一種to-220防水密封引線框架的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種TO-220防水密封引線框架，包括芯片載片臺(tái)，芯片載片臺(tái)的一端連接有散熱片，散熱片上設(shè)置有安裝孔，另一端設(shè)置有框架引線焊接部，芯片載片臺(tái)的頂部設(shè)置有第一防水密封槽，芯片載片臺(tái)的左側(cè)設(shè)置有第二防水密封槽，芯片載片臺(tái)的右側(cè)設(shè)置有第三防水密封槽，芯片載片臺(tái)與散熱片之間設(shè)置有連接部，連接部上設(shè)置有寬度為0.7～0.9mm的防水凹槽，防水凹槽的底部中心設(shè)置有燕尾型槽，燕尾型槽的底部上表面均勻設(shè)置為凹凸結(jié)構(gòu)，芯片載片臺(tái)的底部設(shè)置有管腳，管腳與框架引線焊接部的連接處設(shè)置有第四防水密封槽。本發(fā)明的有益效果在于，提供一種氣密性好以及抗沖擊力強(qiáng)的TO-220防水密封引線框架。
【專利說(shuō)明】 一種T0-220防水密封引線框架
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種Τ0-220防水密封引線框架。
【背景技術(shù)】
[0002]在采用引線框架封裝半導(dǎo)體器件的過(guò)程中，當(dāng)芯片放在引線框架的芯片部后需要進(jìn)行塑封，為了使塑封后的半導(dǎo)體器件具有較強(qiáng)的氣密性，目前的引線框架通常在芯片部的邊緣開設(shè)有溝槽，并在溝槽內(nèi)側(cè)設(shè)有密封槽，溝槽以及密封槽的設(shè)置可以增強(qiáng)引線框架與塑封料的結(jié)合強(qiáng)度，從而使半導(dǎo)體器件具有一定的氣密性能。但是目前一般設(shè)計(jì)的改外形的引線框架，防水槽的表面均為光滑的平面，塑封料與引線框架的結(jié)合力不牢固，氣密性不夠好，在浸泡、電鍍以及切筋成型等工序維持不具有更好的抗沖擊力，不能有效保證產(chǎn)品的可靠性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]鑒于現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種防水密封性好以及抗沖擊力強(qiáng)的Τ0-220防水密封引線框架。
[0004]本發(fā)明提供了一種Τ0-220防水密封引線框架，包括芯片載片臺(tái)，所述芯片載片臺(tái)的一端連接有散熱片，所述散熱片上設(shè)置有安裝孔，另一端設(shè)置有框架引線焊接部，所述芯片載片臺(tái)的頂部設(shè)置有第一防水密封槽、所述芯片載片臺(tái)的左側(cè)設(shè)置有第二防水密封槽，所述芯片載片臺(tái)的右側(cè)設(shè)置有第三防水密封槽，所述芯片載片臺(tái)與所述散熱片之間設(shè)置有連接部，所述連接部上設(shè)置有寬度為0.7?0.9mm的防水凹槽，所述防水凹槽的底部中心設(shè)置有燕尾型槽，所述燕尾型槽的底部上表面均勻設(shè)置為凹凸結(jié)構(gòu)，所述芯片載片臺(tái)的底部設(shè)置有管腳，所述管腳與所述框架引線焊接部的連接處設(shè)置有第四防水密封槽。
[0005]進(jìn)一步，所述第一防水密封槽、所述第二防水密封槽以及所述第三防水密封槽形成一封閉的防水結(jié)構(gòu)。
[0006]進(jìn)一步，所述第一防水密封槽、所述第二防水密封槽以及所述第三防水密封槽的寬度均為0.10?0.16mm。
[0007]進(jìn)一步，所述防水凹槽的寬度為0.8mm，所述防水凹槽的深度為0.3mm。
[0008]進(jìn)一步，所述燕尾型槽的深度為0.15mm。
[0009]進(jìn)一步，所述為凹凸結(jié)構(gòu)為波浪形結(jié)構(gòu)，用以增加所述燕尾型槽底部上表面的面積。
[0010]進(jìn)一步，所述第四防水密封槽的寬度為0.06?0.10mm。
[0011]本發(fā)明具有的優(yōu)點(diǎn)和有益效果為:本實(shí)施例的T0-220防水密封引線框架設(shè)置有第一防水密封槽、第二防水密封槽、第三防水密封槽以及第四防水密封槽，使該引線框架的氣密性能更優(yōu)；同時(shí)所述芯片載片臺(tái)與所述散熱片之間設(shè)置有連接部，所述連接部上設(shè)置有寬度為0.7?0.9mm的防水凹槽，所述防水凹槽的底部中心設(shè)置有燕尾型槽，所述燕尾型槽的底部上表面均勻設(shè)置為凹凸結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)了塑封料與該T0-220防水密封引線框架的接 觸面積，提高了該T0-220防水密封引線框架的抗沖擊能力。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1為本實(shí)施例的Τ0-220防水密封引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2為圖1的A-A剖結(jié)構(gòu)示意放大圖；
[0014]圖3為圖1的B-B剖結(jié)構(gòu)示意放大圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面將參照附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明。
[0016]如圖1、圖2以及圖3所示:本發(fā)明實(shí)施例的一種Τ0-220防水密封引線框架包括多個(gè)獨(dú)立單元1，每個(gè)獨(dú)立單元I包括芯片載片臺(tái)106，所述芯片載片臺(tái)106的一端連接有散熱片100，所述散熱片100上設(shè)置有安裝孔101，另一端設(shè)置有框架引線焊接部107，所述芯片載片臺(tái)106的頂部設(shè)置有第一防水密封槽103，所述芯片載片臺(tái)106的左側(cè)設(shè)置有第二防水密封槽105，所述芯片載片臺(tái)106的右側(cè)設(shè)置有第三防水密封槽104，所述芯片載片臺(tái)106與所述散熱片100之間設(shè)置有連接部，所述連接部102上設(shè)置有寬度為0.7?0.9mm的防水凹槽1021，所述防水凹槽1021的底部中心設(shè)置有燕尾型槽1022，所述燕尾型槽1022的底部上表面均勻設(shè)置為凹凸結(jié)構(gòu)，所述芯片載片臺(tái)106的底部設(shè)置有管腳109，所述管腳109與所述框架引線焊接部107的連接處設(shè)置有第四防水密封槽108，所述第一防水密封槽103、所述第二防水密封槽105、所述第三防水密封槽104以及所述第四防水密封槽108的設(shè)置使所述T0-220防水密封引線框架的氣密性更好，達(dá)到更優(yōu)的防水性能的目的。
[0017]作為上述實(shí)施例的優(yōu)選實(shí)施方式，所述第一防水密封槽103、所述第二防水密封槽105以及所述第三防水密封槽104形成一封閉的防水結(jié)構(gòu)，使芯片載片臺(tái)106的防水性能得到提升，設(shè)置與其上的芯片更加安全可靠。
[0018]作為上述實(shí)施例的優(yōu)選實(shí)施方式，所述第一防水密封槽103、所述第二防水密封槽105以及所述第三防水密封槽104的寬度均為0.10?0.16mm。
[0019]作為上述實(shí)施例的優(yōu)選實(shí)施方式，所述防水凹槽1021的寬度為0.8mm，所述防水凹槽1021的深度為0.3mm。
[0020]作為上述實(shí)施例的優(yōu)選實(shí)施方式，所述燕尾型槽1022的深度為0.15mm。
[0021]作為上述實(shí)施例的優(yōu)選實(shí)施方式，所述為凹凸結(jié)構(gòu)為波浪形結(jié)構(gòu)，用以增加所述燕尾型槽1022底部上表面的面積，以增加塑封料與所述燕尾型槽1022的接觸面積，由此形成的鎖扣鎖緊力是原設(shè)計(jì)的3-5倍，所以在封裝時(shí)塑封料與框架的結(jié)合力更好，氣密性更佳，在浸泡、電鍍、切筋成型等工序維持更好的抗沖擊力，可有效保證產(chǎn)品的可靠性。
[0022]作為上述實(shí)施例的優(yōu)選實(shí)施方式，所述第四防水密封槽108的寬度為0.06?0.1Omm0
[0023]最后應(yīng)說(shuō)明的是:以上所述的各實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或替換,并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種T0-220防水密封引線框架，包括芯片載片臺(tái)，所述芯片載片臺(tái)的一端連接有散熱片，所述散熱片上設(shè)置有安裝孔，另一端設(shè)置有框架引線焊接部，其特征在于:所述芯片載片臺(tái)的頂部設(shè)置有第一防水密封槽，所述芯片載片臺(tái)的左側(cè)設(shè)置有第二防水密封槽，所述芯片載片臺(tái)的右側(cè)設(shè)置有第三防水密封槽，所述芯片載片臺(tái)與所述散熱片之間設(shè)置有連接部，所述連接部上設(shè)置有寬度為0.7?0.9mm的防水凹槽，所述防水凹槽的底部中心設(shè)置有燕尾型槽，所述燕尾型槽的底部上表面均勻設(shè)置為凹凸結(jié)構(gòu)，所述芯片載片臺(tái)的底部設(shè)置有管腳，所述管腳與所述框架引線焊接部的連接處設(shè)置有第四防水密封槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的T0-220防水密封引線框架，其特征在于，所述第一防水密封槽、所述第二防水密封槽以及所述第三防水密封槽形成一封閉的防水結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的T0-220防水密封引線框架，其特征在于，所述第一防水密封槽、所述第二防水密封槽以及所述第三防水密封槽的寬度均為0.10?0.16mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的T0-220防水密封引線框架，其特征在于，所述防水凹槽的寬度為0.8mm，所述防水凹槽的深度為0.3mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的T0-220防水密封引線框架，其特征在于，所述燕尾型槽的深度為 0.15mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的T0-220防水密封引線框架，其特征在于，所述為凹凸結(jié)構(gòu)為波浪形結(jié)構(gòu)，用以增加所述燕尾型槽底部上表面的面積。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的T0-220防水密封引線框架，其特征在于，所述第四防水密封槽的寬度為0.06?0.10mm。
【文檔編號(hào)】H01L23/495GK103646940SQ201310671975
【公開日】2014年3月19日 申請(qǐng)日期:2013年12月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月12日
【發(fā)明者】吳斌 申請(qǐng)人:南通華隆微電子有限公司