電子器件的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電子器件的制造方法，能夠抑制在切割母層疊體時層疊體發(fā)生歪扭。在電子器件的制造方法中，電子器件具備：層疊體(12)，其通過層疊長方形狀的多個絕緣體層而構(gòu)成，并且具有通過多個絕緣體層的第一邊相連而構(gòu)成的安裝面；電路元件，其設(shè)置于層疊體(12)內(nèi)；以及外部導(dǎo)體，其與該電路元件電連接，并且朝長邊引出。在切割工序中，在沿切割線(CL3)切割母層疊體(112)之前，沿朝Z軸方向延伸的切割線(CL2)切割母層疊體(112)，切割線(CL3)朝x軸方向延伸并且組合導(dǎo)體(114)排列于切割線(CL3)。
【專利說明】電子器件的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子器件的制造方法，更具體而言，涉及將絕緣體層層疊而得的電子器件的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]作為與現(xiàn)有的電子器件的制造方法有關(guān)的發(fā)明，例如已知有專利文獻I所記載的共模噪聲過濾器(common-mode noise filter)。圖11為專利文獻I所記載的共模噪聲過濾器500的母層疊體512的透視圖。
[0003]共模噪聲過濾器500具備層疊體502以及外部電極504a、504b。外部電極504a、504b分別跨越層疊體502的兩個面。上述共模噪聲過濾器500通過對層疊體512排列成矩陣狀的母層疊體512進行切割來制作。在切割時，例如在沿朝左右方向延伸的切割線CLll切割母層疊體512之后，沿朝上下方向延伸的切割線CL12切割母層疊體512。
[0004]另外，若沿切割線CLll切割母層疊體512，則母層疊體512被分割朝左右方向延伸的組合體512a。此時，基于下述理由，層疊體502可能發(fā)生歪扭(歪?)。在切割線CLll上設(shè)置有外部電極504a、504b。因而，當(dāng)沿切割線CLll切割母層疊體512時，切割絕緣體層，并且也切割外部電極504a、504b。外部電極504a、504b由具有比構(gòu)成層疊體512的陶瓷高的延展性的導(dǎo)體制作而成。因此，外部電極504a、504b比層疊體12難切割。
[0005]因而，當(dāng)切割外部電極504a、504b時，對外部電極504a、504b施加較大的力，施加于外部電極504a、504b的力被傳遞到母層疊體512。此時，被分割的組合體512a朝左右方向延伸，所以若對組合體512a施加較大的力，則組合體512a容易發(fā)生扭轉(zhuǎn)等歪扭。結(jié)果，層疊體512發(fā)生歪扭。上述歪扭造成層疊體512內(nèi)發(fā)生裂紋的原因。
[0006]專利文獻1:日本特開2010-165975號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]因此，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制在切割母層疊體時層疊體發(fā)生歪扭的電子器件的制造方法。
[0008]在本發(fā)明的一個實施方式所涉及的電子器件的制造方法中，上述電子器件具備:層疊體，該層疊體通過層疊長方形狀的多個絕緣體層而構(gòu)成，并且具有通過上述多個絕緣體層的第一邊相連而構(gòu)成的安裝面；電路元件，該電路元件設(shè)置于該層疊體內(nèi)；以及外部導(dǎo)體，該外部導(dǎo)體與該電路元件電連接，并且朝上述第一邊引出，上述電子器件的制造方法的特征在于，具備:層疊體制作工序，在該層疊體制作工序中，獲得當(dāng)從層疊方向俯視觀察時多個上述層疊體以由第一方向和與該第一方向正交的第二方向構(gòu)成的矩陣狀排列的母層疊體；以及切割工序，在該切割工序中，將上述母層疊體切割成多個上述層疊體，在上述層疊體制作工序中，獲得在上述第一方向上相鄰的兩個層疊體的上述外部導(dǎo)體連結(jié)并且設(shè)置于上述兩個層疊體的各電路元件處于互相點對稱的關(guān)系的上述母層疊體，在上述切割工序中，在沿第一切割線切割上述母層疊體之前，沿朝上述第一方向延伸的第二切割線切割該母層疊體，上述第一切割線朝上述第二方向延伸并且上述外部導(dǎo)體排列于上述第一切割線。
[0009]根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制在切割母層疊體時層疊體發(fā)生歪扭的情況。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為一實施方式所涉及的電子器件的外觀立體圖。
[0011]圖2為圖1的電子器件的分解立體圖。
[0012]圖3為制造電子器件時的俯視圖。
[0013]圖4為制造電子器件時的俯視圖。
[0014]圖5為制造電子器件時的俯視圖。
[0015]圖6為制造電子器件時的俯視圖。
[0016]圖7為制造電子器件時的俯視圖。
[0017]圖8為制造電子器件時的俯視圖。
[0018]圖9為制造電子器件時的俯視圖。
[0019]圖10為制造電子器件時的俯視圖。
[0020]圖11為專利文獻I所記載的共模噪聲過濾器的母層疊體的透視圖。符號的說明
[0021]CLl?CL3...切割線；L...線圈；S2...底面；10、10a...電子器件；12...層疊體；14a、14b...外部電極；16a?16p...絕緣體層；18a?18 j...線圈導(dǎo)體；25a?25 j、35a?35 j...外部導(dǎo)體；112...母層疊體；114a?114j...組合導(dǎo)體；116a?116ρ...絕
緣糊劑層。
【具體實施方式】
[0022]以下，對本發(fā)明的實施方式所涉及的電子器件的制造方法進行說明。
[0023](電子器件的結(jié)構(gòu))
[0024]以下，參照附圖對一實施方式所涉及的電子器件的結(jié)構(gòu)進行說明。圖1為一實施方式所涉及的電子器件10的外觀立體圖。圖2為圖1的電子器件10的分解立體圖。以下，將電子器件10的層疊方向定義為y軸方向。并且，將當(dāng)從y軸方向俯視觀察時電子器件10的長邊延伸的方向定義為X軸方向，將電子器件10的短邊延伸的方向定義為z軸方向。
[0025]如圖1以及圖2所示，電子器件10具備:層疊體12、外部電極14a、14b、引出導(dǎo)體40a、40b以及線圈L(電路元件)。
[0026]如圖2所示，層疊體12通過多個絕緣體層16a?16p以從y軸方向的負方向側(cè)至正方向側(cè)按順序排列的方式被層疊而構(gòu)成，且呈長方體形。因而，層疊體12具有:上表面SI ;底面S2 ;端面S3、S4以及側(cè)面S5、S6。上表面SI為層疊體12的z軸方向的正方向側(cè)的面。底面S2為層疊體12的z軸方向的負方向側(cè)的面，為向電路基板安裝電子器件10時與該電路基板對置的安裝面。上表面SI以及底面S2分別通過絕緣體層16a?16p的z軸方向的正方向側(cè)的長邊以及負方向側(cè)的長邊相連而構(gòu)成。端面S3、S4分別為層疊體12的X軸方向的負方向側(cè)以及正方向側(cè)的面。端面S3、S4分別通過絕緣體層16a?16p的x軸方向的負方向側(cè)的短邊以及正方向側(cè)的短邊相連而構(gòu)成。并且，端面S3、S4與底面S2相鄰。偵_ S5、S5分別為位于層疊體12的y軸方向的正方向側(cè)以及負方向側(cè)的面。[0027]如圖2所示，絕緣體層16a?16b呈長方形狀，例如由以硼硅酸鹽玻璃為主要成分的絕緣材料形成。以下，將絕緣體層16a?16p的y軸方向的正方向側(cè)的面稱為正表面，將絕緣體層16a?16p的Y軸方向的負方向側(cè)的面稱為背面。
[0028]線圈L為設(shè)置于層疊體12內(nèi)的電路元件，包括線圈導(dǎo)體18a?18j以及通孔導(dǎo)體vl?vlO。線圈L通過線圈導(dǎo)體18a?18j由通孔導(dǎo)體vl?vlO連接而構(gòu)成。并且,線圈L具有沿I軸方向延伸的卷繞軸，從I軸方向的正方向側(cè)俯視觀察時，成為一邊順時針旋轉(zhuǎn)一邊從y軸方向的負方向側(cè)向正方向側(cè)行進的螺旋狀。
[0029]線圈導(dǎo)體18a?18 j設(shè)置于絕緣體層16d?16m的正表面上。線圈導(dǎo)體18a?18 j從y軸方向俯視觀察時相互重疊而形成環(huán)狀的軌道。并且，線圈導(dǎo)體18a?18j成為軌道的一部分被切去的構(gòu)造，且為繞順時針方向旋轉(zhuǎn)的線形導(dǎo)體。以下，將線圈導(dǎo)體18a?18j的當(dāng)從y軸方向的正方向側(cè)俯視觀察時位于順時針方向的下游側(cè)的端部簡稱為下游端，將線圈導(dǎo)體18a?18 j的當(dāng)從y軸方向的正方向側(cè)俯視觀察時位于順時針方向的上游側(cè)的端部簡稱為上游端。如上所述構(gòu)成的線圈導(dǎo)體18a?18j例如由以Ag為主要成分的導(dǎo)電性材料制作而成。
[0030]通孔導(dǎo)體vl?v4分別沿y軸方向貫通絕緣體層16e?16h。通孔導(dǎo)體v5、v6沿y軸方向貫通絕緣體層16i。通孔導(dǎo)體v7?VlO分別沿y軸方向貫通絕緣體層16j?16m。
[0031]通孔導(dǎo)體vl將線圈導(dǎo)體18a的下游端與線圈導(dǎo)體18b的上游端連接。通孔導(dǎo)體v2將線圈導(dǎo)體18b的下游端與線圈導(dǎo)體18c的上游端連接。通孔導(dǎo)體v3將線圈導(dǎo)體18c的下游端與線圈導(dǎo)體18d的上游端連接。通孔導(dǎo)體v4將線圈導(dǎo)體18d的下游端與線圈導(dǎo)體18e的上游端連接。
[0032]通孔導(dǎo)體v5將線圈導(dǎo)體18e與線圈導(dǎo)體18f的上游端連接。通孔導(dǎo)體v6將線圈導(dǎo)體18e的下游端與線圈導(dǎo)體18f連接。
[0033]通孔導(dǎo)體v7將線圈導(dǎo)體18f的下游端與線圈導(dǎo)體18g的上游端連接。通孔導(dǎo)體v8將線圈導(dǎo)體18g的下游端與線圈導(dǎo)體18h的上游端連接。通孔導(dǎo)體v9將線圈導(dǎo)體18h的下游端與線圈導(dǎo)體18i的上游端連接。通孔導(dǎo)體vlO將線圈導(dǎo)體18i的下游端與線圈導(dǎo)體18 j的上游端連接。
[0034]通孔導(dǎo)體vl?vlO例如由以Ag為主要成分的導(dǎo)電性材料制作而成。
[0035]如圖1所示，外部電極14a以跨越底面S2以及端面S3且從層疊體12露出的狀態(tài)埋設(shè)于層疊體12。由此，外部電極14aWy軸方向俯視觀察時呈L字形。進而，如圖2所示，外部電極14a通過層疊外部導(dǎo)體25a?25j而構(gòu)成。
[0036]如圖2所示，外部導(dǎo)體25a?25j分別沿y軸方向貫通絕緣體層16d?16m。外部導(dǎo)體25a?25 j呈L字形，且從y軸方向俯視觀察時，設(shè)置于絕緣體層16d?16m的x軸方向的負方向側(cè)的短邊以及z軸方向的負方向側(cè)的長邊所交叉的角。由此，外部導(dǎo)體2 5 a?25j朝z軸方向的負方向側(cè)的長邊以及與該長邊相鄰的X軸方向的負方向側(cè)的短邊引出。外部導(dǎo)體25a?25 j通過被層疊而被電連接。
[0037]如圖1所示，外部電極14b以跨越底面S2以及端面S4且從層疊體12露出的狀態(tài)，埋設(shè)于層疊體12。由此，外部電極1仙從7軸方向俯視觀察時呈L字形。進而，如圖2所示，外部電極14b通過層疊外部導(dǎo)體35a?35j構(gòu)成。
[0038]如圖2所示，外部導(dǎo)體35a?35j分別沿y軸方向貫通絕緣體層16d?16m。外部導(dǎo)體35a?35 j呈L字形，且從y軸方向俯視觀察時，設(shè)置于絕緣體層16d?16m的x軸方向的正方向側(cè)的短邊以及z軸方向的負方向側(cè)的長邊所交叉的角。由此，外部導(dǎo)體35a?35j朝z軸方向的負方向側(cè)的長邊以及與該長邊相鄰的X軸方向的正方向側(cè)的短邊引出。外部導(dǎo)體35a?35 j通過被層疊而被電連接。
[0039]引出導(dǎo)體40a設(shè)置于絕緣體層16d的正表面上，將線圈導(dǎo)體18a的上游端與外部導(dǎo)體25a連接。由此，外部電極14a與線圈L電連接。
[0040]引出導(dǎo)體40b設(shè)置于絕緣體層16m的正表面上，將線圈導(dǎo)體18j的下游端與外部導(dǎo)體35j連接。由此，外部電極14b與線圈L電連接。
[0041](電子器件的制造方法)
[0042]以下，參照附圖對本實施方式所涉及的電子器件10的制造方法進行說明，圖3至圖9為制造電子器件10時的俯視圖。
[0043]首先，如圖3所示，反復(fù)通過絲網(wǎng)印刷涂敷以硼硅酸鹽玻璃為主要成分的絕緣糊齊U，而形成絕緣糊劑層116a?116d。該絕緣糊劑層116a?116d為要形成相對于線圈L位于外側(cè)的作為外層用絕緣體層的絕緣體層16a?16d的糊劑層。
[0044]接下來，如圖4所示，通過光刻工序形成多個線圈導(dǎo)體18a、外部導(dǎo)體25a、35a以及引出導(dǎo)體40a。具體而言，通過絲網(wǎng)印刷涂敷以Ag為主要金屬成分的感光性導(dǎo)電糊劑，從而在絕緣糊劑層116d上形成導(dǎo)電糊劑層。此外，經(jīng)由光掩模朝導(dǎo)電糊劑層照射紫外線等，并由堿溶液等顯影。由此，在絕緣糊劑層116d上形成線圈導(dǎo)體18a、外部導(dǎo)體25a、35a以及引出導(dǎo)體40a。
[0045]另外，多個線圈導(dǎo)體18a、外部導(dǎo)體25a、35a以及引出導(dǎo)體40a從y軸方向俯視觀察時，以由z軸方向和X軸方向構(gòu)成的矩陣排列形成。但是，多個線圈導(dǎo)體18a、外部導(dǎo)體25a、35a以及引出導(dǎo)體40a —邊在z軸方向上交替反轉(zhuǎn)一邊在z軸方向上排列。本實施方式中，在z軸方向相鄰的線圈導(dǎo)體18a、外部導(dǎo)體25a、35a以及引出導(dǎo)體40a存在點對稱的關(guān)系。并且，在X軸方向相鄰的線圈導(dǎo)體18a、外部導(dǎo)體25a、35a以及引出導(dǎo)體40a沿相同方向排列。通過這樣排列，2個外部導(dǎo)體25a與2個外部導(dǎo)體35a連結(jié)，而形成十字形的組合導(dǎo)體114a。
[0046]接下來，如圖5所示，通過光刻工序形成設(shè)置有開口 hi以及通孔Hl的絕緣糊劑層116e。具體而言，通過絲網(wǎng)印刷涂敷感光性絕緣糊劑，從而在絕緣糊劑層116d上形成絕緣糊劑層。此外，經(jīng)由光掩模朝絕緣糊劑層照射紫外線等，并由堿溶液顯像。絕緣糊劑層116e為要形成絕緣體層16e的糊劑層。開口 hi為與組合導(dǎo)體114b —致的十字形的孔。
[0047]另外,開口 hi以及通孔Hl從y軸方向俯視觀察時，以由z軸方向和x軸方向構(gòu)成的矩陣排列形成。但是，開口 hi以及通孔Hl—邊在z軸方向上交替反轉(zhuǎn)一邊在z軸方向上排列。
[0048]接下來，如圖6所示，通過光刻工序，形成線圈導(dǎo)體18b、外部導(dǎo)體25b、35b以及通孔導(dǎo)體vl。具體而言，通過絲網(wǎng)印刷涂敷以Ag為主要金屬成分的感光性導(dǎo)電糊劑，從而在絕緣糊劑層116e上，在開口 hi以及通孔Hl內(nèi)形成導(dǎo)電糊劑層。此外，經(jīng)由光掩模朝導(dǎo)電糊劑層照射紫外線等，并由堿溶液等顯影。由此，在開口 hi內(nèi)形成外部導(dǎo)體25b、35b，在通孔Hl內(nèi)形成通孔導(dǎo)體vl，在絕緣糊劑層116e上形成線圈導(dǎo)體18b。
[0049]另外，線圈導(dǎo)體18b、外部導(dǎo)體25b、35b以及通孔導(dǎo)體vl從y軸方向俯視觀察時，以由Z軸方向和X軸方向構(gòu)成的矩陣排列形成。但是，多個線圈導(dǎo)體18b、外部導(dǎo)體25b、35b通孔導(dǎo)體vl —邊在z軸方向上交替反轉(zhuǎn)一邊在z軸方向上排列。
[0050]之后，重復(fù)與圖5以及圖6所示的工序相同的工序，從而形成絕緣糊劑層116f?116m、線圈導(dǎo)體18c?18j、外部導(dǎo)體25c?25j、35c?35j以及通孔導(dǎo)體v2?vlO。由此，如圖7所示，在絕緣糊劑層116m形成線圈導(dǎo)體18j、外部導(dǎo)體25j、35j以及引出導(dǎo)體40b。
[0051]接下來，如圖8所示，反復(fù)通過絲網(wǎng)印刷涂敷絕緣糊劑，而形成絕緣糊劑層116η?116ρ。該絕緣糊劑層116η?116ρ為要形成相對于線圈L位于外側(cè)的作為外側(cè)用絕緣體層的絕緣體層16η?16ρ的糊劑層。經(jīng)過以上的工序，獲得層疊體12以由ζ軸方向和χ軸方向構(gòu)成的矩陣排列的母層疊體112。
[0052]另外，如圖9所示，在母層疊體112中，一邊使層疊體12在ζ軸方向交替反轉(zhuǎn)一邊在ζ軸方向上排列配置多個層疊體12。由此,在ζ軸方向相鄰的外部導(dǎo)體25a?25j和外部導(dǎo)體35a?35j分別連結(jié)。此外，在χ軸方向相鄰的外部導(dǎo)體25a?25j和外部導(dǎo)體35a?35j分別連結(jié)。這樣，通過2個外部導(dǎo)體25a?25j和2個外部導(dǎo)體35a?35j連結(jié)而形成十字形的組合導(dǎo)體114a?114j。圖9中，為了防止圖變得復(fù)雜，而僅透視地圖示出外部導(dǎo)體25a?25j、35a?35 j (組合導(dǎo)體114a?114j)。
[0053]接下來，通過割切(dicing)等將母層疊體112切割成多個未燒制的層疊體12。在母層疊體112的切割工序中，在通過切割形成的切割面，使外部電極14a、14b從層疊體12露出。在切割工序中，將電鑄刀片作為割切刀片使用。轉(zhuǎn)數(shù)為30000rpm，切割速度為IOOmm/s以上。以下，參照圖9對切割工序進行更詳細地說明。
[0054]首先，沿切割線CLl (第三切割線)切割母層疊體112。切割線CLl為朝χ軸方向延伸并且未配置組合導(dǎo)體114a?114j(S卩，外部導(dǎo)體25a?25j、35a?35j)的切割線。由此，母層疊體112被分割為朝χ軸方向延伸的多個組合體112a。
[0055]接下來，沿切割線CL2(第二切割線)切割母層疊體112。切割線CL2為朝ζ軸方向延伸的切割線。在切割線CL2上配置有組合導(dǎo)體114a?114j (即外部導(dǎo)體25a?25j、35a?35j)。由此，組合導(dǎo)體114a?114j被分割為2份。此外，組合體112a被分割為多個組合體112b。組合體112b由在ζ軸方向相鄰的2個層疊體12構(gòu)成。另外，圖9中，只在代表性的組合體112b處附著參照符號。
[0056]接下來，沿切割線CL3(第一切割線)切割母層疊體112。切割線CL3為朝χ軸方向延伸并且配置有組合導(dǎo)體114a?114j (即，外部導(dǎo)體25a?25j、35a?35j)的切割線。切割線CLl與切割線CL3沿ζ軸方向交替排列。由此，組合導(dǎo)體114a?114j被分割為外部導(dǎo)體25a?25j、35a?35j。并且，各組合體112b被分割為2個層疊體12。通過如上那樣沿切割線CLl?CL3切割母層疊體112，從而獲得未燒制的多個層疊體12。另外，未燒制的層疊體12的尺寸為0.4mm?0.5mmX 0.2mm?0.3mmX 0.2mm?0.3臟。
[0057]接下來，以規(guī)定條件燒制未燒制的層疊體12，而獲得層疊體12。此外，對層疊體12實施滾磨加工。
[0058]最后，對外部電極14a、14b從層疊體12露出的部分，實施具有2 μ m?7 μ m的厚度的鍍Ni以及具有2μπι?7μπι的厚度的鍍Sn。經(jīng)過以上工序，完成電子器件10。
[0059](效果)
[0060]根據(jù)以上所述構(gòu)成的電子器件10的制造方法，能夠抑制在切割母層疊體112時層疊體12發(fā)生歪扭。更詳細而言，以切割線CL1、切割線CL2、切割線CL3的順序切割母層疊體112。在切割線CLl上未配置組合導(dǎo)體114a?114j。因此，當(dāng)沿切割線CLl切割母層疊體112時，由于組合導(dǎo)體114a?114j未被切割，所以層疊體12難以發(fā)生歪扭。
[0061]此外，當(dāng)沿切割線CL2切割母層疊體112時，母層疊體112已沿切割線CLl被切割而分割為組合體112a。因此，切割組合導(dǎo)體114a?114j時施加于組合體112a的力，不被傳遞到與該組合體112a相鄰的組合體112a。由此，能夠抑制母層疊體112產(chǎn)生大的變形。即，能夠抑制層疊體12發(fā)生歪扭。
[0062]此外，當(dāng)沿切割線CL3切割母層疊體112時，母層疊體112已沿切割線CL2被切割而分割為組合體112b。因此，切割組合導(dǎo)體114a?114j時施加于組合體112b的力，不被傳遞到與該組合體112b相鄰的組合體112b。由此，能夠抑制母層疊體112產(chǎn)生大的變形。即，能夠抑制層疊體12發(fā)生歪扭。
[0063](變形例)
[0064]以下，參照附圖對變形例所涉及的電子器件的制造方法進行說明。圖10為制造電子器件IOa時的俯視圖。另外，在圖10中，與圖9相同，為了防止圖變得復(fù)雜，僅透視地圖示出外部導(dǎo)體25a?25j、35a?35j表示為透視圖。
[0065]變形例所涉及的電子器件IOa在外部導(dǎo)體25a?25j、35a?35j的形狀上與電子器件10不同。因此，以下，對外部導(dǎo)體25a?25j、35a?35j進行說明，而省略對其他結(jié)構(gòu)的說明。
[0066]如圖10所示，外部導(dǎo)體25a?25j、35a?35j僅朝構(gòu)成底面S2的長邊引出，而不朝與該長邊相鄰的短邊引出。在上述電子器件IOa的制造方法中，能夠使切割順序與電子器件10的制造方法不同。
[0067]更詳細而言，在電子器件IOa的制造方法中，可以以切割線CL2、切割線CL1、切割線CL3的順序切割母層疊體112，可以以切割線CL2、切割線CL3、切割線CLl的順序切割母層疊體，也可以以切割線CU、切割線CL2、切割線CL3的順序切割母層疊體。即，只要在沿切割線CL3切割母層疊體112之前沿切割線CL2切割母層疊體112即可。只要當(dāng)切割外部導(dǎo)體25a?25j、35a、35j時，在χ軸方向相鄰的層疊體12彼此被分割即可。由此，能夠抑制層疊體12的變形。
[0068](其他實施方式)
[0069]本發(fā)明所涉及的電子器件的制造方法，不限于電子器件10、10a的制造方法，在其主旨的范圍內(nèi)可以進行變更。
[0070]另外，在電子器件10、10a中，雖然通過印刷方法獲得母層疊體112，但也可以通過將形成有線圈導(dǎo)體的陶瓷生片進行層疊的依次壓焊方法獲得母層疊體112。
[0071]另外，雖然設(shè)置于電子器件10、10a的電路元件為線圈L，但可以為電容器，可以為線圈以及電容器以外的電路元件，也可以為將這些電路元件組合而得的元件。
[0072]工業(yè)上的利用可能性
[0073]如上所述，本發(fā)明對電子器件的制造方法是有用的，尤其是在能夠抑制切割母層疊體時層疊體產(chǎn)生歪扭的方面優(yōu)秀。
【權(quán)利要求】
1.一種電子器件的制造方法， 所述電子器件具備:層疊體，該層疊體通過層疊長方形狀的多個絕緣體層而構(gòu)成，并且具有通過所述多個絕緣體層的第一邊相連而構(gòu)成的安裝面；電路元件，該電路元件設(shè)置于該層疊體內(nèi)；以及外部導(dǎo)體，該外部導(dǎo)體與該電路元件電連接，并且朝所述第一邊引出， 所述電子器件的制造方法的特征在于，具備: 層疊體制作工序，在該層疊體制作工序中，獲得當(dāng)從層疊方向俯視觀察時多個所述層疊體以由第一方向和與該第一方向正交的第二方向構(gòu)成的矩陣狀排列的母層疊體；以及切割工序，在該切割工序中，將所述母層疊體切割成多個所述層疊體， 在所述層疊體制作工序中，獲得在所述第一方向上相鄰的兩個層疊體的所述外部導(dǎo)體連結(jié)并且設(shè)置于所述兩個層疊體的各電路元件處于互相點對稱的關(guān)系的所述母層疊體，在所述切割工序中，在沿第一切割線切割所述母層疊體之前，沿朝所述第一方向延伸的第二切割線切割該母層疊體，所述第一切割線朝所述第二方向延伸并且所述外部導(dǎo)體排列于所述第一切割線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件的制造方法，其特征在于， 所述外部導(dǎo)體包含:朝所述第一邊以及與該第一邊相鄰的第二邊引出的第一外部導(dǎo)體；朝該第一邊以及與該第一邊相鄰的第三邊引出的第二外部導(dǎo)體， 在所述層疊體制作工序中，獲得在所述第二方向上相鄰的所述層疊體的所述第一外部導(dǎo)體和所述第二外部導(dǎo)體連結(jié)的所述母層疊體， 在所述切割工序中，沿第三切割線切割所述母層疊體，再沿所述第二切割線切割該母層疊體，然后沿所述第一切割線切割該母層疊體，所述第三切割線朝所述第二方向延伸并且所述第一外部導(dǎo)體以及所述第二外部導(dǎo)體未配置于所述第三切割線。
【文檔編號】H01F41/00GK103985532SQ201310726953
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2013年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月8日
【發(fā)明者】世古篤史 申請人:株式會社村田制作所