傳輸層124b提供的空穴和經(jīng)由所述第二電子傳輸層128提供的電子在所述第二發(fā)光層126中結(jié)合,從而產(chǎn)生光。
[0045]具體地，所述第三空穴傳輸層124a從所述電荷產(chǎn)生層130向所述第四空穴傳輸層124b提供空穴并且控制從所述第二發(fā)光單元120產(chǎn)生的橙光的腔。由于從所述電荷產(chǎn)生層130傳送的空穴被注入所述第三空穴傳輸層124a并且因而所述第三空穴傳輸層124a由具有比所述第一空穴傳輸層114a和所述第二空穴傳輸層114b更高的空穴遷移率的材料形成。例如，所述第三空穴傳輸層124a由從紅熒烯(rubrene )、NPB、TBP、TAPC、TCTA和2-TMATA
中選擇的至少一種材料形成。在這點上，所述第三空穴傳輸層124a具有大約250 A至大約350 A的厚度。
[0046]所述第四空穴傳輸層124b從所述第三空穴傳輸層124a向所述第二發(fā)光層126提供空穴并且控制從所述第二發(fā)光單元120產(chǎn)生的橙光的腔。此外，所述第四空穴傳輸層124b具有比所述第二發(fā)光層126更高的三重態(tài)能級Tl (例如2.5)以便于阻擋提供到所述第二發(fā)光層126的電子。
[0047]在這點上，所述第四空穴傳輸層124b由具有比所述第三空穴傳輸層124a更低的空穴遷移率的材料形成。例如，所述第四空穴傳輸層124b由紅熒烯(rubrene)、NPB、TBP、TAPC、TCTA和2-TMATA中的至少一種形成。同時，由于所述第四空穴傳輸層124b的空穴遷移率低于所述第三空穴傳輸層124a的空穴遷移率，當(dāng)所述第四空穴傳輸層124b的厚度增加時，驅(qū)動電壓增加并且壽命縮短。因此，所述第四空穴傳輸層124b具有大約100 A至大約150 A的厚度，這比所述第三空穴傳輸層124a的厚度要小。
[0048]在根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的有機發(fā)光顯不裝置中，所述第一空穴傳輸層114a、所述第二空穴傳輸層114b、所述第三空穴傳輸層124a和所述第四空穴傳輸層124b的厚度滿足下面所示的公式I的條件。
[0049]公式I
[0050]TTl ( = T1+T2) > TT2 ( = T3+T4)
[0051]在公式I中，Tl表不所述第一空穴傳輸層114a的厚度，T2表不所述第二空穴傳輸層114b的厚度，T3表示所述第三空穴傳輸層124a的厚度，T4表示所述第四空穴傳輸層124b的厚度，TTl表示所述第一空穴傳輸層114a和所述第二空穴傳輸層114b的厚度之和， P，所述第一發(fā)光單兀110的空穴傳輸層的總厚度，并且TT2表不所述第三空穴傳輸層124a和所述第四空穴傳輸層124b的厚度之和，即，所述第二發(fā)光單元120的空穴傳輸層的總厚度。
[0052]當(dāng)滿足公式I所示的條件時，從所述第一發(fā)光單元110產(chǎn)生的藍光以及從所述第二發(fā)光單元120產(chǎn)生的橙光中的每一個引起相長干涉并且因此優(yōu)化發(fā)光效率，從而導(dǎo)致增強的視角。
[0053]下表1示出了根據(jù)所述第一空穴傳輸層114a和所述第二空穴傳輸層114b的厚度的比較例結(jié)構(gòu)和實施例結(jié)構(gòu)的電壓(V)、色坐標(CIE_x，CIE_y)以及效率(cd/A)的測量結(jié)果，并且表2示出了根據(jù)所述第三空穴傳輸層124a和所述第四空穴傳輸層124b的厚度的比較例結(jié)構(gòu)和實施例結(jié)構(gòu)的電壓(V)、色坐標(CIE_x，CIE_y)以及效率的測量結(jié)果。在表1和表2中，HTLl、HTL2、HTL3以及HTL4分別表示所述第一空穴傳輸層114a、所述第二空穴傳輸層114b、所述第三空穴傳輸層124a和所述第四空穴傳輸層124b。
[0054]表1
[0055]
【權(quán)利要求】
1.一種有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置包括: 在基板上彼此相對的第一電極和第二電極； 在所述第一電極和所述第二電極之間形成的電荷產(chǎn)生層； 第一發(fā)光單兀，所述第一發(fā)光單兀包括在所述第一電極和所述電荷產(chǎn)生層之間形成的第一發(fā)光層、從所述第一電極向所述第一發(fā)光層提供空穴的空穴傳輸層、以及從所述電荷產(chǎn)生層向所述第一發(fā)光層提供電子的第一電子傳輸層；以及 第二發(fā)光單元，所述第二發(fā)光單元包括在所述第二電極和所述電荷產(chǎn)生層之間形成的第二發(fā)光層、從所述電荷產(chǎn)生層向所述第二發(fā)光層提供空穴的空穴傳輸層、以及從所述第二電極向所述第二發(fā)光層提供電子的第二電子傳輸層， 其中，所述第一發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的總厚度大于所述第二發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的總厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一發(fā)光單元的所述空穴傳輸層包括第一空穴傳輸層以及比所述第一空穴傳輸層薄的第二空穴傳輸層，并且所述第二發(fā)光單元的所述空穴傳輸層包括第三空穴傳輸層以及比所述第三空穴傳輸層薄的第四空穴傳輸層，其中，所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層的厚度之和大于所述第三空穴傳輸層和所述第四空穴傳輸層的厚度之和。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一空穴傳輸層的厚度大于所述第三空穴傳輸層的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一空穴傳輸層具有700A到1200 A的厚度，所述第二空穴傳輸層具有150 A到250 A的厚度，所述第三空穴傳輸層具有250 A到350 A的厚度，所述第四空穴傳輸層具有100 A到150 A的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一空穴傳輸層的空穴遷移率高于所述第二空穴傳輸層的空穴遷移率，并且所述第三空穴傳輸層的空穴遷移率高于所述第四空穴傳輸層的空穴遷移率。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一空穴傳輸層的所述空穴遷移率高于所述第三空穴傳輸層的所述空穴遷移率。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置還包括在所述第二發(fā)光單元的所述第二電子傳輸層上形成的第二電荷產(chǎn)生層以及在所述第二電荷產(chǎn)生層和所述第二電極之間形成的第三發(fā)光單元， 其中，所述第三發(fā)光單元包括在所述第二電極和所述第二電荷產(chǎn)生層之間形成的第三發(fā)光層、從所述第二電荷產(chǎn)生層向所述第三發(fā)光層提供空穴的空穴傳輸層、以及向所述第三發(fā)光層提供電子的第三電子傳輸層 ，并且 所述第一發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的總厚度大于所述第三發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的總厚度，并且所述第三發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的厚度大于所述第二發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的厚度大于1050 A小于:1450 A，所述第二發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的厚度在200 A至600 A之間，并且所述第三發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的厚度在800 A至1000 A之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一發(fā)光層、所述第二發(fā)光層和所述第三發(fā)光層中的兩個發(fā)光層實現(xiàn)藍色，并且其中的另一個發(fā)光層實現(xiàn)綠色。
10.一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括以下步驟: 在基板上形成第一電極； 在所述第一電極上形成第一發(fā)光單元，其中，所述第一發(fā)光單元包括第一發(fā)光層、從所述第一電極向所述第一發(fā)光層提供空穴的空穴傳輸層、以及向所述第一發(fā)光層提供電子的第一電子傳輸層； 在所述第一發(fā)光單元上形成向所述第一電子傳輸層提供電子的電荷產(chǎn)生層； 在所述電荷產(chǎn)生層上形成第二發(fā)光單元，其中，所述第二發(fā)光單元包括第二發(fā)光層、從所述電荷產(chǎn)生層向所述第二發(fā)光層提供空穴的空穴傳輸層、以及向所述第二發(fā)光層提供電子的第二電子傳輸層；以及 在所述第二發(fā)光單元上形成向所述第二電子傳輸層提供電子的第二電極， 其中，所述第一發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的總厚度大于所述第二發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的總厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第一發(fā)光單元的所述空穴傳輸層包括第一空穴傳輸層以及比所述第一空穴傳輸層薄的第二空穴傳輸層，并且所述第二發(fā)光單元的所述空穴傳輸層包括第三空穴傳輸層以及比所述第三空穴傳輸層薄的第四空穴傳輸層，其中，所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層的厚度之和大于所述第三空穴傳輸層和所述第四空穴傳輸層的厚度之和。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第一空穴傳輸層的厚度大于所述第三空穴傳輸層的厚度。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第一空穴傳輸層具有700A ;到1200 A的厚度，所述第二空穴傳輸層具有150 A到250 A的厚度，所述第三空穴傳輸層具有250 A到35U A的厚度，所述第四空穴傳輸層具有100 A到150 A的厚度。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第一空穴傳輸層的空穴遷移率高于所述第二空穴傳輸層的空穴遷移率，并且所述第三空穴傳輸層的空穴遷移率高于所述第四空穴傳輸層的空穴遷移率。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述第一空穴傳輸層的所述空穴遷移率高于所述第三空穴傳輸層的所述空穴遷移率。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，所述方法還包括:在所述第二發(fā)光單元上形成向所述第二電子傳輸層提供電子的第二電荷產(chǎn)生層，以及在所述第二電荷產(chǎn)生層上形成第三發(fā)光單元， 其中，所述第三發(fā)光單元包括第三發(fā)光層、從所述第二電荷產(chǎn)生層向所述第三發(fā)光層提供空穴的空穴傳輸層、以及向所述第三發(fā)光層提供電子的第三電子傳輸層， 其中，所述第一發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的厚度大于所述第三發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的厚度，并且所述第三發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的厚度大于所述第二發(fā)光單元的空穴傳輸層的厚度。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述第一發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的厚度大于1050 A小于1450 A,所述第二發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的厚度在200 A至600 A之間，并且所述第三發(fā)光單元的所述空穴傳輸層的厚度在800 A至1000 A之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述第一發(fā)光層、所述第二發(fā)光層和所述第三發(fā)光層中的兩個 發(fā)光層實現(xiàn)藍色，并且其中的另一個發(fā)光層實現(xiàn)綠色。
【文檔編號】H01L51/56GK103915569SQ201310726985
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2013年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月28日
【發(fā)明者】許晶行, 徐正大 申請人:樂金顯示有限公司