技術特征：
1.晶片工作臺(8)，在光刻系統(tǒng)中所述晶片工作臺(8)在晶片加工過程中支撐所述晶片(1)，所述晶片工作臺(8)具有配備有節(jié)(7)的頂側(cè)(2)，所述節(jié)用于支撐所述晶片(1)，其中，所述節(jié)具有高度，所述晶片工作臺(8)包括位于所述晶片工作臺的晶片承載部分周圍的周圍溝槽，所述周圍溝槽具有比所述節(jié)(7)的高度大的寬度，其中，所述晶片工作臺的外緣包括圈，所述圈設置用于在由所述節(jié)(7)支撐所述晶片(1)時與所述晶片(1)保持垂直距離(9B)，其中，所述周圍溝槽布置在由所述頂側(cè)(2)限定的平面下方，并且其中，所述圈環(huán)繞布置至所述周圍溝槽，并且至少部分在所述平面上方延伸，并且其中，所述晶片工作臺(8)適于包含與所述周圍溝槽隔開并且布置在所述晶片工作臺(8)和所述晶片(1)之間的靜止液體層(3)，用于將所述晶片固定到所述晶片工作臺上。2.根據(jù)權利要求1所述的晶片工作臺，其中，所述節(jié)(7)具有將所述晶片(1)和所述晶片工作臺(8)的所述頂側(cè)(2)之間的公稱相互距離保持在0.1μm至10μm之間的高度。3.根據(jù)權利要求1或2所述的晶片工作臺，其中，所述垂直距離(9B)比所述節(jié)的高度小10到20倍。4.根據(jù)權利要求1或2所述的晶片工作臺，其中，所述晶片工作臺(8)配備有多個周圍存在的開口(10B)。5.根據(jù)權利要求4所述的晶片工作臺，其中，所述多個周圍存在的開口(10B)包括在所述周圍溝槽內(nèi)。6.根據(jù)權利要求1所述的晶片工作臺，其中，所述節(jié)在所述晶片工作臺(8)上均勻地散布。7.根據(jù)權利要求1所述的晶片工作臺，其中，所述晶片工作臺(8)包括一個或多個存在的開口，所述開口被打開用于從所述晶片工作臺(8)釋放流體。8.根據(jù)權利要求1所述的晶片工作臺，其中，被布置用于與所述靜止液體層接觸的所述晶片工作臺(8)的面上的節(jié)的密度由1mm至3mm范圍內(nèi)的公稱間距值確定。9.包括根據(jù)權利要求1或2所述的晶片工作臺的光刻系統(tǒng)。10.根據(jù)權利要求9所述的光刻系統(tǒng)，進一步包括用于在所述晶片工作臺(8)的所述頂側(cè)(2)上散布液體的散布裝置。11.根據(jù)權利要求9所述的光刻系統(tǒng)，進一步包括：由所述晶片工作臺(8)的所述節(jié)(7)支撐的晶片(1)，其中靜止液體層(3)包括在所述晶片工作臺(8)和所述晶片(1)之間，所述靜止液體層與所述晶片工作臺(8)和所述晶片(1)接觸，其中，所述靜止液體層(3)具有由所述節(jié)(7)的高度所限定的厚度。12.根據(jù)權利要求9所述的光刻系統(tǒng)，其中，所述靜止液體層(3)為水層。13.根據(jù)權利要求9所述的光刻系統(tǒng)，適于將圖像或圖像圖案投影到由所述晶片工作臺(8)支撐的所述晶片(1)上。14.根據(jù)權利要求9所述的光刻系統(tǒng)，適于借助于驅(qū)動的目標工作臺或卡盤，相對于用于光刻的束源移動所述晶片(1)，其中，所述晶片 工作臺(8)適于無緊固地包含，在用于對所述晶片工作臺(8)承載的所述晶片(1)進行處理的所述光刻系統(tǒng)中沒有管道連接。15.根據(jù)權利要求9所述的光刻系統(tǒng)，其中，所述光刻系統(tǒng)是真空可操作系統(tǒng)。16.根據(jù)權利要求9所述的光刻系統(tǒng)，包括帶電粒子束柱。