專利名稱：蝕刻沉積于半導(dǎo)體基底上的光阻層的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體制造工藝，且特別是有關(guān)于一種蝕刻沉積于半導(dǎo)體基底上的光阻層的方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體組件通常是經(jīng)由重復(fù)各種不同的制造工藝而制作于例如是晶圓的半導(dǎo)體基底上。這些各種不同的制造工藝包括成膜(Layering)制造工藝、圖案化(Patterning)/蝕刻(Etching)制造工藝、摻雜(Doping)制造工藝與熱處理(Heat Treatment)制造工藝等。圖案化/蝕刻制造工藝是一種很重要的半導(dǎo)體制造工藝，其包括從半導(dǎo)體基底的表面移除材料。亦即，圖案化/蝕刻制造工藝的步驟至少包括于半導(dǎo)體基底的表面上形成具有特定圖案的光阻層，然后再從半導(dǎo)體基底的表面上選擇性蝕刻或移除材料。在蝕刻制造工藝中，半導(dǎo)體基底覆蓋有光阻層的部分會受到保護(hù)，而半導(dǎo)體基底未覆蓋有光阻層的部分則會依照蝕刻制造工藝的型式與時間而蝕刻至設(shè)定程度。于是，在特定圖案中的未受到保護(hù)的材料會從半導(dǎo)體基底表面上移除。
目前業(yè)界常使用的兩種蝕刻制造工藝包括濕式蝕刻制造工藝與干式蝕刻制造工藝。濕式蝕刻制造工藝是利用化學(xué)蝕刻劑處理半導(dǎo)體基底表面，使化學(xué)蝕刻劑與未受到保護(hù)的材料反應(yīng)而形成包含未受到保護(hù)的材料的水溶性產(chǎn)物，而此水溶性產(chǎn)物再由溶劑帶走。干式蝕刻制造工藝則是利用氣體分子及/或離子處理半導(dǎo)體基底表面，使氣體分子及/或離子與未受到保護(hù)的材料產(chǎn)生反應(yīng)(化學(xué)反應(yīng))或轟擊半導(dǎo)體基底的表面(物理反應(yīng))以移除未受到保護(hù)的材料。干式蝕刻制造工藝通常被稱為等離子體蝕刻制造工藝。
在蝕刻制造工藝結(jié)束后，通常需要進(jìn)行灰化(Ashing)制造工藝以移除殘留在半導(dǎo)體基底表面的光阻層。一種公知的灰化制造工藝是加入例如是氧氣的氣體，并使此氣體離子化形成等離子體后，利用此等離子體作為化學(xué)蝕刻劑或物質(zhì)處理半導(dǎo)體基底表面以移除光阻層。然后，利用有機(jī)溶劑或無機(jī)溶劑處理光阻層，以破壞光阻層的結(jié)構(gòu)并完全移除殘留的光阻層。因為，底層的導(dǎo)線不會改變，所以在公知的灰化制造工藝之后會進(jìn)行濕式蝕刻制造工藝，以更有效的移除光阻層。然而，灰化制造工藝有一個缺點(diǎn)就是在干等離子體處理制造工藝時會產(chǎn)生很多缺陷。而且，在后續(xù)的濕式蝕刻制造工藝也無法去除這些缺陷。
就環(huán)境保護(hù)的考慮而言，目前業(yè)界利用臭氧化去離子水處理光阻層以移除光阻層。然而，在噴灑旋轉(zhuǎn)處理器(Spray Spin Processor)中使用臭氧化去離子水處理蝕刻后(Post-Etch)光阻層或低劑量植入(Low-Dose-Implant)深紫外光(Deep Ultraviolet，DUV)型光阻層時，其光阻層的蝕刻速率為400埃/分鐘(/min)至600埃/分鐘(/min)。一般而言，利用臭氧化去離子水處理光阻層的方法與目前制造程序所使用的利用有機(jī)溶劑處理光阻層的方法相比較，利用臭氧化去離子水處理光阻層的蝕刻速率是相當(dāng)?shù)偷摹?br> 于是就需要一種能夠增加半導(dǎo)體基底的光阻層的蝕刻速率的方法。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種蝕刻沉積于半導(dǎo)體基底上的光阻層的方法，此方法應(yīng)用含氫離子反應(yīng)性溶液處理光阻層而使含氫離子反應(yīng)性溶液與光阻層反應(yīng)，接著應(yīng)用去離子水處理基底后，再應(yīng)用臭氧化去離子水處理基底以移除至少一部分的光阻層。含氫離子反應(yīng)性溶液只要包含氫離子，并包括一種以上的下列元素或化合物氧、氧化氫、過氧化氫、硫、硫酸鹽、二氧化硫、三氧化硫與硫酸。本發(fā)明的特點(diǎn)在于可以更有效的進(jìn)行光阻層移除制造工藝，亦即，舉例來說，在對蝕刻后或低劑量離子植入制造工藝后的光阻層進(jìn)行濕式蝕刻剝離制造工藝時，不需要進(jìn)行灰化處理而且也不會降低產(chǎn)能。
本發(fā)明另外提供一種蝕刻制造工藝，此蝕刻制造工藝是提供已形成光阻材料的基底，導(dǎo)入硫酸溶液至反應(yīng)室中，以使硫酸溶液與光阻材料反應(yīng)。然后，以臭氧化去離子水處理光阻材料，以移除光阻材料。硫酸溶液是以導(dǎo)入或噴灑的方式進(jìn)入反應(yīng)室，而且硫酸溶液進(jìn)入反應(yīng)室的時間為10秒至60秒左右。臭氧化去離子水至少包括60ppm的臭氧。
本發(fā)明又提供一種蝕刻沉積于半導(dǎo)體基底上的光阻層的方法，此方法是將含氫離子反應(yīng)性溶液噴灑于基底上10秒至60秒左右后，將去離子水噴灑于基底上。此方法還包括將溫度為25℃的臭氧化去離子水噴灑至基底上或供給至反應(yīng)室中。然后，將溫度為80℃至95℃左右的熱去離子水噴灑至基底上或供給至反應(yīng)室中。
在此，由上述內(nèi)容、本說明書與公知技術(shù)可明顯的看出任何結(jié)合所產(chǎn)生的特征，在不互相矛盾的情況下，上述的任何特征或特征的結(jié)合都包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。而且，在此已經(jīng)揭露了本發(fā)明的內(nèi)容、部分觀點(diǎn)與特征，當(dāng)然這些內(nèi)容、部分觀點(diǎn)與特征將會以本發(fā)明的實施例予以具體化。而且，本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)與特征可明顯的由后附的詳細(xì)內(nèi)容與權(quán)利要求中看出。


為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一優(yōu)選實施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下圖1為繪示本發(fā)明優(yōu)選實施例的制造工藝裝置側(cè)視圖；以及圖2為繪示本發(fā)明優(yōu)選實施例的蝕刻沉積于半導(dǎo)體基底上的光阻層的方法流程圖。
附圖標(biāo)記說明100制造工藝裝置105基底110反應(yīng)室110a頂部110b底部115旋轉(zhuǎn)臺120噴灑機(jī)構(gòu)125噴嘴130出口135晶圓匣200、205、210、215、220、225、230、235步驟
具體實施例方式
以下請參照附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。在所附圖標(biāo)中，盡量使用相同或相似的圖標(biāo)標(biāo)記表示相同或相似的構(gòu)件。而且，圖標(biāo)所繪示的只是概略圖并不是精確的尺寸。在下述所公開的內(nèi)容中，為了達(dá)到方便與清楚的目的，所謂的方向術(shù)語如頂部、底部、左、右、上、下、之上、高于、低于、之下、后面、前面等只是用于對應(yīng)所附圖標(biāo)。這些方向術(shù)語并不是用以限定專利權(quán)利要求所界定的范圍。
在此所公開的內(nèi)容只是代表性的優(yōu)選實施例，需要明白的是這些實施例只是代表實例而不是用以限制本發(fā)明。而且，下述的詳細(xì)內(nèi)容的目的，盡管只是解釋優(yōu)選實施例，但是根據(jù)實施例所作的各種潤飾、取代與更動仍然屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍，因此本發(fā)明的范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定為準(zhǔn)。此外，必須了解與體會的是在實施例中所敘述的制造工藝步驟與結(jié)構(gòu)并沒有包含制作介層窗(via)結(jié)構(gòu)的全部制造流程。本發(fā)明所揭露的方法可以與公知所使用的不同集成電路制造技術(shù)整合在一起，而且在實施例中實行的許多一般制造工藝步驟只是用于提供實施本發(fā)明的一些必要條件。一般而言，本發(fā)明適用于半導(dǎo)體組件與制造工藝的領(lǐng)域中。并且，在下述的內(nèi)容中，本發(fā)明是以相關(guān)的制造工藝裝置與于半導(dǎo)體基底上蝕刻光阻層的方法為實例作說明。
請參照圖1，是依照本發(fā)明優(yōu)選實施例的制造工藝裝置100側(cè)視圖。此制造工藝裝置100可以快速且均一的對半導(dǎo)體基底105進(jìn)行化學(xué)及或物理處理。制造工藝裝置100例如是噴灑處理裝置(Spray Processor)。在本實施例中，制造工藝裝置100例如是由FSI International公司所制造的酸噴灑處理裝置。此制造工藝裝置100是由具有頂部110a與底部110b的液體密封式處理反應(yīng)室110、設(shè)置于反應(yīng)室110的底部110b并用以旋轉(zhuǎn)基底105的旋轉(zhuǎn)臺115、設(shè)置于反應(yīng)室110的頂部110a并用以供給流體(氣體或液體)于至少一個基底105表面的噴灑機(jī)構(gòu)120所構(gòu)成。通過使旋轉(zhuǎn)臺115旋轉(zhuǎn)而可以控制流體沉降于基底105表面及/或均勻的處理基底105表面。此外，旋轉(zhuǎn)臺115也可以用于旋于基底105。噴灑機(jī)構(gòu)120具有多個噴嘴125，其中每一個噴嘴連接至各種儲槽(未畫出)，且多個噴嘴設(shè)置于反應(yīng)室110中，其用以噴灑不同的流體，例如氮?dú)?、含氫離子反應(yīng)性溶液、臭氧化去離子水、去離子水至基底105表面。因此，可以同時的或連續(xù)的使用不同的流體處理基底。
在一個實施例中，制造工藝裝置100包括一個出口130，此出口130連接一個抽取組件(未畫出)，以抽取組件用以從反應(yīng)室110中移除所使用的流體。制造工藝裝置110也包括設(shè)置在反應(yīng)室110中用以容納多個堆棧在一起的基底105的晶圓匣135、用以上升與下降晶圓匣135的升降機(jī)(未畫出)與用以從晶圓匣135移動基底105至旋轉(zhuǎn)臺115上的機(jī)械手臂機(jī)構(gòu)(未畫出)。而且，制造工藝裝置110還包括一個用以將基底105固定在旋轉(zhuǎn)臺115上的載具(未畫出)。制造工藝裝置100與其它公知的制造工藝裝置可以用于執(zhí)行本發(fā)明的方法。
請同時參照圖1與圖2，蝕刻沉積于基底105上的光阻層的方法是先將已經(jīng)預(yù)先在表面形成一層光阻層的基底105放置于反應(yīng)室110中(步驟200)。然后，使用周知的技術(shù)圖案化基底105表面的光阻層，使其具有設(shè)定的圖案形狀。此光阻層的厚度例如是5000埃至15000埃左右的范圍內(nèi)。光阻層例如是任何型式的光阻或者光阻的組合，其中光阻例如是正光阻、負(fù)光阻、深紫外光光阻等。對于光阻而言，以具有碳鏈接構(gòu)的光阻為佳。當(dāng)光阻層已經(jīng)設(shè)置在基底105上后，使用濕式蝕刻制造工藝或干式蝕刻制造工藝蝕刻基底105，然后再以下述的制造工藝移除光阻層。
在步驟205時，經(jīng)由多個噴嘴125的其中的一個或多個導(dǎo)入含氫離子反應(yīng)性溶液至反應(yīng)室110中，而使含氫離子反應(yīng)性溶液沉積在基底105的光阻層上。導(dǎo)入反應(yīng)室110的含氫離子反應(yīng)性溶液的流量例如是600sccm至3000sccm(標(biāo)準(zhǔn)立方公分/分鐘)左右。
使用或噴灑含氫離子反應(yīng)性溶液處理光阻層表面的時間例如是10秒至60秒左右。當(dāng)在使用含氫離子反應(yīng)性溶液處理光阻層時，同時使旋轉(zhuǎn)臺115上的基底105旋轉(zhuǎn)以確保含氫離子反應(yīng)性溶液涂層完全的或均一的覆蓋住光阻層。當(dāng)然也可以在使用含氫離子反應(yīng)性溶液處理光阻層之后，再使旋轉(zhuǎn)臺115上的基底105旋轉(zhuǎn)以使含氫離子反應(yīng)性溶液均一的分布于光阻層上。含氫離子反應(yīng)性溶液例如是包含氫離子，并包括一種以上的下列元素或化合物的流體氧、氧化氫、過氧化氫、硫、硫酸鹽、二氧化硫、三氧化硫與硫酸。在本實施例中，含氫離子反應(yīng)性溶液例如是強(qiáng)化硫酸水溶液(Spike Sulfuric Acid Solution)。在其它實施例中含氫離子反應(yīng)性溶液例如是強(qiáng)化過氧化氫水溶液。含氫離子反應(yīng)性溶液也可以例如是強(qiáng)化硫酸水溶液與過氧化氫的混和溶液(H2SO4/H2O2)，其中強(qiáng)化硫酸水溶液與過氧化氫的體積比例如是2∶1至10∶1左右。
含氫離子反應(yīng)性溶液與至少一部分的光阻層反應(yīng)，并且改變光阻層的性質(zhì)，而使得光阻層在后續(xù)的旋轉(zhuǎn)噴灑制造工藝(步驟215以后)中能夠有效的與臭氧化去離子水反應(yīng)。尤其是在本實施例中，含氫離子反應(yīng)性溶液使光阻層中的碳鏈由單鍵轉(zhuǎn)換成雙鍵。由于此種化學(xué)結(jié)構(gòu)的改變使得光阻層更容易且更快的與臭氧化去離子水反應(yīng)，因此可以增加光阻層的蝕刻速率。在使用含氫離子反應(yīng)性溶液處理光阻層之后，延遲30秒左右以使含氫離子反應(yīng)性溶液與光阻層產(chǎn)生反應(yīng)，再應(yīng)用去離子水處理基底(步驟210)。在本實施例中，通過使光阻與含氫離子反應(yīng)性溶液反應(yīng)之后，光阻層的蝕刻速率可以增加至1000埃/分鐘至1300埃/分鐘左右。因此，可以縮短基底105的制造周期時間，而且不需要執(zhí)行會產(chǎn)生很多缺陷的灰化制造工藝。
此外，含氫離子反應(yīng)性溶液也會使光阻層全部的或部分的從晶圓上剝離。在后續(xù)的清洗制造工藝進(jìn)行之前，含氫離子反應(yīng)性溶液蝕刻光阻的速率是與含氫離子反應(yīng)性溶液的化學(xué)組成及含氫離子反應(yīng)性溶液留在基底上的總時間有關(guān)。在一個實施例中，光阻層的蝕刻速率與含氫離子反應(yīng)性溶液留在光阻上的總時間成正比。在本實施例中，含氫離子反應(yīng)性溶液會使部分的光阻層從晶圓上剝離。
在步驟210時，經(jīng)由多個噴嘴125的其中的一個或多個導(dǎo)入去離子水至反應(yīng)室110中，而將去離子水應(yīng)用于或噴灑在基底105表面。去離子水以流量例如是1250sccm至8000sccm(標(biāo)準(zhǔn)立方公分/分鐘)左右導(dǎo)入反應(yīng)室110中，以清洗基底105。其中，清洗基底的時間例如是120秒左右。在一個實施例中，去離子水會留在光阻層表面一段時間以便于進(jìn)行后續(xù)的制造工藝。此外，去離子水也會從基底105表面洗去或移除含氫離子反應(yīng)性溶液。去離子水的溫度例如是20℃至95℃。
在步驟215時，經(jīng)由多個噴嘴125的其中的一個或多個導(dǎo)入臭氧化去離子水至反應(yīng)室110中，而應(yīng)用臭氧化去離子水處理光阻層以部分的或完全的移除(剝離)光阻層。臭氧化去離子水以流量例如是3000sccm(標(biāo)準(zhǔn)立方公分/分鐘)左右導(dǎo)入反應(yīng)室110中，以處理光阻層105。其中，處理光阻層的時間例如是120秒至3000秒左右。臭氧化去離子水包括60ppm至115ppm的臭氧。在一個實施例中，溶解在去離子水中的臭氧例如是60ppm左右。在本實施例中，臭氧化去離子水的溫度例如是25℃(室溫)。
由于光阻層在先前的步驟中已經(jīng)過含氫離子反應(yīng)性溶液處理，因此光阻層的移除速率(亦即，蝕刻速率)會增加。具體而言，含氫離子反應(yīng)性溶液會改變光阻層的化學(xué)特性(例如鍵結(jié))及/或機(jī)械特性(例如脫落)，于是當(dāng)應(yīng)用臭氧化去離子水處理光阻層時，臭氧化去離子水會與光阻層產(chǎn)生較大的反應(yīng)，結(jié)果使得光阻層的移除速率加快。在步驟215中，臭氧會從臭氧化去離子水中逸散出來并幫助移除光阻層。在一個實施例中，可以縮小或省去步驟210，而直接使用臭氧化去離子水洗去基底105表面上的含氫離子反應(yīng)性溶液。
在步驟220中，經(jīng)由多個噴嘴125的其中的一個或多個導(dǎo)入熱去離子水至反應(yīng)室110中，而使用熱去離子水處理基底105表面以使基底105的溫度上升。在一個實施例中，基底105例如時上升至85℃。在本實施例中，熱去離子水的溫度例如是80℃至95℃左右，并以流量例如是3000sccm(標(biāo)準(zhǔn)立方公分/分鐘)左右導(dǎo)入(噴灑)晶圓表面。其中，導(dǎo)入(噴灑)晶圓表面的時間例如是1秒至3000秒左右。進(jìn)行導(dǎo)入熱去離子水的步驟(步驟220)可以增加反應(yīng)。而且，此步驟可以在導(dǎo)入臭氧化去離子水的步驟(步驟215)之前、同時或?qū)氤粞趸ルx子水的步驟(步驟215)之后進(jìn)行。在本實施例中，熱去離子水是在導(dǎo)入臭氧化去離子水的步驟(步驟215)之后或同時進(jìn)行。
在步驟225中，使用制造工藝裝置100測量光阻層是否已經(jīng)完全移除。量測光阻層是否完全移除的方法例如是反射式測量法。如果光阻層還沒有完全移除，則重復(fù)開始本方法的步驟205。然后，依序重復(fù)進(jìn)行步驟205、步驟210、步驟215、步驟220。任何公知此技術(shù)的人應(yīng)可領(lǐng)會上述實施例中的一個或多個步驟經(jīng)過修改、省略或重復(fù)仍然是屬于本發(fā)明的精神與范疇內(nèi)。此外，實施例中的上述步驟的重新排列亦屬于本發(fā)明的精神與范疇內(nèi)。本發(fā)明的方法可以使用于從基底的半導(dǎo)體層或金屬內(nèi)聯(lián)機(jī)層上移除光阻層。當(dāng)光阻層已經(jīng)完全移除，則繼續(xù)進(jìn)行步驟230。
在步驟230中，經(jīng)由多個噴嘴125的其中的一個或多個導(dǎo)入去離子水至反應(yīng)室110中，而使用去離子水處理基底105表面。以去離子水處理基底105表面可以清洗基底105并移除在蝕刻制造工藝中所留下的殘留粒子。在步驟235中，舉例來說，通過使旋轉(zhuǎn)臺115旋轉(zhuǎn)而對基底105進(jìn)行干燥制造工藝。在一個實例中，旋轉(zhuǎn)臺115例如是以500rpm的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)480秒左右。
雖然本發(fā)明已以一優(yōu)選實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。對任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，根據(jù)上述的內(nèi)容，而在彼此不互相矛盾的情況下，當(dāng)可對上述實施例作各種的更動與潤飾。例如含氫離子反應(yīng)性水溶液可以包括很多種的元素或化合物，但其仍然不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)。此外，公知技藝者根據(jù)在此所揭露的內(nèi)容，所做的其它組合、刪除、取代和修改等都是很明顯的，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附權(quán)利要求所界定為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種蝕刻沉積于半導(dǎo)體基底上的光阻層的方法，該方法包括使用一含氫離子反應(yīng)性水溶液處理一基底，使該含氫離子反應(yīng)性水溶液與一光阻層反應(yīng)；使用一去離子水處理該基底；以及使用一臭氧化去離子水處理該基底，以疏松或移除至少一部分的該光阻層。
2.如權(quán)利要求1所述的蝕刻沉積于半導(dǎo)體基底上的光阻層的方法，其特征在于該含氫離子反應(yīng)性水溶液包括氫離子與至少選自氧、氧化氫、過氧化氫、硫、硫酸鹽、二氧化硫、三氧化硫與硫酸所組的族群的其中之一。
3.如權(quán)利要求1所述的蝕刻沉積于半導(dǎo)體基底上的光阻層的方法，其特征在于該含氫離子反應(yīng)性水溶液為強(qiáng)化硫酸溶液。
4.如權(quán)利要求1所述的蝕刻沉積于半導(dǎo)體基底上的光阻層的方法，其特征在于該含氫離子反應(yīng)性水溶液為強(qiáng)化過氧化氫溶液。
5.如權(quán)利要求1所述的蝕刻沉積于半導(dǎo)體基底上的光阻層的方法，其特征在于該含氫離子反應(yīng)性水溶液為強(qiáng)化硫酸溶液與過氧化氫溶液。
6.如權(quán)利要求5所述的蝕刻沉積于半導(dǎo)體基底上的光阻層的方法，其特征在于強(qiáng)化硫酸溶液與過氧化氫溶液的重量比為2∶1至10∶1。
7.如權(quán)利要求1所述的蝕刻沉積于半導(dǎo)體基底上的光阻層的方法，其特征在于使用該含氫離子反應(yīng)性水溶液處理該基底的時間為10秒至60秒左右。
8.如權(quán)利要求1所述的蝕刻沉積于半導(dǎo)體基底上的光阻層的方法，其特征在于使用該臭氧化去離子水處理該基底的時間為120秒至3000秒左右。
9.如權(quán)利要求1所述的蝕刻沉積于半導(dǎo)體基底上的光阻層的方法，其特征在于還包括使用溫度為80℃至95℃的一熱去離子水處理該基底。
10.一種蝕刻沉積于半導(dǎo)體基底上的光阻層的方法，該方法包括使用一含氫離子反應(yīng)性水溶液處理一基底，使該含氫離子反應(yīng)性水溶液與一第一部分光阻層反應(yīng)；以及使用一臭氧化去離子水處理該基底，以移除一第二部分光阻層。
11.如權(quán)利要求10所述的蝕刻沉積于半導(dǎo)體基底上的光阻層的方法，其特征在于該第二部分光阻層至少包括一部分的該第一部分光阻層。
12.如權(quán)利要求10所述的蝕刻沉積于半導(dǎo)體基底上的光阻層的方法，其特征在于在使用該臭氧化去離子水處理該基底之前，至少移除一部分的該第一部分光阻層。
13.如權(quán)利要求10所述的蝕刻沉積于半導(dǎo)體基底上的光阻層的方法，其特征在于該含氫離子反應(yīng)性水溶液為強(qiáng)化硫酸溶液。
14.如權(quán)利要求10所述的蝕刻沉積于半導(dǎo)體基底上的光阻層的方法，其特征在于該含氫離子反應(yīng)性水溶液包括強(qiáng)化硫酸溶液與過氧化氫溶液，且強(qiáng)化硫酸溶液與過氧化氫溶液的重量比為2∶1至10∶1。
15.如權(quán)利要求10所述的蝕刻沉積于半導(dǎo)體基底上的光阻層的方法，其特征在于還包括使用溫度為80℃至95℃的一熱去離子水處理該基底。
16.一種蝕刻制造工藝，該蝕刻制造工藝包括于一基底上形成一光阻材料；導(dǎo)入一含硫酸水溶液于一反應(yīng)室中，使該含硫酸水溶液與該光阻材料反應(yīng)；以及使該光阻材料暴露于一臭氧化去離子水中，以移除該光阻材料。
17.如權(quán)利要求16所述的蝕刻制造工藝，其特征在于導(dǎo)入該含硫酸水溶液于該反應(yīng)室中包括導(dǎo)入一強(qiáng)化硫酸水溶液10秒至60秒左右。
18.如權(quán)利要求16所述的蝕刻制造工藝，其特征在于該臭氧化去離子水包括60ppm臭氧化去離子水的臭氧。
19.一種基底上的光阻層的蝕刻方法，該方法包括(a)提供一基底，該基底上已形成一光阻層；(b)噴灑一含氫離子反應(yīng)性水溶液于該基底上；(c)進(jìn)行一第一清洗步驟；(d)使用一臭氧化去離子水以疏松或移除至少一部分的該光阻層；(e)重復(fù)步驟(b)至步驟(d)直到移除一預(yù)定量的該光阻層；以及(f)進(jìn)行一第二清洗制造工藝。
20.如權(quán)利要求19所述的基底上的光阻層的蝕刻方法，其特征在于該基底為一晶圓；該含氫離子水溶液包括一酸；步驟(c)與步驟(f)的該第一清洗制造工藝與該第二清洗制造工藝包括噴灑去離子水于該基底上；以及重復(fù)步驟(b)至步驟(d)包括完全移除該光阻層。
21.如權(quán)利要求20所述的基底上的光阻層的蝕刻方法，其特征在于該含氫離子反應(yīng)性水溶液包括硫酸溶液。
22.如權(quán)利要求21所述的基底上的光阻層的蝕刻方法，其特征在于該臭氧化去離子水為分配在一反應(yīng)室中；以及該方法還包括于該反應(yīng)室中干燥該基底。
23.如權(quán)利要求20所述的基底上的光阻層的蝕刻方法，其特征在于該含氫離子反應(yīng)性水溶液為強(qiáng)化硫酸溶液。
24.如權(quán)利要求20所述的基底上的光阻層的蝕刻方法，其特征在于該含氫離子反應(yīng)性水溶液包括強(qiáng)化硫酸溶液與過氧化氫溶液，且強(qiáng)化硫酸溶液與過氧化氫溶液的重量比為2∶1至10∶1。
25.如權(quán)利要求20所述的基底上的光阻層的蝕刻方法，其特征在于于步驟(e)之前還包括使用溫度為80℃至95℃的一熱去離子水處理該基底。
全文摘要
一種蝕刻沉積于半導(dǎo)體基底上的光阻層的方法，此方法是使用含氫離子反應(yīng)性水溶液處理基底，使含氫離子反應(yīng)性水溶液與光阻層反應(yīng)后，再使用去離子水處理基底。然后，使用臭氧化去離子水處理基底，以疏松或移除至少一部分的光阻層。含氫離子反應(yīng)性水溶液為強(qiáng)化硫酸溶液或強(qiáng)化硫酸溶液與過氧化氫溶液。
文檔編號H01L21/02GK1480996SQ0312298
公開日2004年3月10日 申請日期2003年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月4日
發(fā)明者陳中泰 申請人:旺宏電子股份有限公司