半導體裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的實施方式提供通過抑制裂紋的發(fā)生來提高可靠性的半導體裝置。實施方式的半導體裝置具備：具有電極襯墊11的半導體芯片1；設置在半導體芯片1上，具有使電極襯墊11的至少一部分露出的開口部30的絕緣樹脂層3；具有連接襯墊41，以與電極襯墊11電連接的方式設置在絕緣樹脂層3上的布線層4；設置在絕緣樹脂層3上及布線層4上，具有使連接襯墊41的一部分露出的開口部52和覆蓋連接襯墊41的周緣的被覆部51的絕緣樹脂層5；在開口部30與連接襯墊41電連接的外部連接端子6。被覆部51的寬度為連接襯墊41的直徑的2.5%以上。
【專利說明】半導體裝置
[0001] 相關申請
[0002] 本申請以日本專利申請2013-187776號（申請日：2013年9月10日）作為基礎 申請，享受優(yōu)先權。本申請通過參照該基礎申請，包含該基礎申請的全部內容。

【技術領域】
[0003] 本發(fā)明的實施方式涉及半導體裝置。

【背景技術】
[0004] 作為半導體裝置的封裝構造之一，以晶片級形成封裝構造的半導體封裝（Wafer levelChipScalePackage:WLCSP)實用化。WLCSP構造的半導體裝置的一例中，形成與半 導體芯片的電極襯墊（pad)電連接的再布線層，進行電極襯墊的再配置。具體地說，在半導 體芯片的電極襯墊上設置再布線層，在再布線層具有的連接襯墊上設置基底金屬層（Under BumpMetal:UBM)，在其上設置焊接凸起（bump)。此時，在連接襯墊上設置具有開口部的絕 緣樹脂層，該開口部中連接襯墊和基底金屬層電連接。通過采用WLCSP構造，可以實現(xiàn)例如 小型化、高密度安裝化、低成本化等。另外，通過采用將外部連接端子設置到半導體芯片的 平面區(qū)域的外側的所謂扇出（fanout)型的WLCSP構造，也可以增加外部連接端子數(shù)。
[0005] WLCSP構造的半導體裝置中，存在再布線層容易導致裂紋發(fā)生的問題。特別是熱循 環(huán)試驗（TCT)等的可靠性試驗實施時，例如由于再布線層和絕緣樹脂層的熱膨脹系數(shù)的差 異，存在連接襯墊和絕緣樹脂層的界面剝離、裂紋容易以界面的剝離為起點擴展的問題。裂 紋發(fā)生導致布線斷裂等成為可靠性降低的要因，因此尋求抑制裂紋發(fā)生的方法。


【發(fā)明內容】

[0006] 本發(fā)明解決的課題是提供通過抑制裂紋的發(fā)生可以進一步提高可靠性的半導體 裝直。
[0007] 實施方式的半導體裝置具備：具有電極襯墊的半導體芯片；第1絕緣樹脂層，其以 使半導體芯片的具有電極襯墊的面的至少一部分露出的方式，埋入有半導體芯片；第2絕 緣樹脂層，其設置在半導體芯片及第1絕緣樹脂層上，具有使電極襯墊的至少一部分露出 的第1開口部；布線層，其具有連接襯墊，以在第1開口部中與電極襯墊電連接的方式，設置 在第2絕緣樹脂層上；第3絕緣樹脂層，其設置在第2絕緣樹脂層及布線層上，具有使連接 襯墊的一部分露出的第2開口部和覆蓋連接襯墊的周緣的被覆部；以及外部連接端子，其 在第2開口部中與連接襯墊電連接。被覆部的寬度為連接襯墊的直徑的2. 5%以上。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008] 圖I(A)和⑶是表示第1實施方式的半導體裝置的俯視圖及截面圖。
[0009] 圖2是放大表示圖I(B)所示半導體裝置的一部分的截面圖。
[0010] 圖3是表示圖1所示半導體裝置的制造工序的截面圖。
[0011] 圖4是表示圖1所示半導體裝置的制造工序的截面圖。
[0012] 圖5是表示圖1所示半導體裝置的制造工序的截面圖。
[0013] 圖6是表示圖1所示半導體裝置的制造工序的截面圖。
[0014] 圖7是表示第2實施方式的半導體裝置的俯視圖及截面圖。
[0015] 圖8是表示圖7所示半導體裝置的制造工序的截面圖。
[0016] 圖9是表示圖7所示半導體裝置的制造工序的截面圖。
[0017] 標號說明：
[0018] 1半導體芯片，2絕緣樹脂層，3絕緣樹脂層，4布線層，5絕緣樹脂層，6外部連接端 子，7金屬板，8絕緣樹脂層，10半導體基板，11電極襯墊，12鈍化膜，30開口部，41連接襯 墊，51被覆部，52開口部，61基底金屬層，62凸起，70開口部，111支撐基板，112支撐基板， 113支撐基板

【具體實施方式】
[0019] 以下，參照【專利附圖】

【附圖說明】實施方式的半導體裝置。另外，各實施方式中，實質相同的構 成部位附上同一標號，說明省略。但是，附圖是示意，厚度和平面尺寸的關系、各層的厚度的 比率等因現(xiàn)實而異。說明中表示上下等的方向用語在沒有特別說明的情況下，指以后述半 導體基板的電路形成面?zhèn)葹樯蠒r的相對方向，可能不同于以重力加速度方向為基準的現(xiàn)實 方向。
[0020] (第1實施方式）
[0021] 圖1是第1實施方式的半導體裝置的示圖，圖I(A)是俯視圖，圖I(B)是圖I(A) 的線段A-B中的截面圖。另外，圖2是圖I(B)所示半導體裝置的一部分（區(qū)域20)的放大 截面圖。圖1及圖2中，說明扇出型的半導體裝置。
[0022] 〈半導體裝置的構造例〉
[0023] 圖I(A)及圖I(B)所示半導體裝置具備半導體芯片1、將半導體芯片1埋入的絕緣 樹脂層2、設置在半導體芯片1及絕緣樹脂層2上的絕緣樹脂層3、設置在絕緣樹脂層3上 的再布線層4、設置在絕緣樹脂層3及再布線層4上的絕緣樹脂層5、與布線層4電連接的 外部連接端子6。而且，如圖I(B)所示，在絕緣樹脂層2的沒有設置半導體芯片1的面也可 以設置金屬板7。通過設置金屬板7,可以抑制半導體裝置的翹曲。而且，在金屬板7上也 可以設置絕緣樹脂層。
[0024] 半導體芯片1具有在具有半導體元件的半導體基板10上設置的電極襯墊11。電 極襯墊11采用例如鋁。而且，半導體芯片1具有設置在半導體基板10上的鈍化膜12。鈍 化膜12采用例如氮化硅膜。鈍化膜12設置在電極襯墊11上，在鈍化膜12形成開口部。另 夕卜，也可以在鈍化膜12上設置聚酰亞胺等的有機膜。
[0025] 絕緣樹脂層2設置成使半導體芯片1的電極襯墊11的設置面的至少一部分露出。 絕緣樹脂層2的彈性模量（楊氏模量）優(yōu)選在例如0. 03GPa以上且5GPa以下程度。彈性 模量不足〇.〇3GPa時，有熱循環(huán)試驗（TCT)容易產(chǎn)生裂紋，布線容易斷線的情況。彈性模量 超過5GPa時，TCT使外部連接端子6的壽命變短。另外，有半導體裝置的翹曲大的情況。而 且，為了增大彈性模量，不得不增加填入絕緣樹脂層2的填料量，絕緣樹脂層2的流動性降 低。
[0026] 絕緣樹脂層2的熱膨脹系數(shù)優(yōu)選在例如25ppm以上且300ppm以下程度。熱膨脹系 數(shù)不足25ppm時，TCT導致外部連接端子的壽命變短。另外，必須增加填入樹脂的填料量，因 此有彈性模量變大，半導體裝置的翹曲變大的情況。另外，熱膨脹系數(shù)超過300ppm時，TCT 試驗進行時容易在絕緣樹脂層2產(chǎn)生裂紋，布線容易斷線。
[0027] 絕緣樹脂層2的厚度優(yōu)選在例如100μm以上且Imm以下程度。厚度不足100μm 時，可能無法充分保護半導體芯片1。另外，厚度超過Imm時，有絕緣樹脂層2的翹曲大的情 況。絕緣樹脂層2可以采用例如環(huán)氧樹脂、硅樹脂、環(huán)氧樹脂/硅樹脂的混合樹脂、丙烯酸 樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂或苯酚樹脂等。另外，上述樹脂不僅可以采用液狀樹脂，也 可以采用薄膜狀樹脂和/或片狀樹脂（例如片狀的堆積薄膜和/或片狀的環(huán)氧樹脂）等。
[0028] 絕緣樹脂層3如圖2所示，具有使半導體芯片1的電極襯墊11的至少一部分露出 的開口部30。開口部30的直徑為例如50μm程度。絕緣樹脂層3的厚度優(yōu)選在例如2μm 以上且20μm以下程度。另外，絕緣樹脂層3的彈性模量優(yōu)選在例如0. 03GPa以上且5GPa 以下程度。彈性模量不足〇. 〇3GPa時，有TCT容易導致在絕緣樹脂層3產(chǎn)生裂紋，布線容易 斷線的情況。另外，彈性模量超過5GPa時，有樹脂過硬，半導體裝置的翹曲增大的情況。絕 緣樹脂層3可以采用例如環(huán)氧樹脂、硅樹脂、環(huán)氧樹脂/硅樹脂的混合樹脂、丙烯酸樹脂、聚 酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂或苯酚樹脂等。另外，上述樹脂不僅可以采用液狀樹脂，也可以采 用薄膜狀樹脂和/或片狀樹脂（例如片狀的堆積薄膜和/或片狀的環(huán)氧樹脂）等。
[0029] 作為布線層4的具體例，有再配置電極襯墊11的再布線層。布線層4如圖2所示， 與開口部30中的電極襯墊11電連接。而且，布線層4具有連接襯墊41。另外，圖2中，也 圖示了布線層4的頂面的一部分，頂面中，連接襯墊41為圓形，但是不限于此。布線層4的 熱膨脹系數(shù)優(yōu)選在例如4ppm以上且25ppm以下程度。為了用作布線層4而制作不足4ppm 的金屬材料是困難的。超過25ppm的金屬材料中，由于與樹脂的熱膨脹系數(shù)差，粘附性降 低。布線層4可以采用例如銅、鈦、氮化鈦、鉻、鎳、金或鈀等的層。另外，也可以由上述材料 層的層疊構成布線層4。另外，布線層也可以設為2層以上。例如，設置2層的布線層時，在 第1層的布線層形成后，在第1層的布線層上設置具有開口部的絕緣樹脂層，在絕緣樹脂層 上設置第2層的布線層，在開口部中將第2層的布線層與第1層的布線層電連接。
[0030] 絕緣樹脂層5如圖2所示，具有覆蓋連接襯墊41的周緣的被覆部51和使連接襯 墊41的一部分露出的開口部52。而且，被覆部51的寬度（Dl)優(yōu)選在連接襯墊41的直徑 (D2)的2. 5%以上（被覆率D1/D2彡2. 5%)。布線層4的熱膨脹系數(shù)往往比絕緣樹脂層5 等的絕緣樹脂層的熱膨脹系數(shù)小得多。因此，被覆部51的寬度（Dl)比2. 5%窄時，由于布 線層4和絕緣樹脂層5的熱膨脹系數(shù)差的影響，在布線層4和絕緣樹脂層5的界面容易產(chǎn) 生剝離，裂紋容易以該剝離部分為起點而擴展。對此，通過使被覆部51的寬度（Dl)為2. 5% 以上，可以抑制布線層4和絕緣樹脂層5的界面剝離，抑制裂紋的發(fā)生。因此，可以提高半 導體裝置的可靠性。
[0031] 另外，連接襯墊41在與半導體芯片1垂直的方向中，優(yōu)選在不與電極襯墊11重疊 的位置配置。設置了電極襯墊11的部分為臺階部，因此，在其上形成連接襯墊41時，產(chǎn)生臺 階。這樣的臺階部中，TCT時，由于半導體基板10、絕緣樹脂層3及布線層4的熱膨脹系數(shù) 差，應力集中到臺階部，裂紋容易發(fā)生。特別地，臺階超過2.5μπι時，裂紋的發(fā)生顯著。從 而，優(yōu)選以不與臺階超過2μm的該臺階部重疊的方式，配置連接襯墊41。而且，由于在半導 體芯片1上設置有機膜而產(chǎn)生臺階部時，也優(yōu)選以不與超過2μm的該臺階部重疊的方式， 配置連接襯墊41。從而，可以提高半導體裝置的可靠性。
[0032] 絕緣樹脂層5的彈性模量優(yōu)選在例如0. 03GPa以上且5GPa以下程度。例如，彈性 模量不足〇. 〇3GPa時，由于TCT，容易產(chǎn)生裂紋，布線容易斷線。另外，彈性模量超過5GPa 時，有絕緣樹脂層5過硬，半導體裝置的翹曲變大的情況。絕緣樹脂層5可以采用適于絕緣 樹脂層2的樹脂。
[0033] 外部連接端子6在開口部52中與連接襯墊41電連接。外部連接端子6具有設置 在連接襯墊41上的基底金屬層61和設置在基底金屬層61上的金屬凸起62。另外，不限于 此，也可以例如不設置基底金屬層61，直接在連接襯墊41上設置金屬凸起62?；捉饘賹?61可以采用例如銅、鈦、氮化鈦、鉻、鎳、金或鈀等的層。另外，也可以通過上述材料層的層疊 構成基底金屬層61。金屬凸起62可以采用例如金凸起或焊接凸起,作為焊接凸起的一例， 可以采用錫-銀系、錫-銀-銅系、錫-銅系的無鉛焊接。另外，外部連接端子6的構造不 限于采用金屬凸起62的構造，也可以采用例如凸臺（land)類型的外部連接端子等的其他 構造。
[0034] 而且，基底金屬層61的直徑（D3)優(yōu)選比連接襯墊41的直徑（D2)小。基底金屬 層61的直徑比連接襯墊的直徑大時，由于半導體基板10和絕緣樹脂層2、絕緣樹脂層3及 絕緣樹脂層5的熱膨脹系數(shù)差，應力集中到基底金屬層61的端部，裂紋容易發(fā)生。相對地， 通過使基底金屬層61的直徑（D3)比連接襯墊41的直徑（D2)小，連接襯墊41成為支點， 可以抑制應力集中到基底金屬層61的端部，可以抑制裂紋的發(fā)生。因此可以提高半導體裝 置的可靠性。
[0035] 另外，設置圖I(B)所示金屬板7時，金屬板7可以采用例如銅、鎳、鉻、鐵或這些的 混合材料（例如42合金等）的金屬板。金屬板7的厚度優(yōu)選在例如50μm以上且500μm 以下程度。厚度不足50μm時，半導體裝置的翹曲大，厚度超過500μm時，半導體裝置可能 過厚。
[0036]〈半導體裝置的制造方法例〉
[0037] 接著，參照圖3到圖6說明第1實施方式中的半導體裝置的制造方法例。圖3到 圖6是半導體裝置的制造工序的截面圖。
[0038] 首先如圖3(A)所示，在支撐基板111上配置半導體芯片1。這里，準備12英寸的 半導體晶片，在半導體晶片，與半導體元件隔著100μm間距形成電極襯墊11。而且，切削半 導體晶片的背面直到半導體晶片的厚度為IOOym程度，通過劃片，制作半導體芯片1。支撐 基板111可以采用例如硅基板、玻璃基板、藍寶石基板、印刷基板或金屬基板等。支撐基板 111的厚度優(yōu)選在例如〇. 3mm以上且2mm以下程度。
[0039] 半導體芯片1的配置工序中，可以采用例如芯片裝配器在支撐基板111配置半導 體芯片1。此時，優(yōu)選在支撐基板111形成粘接層（未圖示），在該粘接層上配置半導體芯片 1。粘接層可以采用例如熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯（PET)樹脂、其 他通過熱膨脹可剝離的樹脂等，例如聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰胺樹脂等。 另外，上述樹脂不僅可以采用液狀樹脂，也可以采用薄膜狀樹脂和/或片狀樹脂。粘接層的 厚度優(yōu)選在例如10μm以上且200μm以下程度。厚度不足10μm時，半導體芯片1的粘接 性降低，厚度超過200μm時，粘接層的平坦性降低。
[0040] 而且如圖3(A)所示，以覆蓋半導體芯片1的方式形成絕緣樹脂層2,在絕緣樹脂層 2貼合金屬板7。例如，可以通過使用模具的模鑄法或使用印刷掩模的印刷法等，形成絕緣 樹脂層2。此時，調節(jié)材料、厚度等，以成為期望的彈性模量或熱膨脹系數(shù)。而且，在形成金 屬板7的場合，也可以例如在絕緣樹脂層2為半硬化狀態(tài)時通過按壓并粘附金屬板7來貼 合金屬板7。
[0041] 接著，如圖3(B)所示，剝離支撐基板111。例如，采用粘附性弱的粘接劑在支撐基 板111配置半導體芯片1等時，可以通過在支撐基板111和絕緣樹脂層2之間插入刀具等 來剝離支撐基板111。另外，在采用熱可塑性樹脂或熱膨脹可剝離的樹脂作為粘接層時，通 過加熱處理，可以剝離支撐基板111。另外，支撐基板111剝離后在半導體芯片1的表面殘 留樹脂時，優(yōu)選通過溶劑等除去。
[0042]而且如圖3(B)所示，在金屬板7貼合支撐基板112。支撐基板112可以采用例如 硅基板、玻璃基板、藍寶石基板、印刷基板或金屬基板等。支撐基板112的厚度優(yōu)選在例如 0.3mm以上且2mm以下程度。另外，也可以經(jīng)由粘接層貼合支撐基板112。此時，粘接層可 以采用半導體芯片1配置時適用的粘接層。另外，在支撐基板111剝離的狀態(tài)下剛性足夠 高時，也可以不必貼合支撐基板112。
[0043] 接著，如圖4(A)所示，在半導體芯片1上形成絕緣樹脂層3,通過除去絕緣樹脂層 3的一部分，形成開口部30。例如，用光刻技術在絕緣樹脂層3上的一部分形成光致抗蝕劑， 通過以該光致抗蝕劑作為掩模的蝕刻，可以在絕緣樹脂層3形成開口部30。為感光性絕緣 樹脂層時，可通過光刻技術直接形成開口。此時，設定開口部30的位置，使電極襯墊11的 至少一部分露出。
[0044] 接著，如圖4(B)所示，在絕緣樹脂層3上形成作為再布線層的布線層4。布線層4 的形成工序中，首先在絕緣樹脂層3上形成第1金屬膜。例如，可以通過采用濺射法、蒸鍍 法、電鍍法等在布線層4形成可適用材料的金屬膜，形成第1金屬膜。這里，作為一例，形成 厚度0. 03μm以上且0. 5μm以下的鈦膜,該鈦膜上形成厚度0. 1μm以上且I. 0μm以下的 銅膜。上述第1金屬膜起到種子層的功能。用光刻技術在第1金屬膜上形成厚度10μm的 光致抗蝕劑，在光致抗蝕劑形成L/S(LineandSpace，線寬/間距）=50/50μm的開口部。
[0045] 然后，在上述光致抗蝕劑的開口部形成厚度1μm以上且15μm以下的第2金屬 膜。這里，采用電鍍法形成厚度5μπι的銅膜。然后，除去光致抗蝕劑，通過以第2金屬膜為 掩模的蝕刻除去第1金屬膜的一部分，形成布線層4。銅膜的蝕刻液可以采用例如硫酸和過 氧化氫的混合液。另外，鈦膜的蝕刻液可以采用在例如氟化氫或過氧化氫的溶液中添加了 氫氧化鈣的混合液。
[0046] 接著如圖5 (A)所示，在布線層4上形成絕緣樹脂層5,用光刻技術在絕緣樹脂層5 上形成開口部52。此時，以布線層4的連接襯墊41的周緣以連接襯墊41的直徑的2. 5%以 上的寬度被絕緣樹脂層5覆蓋，連接襯墊41的一部分露出且在與半導體芯片1垂直的方向 上與電極襯墊11不重疊的方式，設定開口部52的直徑及位置。
[0047]接著如圖5(B)所示，在布線層4的連接襯墊41上形成基底金屬層61?；捉饘?層61的形成工序中，在絕緣樹脂層5上形成第3金屬膜。例如，可以通過采用濺射法、蒸鍍 法、電鍍法等形成可適用于基底金屬層61的材料的金屬膜，來形成第3金屬膜。這里，作為 一例，通過形成厚度〇. 03μm以上且0. 5μm以下的鈦膜和厚度0. 1μm以上且1μm以下的 銅膜，形成第3金屬膜。上述第3金屬膜起到種子層的功能。而且，用光刻技術在第3金屬 膜上形成厚度10μm的光致抗蝕劑，在該光致抗蝕劑形成直徑400μm的開口部，在該光致 抗蝕劑的開口部形成第4金屬膜。這里，通過采用電鍍法順序形成厚度3μm的銅膜和厚度 2μm的鎳膜和厚度0. 3μm的金膜，形成第4金屬膜。然后，除去光致抗蝕劑，通過以第4金 屬膜為掩模的蝕刻除去第3金屬膜的一部分，形成基底金屬層61。
[0048] 如圖6(A)所示，通過在基底金屬層61上形成金屬凸起62,形成外部連接端子6。 例如，在基底金屬層61上涂敷助焊劑（flux)后，搭載焊接球，放入回流爐使焊接球溶融，與 基底金屬層61接合。然后，通過溶劑和/或純水清洗除去助焊劑。
[0049] 接著如圖6 (B)所示，剝離支撐基板112。例如，用粘附性弱的粘接劑貼合支撐基板 112時，通過在支撐基板112和金屬板7之間插入刀具等可以剝離支撐基板112。另外，在 采用熱可塑性樹脂或熱膨脹可剝離的樹脂作為粘接層時，通過加熱處理可以剝離支撐基板 112。另外，支撐基板112剝離后在金屬板7的表面殘留樹脂時，優(yōu)選通過溶劑等除去。支 撐基板112剝離后，用切片機沿著劃片線進行劃片。通過以上的工序，可以制造第1實施方 式的半導體裝置。
[0050] 上述工序制造的半導體裝置在例如-55°C?150°C的TCT中，即使經(jīng)過2000循環(huán) 后，也不發(fā)生布線層4的斷線和/或絕緣樹脂層2、絕緣樹脂層3、絕緣樹脂層5等的裂紋。 另外，安裝后在_25°C?125°C的TCT中，即使經(jīng)過1000循環(huán)后，也不發(fā)生金屬凸起62的破 裂。
[0051] 而且，實際上，改變被覆部51的寬度（Dl)的多個半導體裝置的樣本中，在TCT時 的裂紋的抑制效果如表1所示。表1中，比較被覆部51的寬度（Dl)為連接襯墊41的直徑 的1. 5%的情況和2. 4%的情況以及3. 0%的情況，表1所示叉符表示裂紋數(shù)相對多，三角符 表示裂紋數(shù)相對少，圓符表示無裂紋。如表1所示，可知通過使被覆部51的寬度（Dl)為連 接襯墊41的直徑的2. 5%以上，可以抑制TCT導致的裂紋的發(fā)生。
[0052]表1
[0053]

【權利要求】
1. 一種半導體裝置，其特征在于，具備： 具有電極襯墊的半導體芯片； 第1絕緣樹脂層，其以使上述半導體芯片的具有上述電極襯墊的面的至少一部分露出 的方式，將上述半導體芯片埋入； 第2絕緣樹脂層，其設置在上述半導體芯片及上述第1絕緣樹脂層上，具有使上述電極 襯墊的至少一部分露出的第1開口部； 布線層，其具有連接襯墊，以在上述第1開口部中與上述電極襯墊電連接的方式，設置 在上述第2絕緣樹脂層上； 第3絕緣樹脂層，其設置在上述第2絕緣樹脂層及上述布線層上，具有使上述連接襯墊 的一部分露出的第2開口部和覆蓋上述連接襯墊的周緣的被覆部；以及 外部連接端子，其在上述第2開口部中與上述連接襯墊電連接； 上述被覆部的寬度為上述連接襯墊的直徑的2. 5%以上。
2. 根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于， 上述外部連接端子具有： 在上述第2開口部中在上述連接襯墊上設置的基底金屬層；和 在上述基底金屬層上設置的金屬凸起， 上述基底金屬層的直徑比上述連接襯墊的直徑小。
3. 根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于， 在與上述半導體芯片垂直的方向上，上述連接襯墊與上述電極襯墊不重疊。
4. 根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于， 上述第3絕緣樹脂層的熱膨脹系數(shù)為25ppm以上且300ppm以下， 上述布線層的熱膨脹系數(shù)為4ppm以上且25ppm以下。
5. 根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于， 上述第1絕緣樹脂層、上述第2絕緣樹脂層及上述第3絕緣樹脂層的彈性模量為 0. 03GPa以上且5GPa以下。
【文檔編號】H01L23/498GK104425432SQ201310726397
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年12月25日 優(yōu)先權日:2013年9月10日
【發(fā)明者】本間莊一, 志摩真也 申請人:株式會社東芝