半導(dǎo)體布置中的多重深度蝕刻的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體布置以及用于形成這種半導(dǎo)體布置的技術(shù)。執(zhí)行蝕刻步驟以在半導(dǎo)體布置的平面區(qū)上方形成第一蝕刻區(qū)。第一蝕刻區(qū)暴露平面結(jié)構(gòu)，諸如，在半導(dǎo)體制造期間用于對準的對準掩模。蝕刻步驟在半導(dǎo)體布置的半導(dǎo)體鰭部區(qū)的上方形成第二蝕刻區(qū)。在一個實施例中，蝕刻步驟在半導(dǎo)體鰭部區(qū)中形成第一溝槽、第一鰭部小塊和第一柱形件，其中，在半導(dǎo)體鰭部區(qū)的半導(dǎo)體襯底中形成第一溝槽。在第一溝槽、第一鰭部小塊和第一柱形件中的至少一個的上方形成多深度STI結(jié)構(gòu)。
【專利說明】半導(dǎo)體布置中的多重深度蝕刻

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明總體涉及半導(dǎo)體，更具體地，涉及半導(dǎo)體布置以及形成半導(dǎo)體布置的技術(shù)。

【背景技術(shù)】
[0002]諸如FinFET晶體管的晶體管包括源極區(qū)、漏極區(qū)以及位于源極區(qū)和漏極區(qū)之間的溝道區(qū)。對于FinFET晶體管，溝道區(qū)被形成為鰭結(jié)構(gòu)。該晶體管包括控制溝道區(qū)的柵極區(qū)以操作晶體管。柵極區(qū)形成在溝道區(qū)的一個或多個表面周圍，由于3D柵極區(qū)域控制晶體管，因此溝道區(qū)對柵極區(qū)的控制得以增強。半導(dǎo)體器件(諸如FinFET晶體管)的制造涉及用于圖案化(諸如光刻)的一個或多個掩模。對準掩模用于將一個或多個掩模與半導(dǎo)體器件的一層或多層對準。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種半導(dǎo)體布置，包括:半導(dǎo)體襯底；平面區(qū)，設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上方，平面區(qū)包括平面結(jié)構(gòu)；以及半導(dǎo)體鰭部區(qū)，設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上方；該半導(dǎo)體鰭部區(qū)包括:第一鰭部小塊，形成在第一組半導(dǎo)體鰭部和第二組半導(dǎo)體鰭部之間，第一鰭部小塊的第一小塊高度小于第一組半導(dǎo)體鰭部內(nèi)的第一鰭部的第一鰭高；和第一溝槽，形成在半導(dǎo)體襯底內(nèi)，第一溝槽形成在第一組半導(dǎo)體鰭部和第二組半導(dǎo)體鰭部之間。
[0004]優(yōu)選地，半導(dǎo)體鰭部區(qū)包括:第二溝槽，形成在半導(dǎo)體襯底內(nèi)，第二溝槽形成在第一組半導(dǎo)體鰭部和第二組半導(dǎo)體鰭部之間。
[0005]優(yōu)選地，第一鰭部小塊形成在第一溝槽和第二溝槽之間。
[0006]優(yōu)選地，半導(dǎo)體鰭部區(qū)包括:第二鰭部小塊，形成在第一溝槽和第二溝槽之間。
[0007]優(yōu)選地，平面結(jié)構(gòu)包括:對準掩模。
[0008]優(yōu)選地，半導(dǎo)體鰭部區(qū)包括:第二鰭部小塊，形成在第一組半導(dǎo)體鰭部和第二組半導(dǎo)體鰭部之間。
[0009]優(yōu)選地，半導(dǎo)體鰭部區(qū)包括:第一柱形件，形成在第一組半導(dǎo)體鰭部和第一溝槽之間。
[0010]優(yōu)選地，第一柱形件具有大于第一小塊高度的第一柱形件高度。
[0011]優(yōu)選地，第一柱形件具有小于第一組半導(dǎo)體鰭部內(nèi)的第一鰭部的第一鰭高的第一柱形件高度。
[0012]優(yōu)選地，第一溝槽的第一溝槽深度小于第一組半導(dǎo)體鰭部內(nèi)的第一鰭部的第一鰭聞。
[0013]優(yōu)選地，半導(dǎo)體鰭部區(qū)包括:STI層，形成在第一鰭部小塊上方。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體布置，包括:半導(dǎo)體襯底；以及半導(dǎo)體鰭部區(qū)，設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上方，該半導(dǎo)體鰭部區(qū)包括:第一鰭部小塊，形成在第一組半導(dǎo)體鰭部和第二組半導(dǎo)體鰭部之間；和第一柱形件，形成在第一組半導(dǎo)體鰭部和第一鰭部小塊之間，第一柱形件具有大于第一鰭部小塊的第一小塊高度的第一柱形件高度。
[0015]優(yōu)選地，半導(dǎo)體鰭部區(qū)包括:第一溝槽，形成在半導(dǎo)體襯底內(nèi)，第一溝槽形成在第一組半導(dǎo)體鰭部和第二組半導(dǎo)體鰭部之間。
[0016]優(yōu)選地，半導(dǎo)體鰭部區(qū)包括:第二溝槽，形成在半導(dǎo)體襯底內(nèi)，第二溝槽形成在第一組半導(dǎo)體鰭部和第二組半導(dǎo)體鰭部之間。
[0017]優(yōu)選地，第一小塊高度小于第一組半導(dǎo)體鰭部內(nèi)的第一鰭部的第一鰭高。
[0018]優(yōu)選地，半導(dǎo)體布置包括:淺溝槽隔離層，形成在半導(dǎo)體鰭部區(qū)上方；柵極氧化層，形成在第一組半導(dǎo)體鰭部和第二組半導(dǎo)體鰭部上方；以及第一柵極結(jié)構(gòu)，形成在柵極氧化層上方，第一柵極結(jié)構(gòu)形成在第一組半導(dǎo)體鰭部內(nèi)的第一鰭部上方。
[0019]優(yōu)選地，第一柱形件的高度小于第一組半導(dǎo)體鰭部內(nèi)的第一鰭部的第一鰭高。
[0020]優(yōu)選地，第一溝槽的第一溝槽深度小于第一組半導(dǎo)體鰭部內(nèi)的第一鰭部的第一鰭聞。
[0021]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種用于形成半導(dǎo)體布置的方法，包括:在半導(dǎo)體襯底上方形成平面區(qū)，平面區(qū)包括平面結(jié)構(gòu)；在半導(dǎo)體襯底上方形成半導(dǎo)體鰭部區(qū)；在平面區(qū)和半導(dǎo)體鰭部區(qū)上方形成底層；以及執(zhí)行蝕刻步驟以穿過底層，執(zhí)行該蝕刻步驟包括:在半導(dǎo)體鰭部區(qū)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第一溝槽。
[0022]優(yōu)選地，執(zhí)行蝕刻步驟包括:去除包括在半導(dǎo)體鰭部區(qū)內(nèi)的半導(dǎo)體鰭部的一部分以形成第一鰭部小塊。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1是示出了根據(jù)一些實施例的形成半導(dǎo)體布置的方法的流程圖。
[0024]圖2是根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體布置的示圖。
[0025]圖3是根據(jù)一些實施例的包括底層的半導(dǎo)體布置的示圖。
[0026]圖4是根據(jù)一些實施例的第一蝕刻的示圖。
[0027]圖5是根據(jù)一些實施例的第二蝕刻的示圖。
[0028]圖6A是根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體布置的示圖。
[0029]圖6B是根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體布置的示圖。
[0030]圖6C是根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體布置的示圖。
[0031]圖6D是根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體布置的淺溝槽隔離(STI)層的示圖。
[0032]圖6E是根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體布置的一個或多個柵極結(jié)構(gòu)的示圖。
[0033]圖6F是根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體布置的立體圖。
[0034]圖7是根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體布置的立體圖。

【具體實施方式】
[0035]現(xiàn)在結(jié)合附圖來描述要求保護的主題，其中，在本發(fā)明中，相似的參考標號通常用于代表相似的元件。在下面的說明書中，出于解釋說明的目的，闡述了很多具體細節(jié)以理解要求保護的主題。然而，顯而易見的是，在沒有這些具體細節(jié)的情況下，可以實踐要求保護的主題。在其他情況下，為了方便描述要求保護的主題，以框圖的形式示出了結(jié)構(gòu)和器件。
[0036]本發(fā)明提供了一種或多種半導(dǎo)體布置和用于形成這種半導(dǎo)體布置的一種或多種技術(shù)。在一個實施例中，半導(dǎo)體布置與一個或多個FinFET器件相對應(yīng)。半導(dǎo)體布置包括半導(dǎo)體鰭部區(qū)。半導(dǎo)體鰭部區(qū)包括用作一個或多個FinFET器件的溝道的一個或多個鰭部。半導(dǎo)體布置包括包含平面結(jié)構(gòu)的平面區(qū)。在一個實施例中，平面結(jié)構(gòu)包括在制造期間用于對準目的的對準掩模。在制造期間，蝕刻一個或多個層以暴露用于對準的平面結(jié)構(gòu)或暴露半導(dǎo)體鰭部區(qū)中用于形成STI的部分。由于半導(dǎo)體布置上的表面形貌的差異，產(chǎn)生了蝕刻的差異。因為未蝕刻掉材料以充分暴露對準掩模，所以與平面區(qū)和半導(dǎo)體鰭部區(qū)相關(guān)的蝕刻上的差異引起套刻(OVL)對準問題。在一個實施例中，在半導(dǎo)體鰭部區(qū)中實現(xiàn)了介于約1000A和約1400A之間的鰭部蝕刻區(qū)深度，而在平面區(qū)中實現(xiàn)了介于約1800A和約2200A之間的平面蝕刻區(qū)深度。然而，即使平面蝕刻區(qū)深度大于鰭蝕刻區(qū)深度，但是由于半導(dǎo)體布置的表面形貌的差異，至少一些材料保留在對準掩模上方，從而未將對準掩模充分暴露以用于對準目的。因此，如本發(fā)明所提供的，執(zhí)行蝕刻工序以暴露平面結(jié)構(gòu)并且在半導(dǎo)體鰭部區(qū)內(nèi)形成用于形成STI的多深度蝕刻區(qū)。
[0037]圖1中示出了形成半導(dǎo)體布置的方法100，并且圖2至圖7中示出了通過這種方法形成的一個或多個半導(dǎo)體布置。如圖2的實施例200所示，半導(dǎo)體布置202包括平面區(qū)，平面區(qū)包括形成在的半導(dǎo)體布置202的襯底204 (諸如，硅襯底)上方的平面結(jié)構(gòu)226。在一個實施例中，平面結(jié)構(gòu)226包括用于制造期間的對準(諸如，圖案掩膜的對準)的對準掩模或覆蓋掩模。半導(dǎo)體布置202包括半導(dǎo)體鰭部區(qū)206。半導(dǎo)體鰭部區(qū)206包括第一組半導(dǎo)體鰭部208和第二組半導(dǎo)體鰭部224。在一個實施例中，半導(dǎo)體鰭部與FinFET晶體管的溝道相對應(yīng)。在一些實施例中，諸如第一鰭部212、第二鰭部214、第三鰭部216、第四鰭部218、第五鰭部220和第六鰭部222的一個或多個犧牲鰭部或偽鰭部包括在半導(dǎo)體鰭部區(qū)206內(nèi)。在一些實施例中，在半導(dǎo)體布置202內(nèi)形成其他層(未示出)，諸如，在平面結(jié)構(gòu)226上方或半導(dǎo)體鰭部區(qū)206內(nèi)的一個或多個鰭結(jié)構(gòu)上方形成的硬掩模或氧化物(SiN/S1)層。
[0038]在102中，如圖3所示，在平面結(jié)構(gòu)226上方和半導(dǎo)體鰭部區(qū)206上方形成底層302。在一個實施例中，底層302包括富碳的材料或用在光刻中的光刻膠材料。在一個實施例中，底層302中位于平面結(jié)構(gòu)226上方的部分的第一厚度304介于約1800A和約2200A之間。在一個實施例中，底層302中位于底層302的頂面與第二組半導(dǎo)體鰭部224內(nèi)的半導(dǎo)體鰭部的頂面之間的部分的第二厚度306介于約1000A和約1400A之間。在一個實施例中，半導(dǎo)體鰭具有圖6A的實施例600中示出的介于約1100A和約1500A之間的鰭高606，從而使得底層302中形成在半導(dǎo)體鰭部區(qū)206上方的部分的厚度308介于約2100A和約2900A之間。在一些實施例中，在半導(dǎo)體布置202內(nèi)形成其他層(未示出)，諸如，包括光刻膠材料或硬掩模(氮化物掩?；蚬饪棠z掩模)的中間層形成在半導(dǎo)體布置202中受保護的或在蝕刻之后仍然保留的部分上方。
[0039]在104中，如圖4的第一蝕刻400和圖5的第二蝕刻500所示，執(zhí)行穿過底層302的蝕刻步驟以在平面結(jié)構(gòu)226上方形成第一蝕刻區(qū)402b并且在半導(dǎo)體鰭部區(qū)206上方形成第二蝕刻區(qū)404b。在一個實施例中，如圖5的實施例500中的第一鰭部小塊(fin nub)216b、第一溝槽214b和第一柱形件212b所示，蝕刻步驟產(chǎn)生一個或多個鰭部小塊、一個或多個溝槽或一個或多個柱形件中的至少一個。
[0040]如圖4所示，在第一蝕刻400的一個實施例中，在平面結(jié)構(gòu)226上方通過第一蝕刻400形成第一部分蝕刻區(qū)402a。如圖4所示，通過第一蝕刻400在半導(dǎo)體鰭部區(qū)206上方形成第二部分蝕刻區(qū)404a。在一個實施例中，第一蝕刻400包括對SiN+Si的化學(xué)蝕刻以去除一個或多個偽鰭(諸如，生成部分蝕刻的第三鰭部216a的第三鰭部216和生成部分蝕刻的第四鰭部218a的第四鰭部218)的部分。
[0041]在第二蝕刻500實施例中，如圖5所示，通過進一步蝕刻第一部分蝕刻區(qū)402a的第二蝕刻500，在平面結(jié)構(gòu)226上方形成第一蝕刻區(qū)402b。通過進一步蝕刻第二部分蝕刻區(qū)404a的第二蝕刻500，在半導(dǎo)體鰭部區(qū)206上方形成第二蝕刻區(qū)404b。在一個實施例中，第二蝕刻500使用諸如CF、CHF或HBr的蝕刻氣體。在一個實施例中，第二蝕刻500暴露出平面器件226的表面。在一個實施例中，第二蝕刻500去除部分蝕刻的第三鰭部216a的一部分以生成第一鰭部小塊216b。在一個實施例中，第二蝕刻500去除部分蝕刻的第四鰭部218a的一部分以生成第二鰭部小塊218b。在一個實施例中，第二蝕刻500去除第二鰭部214以生成形成在襯底204內(nèi)的第一溝槽214b。在一個實施例中，第二蝕刻500去除第五鰭部220以生成形成在襯底204內(nèi)的第二溝槽220b。在一個實施例中，第一鰭部212保留作為第一柱形件212b。在一個實施例中，第六鰭部222保留作為第二柱形件222b。
[0042]如圖6A所示，半導(dǎo)體布置202包括半導(dǎo)體鰭部608。半導(dǎo)體鰭部608具有鰭高606。在一個實施例中，鰭高606介于約1100A和約1500A之間。第二柱形件222b具有小于鰭高606的柱形件高度604。在一個實施例中，柱形件高度604介于鰭高606的約0.3倍和約0.6倍之間。第二鰭部小塊218b具有的鰭部小塊高度602小于鰭高606或柱形件高度604中的至少一個。在一個實施例中，鰭部小塊高度602介于鰭高606的約O倍和約0.25倍之間。
[0043]在一個實施例中，在襯底204上方(諸如，半導(dǎo)體鰭部區(qū)206上方的第一蝕刻區(qū)404b內(nèi))形成STI層(未示出)。在一個實施例中，STI層被形成為多深度STI結(jié)構(gòu)。多深度STI結(jié)構(gòu)與從由圖6B中的線658示出的半導(dǎo)體鰭部的頂面至第二小塊218b的頂面的第一深度652相對應(yīng)。多深度STI結(jié)構(gòu)與從半導(dǎo)體鰭部的頂面至第二溝槽220b的底面的第二深度656相對應(yīng)。在一個實施例中，多深度STI結(jié)構(gòu)與從半導(dǎo)體鰭部的頂面至第二柱形件222b的頂面的第三深度654相對應(yīng)。
[0044]如圖6C所示，第一小塊216b或第二小塊218b中的至少一個具有的小塊高度602小于半導(dǎo)體鰭部608的鰭高606。在一個實施例中，小塊高度602與鰭高606的高度比值差值介于約1/10和約1/2之間。第一溝槽214b和第二溝槽220b中的至少一個形成在襯底204內(nèi)的深度為深度672。在一個實施例中，深度672與襯底204的厚度的深度比值差值介于約1/2和約9/10之間。在一個實施例中，深度672大于小塊高度602。在一個實施例中，深度672小于鰭高606。第一柱形件212b和第二柱形件222b中的至少一個具有的柱形件高度604小于半導(dǎo)體鰭608的鰭高606。在一個實施例中，柱形件高度604大于小塊高度602。第一蝕刻區(qū)402b具有第一蝕刻深度676，從而使得部分平面結(jié)構(gòu)226的具有平面結(jié)構(gòu)高度678。在一個實施例中，第一蝕刻區(qū)402b的第一蝕刻深度676小于半導(dǎo)體鰭部608的鰭高606。在一個實施例中，平面結(jié)構(gòu)高度678與小塊高度602相對應(yīng)。
[0045]在一個實施例中，如圖6D所示，在襯底204上方形成具有厚度或高度682的淺溝槽隔離(STI)層680。在諸如半導(dǎo)體鰭部608的半導(dǎo)體鰭部上方形成柵極氧化層684。在一個實施例中，如圖6E所示，在柵極氧化層684上方形成諸如第一柵極結(jié)構(gòu)690和第二柵極結(jié)構(gòu)692的一個或多個柵極結(jié)構(gòu)。在一個實施例中，在部分平面結(jié)構(gòu)226的上方形成柵極氧化物層684。在平面結(jié)構(gòu)226上方的柵極氧化層684的上方形成第三柵極結(jié)構(gòu)694和第四柵極結(jié)構(gòu)696。
[0046]圖6F示出了半導(dǎo)體布置202的立體圖。立體圖示出了形成在半導(dǎo)體襯底204上方的第一組半導(dǎo)體鰭部208和第二組半導(dǎo)體鰭部224。在第一組半導(dǎo)體鰭部208和第二組半導(dǎo)體鰭部224上方形成STI層680。在第一組半導(dǎo)體鰭部208和第二組半導(dǎo)體鰭部224上方(諸如，半導(dǎo)體608上方)形成柵極氧化層684。在第一組半導(dǎo)體鰭部208上方形成第一柵極結(jié)構(gòu)690。在第二組半導(dǎo)體鰭部224上方形成第二柵極結(jié)構(gòu)692。在第一組半導(dǎo)體鰭部208和第二組半導(dǎo)體鰭部224之間形成第一鰭部小塊216b和第二鰭部小塊218b。在第一鰭部小塊216b和第一組半導(dǎo)體鰭部208之間形成第一柱形件212b。在第二鰭部小塊218b與第二組半導(dǎo)體鰭部224之間形成第二柱形件222b。
[0047]圖7示出了半導(dǎo)體布置202的立體圖。立體圖示出了第一組半導(dǎo)體鰭部208和第二組半導(dǎo)體鰭部224。在第一組半導(dǎo)體鰭部208和第二組半導(dǎo)體鰭部224之間形成第一鰭部小塊216b和第二鰭部小塊218b。在第一鰭部小塊216b和第一組半導(dǎo)體鰭部208之間形成第一柱形件212b。在第一鰭部小塊216b和第一柱形件212b之間形成第一溝槽214b。在第二鰭部小塊218b與第二組半導(dǎo)體鰭部224之間形成第二柱形件222b。在第二鰭部小塊218b和第二柱形件222b之間形成第二溝槽220b。
[0048]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種半導(dǎo)體布置。半導(dǎo)體布置包括半導(dǎo)體襯底。半導(dǎo)體布置包括形成在半導(dǎo)體襯底上方的平面區(qū)。平面區(qū)包括平面結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體布置包括形成在半導(dǎo)體襯底上方的半導(dǎo)體鰭部區(qū)。半導(dǎo)體鰭部區(qū)包括形成在第一組半導(dǎo)體鰭部和第二組半導(dǎo)體鰭部之間的第一鰭部小塊。半導(dǎo)體鰭部區(qū)包括形成在半導(dǎo)體襯底內(nèi)的第一溝槽。第一溝槽形成在第一組半導(dǎo)體鰭部和第二組半導(dǎo)體鰭部之間。
[0049]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種半導(dǎo)體布置。半導(dǎo)體布置包括半導(dǎo)體襯底。半導(dǎo)體布置包括形成在半導(dǎo)體襯底上方的第一平面區(qū)。平面區(qū)包括平面結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體布置包括形成在半導(dǎo)體襯底上方的半導(dǎo)體鰭部區(qū)。半導(dǎo)體鰭部區(qū)包括形成在半導(dǎo)體襯底內(nèi)的第一溝槽。第一溝槽形成在第一組半導(dǎo)體鰭部和第二組半導(dǎo)體鰭部之間。
[0050]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種用于形成半導(dǎo)體布置的方法。該方法包括在半導(dǎo)體襯底上方形成平面區(qū)。平面區(qū)包括平面結(jié)構(gòu)。在半導(dǎo)體襯底上方形成半導(dǎo)體鰭部區(qū)。在平面區(qū)和半導(dǎo)體鰭部區(qū)上方形成底層。執(zhí)行蝕刻步驟以穿過底層。通過蝕刻步驟在半導(dǎo)體鰭部區(qū)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第一溝槽。
[0051]雖然已用針對結(jié)構(gòu)特征或方法步驟的語言描述了主題，但是應(yīng)該理解，所附權(quán)利要求的主題不必限制于上面描述的特定特征或行為。更確切地說，上面描述的特定特征和行為被公開為實施至少一些權(quán)利要求的實施例形式。
[0052]本文提供了實施例的各種操作。按照順序描述的一些或所有操作不應(yīng)被解釋為意味著這些操作必然為順序依賴性的。考慮到本說明書的優(yōu)勢，可以想到可選的順序。此外，應(yīng)該理解，不是所有操作都必然存在于在此提供的每個實施例中。另外，應(yīng)該理解，在一些實施例中，不是所有操作都是必要的。
[0053]應(yīng)該意識到，本文描述的層、部件、元件等被示出為具有彼此相對的特定尺寸(諸如結(jié)構(gòu)尺寸或方位)，例如，在一些實施例中，為了簡化和便于理解的目的，同一物體的實際尺寸與本文示出的尺寸顯著不同。此外，存在各種用于形成本文提及的層、部件、元件等的技術(shù)，例如，諸如蝕刻技術(shù)、注入技術(shù)、摻雜技術(shù)、旋涂技術(shù)、派射技術(shù)(諸如磁控派射或尚子束濺射)、生長技術(shù)(諸如熱生長)或沉積技術(shù)(諸如化學(xué)汽相沉積(CVD)、物理汽相沉積(PVD)、等離子體增強化學(xué)汽相沉積(PECVD)或原子層沉積(ALD))。
[0054]此外，除非另有特定說明，否則“第一”、“第二”等不旨在暗示時間方面、空間方面、次序等。更確切地說，這種術(shù)語僅用作部件、元件、物品等的標識符、名稱等。例如，第一溝道和第二溝道通常對應(yīng)于溝道A和溝道B、兩個不同的或兩個相同的溝道或同一溝道。
[0055]此外，本文中使用的“示例性的”表示用作實例、例子、例證等，并且不必是有利的。如本申請中所使用的，“或”旨在表示包含的“或”，而不是排他的“或”。此外，除了另有特定說明或從上下文中清楚地得出單數(shù)形式，否則本申請中所使用的“一個”和“一”通常被解釋為表示“一個或多個”。另外，A和B等中的至少一個通常意味著A或B或A和B兩者。此夕卜，在某種程度上使用了“包括”、“有”、“具有”、“帶有”或它們的變體，以類似于“包括”的方式，這種術(shù)語預(yù)期為包含性的。
[0056]另外，雖然結(jié)合一個或多個實施方式示出和描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員基于對這一說明書和附圖的閱讀和理解，將想到等效變化和修改。本發(fā)明包括所有這種變化和修改，并且本發(fā)明只由下面的權(quán)利要求的范圍限定。尤其是關(guān)于上面描述的部件(例如，元件、資源等)執(zhí)行的各個功能，除非另有說明，否則用于描述這種部件的術(shù)語預(yù)期與執(zhí)行所述部件的特定功能的任何部件相對應(yīng)(例如，功能等效物)，即使與公開的結(jié)構(gòu)不結(jié)構(gòu)等效。此外，僅結(jié)合若干實施方式的其中一個可能公開了本發(fā)明的特定部件，如可以是被期望的和對任何給定或特定的申請是有利的，這種部件可與其他實施方式中的一個或多個其他部件相結(jié)合。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體布置，包括: 半導(dǎo)體襯底； 平面區(qū)，設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上方，所述平面區(qū)包括平面結(jié)構(gòu)；以及 半導(dǎo)體鰭部區(qū)，設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上方； 所述半導(dǎo)體鰭部區(qū)包括: 第一鰭部小塊，形成在第一組半導(dǎo)體鰭部和第二組半導(dǎo)體鰭部之間，所述第一鰭部小塊的第一小塊高度小于所述第一組半導(dǎo)體鰭部內(nèi)的第一鰭部的第一鰭高；和 第一溝槽，形成在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)，所述第一溝槽形成在所述第一組半導(dǎo)體鰭部和所述第二組半導(dǎo)體鰭部之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體布置，所述半導(dǎo)體鰭部區(qū)包括: 第二溝槽，形成在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)，所述第二溝槽形成在所述第一組半導(dǎo)體鰭部和所述第二組半導(dǎo)體鰭部之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體布置，所述第一鰭部小塊形成在所述第一溝槽和所述第二溝槽之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體布置，所述半導(dǎo)體鰭部區(qū)包括: 第二鰭部小塊，形成在所述第一溝槽和所述第二溝槽之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體布置，所述平面結(jié)構(gòu)包括: 對準掩模。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體布置，所述半導(dǎo)體鰭部區(qū)包括: 第二鰭部小塊，形成在所述第一組半導(dǎo)體鰭部和所述第二組半導(dǎo)體鰭部之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體布置，所述半導(dǎo)體鰭部區(qū)包括: 第一柱形件，形成在所述第一組半導(dǎo)體鰭部和所述第一溝槽之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體布置，所述第一溝槽的第一溝槽深度小于所述第一組半導(dǎo)體鰭部內(nèi)的所述第一鰭部的所述第一鰭高。
9.一種半導(dǎo)體布置，包括: 半導(dǎo)體襯底；以及 半導(dǎo)體鰭部區(qū)，設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上方，所述半導(dǎo)體鰭部區(qū)包括: 第一鰭部小塊，形成在第一組半導(dǎo)體鰭部和第二組半導(dǎo)體鰭部之間；和第一柱形件，形成在所述第一組半導(dǎo)體鰭部和所述第一鰭部小塊之間，所述第一柱形件具有大于所述第一鰭部小塊的第一小塊高度的第一柱形件高度。
10.一種用于形成半導(dǎo)體布置的方法，包括: 在半導(dǎo)體襯底上方形成平面區(qū)，所述平面區(qū)包括平面結(jié)構(gòu)； 在所述半導(dǎo)體襯底上方形成半導(dǎo)體鰭部區(qū)； 在所述平面區(qū)和所述半導(dǎo)體鰭部區(qū)上方形成底層；以及 執(zhí)行蝕刻步驟以穿過所述底層，執(zhí)行所述蝕刻步驟包括: 在所述半導(dǎo)體鰭部區(qū)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第一溝槽。
【文檔編號】H01L29/78GK104465717SQ201310656857
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2013年12月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月12日
【發(fā)明者】江宗育, 陳巨軒, 陳光鑫, 趙信隆 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司