光學(xué)傳感器及其制造方法
【專(zhuān)利摘要】一種光學(xué)傳感器及其制造方法。光學(xué)傳感器可耦接于基板，包含半導(dǎo)體傳感器晶粒以及多個(gè)導(dǎo)電連接體。半導(dǎo)體傳感器晶粒包含第一表面、第二表面以及傳感部。當(dāng)光學(xué)傳感器耦接于基板時(shí)，第一表面面對(duì)基板。第二表面與第一表面相背，且向半導(dǎo)體傳感器晶粒內(nèi)部形成窗口。傳感部設(shè)置于第一表面及第二表面間，且至少部分暴露于窗口。多個(gè)導(dǎo)電連接體設(shè)置于第一表面，并與傳感部耦接，供光學(xué)傳感器耦接于基板。
【專(zhuān)利說(shuō)明】光學(xué)傳感器及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明是關(guān)于一種光學(xué)傳感器的封裝，特別是有關(guān)于光學(xué)傳感器及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 對(duì)于工業(yè)，特別是自動(dòng)化控制而言，感測(cè)元件是不可或缺的。常見(jiàn)的感測(cè)元件例如 光傳感器、溫度傳感器、壓力傳感器、濕度傳感器、距離傳感器等。其中，因?yàn)楣鈧鞲衅骺梢?感測(cè)環(huán)境亮度，供顯示器作為調(diào)整亮度的參考，由此達(dá)到省電功效，所以廣泛應(yīng)用于各式具 有顯示器的消費(fèi)性產(chǎn)品上。
[0003] 在常見(jiàn)的封裝工藝中，光傳感器的晶片與基板間是以導(dǎo)線耦接。由于需要預(yù)留間 隙供打線使用，故模塊在尺寸上較難達(dá)到小型化的需求。另一方面，有部分封裝材質(zhì)較易因 受熱而軟化(例如透明膠常用的樹(shù)脂)，進(jìn)而去拉扯導(dǎo)線使其斷裂或與導(dǎo)線架接觸不良。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的主要目的在于提供一種光學(xué)傳感器及其制造方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所遭 遇到的上述問(wèn)題。
[0005] 光學(xué)傳感器可耦接于一基板，光學(xué)傳感器包含半導(dǎo)體傳感器晶粒以及多個(gè)導(dǎo)電連 接體。半導(dǎo)體傳感器晶粒包含第一表面、第二表面以及傳感部。當(dāng)光學(xué)傳感器耦接于基板 時(shí)，第一表面面對(duì)基板。第二表面與第一表面相背，且向半導(dǎo)體傳感器晶粒內(nèi)部形成窗口。 傳感部設(shè)置于第一表面及第二表面間，且至少部分暴露于窗口。多個(gè)導(dǎo)電連接體設(shè)置于第 一表面，并與傳感部耦接，供光學(xué)傳感器耦接于基板。
[0006] 半導(dǎo)體傳感器晶粒進(jìn)一步包含基材以及覆體?；木哂邢啾车牡谝槐砻嬉约俺休d 面，其中傳感部設(shè)置于承載面。覆體覆蓋承載面，并形成窗口以至少暴露部分的傳感部。
[0007] 多個(gè)導(dǎo)電連接體為焊球。傳感部具有相背的第三表面及第四表面，第三表面朝向 第一表面，第四表面至少部分暴露于窗口。傳感部為PIN二極管。傳感部為堆迭結(jié)構(gòu)。傳 感部為五層式堆迭結(jié)構(gòu)，包含：下電極、設(shè)置于下電極上的第一導(dǎo)電型氫化非晶娃層、設(shè)置 于第一導(dǎo)電型氫化非晶硅層上的本征氫化非晶硅層、設(shè)置于本征氫化非晶硅層上的第二導(dǎo) 電型氫化非晶硅層、以及設(shè)置于第二導(dǎo)電型氫化非晶硅層上且至少部分暴露于窗口的上電 極。光學(xué)傳感器進(jìn)一步包含透鏡設(shè)置于窗口。感測(cè)裝置包含前述的光學(xué)傳感器以及與多個(gè) 導(dǎo)電連接體耦接的基板。
[0008] 光學(xué)傳感器制造方法，包含：提供基材，具有相背的第一表面以及承載面；于承載 面上設(shè)置傳感部；于承載面上設(shè)置覆體，覆蓋承載面及傳感部；于第一表面設(shè)置多個(gè)導(dǎo)電 連接體，且與傳感部耦接；以及于覆體形成窗口以至少暴露部分的傳感部。
[0009] 在不同實(shí)施例中，光學(xué)傳感器制造方法包含：提供基材，具有相背的第一表面以及 承載面；于承載面上設(shè)置傳感部；于承載面上設(shè)置覆體，覆蓋承載面及傳感部；于覆體形成 窗口以至少暴露部分的傳感部；以及于第一表面設(shè)置多個(gè)導(dǎo)電連接體，且與傳感部耦接。
[0010] 光學(xué)傳感器制造方法進(jìn)一步包含設(shè)置透鏡于窗口。于第一表面設(shè)置多個(gè)導(dǎo)電連接 體的步驟包含使傳感部和多個(gè)導(dǎo)電連接體在第一表面的法線方向上的投影至少部分重迭。 于第一表面設(shè)置多個(gè)導(dǎo)電連接體的步驟包含使用焊球作為多個(gè)導(dǎo)電連接體。
[0011] 于承載面上設(shè)置該傳感部的步驟包含：于承載面上設(shè)置下電極；于下電極上設(shè)置 第一導(dǎo)電型氫化非晶硅層；于第一導(dǎo)電型氫化非晶硅層上設(shè)置本征氫化非晶硅層；于本征 氫化非晶硅層上設(shè)置第二導(dǎo)電型氫化非晶硅層；以及于第二導(dǎo)電型氫化非晶硅層上形成上 電極。
[0012] 基于上述，在本發(fā)明中的光學(xué)傳感器具有較低的生產(chǎn)成本及較小的體積。
[0013] 本發(fā)明之另一目的在于提供一種光學(xué)傳感器制造方法，具有較低的生產(chǎn)成本，從 而得以解決現(xiàn)有技術(shù)所述及的問(wèn)題。
[0014] 應(yīng)了解的是，上述一般描述及以下【具體實(shí)施方式】?jī)H為例示性及闡釋性的，其并不 能限制本發(fā)明所欲主張的范圍。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015] 圖1為本發(fā)明光學(xué)傳感器的較佳實(shí)施例示意圖；
[0016] 圖2為本發(fā)明光學(xué)傳感器的較佳實(shí)施例部分放大示意圖；
[0017] 圖3為本發(fā)明光學(xué)傳感器的窗口偵幢傾斜的實(shí)施例示意圖；
[0018] 圖4為本發(fā)明光學(xué)傳感器進(jìn)一步具有透鏡的實(shí)施例示意圖；
[0019] 圖5A為本發(fā)明光學(xué)傳感器制造方法的較佳實(shí)施例流程圖；
[0020] 圖5B為本發(fā)明設(shè)置傳感部的較佳實(shí)施例流程圖；
[0021] 圖6A到6F為本發(fā)明光學(xué)傳感器的制造步驟示意圖；
[0022] 圖7為本發(fā)明光學(xué)傳感器制造方法的不同實(shí)施例流程圖；
[0023] 圖8A到8F為本發(fā)明光學(xué)傳感器的不同制造步驟示意圖；
[0024] 圖9A到9F為本發(fā)明光學(xué)傳感器的不同制造步驟示意圖。
[0025] 主要元件符號(hào)說(shuō)明：
[0026] 100半導(dǎo)體傳感器晶粒
[0027] 101 第一表面
[0028] 102承載面
[0029] 103 第二表面
[0030] 188 透鏡
[0031] 199 窗口
[0032] 200 基材
[0033] 300導(dǎo)電連接體
[0034] 400傳感部
[0035] 401下電極
[0036] 402第一導(dǎo)電型氫化非晶硅層
[0037] 403本征氫化非晶硅層
[0038] 404第二導(dǎo)電型氫化非晶硅層
[0039] 405上電極
[0040] 43〇第三表面
[0041] 440第四表面
[0042] 499 區(qū)域
[0043] 500光學(xué)傳感器
[0044] 600 覆體
[0045] 700 基板
[0046] 900感測(cè)裝置

【具體實(shí)施方式】
[0047] 在下述諸實(shí)施例中，當(dāng)元件被指為"連接"或"耦接"至另一元件時(shí)，其可為直接連 接或耦接至另一元件，或可能存在介于其間的元件。
[0048] 如圖1所示的較佳實(shí)施例，光學(xué)傳感器500可耦接于基板700,以組成感測(cè)裝置 900。光學(xué)傳感器500包含半導(dǎo)體傳感器晶粒100以及多個(gè)導(dǎo)電連接體300。半導(dǎo)體傳感器 晶粒100包含第一表面101、第二表面103以及傳感部400。當(dāng)光學(xué)傳感器500耦接于基板 700時(shí)，第一表面101面對(duì)基板700。第二表面103與第一表面101相背，且第二表面103的 一部份向半導(dǎo)體傳感器晶粒100內(nèi)部形成窗口 199。傳感部400設(shè)置于第一表面101及第二 表面103間，且至少部分暴露于窗口 199。更具體而言，傳感部400具有相背的第三表面430 及第四表面440,第三表面430朝向第一表面101，第四表面440至少部分暴露于窗口 199。 該些導(dǎo)電連接體300設(shè)置于第一表面101，并與傳感部400耦接，供光學(xué)傳感器500耦接于 基板700。在本實(shí)施例中，基板700可以為印刷電路板、陶瓷基板或其他材質(zhì)的基板。在本 實(shí)施例中，多個(gè)導(dǎo)電連接體300較佳為焊球，其可以以球柵陣列（Ball Grid Array，BGA)方 式實(shí)作，然而在不同實(shí)施例中，亦可以凸柱等導(dǎo)體單元替換。
[0049] 以不同角度觀之，半導(dǎo)體傳感器晶粒100進(jìn)一步包含基材200與覆體600。基材 200具有相背的第一表面101與承載面102,其中傳感部400設(shè)置于承載面102。覆體600 覆蓋承載面102,并形成窗口 199以至少暴露部分的傳感部400。
[0050] 如圖1所示，在光學(xué)傳感器500中，傳感部400與該些導(dǎo)電連接體300設(shè)置于不同 表面，可由此減少該些導(dǎo)電連接體300遮蔽傳感部400所造成的干擾。進(jìn)一步而言，在較佳 實(shí)施例中，因?yàn)閭鞲胁?00部分至少暴露于窗口 199,欲感測(cè)的標(biāo)的信號(hào)或物質(zhì)可通過(guò)窗口 199到達(dá)傳感部，又該些導(dǎo)電連接體300設(shè)置于與傳感部400所在的承載面102相背的第 一表面101，所以本實(shí)施例的光學(xué)傳感器500可以采用例如球柵陣列等作為該些導(dǎo)電連接 體300而不會(huì)遮蔽傳感部400造成干擾。換言之，本實(shí)施例的光學(xué)傳感器500可以達(dá)到晶 圓級(jí)晶片尺寸封裝（wafer level chip scale package, WLCSP)。由此，本實(shí)施例的光學(xué)傳 感器500以及使用其制成的感測(cè)裝置900,可具有較低的生產(chǎn)成本及較小的體積。
[0051] 傳感部400較佳包含為光傳感部，其較佳為堆迭結(jié)構(gòu)。更具體而言，如圖2所示圖 1中區(qū)域499的放大圖，傳感部400較佳為五層式堆迭結(jié)構(gòu)，包含下電極401、設(shè)置于下電極 401上的第一導(dǎo)電型氫化非晶娃層402、設(shè)置于第一導(dǎo)電型氫化非晶娃層402上的本征氫化 非晶硅層403、設(shè)置于本征氫化非晶硅層403上的第二導(dǎo)電型氫化非晶硅層404、以及設(shè)置 于第二導(dǎo)電型氫化非晶娃層404上的上電極405。
[0052] 傳感部400較佳為PIN二極管。換言之，堆迭結(jié)構(gòu)具有PIN結(jié)構(gòu)，亦即第二導(dǎo)電型 氫化非晶硅層404為P型，厚度較佳介于50.人至500A，p型摻質(zhì)的濃度較佳介于1 x 1017 至1 X 1021原子/立方公分（atomS/cm3)，P型摻質(zhì)可以是硼；本征氫化非晶硅層403的厚 度較佳介于500A至5000A;第一導(dǎo)電型氫化非晶硅層402為N型，厚度較佳介于50A至 500A，N型摻質(zhì)的濃度較佳介于1 x 1017至1 x 1021原子/立方公分，n型摻質(zhì)可以是磷或 是砷。下電極401較佳為金屬。上電極405較佳為透光導(dǎo)電物質(zhì)，例如但不限為銦錫氧化 物及銦鋅氧化物，以利光線通過(guò)。上電極405的厚度較佳介于500A至5000A。
[0053] 進(jìn)一步而言，PIN二極管具有雙面均可感光的特性。因此，在使用PIN二極管作為 傳感部400的實(shí)施例中，通過(guò)在半導(dǎo)體傳感器晶粒100的第二表面103 (即晶背）開(kāi)設(shè)可暴 露第二導(dǎo)電型氫化非晶娃層404的窗口 199,亦可讓第二導(dǎo)電型氫化非晶娃層404感光。由 此，本實(shí)施例的光學(xué)傳感器500可以采用例如球柵陣列等作為該些導(dǎo)電連接體300而不會(huì) 遮蔽傳感部400造成干擾。
[0054] 如圖3所示的不同實(shí)施例，窗口 199的側(cè)壁可進(jìn)一步傾斜使窗口 199具有較大的 開(kāi)口，通過(guò)增強(qiáng)對(duì)信號(hào)的搜集來(lái)增強(qiáng)感測(cè)效果。如圖4所示的不同實(shí)施例，光學(xué)傳感器500 可進(jìn)一步包含透鏡188設(shè)置于窗口 199,由此減少粉塵等污染物接觸到傳感部400而造成干 擾。透鏡188較佳但不限為透明的環(huán)氧樹(shù)脂。透鏡188的頂面可具有不同的曲率，通過(guò)增 強(qiáng)對(duì)信號(hào)的搜集來(lái)增強(qiáng)感測(cè)效果。
[0055] 如圖5A所示的較佳實(shí)施例，本發(fā)明光學(xué)傳感器制造方法包含例如以下步驟。
[0056] 步驟1010,提供基材，具有相背的第一表面以及承載面。具體而言，較佳是提供如 圖6A所示具有第一表面101以及承載面102的基材200。其中，基材200較佳為氧化硅、 硼磷硅玻璃、磷硅玻璃、無(wú)摻雜硅玻璃、氟摻雜硅玻璃、旋涂式玻璃等低介電常數(shù)材料。基 材200可以使用化學(xué)氣相沈積法或旋涂法等方法形成，內(nèi)部并形成有導(dǎo)線電連通第一表面 101以及承載面102。
[0057] 步驟1030,于承載面上設(shè)置傳感部。具體而言，較佳是如圖6B所示于承載面102 上設(shè)置傳感部400。其中傳感部400較佳是如圖2所示為五層式堆迭結(jié)構(gòu)，包含下電極401、 第一導(dǎo)電型氫化非晶娃層402、本征氫化非晶娃層403、第二導(dǎo)電型氫化非晶娃層404、以及 上電極405。
[0058] 步驟1050,于承載面上設(shè)置覆體，覆蓋承載面及傳感部。具體而言，較佳是如圖6C 所示于承載面102上設(shè)置覆體600,覆蓋承載面102及傳感部400。覆體600較佳為氧化硅、 硼磷硅玻璃、磷硅玻璃、無(wú)摻雜硅玻璃、氟摻雜硅玻璃、旋涂式玻璃等低介電常數(shù)材料。覆體 600可以使用化學(xué)氣相沈積法或旋涂法等方法形成。
[0059] 步驟1070,于第一表面設(shè)置該些導(dǎo)電連接體，且與傳感部耦接。具體而言，較佳是 如圖6D所示于第一表面101設(shè)置球柵陣列作為導(dǎo)電連接體300。導(dǎo)電連接體300是通過(guò)前 述基材200內(nèi)部的導(dǎo)線(無(wú)繪示）與傳感部400耦接。
[0060] 步驟1090,于覆體形成窗口以至少暴露部分的傳感部。具體而言，較佳是如圖6E 所示于覆體600形成窗口 199以至少暴露部分的傳感部400。其中，可通過(guò)干式或濕式蝕刻 或鐳射雕刻等方式于覆體600形成窗口 199。
[0061] 在較佳實(shí)施例中，光學(xué)傳感器制造方法可進(jìn)一步包含步驟1110，設(shè)置透鏡于窗口。 具體而言，較佳是通過(guò)將液態(tài)樹(shù)脂注入窗口 199,并以紫外線照射或加熱使其硬化成為如圖 6F所示的透鏡188。其中，可通過(guò)改變液態(tài)樹(shù)脂的注入量來(lái)控制透鏡188的形狀。例如，若 液態(tài)樹(shù)脂的注入量略大于窗口的可容置體積，液態(tài)樹(shù)脂會(huì)因表面張力外凸于窗口的開(kāi)口而 形成凸透鏡。
[0062] 如圖5B所示，在較佳實(shí)施例中，前述步驟1030包含例如以下步驟。
[0063] 步驟1031，于承載面上設(shè)置下電極。具體而言，是以物理氣相沈積法（PVD)或是化 學(xué)氣相沈積法（CVD)沉積例如金、銀、銅、鈦、鎢、鑰、鉻或鋁等金屬及其迭層或合金或其他 導(dǎo)電材料之后，再以微影、蝕刻工藝進(jìn)行圖案化，形成與前述基材200內(nèi)部的導(dǎo)線(無(wú)繪示） 耦接的下電極401 (請(qǐng)見(jiàn)圖2)。
[0064] 步驟1033,于下電極上設(shè)置第一導(dǎo)電型氫化非晶硅層。步驟1035,于第一導(dǎo)電型 氫化非晶硅層上設(shè)置本征氫化非晶硅層。步驟1037,于本征氫化非晶硅層上設(shè)置第二導(dǎo)電 型氫化非晶硅層。步驟1033、1035、1037較佳是使用電漿增強(qiáng)型化學(xué)氣相沈積法，以B 2H6/ H2和PH3/H2做為反應(yīng)摻雜氣體，在沈積的過(guò)程中改變摻雜的型態(tài)或濃度，并進(jìn)行微影與蝕 刻工藝加以以圖案化。其中，第二導(dǎo)電型氫化非晶硅層404為P型，厚度較佳介于50入至 50〇A，P型摻質(zhì)的濃度較佳介于1 X 1017至1 X 1021原子/立方公分（atoms/cm3)，P型摻質(zhì) 可以是硼；本征氫化非晶硅層403的厚度較佳介于至5000A;第一導(dǎo)電型氫化非晶 硅層402為N型，厚度較佳介于50A至500A, N型摻質(zhì)的濃度較佳介于1 X 1017至1 X 1021 原子/立方公分，N型摻質(zhì)可以是磷或是砷。
[0065] 步驟1039,于第二導(dǎo)電型氫化非晶硅層上形成上電極。具體而言，較佳是以濺鍍法 沉積例如銦錫氧化物及銦鋅氧化物等材料于第二導(dǎo)電型氫化非晶硅層404上，并進(jìn)行微影 與蝕刻工藝加以以圖案化。
[0066] 如圖7所示，在不同實(shí)施例中，光學(xué)傳感器制造方法包含例如以下步驟。
[0067] 步驟2010,提供基材，具有相背的第一表面以及承載面。具體而言，較佳是提供如 圖8A所示具有第一表面101以及承載面102的基材200。其中，基材200較佳為氧化硅、 硼磷硅玻璃、磷硅玻璃、無(wú)摻雜硅玻璃、氟摻雜硅玻璃、旋涂式玻璃等低介電常數(shù)材料?；?材200可以使用化學(xué)氣相沈積法或旋涂法等方法形成，內(nèi)部并形成有導(dǎo)線電連通第一表面 101以及承載面102。
[0068] 步驟2030,于承載面上設(shè)置傳感部。具體而言，較佳是如圖8B所示于承載面102上 設(shè)置傳感部400。其中傳感部400較佳是如圖2所示為五層式堆迭結(jié)構(gòu)，包含下電極401、第 一導(dǎo)電型氫化非晶娃層402、本征氫化非晶娃層403、第二導(dǎo)電型氫化非晶娃層404、以及上 電極405。傳感部400的設(shè)置流程較佳包含例如前述步驟1031、1033、1035、1037、及1039。 [0069] 步驟2050,于承載面上設(shè)置覆體，覆蓋承載面及傳感部。具體而言，較佳是如圖8C 所示于承載面102上設(shè)置覆體600,覆蓋承載面102及傳感部400。其中，覆體600較佳為 氧化硅、硼磷硅玻璃、磷硅玻璃、無(wú)摻雜硅玻璃、氟摻雜硅玻璃、旋涂式玻璃等低介電常數(shù)材 料。覆體600可以使用化學(xué)氣相沈積法或旋涂法等方法形成。
[0070] 步驟2070,于覆體形成窗口以至少暴露部分的傳感部。具體而言，較佳是如圖8D 所示于覆體600形成窗口 199以至少暴露部分的傳感部400。其中，可通過(guò)干式或濕式蝕刻 或鐳射雕刻等方式于覆體600形成窗口 199。
[0071] 步驟2090,于第一表面設(shè)置該些導(dǎo)電連接體，且與傳感部耦接。具體而言，較佳是 如圖8E所示于第一表面101設(shè)置球柵陣列作為導(dǎo)電連接體300。導(dǎo)電連接體300是通過(guò)前 述基材200內(nèi)部的導(dǎo)線(無(wú)繪示）與傳感部400耦接。
[0072] 在此不同實(shí)施例中，光學(xué)傳感器制造方法進(jìn)一步包含步驟2110,設(shè)置透鏡于窗口。 具體而言，較佳是通過(guò)將液態(tài)樹(shù)脂注入窗口 199,并以紫外線照射或加熱使其硬化成為如圖 8F所示的透鏡188。其中，可通過(guò)改變液態(tài)樹(shù)脂的注入量來(lái)控制透鏡188的形狀。例如，若 液態(tài)樹(shù)脂的注入量略大于窗口的可容置體積，液態(tài)樹(shù)脂會(huì)因表面張力外凸于窗口的開(kāi)口而 形成凸透鏡。
[0073] 進(jìn)一步而言，對(duì)比圖6A到6F所示實(shí)施例及圖8A到8F可以發(fā)現(xiàn)，兩者的不同主要 在于窗口 199形成的次序先后。更具體而言，在圖6A到6F所示的實(shí)施例中，是先設(shè)置該些 導(dǎo)電連接體300,而后再形成窗口 199,由此可避免設(shè)置該些導(dǎo)電連接體300時(shí)有污染物接 觸到傳感部400。在圖8A到8F所示的實(shí)施例中，是先形成窗口 199,而后再設(shè)置該些導(dǎo)電 連接體300。換言之，窗口 199是直接在制作包含第一表面101、第二表面103以及傳感部 400的半導(dǎo)體傳感器晶粒100的前端工藝中完成，然后再于后端封裝工藝中設(shè)置該些導(dǎo)電 連接體300,制造流程較為流暢。
[0074] 如圖9A到9F所示的不同實(shí)施例，窗口 199在前端工藝完成后，亦可先如圖9E先 設(shè)置透鏡188于窗口，然后再如圖9F設(shè)置該些導(dǎo)電連接體300。如此，不僅可保持制造流程 流暢，亦可避免設(shè)置該些導(dǎo)電連接體300時(shí)有污染物接觸到傳感部400。
[0075] 雖然前述的描述及圖式已揭示本發(fā)明之較佳實(shí)施例，必須了解到各種增添、許多 修改和取代可能使用于本發(fā)明較佳實(shí)施例，而不會(huì)脫離如所附權(quán)利要求所界定的本發(fā)明原 理的精神及范圍。熟悉本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的一般技藝者將可體會(huì)，本發(fā)明可使用于許多 形式、結(jié)構(gòu)、布置、比例、材料、元件和組件的修改。因此，本文于此所揭示的實(shí)施例應(yīng)被視為 用以說(shuō)明本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。本發(fā)明的范圍應(yīng)由后附權(quán)利要求所界定，并涵蓋其 合法均等物，并不限于先前的描述。
【權(quán)利要求】
1. 一種光學(xué)傳感器，其特征在于，可耦接于一基板，該光學(xué)傳感器包含： 一半導(dǎo)體傳感器晶粒，包含： 一第一表面，當(dāng)該光學(xué)傳感器稱(chēng)接于該基板時(shí)，該第一表面面對(duì)該基板； 一第二表面，與該第一表面相背，且具有一窗口；以及 一傳感部，設(shè)置于該第一表面及該第二表面間，且至少部分暴露于該窗口；以及 多個(gè)導(dǎo)電連接體，設(shè)置于該第一表面，并與該傳感部電性耦接，供該光學(xué)傳感器耦接于 該基板。
2. 如權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器，其特征在于，該半導(dǎo)體傳感器晶粒進(jìn)一步包含： 一基材，具有相背的該第一表面以及一承載面，其中該傳感部設(shè)置于該承載面；以及 一覆體，覆蓋該承載面，并形成該窗口以至少暴露部分的該傳感部。
3. 如權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器，其特征在于，該些導(dǎo)電連接體為焊球。
4. 如權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器，其特征在于，該傳感部具有相背的一第三表面及 一第四表面，該第三表面朝向該第一表面，該第四表面至少部分暴露于該窗口。
5. 如權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器，其特征在于，該傳感部為PIN二極管。
6. 如權(quán)利要求1所述的光學(xué)傳感器，其特征在于，該傳感部為堆迭結(jié)構(gòu)。
7. 如權(quán)利要求6所述的光學(xué)傳感器，其特征在于，該傳感部為五層式堆迭結(jié)構(gòu)，包含： 一下電極； 一第一導(dǎo)電型氫化非晶娃層，設(shè)置于該下電極上； 一本征氫化非晶硅層，設(shè)置于該第一導(dǎo)電型氫化非晶硅層上； 一第二導(dǎo)電型氫化非晶娃層，設(shè)置于該本征氫化非晶娃層上；以及 一上電極，設(shè)置于該第二導(dǎo)電型氫化非晶硅層上，且至少部分暴露于該窗口。
8. -種光學(xué)傳感器的制造方法，其特征在于，包含： 提供一基材，具有相背的一第一表面以及一承載面； 于該承載面上設(shè)置一傳感部； 于該承載面上設(shè)置一覆體，覆蓋該承載面及該傳感部； 于該第一表面設(shè)置多個(gè)導(dǎo)電連接體，且與該傳感部耦接；以及 于該覆體形成一窗口以至少暴露部分的該傳感部。
9. 如權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，于該第一表面設(shè)置多個(gè)導(dǎo)電連接體的 步驟包含使用焊球作為該些導(dǎo)電連接體。
10. 如權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，于該承載面上設(shè)置該傳感部的步驟包 含： 于該承載面上設(shè)置一下電極； 于該下電極上設(shè)置一第一導(dǎo)電型氫化非晶娃層； 于該第一導(dǎo)電型氫化非晶硅層上設(shè)置一本征氫化非晶硅層； 于該本征氫化非晶娃層上設(shè)置一第二導(dǎo)電型氫化非晶娃層；以及 于該第二導(dǎo)電型氫化非晶娃層上形成一上電極。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK104377249SQ201310671614
【公開(kāi)日】2015年2月25日 申請(qǐng)日期:2013年12月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月16日
【發(fā)明者】林炳原 申請(qǐng)人:力智電子股份有限公司