干蝕刻設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種干蝕刻設(shè)備，通過將載體存放室的抽氣管路連通至干蝕刻處理室與廢氣處理室之間的抽氣管路，利用從載體存放室抽出的破真空氣體對(duì)廢氣處理室的入口進(jìn)行吹掃，減少粉塵堆積，通過廢物利用解決了廢氣處理室的入口堵塞問題，降低了廢氣處理室發(fā)生障礙的可能性，從而減少廢氣處理室的維修和停機(jī)次數(shù)，降低生產(chǎn)成本，由于廢氣處理室的維修和停機(jī)次數(shù)減少，使得干蝕刻處理室的運(yùn)行時(shí)間變長，從而提高生產(chǎn)效率。
【專利說明】
干蝕刻設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種干蝕刻設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，而被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、電視、個(gè)人數(shù)字助理、數(shù)字相機(jī)、筆記本電腦、臺(tái)式計(jì)算機(jī)等各種消費(fèi)性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。
[0003]現(xiàn)有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight module)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當(dāng)中放置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細(xì)小電線，通過通電與否來控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。
[0004]通常液晶顯示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶體管(TFT，Thin FilmTransistor)基板、夾于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(LC,Liquid Crystal)及密封膠框(Sealant)組成，其成型工藝一般包括:前段陣列(Array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板與CF基板貼合)及后段模組組裝制程(驅(qū)動(dòng)IC與印刷電路板壓合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的運(yùn)動(dòng)沖段Cell制程主要是在TFT基板與CF基板之間添加液晶；后段模組組裝制程主要是驅(qū)動(dòng)IC壓合與印刷電路板的整合，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)液晶分子轉(zhuǎn)動(dòng)，顯示圖像。
[0005]液晶顯示器的制作過程，尤其是薄膜晶體管陣列基板的制作過程經(jīng)常需要使用到干蝕刻設(shè)備，圖1為現(xiàn)有的干蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，所述干蝕刻設(shè)備包括依次排列的載體存放室100、傳輸室200、及干蝕刻處理室300，所述干蝕刻處理室300通過第一抽氣設(shè)備410與廢氣處理室600相連，所述廢氣處理室600與酸性排氣管520相連，所述載體存放室100通過第二抽氣設(shè)備420連通至干性排氣管510。
[0006]所述載體存放室100通常在真空狀態(tài)和大氣壓狀態(tài)之間切換，所述載體存放室100一般采用壓縮空氣(CDA)作為破真空氣體(vent gas)?？紤]到高分辨率(high resolut1n)產(chǎn)品的良率需求，使用壓縮空氣容易出現(xiàn)水汽、及顆粒物等問題，因此通常采用較高純度的普氮(GN2)作為破真空氣體。當(dāng)所述載體存放室100通過注入普氮達(dá)到大氣壓狀態(tài)，再通過抽氣回到真空狀態(tài)時(shí)，被抽出的普氮通過干性排氣管510直接排放到廢氣管道中，造成浪費(fèi)。
[0007]所述干蝕刻處理室300內(nèi)的蝕刻制程，尤其是金屬的蝕刻制程，經(jīng)常會(huì)產(chǎn)生大量含氟化鉬(MoFx)、氯化鉬(MoClx)、及氯化鋁(AlClx)的尾氣，這些尾氣通過第一抽氣設(shè)備410抽送至廢氣處理室600，由于這些尾氣中的金屬氯化物和金屬氟化物具有較高的黏性和吸水潮解性，極易以粉塵的形式沉積在廢氣處理室600入口，造成廢氣處理室600入口堵塞及整個(gè)抽氣系統(tǒng)壓力異常，使得廢氣處理室600經(jīng)常需要進(jìn)行停機(jī)和維修保養(yǎng)，從而縮短了干蝕刻處理室300的運(yùn)行時(shí)間，降低生產(chǎn)效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的在于提供一種干蝕刻設(shè)備，解決了廢氣處理室的入口堵塞問題，降低了廢氣處理室發(fā)生障礙的可能性，可提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。
[0009]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種干蝕刻設(shè)備，包括依次排列的載體存放室、傳輸室、及干蝕刻處理室;所述載體存放室與傳輸室通過第一腔門進(jìn)行連通和隔離，所述傳輸室與干蝕刻處理室通過第二腔門進(jìn)行連通和隔離；
[0010]所述干蝕刻處理室通過第一管路連通至第一抽氣設(shè)備，所述第一抽氣設(shè)備通過第二管路連通至廢氣處理室，從而可在蝕刻制程結(jié)束后所述干蝕刻處理室內(nèi)殘留的制程尾氣抽送至廢氣處理室中并在廢氣處理室內(nèi)進(jìn)行處理；
[0011 ]所述載體存放室在真空狀態(tài)和大氣壓狀態(tài)之間切換，從真空狀態(tài)切換至大氣壓狀態(tài)需要向載體存放室內(nèi)注入破真空氣體，從大氣壓狀態(tài)切換至真空狀態(tài)需要從載體存放室內(nèi)抽出破真空氣體；
[0012]所述載體存放室通過第三管路連通至第二抽氣設(shè)備，所述第二抽氣設(shè)備連通至第四管路，所述第四管路連通至所述第二管路上靠近廢氣處理室入口的位置，從而可在所述載體存放室從大氣壓狀態(tài)切換至真空狀態(tài)時(shí)將所述載體存放室內(nèi)的破真空氣體抽出并傳輸至廢氣處理室入口，對(duì)廢氣處理室入口進(jìn)行吹掃。
[0013]所述傳輸室內(nèi)設(shè)有傳輸裝置，所述傳輸裝置用于將制程前基板和制程后基板在所述載體存放室與干蝕刻處理室之間傳遞。
[0014]所述第四管路通過第一三通接頭連通至所述第二管路，所述第二管路在所述第一三通接頭處斷開，斷開的兩端分別與所述第一三通接頭的兩個(gè)端口相連，所述第四管路與所述第一三通接頭的另一個(gè)端口相連。
[0015]所述第四管路上設(shè)有一三通閥，所述第四管路在所述三通閥處斷開，所述第四管路上靠近所述第一抽氣設(shè)備的斷開端與所述三通閥的入口相連，所述第四管路上靠近所述廢氣處理室的斷開端與所述三通閥的一出口相連，所述三通閥的另一出口與第五管路相連，所述第五管路與第一排氣管相連。
[0016]所述第四管路上位于三通閥與廢氣處理室之間的部分通過第二三通接頭連通至第六管路，所述第四管路在所述第二三通接頭處斷開，斷開的兩端分別與所述第二三通接頭的兩個(gè)端口相連，所述第六管路與第二三通接頭的另外一個(gè)端口相連，所述第六管路連通至第一排氣管，且所述第六管路上設(shè)有一手動(dòng)閥。
[0017]所述廢氣處理室與第二排氣管相連，所述第二排氣管為管道內(nèi)表面設(shè)有防腐蝕涂層的不銹鋼管。
[0018]所述第一管路、第二管路、及第四管路上位于三通閥與廢氣處理室之間的部分的外部均設(shè)有加熱裝置。
[0019]所述加熱裝置為包覆于管路外表面的加熱帶。
[0020]所述加熱裝置的加熱溫度為大于等于120°C。
[0021]所述第一抽氣設(shè)備與第二抽氣設(shè)備均為干栗。
[0022]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供的一種干蝕刻設(shè)備，通過將載體存放室的抽氣管路連通至干蝕刻處理室與廢氣處理室之間的抽氣管路，利用從載體存放室抽出的破真空氣體對(duì)廢氣處理室的入口進(jìn)行吹掃，減少粉塵堆積，通過廢物利用解決了廢氣處理室的入口堵塞問題，降低了廢氣處理室發(fā)生障礙的可能性，從而減少廢氣處理室的維修和停機(jī)次數(shù)，降低生產(chǎn)成本，由于廢氣處理室的維修和停機(jī)次數(shù)減少，使得干蝕刻處理室的運(yùn)行時(shí)間變長，從而提尚生廣效率。
[0023]為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對(duì)本發(fā)明加以限制。
【附圖說明】
[0024]下面結(jié)合附圖，通過對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。
[0025]附圖中，
[0026]圖1為現(xiàn)有的干蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖2為本發(fā)明的干蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0029]請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明提供一種干蝕刻設(shè)備，包括依次排列的載體存放室10、傳輸室20、及干蝕刻處理室30;所述載體存放室10與傳輸室20通過第一腔門81進(jìn)行連通和隔離，所述傳輸室20與干蝕刻處理室30通過第二腔門82進(jìn)行連通和隔離；
[0030]所述干蝕刻處理室30通過第一管路51連通至第一抽氣設(shè)備41，所述第一抽氣設(shè)備41通過第二管路52連通至廢氣處理室70，從而可在蝕刻制程結(jié)束后將所述干蝕刻處理室30內(nèi)殘留的制程尾氣抽送至廢氣處理室70中并在廢氣處理室70內(nèi)進(jìn)行處理；
[0031]所述載體存放室10在真空狀態(tài)和大氣壓狀態(tài)之間切換，從真空狀態(tài)切換至大氣壓狀態(tài)需要向載體存放室10內(nèi)注入破真空氣體，從大氣壓狀態(tài)切換至真空狀態(tài)需要從載體存放室10內(nèi)抽出破真空氣體；
[0032]所述載體存放室10通過第三管路53連通至第二抽氣設(shè)備42，所述第二抽氣設(shè)備42連通至第四管路54，所述第四管路54連通至所述第二管路52上靠近廢氣處理室70入口的位置，從而可在所述載體存放室10從大氣壓狀態(tài)切換至真空狀態(tài)時(shí)將所述載體存放室10內(nèi)的破真空氣體抽出并傳輸至廢氣處理室70入口，對(duì)廢氣處理室70入口進(jìn)行吹掃。
[0033]具體的，所述第四管路54通過第一三通接頭93連通至所述第二管路52，所述第二管路52在所述第一三通接頭93處斷開，斷開的兩端分別與所述第一三通接頭93的兩個(gè)端口相連，所述第四管路54與第一三通接頭93的另一個(gè)端口相連。
[0034]具體的，所述傳輸室20與第三抽氣設(shè)備43相連，所述傳輸室20通過第三抽氣設(shè)備43抽氣來達(dá)到真空狀態(tài)。
[0035]具體的，所述傳輸室20內(nèi)設(shè)有傳輸裝置21，所述傳輸裝置21用于將制程前基板和制程后基板在所述載體存放室10與干蝕刻處理室30之間傳遞;優(yōu)選的，所述傳輸裝置21為機(jī)械手臂(Robot)。
[0036]具體的，所述載體存放室10遠(yuǎn)離所述傳輸室20的一側(cè)設(shè)有第三腔門83，所述第三腔門83打開時(shí)，制程前基板可以通過所述第三腔門83進(jìn)入所述載體存放室10，制程后基板可以通過所述第三腔門83從所述載體存放室1中移出。
[0037]具體的，所述第一腔門81打開時(shí)，所述載體存放室10與傳輸室20連通，所述第一腔門81關(guān)閉時(shí)，所述載體存放室10與傳輸室20被所述第一腔門81隔離開;所述第二腔門82打開時(shí)，所述傳輸室20與干蝕刻處理室30連通，所述第二腔門82關(guān)閉時(shí)，所述傳輸室20與干蝕刻處理室30被所述第二腔門82隔離開。
[0038]具體的，所述第一腔門81、第二腔門82、及第三腔門83在干蝕刻制程中根據(jù)需要打開和關(guān)閉。
[0039]具體的，本發(fā)明的干蝕刻設(shè)備的工作原理是:
[0040]制程前基板進(jìn)入干蝕刻設(shè)備之前，所述載體存放室10為大氣壓狀態(tài)，所述傳輸室20、及干蝕刻處理室30保持真空狀態(tài)；
[0041 ]第三腔門83打開，制程前基板進(jìn)入載體存放室10，關(guān)閉第三腔門83與第一腔門81，通過第二抽氣設(shè)備42將所述載體存放室10抽至真空狀態(tài)，打開第一腔門81和第二腔門82，所述傳輸室20內(nèi)的傳輸裝置21將所述制程前基板從所述載體存放室10傳輸至所述干蝕刻處理室30，關(guān)閉第二腔門82，所述制程前基板在所述干蝕刻處理室30內(nèi)進(jìn)行干蝕刻處理，處理完畢后，所述傳輸裝置21將制程后基板從所述干蝕刻處理室30傳輸至所述載體存放室10內(nèi)，關(guān)閉第一腔門81，向所述載體存放室10內(nèi)注入破真空氣體，使所述載體存放室1內(nèi)的氣壓等于或者略大于大氣壓，打開第三腔門83，將所述制程后基板移出所述載體存放室10，之后向所述載體存放室10內(nèi)放入另一制程前基板，關(guān)閉第三腔門83，通過第二抽氣設(shè)備42將所述載體存放室10抽至真空狀態(tài)，此時(shí)抽出的氣體主要為之前向所述載體存放室10內(nèi)充入的破真空氣體，該破真空氣體經(jīng)由第二抽氣設(shè)備42、第三管路53、及第四管路54傳輸至第二管路52上靠近廢氣處理室70入口的位置，進(jìn)而傳輸至所述廢氣處理室70內(nèi)，對(duì)廢氣處理室70入口堆積的粉塵進(jìn)行吹掃，避免廢氣處理室70入口發(fā)生堵塞。
[0042]優(yōu)選的，所述破真空氣體為氮?dú)?，?yōu)選為普氮(GN2)。
[0043]具體的，所述第四管路54上設(shè)有一三通閥60，所述第四管路54在所述三通閥60處斷開，所述第四管路54上靠近所述第一抽氣設(shè)備41的斷開端與所述三通閥60的入口相連，所述第四管路54上靠近所述廢氣處理室70的斷開端與所述三通閥60的一出口相連，所述三通閥60的另一出口與第五管路55相連，所述第五管路55與第一排氣管91相連。
[0044]當(dāng)所述載體存放室10在進(jìn)行維護(hù)保養(yǎng)或者停機(jī)時(shí)，可能需要打開載體存放室10，將其暴露在大氣環(huán)境中，這時(shí)載體存放室10會(huì)進(jìn)入空氣，空氣中的水汽會(huì)造成干蝕刻處理室30尾氣中的粉塵更加粘稠從而加重廢氣處理室70入口的堵塞，此時(shí)可利用三通閥60切換管線，將所述載體存放室10內(nèi)的空氣通過三通閥60連通至第五管路55，再通過第一排氣管91排至干蝕刻設(shè)備外，可避免空氣進(jìn)入廢氣處理室70中。
[0045]具體的，所述廢氣處理室70內(nèi)設(shè)有燃燒設(shè)備。
[0046]優(yōu)選的，所述第四管路54上位于三通閥60與廢氣處理室70之間的部分通過第二三通接頭94連通至第六管路56，所述第四管路54在所述第二三通接頭94處斷開，斷開的兩端分別與所述第二三通接頭94的兩個(gè)端口相連，所述第六管路56與所述第二三通接頭94的另外一個(gè)端口相連，所述第六管路56連通至第一排氣管91，且所述第六管路56上設(shè)有一手動(dòng)閥63。
[0047]由于載體存放室10在抽氣時(shí)，排出的氣流量很大，可能會(huì)將廢氣處理室70內(nèi)的燃燒設(shè)備的火焰吹滅，使廢氣處理室70不能正常運(yùn)行，因此加裝帶有手動(dòng)閥63的第六管路56可以將部分氣流導(dǎo)走，降低進(jìn)入廢氣處理室70內(nèi)的氣流量。
[0048]具體的，所述第五管路55、第六管路56、及第一排氣管91通過第三三通接頭95相連通。
[0049]具體的，所述廢氣處理室70與第二排氣管92相連，從而通過該第二排氣管92將處理過的廢氣傳輸?shù)街醒霃U氣處理站進(jìn)行進(jìn)一步處理。
[0050]具體的，所述第一排氣管91為干性排氣管，如不銹鋼管或者鐵管。
[0051 ]具體的，由于制程尾氣在廢氣處理室70中處理后會(huì)形成酸性物質(zhì)，因此所述第二排氣管92為酸性排氣管，如管道內(nèi)表面設(shè)有防腐蝕涂層的不銹鋼管。
[0052]優(yōu)選的，所述第一管路51與第二管路52均為不銹鋼管;所述第三管路53、第四管路54、第五管路55、第六管路56為不銹鋼管或者鐵管。
[0053]具體的，所述第一管路51、第二管路52、及第四管路54上位于三通閥60與廢氣處理室70之間的部分的外部均設(shè)有加熱裝置75。
[0054]優(yōu)選的，所述加熱裝置75為包覆于管路外表面的加熱帶;所述加熱帶包括中間的銅絲(加熱絲)、最外層的聚合物層、及填充于所述銅絲與聚合物層之間的玻璃纖維。
[0055]具體的，所述加熱裝置75的加熱溫度為大于等于120°C，優(yōu)選為150°C。
[0056]通過對(duì)第一管路51與第二管路52進(jìn)行加熱，可以使所述干蝕刻處理室30的制程尾氣中的粉塵顆粒保持氣體狀態(tài)，避免在管壁上沉積造成堵塞;通過對(duì)第四管路54上位于三通閥60與廢氣處理室70之間的部分進(jìn)行加熱，可以對(duì)從載體存放室10抽出的破真空氣體進(jìn)行加熱，使廢氣處理室70入口的粉塵揮發(fā)，減少粉塵附著，使吹掃效果更佳。
[0057]具體的，所述第一抽氣設(shè)備41、第二抽氣設(shè)備42、及第三抽氣設(shè)備43均為干栗。
[0058]具體的，由于所述載體存放室10必須迅速完成大氣壓狀態(tài)與真空狀態(tài)之間的切換，因此所述第二抽氣設(shè)備42的抽氣能力一般大于50000L/min，在某些情況下需要大于150000L/min。
[0059]一般情況下，所述第一抽氣設(shè)備41、及第三抽氣設(shè)備43的抽氣能力大于20000L/min0
[0060]具體的，所述干蝕刻處理室30采用的蝕刻氣體包括氯氣、六氟化硫、四氟化碳、及氧氣中的至少一種。
[0061]本發(fā)明的干蝕刻設(shè)備帶來的經(jīng)濟(jì)效益:
[0062]1、增加的生產(chǎn)成本:
[0063]每臺(tái)干蝕刻設(shè)備增加一個(gè)三通閥60、一個(gè)手動(dòng)閥63及數(shù)段管路，預(yù)計(jì)需要花費(fèi)10萬RMB;此外，第四管路54外部增設(shè)加熱裝置75，加熱功率以加熱溫度150°C考量，約40A，電力消耗為:40A*208V = 8.32KW，每月花費(fèi)為:8.32KW*24*30*0.68 = 0.407 萬 RMB。
[0064]2、廢氣處理室70節(jié)省的維修保養(yǎng)費(fèi)用:
[0065]現(xiàn)有的干蝕刻設(shè)備的維修保養(yǎng)頻率:0.5個(gè)月一次，每次約I萬RMB;
[0066]本發(fā)明的干蝕刻設(shè)備的維修頻保養(yǎng)率:1.0個(gè)月一次，每次約I萬RMB;
[0067]以5年計(jì)，廢氣處理室70的維修保養(yǎng)頻率降低后，節(jié)省的維修保養(yǎng)費(fèi)用為:(12/
0.5-12/1.0)*5*1=60 萬 RMB。
[0068]3、機(jī)臺(tái)運(yùn)行時(shí)間提升及生產(chǎn)利潤:
[0069]廢氣處理室70每次維修保養(yǎng)需要2小時(shí)，使得干蝕刻處理室30停運(yùn)2小時(shí)。
[0070]本發(fā)明的干蝕刻設(shè)備對(duì)干蝕刻處理室30運(yùn)行時(shí)間的提升為:(12/0.5-12/1.0)*2= 24hrs/年。
[0071]以金屬層干蝕刻的制程時(shí)間為80s計(jì)算，增加的產(chǎn)能貢獻(xiàn)為:24*60*60/80=1080pcs/年。
[0072 ] 參考2016年多晶硅產(chǎn)品的利潤，每片玻璃板(G6g las s)的毛利潤為5000RMB。
[0073]以5年計(jì)，干蝕刻處理室30運(yùn)行時(shí)間提升后創(chuàng)造的利潤為:1080*5000*5 = 2700萬RMB0
[0074]以5年計(jì)，本發(fā)明的干蝕刻設(shè)備預(yù)計(jì)創(chuàng)造價(jià)值為:2700+60-10-0.407*12*5 = 2.7千萬RMB，平均到每年為:2725/5 = 545萬RMB。
[0075]綜上所述，本發(fā)明提供的一種干蝕刻設(shè)備，通過將載體存放室的抽氣管路連通至干蝕刻處理室與廢氣處理室之間的抽氣管路，利用從載體存放室抽出的破真空氣體對(duì)廢氣處理室的入口進(jìn)行吹掃，減少粉塵堆積，通過廢物利用解決了廢氣處理室的入口堵塞問題，降低了廢氣處理室發(fā)生障礙的可能性，從而減少廢氣處理室的維修和停機(jī)次數(shù)，降低生產(chǎn)成本，由于廢氣處理室的維修和停機(jī)次數(shù)減少，使得干蝕刻處理室的運(yùn)行時(shí)間變長，從而提高生產(chǎn)效率。
[0076]以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種干蝕刻設(shè)備，其特征在于，包括依次排列的載體存放室(10)、傳輸室(20)、及干蝕刻處理室(30);所述載體存放室(10)與傳輸室(20)通過第一腔門(81)進(jìn)行連通和隔離，所述傳輸室(20)與干蝕刻處理室(30)通過第二腔門(82)進(jìn)行連通和隔離； 所述干蝕刻處理室(30)通過第一管路(51)連通至第一抽氣設(shè)備(41)，所述第一抽氣設(shè)備(41)通過第二管路(52)連通至廢氣處理室(70)，從而可在蝕刻制程結(jié)束后將所述干蝕刻處理室(30)內(nèi)殘留的制程尾氣抽送至廢氣處理室(70)中并在廢氣處理室(70)內(nèi)進(jìn)行處理； 所述載體存放室(10)在真空狀態(tài)和大氣壓狀態(tài)之間切換，從真空狀態(tài)切換至大氣壓狀態(tài)需要向載體存放室(10)內(nèi)注入破真空氣體，從大氣壓狀態(tài)切換至真空狀態(tài)需要從載體存放室(10)內(nèi)抽出破真空氣體； 所述載體存放室(10)通過第三管路(53)連通至第二抽氣設(shè)備(42)，所述第二抽氣設(shè)備(42)連通至第四管路(54)，所述第四管路(54)連通至所述第二管路(52)上靠近廢氣處理室(70)入口的位置，從而可在所述載體存放室(10)從大氣壓狀態(tài)切換至真空狀態(tài)時(shí)將所述載體存放室(10)內(nèi)的破真空氣體抽出并傳輸至廢氣處理室(70)入口，對(duì)廢氣處理室(70)入口進(jìn)行吹掃。2.如權(quán)利要求1所述的干蝕刻設(shè)備，其特征在于，所述第四管路(54)通過第一三通接頭(93)連通至所述第二管路(52)，所述第二管路(52)在所述第一三通接頭(93)處斷開，斷開的兩端分別與所述第一三通接頭(93)的兩個(gè)端口相連，所述第四管路(54)與第一三通接頭(93)的另一個(gè)端口相連。3.如權(quán)利要求1所述的干蝕刻設(shè)備，其特征在于，所述傳輸室(20)內(nèi)設(shè)有傳輸裝置(21)，所述傳輸裝置(21)用于將制程前基板和制程后基板在所述載體存放室(10)與干蝕刻處理室(30)之間傳遞。4.如權(quán)利要求1所述的干蝕刻設(shè)備，其特征在于，所述第四管路(54)上設(shè)有一三通閥(60)，所述第四管路(54)在所述三通閥(60)處斷開，所述第四管路(54)上靠近所述第一抽氣設(shè)備(41)的斷開端與所述三通閥(60)的入口相連，所述第四管路(54)上靠近所述廢氣處理室(70)的斷開端與所述三通閥(60)的一出口相連，所述三通閥(60)的另一出口與第五管路(55)相連，所述第五管路(55)與第一排氣管(91)相連。5.如權(quán)利要求4所述的干蝕刻設(shè)備，其特征在于，所述第四管路(54)上位于三通閥(60)與廢氣處理室(70)之間的部分通過第二三通接頭(94)連通至第六管路(56)，所述第四管路(54)在所述第二三通接頭(94)處斷開，斷開的兩端分別與所述第二三通接頭(94)的兩個(gè)端口相連，所述第六管路(56)與所述第二三通接頭(94)的另外一個(gè)端口相連，所述第六管路(56)連通至第一排氣管(91)，且所述第六管路(56)上設(shè)有一手動(dòng)閥(63)。6.如權(quán)利要求1所述的干蝕刻設(shè)備，其特征在于，所述廢氣處理室(70)與第二排氣管(92)相連，所述第二排氣管(92)為管道內(nèi)表面設(shè)有防腐蝕涂層的不銹鋼管。7.如權(quán)利要求1所述的干蝕刻設(shè)備，其特征在于，所述第一管路(51)、第二管路(52)、及第四管路(54)上位于三通閥(60)與廢氣處理室(70)之間的部分的外部均設(shè)有加熱裝置(75)。8.如權(quán)利要求7所述的干蝕刻設(shè)備，其特征在于，所述加熱裝置(75)為包覆于管路外表面的加熱帶。9.如權(quán)利要求7所述的干蝕刻設(shè)備，其特征在于，所述加熱裝置(75)的加熱溫度為大于等于120°C。10.如權(quán)利要求1所述的干蝕刻設(shè)備，其特征在于，所述第一抽氣設(shè)備(41)、及第二抽氣設(shè)備(42)均為干栗。
【文檔編號(hào)】H01J37/32GK106098525SQ201610527683
【公開日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年7月6日
【發(fā)明人】肖文歡
【申請(qǐng)人】武漢華星光電技術(shù)有限公司