晶片工作臺及光刻系統(tǒng)本申請為分案申請，其母案的申請日為2008年7月11日，申請?zhí)枮?00880107099.8，發(fā)明名稱為“光刻系統(tǒng)、固定方法及晶片工作臺”，其全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于將圖像圖案投影到諸如晶片的目標表面上的光刻系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
：這樣的系統(tǒng)通常是已知的，例如，從WO2004038509已知的。在由后者系統(tǒng)提供的實例中，將被形成圖案的目標受到光子或諸如離子或電子的帶電粒子的入射。為了實現(xiàn)對目標的高精度圖案化，將目標固定或連接至目標工作臺（table），至少當通過所述目標工作臺執(zhí)行所述目標的位置測量時，該目標借助于該目標工作臺可以相對于入射源移動。該移動至少沿基本上總的橫向入射主方向的方向執(zhí)行。盡管目標和工作臺的相對位置可以作為最后的操作步驟進行測量，但是，優(yōu)選地，在對目標進行操作期間（例如在將目標插入至將對其進行處理的位置以及將目標從將對其進行處理的位置移除期間）還可以使目標保留在相對于所述工作臺的位置。此外，這樣的要求在執(zhí)行將目標插入至真空環(huán)境以及從真空環(huán)境移除目標的情況下應(yīng)該保持有效。存在多種滿足上述要求的解決方案，例如，借助于機電式夾具?，F(xiàn)代光刻系統(tǒng)中對目標（通常為晶片）進行處理的位置在目標承載裝置（通常為卡盤（chuck）或晶片工作臺），此處替換地表示為目標參考面（referencetotarget）。該參考面（即，承載裝置）被成形為基本平坦的，以在目標的投影曝光（lithographicexposure）期間支持定位和/或聚焦誤差的最小化。為此目的，尤其是為了消除和/或防止其中出現(xiàn)彎曲和翹曲，至少在曝光期間通過在該目標上施加力保持目標與該參考面緊密接觸。以此方式，該目標還最佳地保持在將其包括其中的光刻系統(tǒng)的焦深（focusdepth）內(nèi)。通常，所述力可實現(xiàn)為由靜電和/或真空裝置產(chǎn)生的作用于所述目標的拉力。然而，這些解決方案具有使工作臺承載管子、電纜和/或布線的缺點，從而增加了所述工作臺相對于光刻系統(tǒng)的投影裝置所需的高精定位的復(fù)雜度。該缺點在將目標從目標工作臺取出和將目標整體地裝入目標工作臺所引起的（然后）對電纜、布線和/或線管執(zhí)行的連接和拆離動作的系統(tǒng)中也存在。對用于對目標形成圖案的光刻系統(tǒng)的更進一步的重要要求包括目標的平坦的實現(xiàn)，即對消除晶片彎曲和翹曲的要求，這通過將目標拉至參考面來完成。用于執(zhí)行該功能的裝置通常與用于執(zhí)行將目標保持在所述工作臺上曝光范圍內(nèi)的位置的功能的那些裝置相同或限于那些裝置。可以通過為了對所述晶片形成圖案所包括的系統(tǒng)的投影系統(tǒng)的能量負載所導(dǎo)致的熱膨脹和收縮，來裝載用于將所述目標保持在其位置和/或用于將所述目標拉至平坦參考面的裝置。因而，對已知的光刻系統(tǒng)的進一步要求是在目標與目標工作臺之間實現(xiàn)熱傳導(dǎo)，在實踐中，以將來自所述目標的熱量向系統(tǒng)的散熱部傳導(dǎo)。這種快速的導(dǎo)熱和散熱限制了由目標的熱膨脹或收縮所引起的定位畸變。后者在現(xiàn)代光刻系統(tǒng)中尤其重要，其中，現(xiàn)代光刻系統(tǒng)尋求實現(xiàn)高產(chǎn)率，例 如，用每小時晶片數(shù)來表示產(chǎn)率，目標經(jīng)受相對高的能量負載，該能量負載通常轉(zhuǎn)換成熱量，如果不解決該問題就會引起所述的定位畸變。其中，散熱可以通過散熱裝置來解決，而在任何與散熱有關(guān)的解決方案中，所述目標引發(fā)的熱量向所述散熱裝置的傳輸仍將是一個限制因素。因此，本發(fā)明的另一個目的是實現(xiàn)用于固定的方法和固定裝置，該固定裝置最佳地解決了熱傳導(dǎo)問題，同時在使用中保持實用，以及同時即使不能完全使承載所述目標的工作臺或卡盤的定位功能不畸變，也會使畸變最小。通常，將諸如晶片的目標定位到卡盤上，這從例如EP0100648、JP7237066和JP8064662中的機械加工處理可以得知，其中，在對晶片進行機械加工前將其卡到卡盤上。根據(jù)后者公開的摘要，晶片通過具有極小厚度的純水層固定到晶片安裝面。在對光刻系統(tǒng)的這些已知構(gòu)思進行改變（transfer）的情況下，關(guān)于所需定位精確的缺點在于通過卡盤供給制冷劑所需要的管道。前述的缺點在PCT/US01/26772中進行了說明，該申請披露了一種光刻系統(tǒng)中的晶片夾具。該夾具還用于傳輸由目標上的帶電粒子束引發(fā)的熱量。在該設(shè)備中通過應(yīng)用位于晶片與支撐結(jié)構(gòu)之間的固定組件（component）的“一個或多個”相變來執(zhí)行目標的固定和釋放。這些相變“有助于整個處理中的各種操作”，并且“確保晶片可以容易地裝載到結(jié)構(gòu)上并且容易地從所述結(jié)構(gòu)釋放”。固定組件以液態(tài)或氣態(tài)形式進行施加，并通過對支撐結(jié)構(gòu)的有效冷卻而使其變?yōu)楣虘B(tài)，以實現(xiàn)晶片至所述結(jié)構(gòu)的固態(tài)固定。此處可以斷定這樣的固定方式基本上表示為粘貼晶片。由于組件與晶片之間的大的接觸面積以及固定組件的高的導(dǎo)熱性，上述已知的用于光刻系統(tǒng)的固定設(shè)備被指示為“在需要晶片冷卻的處理中特別地有用”，尤其在真空中。然而，除了需要在支撐結(jié)構(gòu)中改變溫度以外， 這種已知系統(tǒng)的缺點還在于，需要用于分離地將固定組件和循環(huán)冷卻流體傳送到目標工作臺所需的多條管道。美國專利公開號為2005/0186517的專利涉及一種對光刻系統(tǒng)的處理，即將晶片附至卡盤、將晶片對準晶片臺、以及隨后對該晶片進行曝光。具體地，其教導(dǎo)了在初始應(yīng)力消除晶片卡盤的膨脹之后，產(chǎn)生與晶片膨脹反向的應(yīng)力，從而在晶片與卡盤之間出現(xiàn)不希望有的滑動之前，可能使晶片的允許熱量加倍。通過使用靜電固定的處理、通過使用真空固定的處理、還需要至承載所述目標的可移動的工作臺的電纜和/或管道，例示了固定（attaching）處理。除了在目標的投影曝光的范圍內(nèi)遇到真空環(huán)境之外，從晶片測試
技術(shù)領(lǐng)域：
、通過1991年的EP專利申請511928、以及通過2005年6月4日在SWTW2005會議上提出的“Liquidinterfaceatwafertest”的公開發(fā)表，可得知整體熱傳導(dǎo)以及利用水的流動膜將晶片固定至卡盤。該已知的設(shè)備中所構(gòu)思的原理是：通過將水膜保持為基本上小的厚度、而足夠大以使在晶片背面經(jīng)常出現(xiàn)的粗糙度變平，來經(jīng)由該水膜實現(xiàn)目標引發(fā)的熱量的傳導(dǎo)。根據(jù)第一篇文獻，該原理中的固定通過在卡盤的溝槽、平面固定部的頂側(cè)上進行流體的傳送來實現(xiàn)?？雌饋硪呀?jīng)將溝槽從固定部中忽略的后一篇文獻，通過表明熱量沒有通過流體流動而帶走（“通過流體傳導(dǎo)至卡盤”）含蓄地確認了該解釋。此外，其表明利用真空將晶片牢固地拉至膜上，其中該真空在卡盤的恢復(fù)位置處、定位在卡盤上的晶片的外圍施加到卡盤與晶片之間的液體膜，從而流體經(jīng)由中心開口進入。將在晶片測試領(lǐng)域已知的該構(gòu)思延到晶片曝光領(lǐng)域是不現(xiàn)實的，這是由于在現(xiàn)代系統(tǒng)中投影曝光是在真空環(huán)境下執(zhí)行的。然而，還對于不是在嚴格的真空環(huán)境下執(zhí)行投影曝光的光刻系統(tǒng)，存在的缺點在于水的所述流動中通常是一種不希望有的現(xiàn)象，具體地，由于水導(dǎo)致存在被污染物阻塞 的風(fēng)險。在需要真空操作的情況下，已知的系統(tǒng)由于目標的頂側(cè)處超壓（overpressure）的缺少而造成故障。在恢復(fù)開口需要一定量的真空、或需要大氣壓以下的壓力用于產(chǎn)生液體流的情況下，預(yù)先假定流體的中央提供開孔的壓力高于恢復(fù)側(cè)的壓力。如果該系統(tǒng)進入真空環(huán)境，則該目標將趨向于從其位置抬起，而不是趨向于被固定。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明旨在實現(xiàn)一種用于現(xiàn)代光刻系統(tǒng)（即，在目標與源的相對定位中具有高精像素分辨率和高精準）的固定系統(tǒng)。同此的約束條件包括真空可操作系統(tǒng)和從暴露的目標至目標承載裝置或卡盤的最佳熱傳導(dǎo)。在實現(xiàn)此中，本發(fā)明提出了使用通過毛細作用包括在所述承載裝置與所述目標之間的靜止液體膜，以通過相同的液體裝置來執(zhí)行所述熱傳導(dǎo)功能和固定功能。利用新穎的解決方案，可以完全省去對從“固定”處向可移動目標承載裝置引導(dǎo)的電纜或管道等，從而即使不能完全地減少其關(guān)于承載裝置的定位的準確性的負面效應(yīng)，也是值得考慮的。驚人地是，本發(fā)明背離了如果適當?shù)卦O(shè)置了至那里的條件就可以將強的拉力施加至液體（像水）的思想，該思想在2003年3月27日由Discover出版的文章“ThePhysicsofnegativepressure”以非常一般的措辭進行了闡述?？梢栽O(shè)想的是，在光刻系統(tǒng)的情況下，如果液體以毛細的方式在晶片目標表面與目標承載裝置或卡盤之間保持靜止，就可以達到這樣的設(shè)置，其中為了明顯起見，通常將所述表面保持為盡可能平坦。在這種毛細地包含液體的情況下，事實上，兩個板之間或像在本光刻系統(tǒng)中應(yīng)用的結(jié)構(gòu)的板之間的液體量、液體與板表面的粘附，使得液體表面向周圍延伸，在所述兩個板之間凹面延伸。即使通過拉開這兩個板而施加張力時，該凹面液體表面也趨于保持其形狀，這表明通過在毛細地包括的液體量出現(xiàn)了負張力。本發(fā)明進一步實現(xiàn)的是，利用所述毛細的包含，液體層具有如此小的量，使得即使在該液體處于負壓力下時也不會出現(xiàn)諸如水的液體的沸騰。此外，該現(xiàn)象在熱傳導(dǎo)方面具有實際的價值。因而，可以設(shè)想的是，可以應(yīng)用負壓力下的液體來提供將目標或晶片拉至平坦的參考面所需的力。換而言之，在由所述參考面和所述目標形成的板之間的小的間隙中的液體對構(gòu)成該間隙的板施加力。取決于液體和板的材料特性而與間隙的高度無關(guān)的該力，用于實現(xiàn)用于將目標和目標工作臺保持為一體的力。盡管在如此新穎性的構(gòu)思中，流體內(nèi)的壓力為零以下（意味著液體中存在張力），但是可以實現(xiàn)當將目標與參考面之間的間隙的高度制成小于伴隨液體壓力下的蒸氣氣泡的臨界半徑時，液體將不會出現(xiàn)氣穴現(xiàn)象，即液體不會沸騰。因而，在當液體在所述靜止毛細包含中時液體（像水）不可能沸騰的這方面，還可以實現(xiàn)的是，流體可以產(chǎn)生相當大的固定壓力，足以用于光刻應(yīng)用。顯然，本發(fā)明性原理可以以各種方式進行實施。附圖說明將利用以下根據(jù)本發(fā)明的無掩模光刻系統(tǒng)的實施方式中的實例對本發(fā)明進行進一步說明，附圖中：圖1是示意性地示出毛細地包括在兩個板狀結(jié)構(gòu)（即材料A和B的表面）之間的液體的截面圖；圖2是示出熔融的硅石光學(xué)平面和硅晶片的毛細壓力降與毛細地包含水的這些板之間的間隙高度的關(guān)系的曲線圖；圖3和圖4示意性示出了根據(jù)本發(fā)明的思想的實施；圖5示意性地示出了在工作臺與目標之間的毛細間隙中引入液體的第一方式；圖6通過提供周圍溝槽示意性地示出了用于最小化來自毛細間隙的液體蒸發(fā)的方案；圖7是實現(xiàn)目標與目標工作臺之間的液體層的方式的象征性示意圖；圖8是用于根據(jù)本發(fā)明的光刻系統(tǒng)、至少其一部分的處理流程圖；以及圖9是使用隔離件的示意性示例。附圖中，相應(yīng)的結(jié)構(gòu)特征，即至少在功能上相應(yīng)的結(jié)構(gòu)特征以相同的參考標號表示。具體實施方式圖1示出了光刻目標（此處以晶片1的形式示出），該目標通常借助于驅(qū)動的目標工作臺或卡盤（該圖中未示出），相對于（例如）光刻設(shè)備的帶電粒子束柱、或其它類型的用于光刻的束源移動。在這種目標工作臺2的頂側(cè)與所述目標1之間，毛細地包含有一定量的液體3。為此，目標1和頂面2具有間隙高度為h的相互之間的極小間距。該液體（在本發(fā)明中優(yōu)選地為水）的體積使得從俯視圖看的目標的半徑實際上滿足包括毛細的液體3的半徑R。在任何情況下，目標的內(nèi)切圓的半徑在目標的邊界內(nèi)至少被適合液體量的外切圓的半徑滿足。實際上，該液體將保持在目標的邊界內(nèi)，優(yōu)選地到目標的邊界僅有很小的距離。這樣所包括的液體3在其外圍上形成了液體表面4（或者表示為流體界面4），從圖1的截面看，該液面大致為凹形，這是由于液體分別與目標工作臺的頂側(cè)2和目標1粘接（adhesiveconnection）造成的。該凹形的表面4在將目標和目標工作臺拉開時趨于保持其形狀，并且取決于壓力差。界面4的凹度取決于各接觸角 θ1和θ2，而接觸角又取決于工作臺2和目標1的材料，在該例中分別為材料A和材料B。在圖1中，毛細壓力（capillarypressure）ΔPcap是在液體量3的邊緣處的流體界面4上的壓力降。根據(jù)對本發(fā)明的構(gòu)思的又進一步的領(lǐng)悟，該毛細壓力可以由以下簡化等式表示：（1）其中，γliquid是以[N/m]為單位的液體的表面張力，以及，接觸角θ1和θ2是液體/氣體界面4分別與材料A和B相交的角度。然而，接觸角如果不是顯著地由界面4處的液體3和固體材料A和B的材料特性主要確定的，則接觸角可以是其他大小的。在同一方面，還有下列等式：Penv＋ΔPcap＝Pliq（2）其中，Penv＝環(huán)境壓力ΔPcap＝界面4處的毛細壓力Pliquid＝液體3中的壓力將等式（1）和（2）合并，可以得出：如果－ΔPcap>Penv，則Pliquid<0巴（3）當Penv接近于0巴時或者在當|ΔPcap|≥1巴Penv處于大氣壓下時，后一情形將出現(xiàn)。由于Pliq<0巴，這意味著液體內(nèi)部的壓力為負。還應(yīng)該意識到，如果Pliq小于液體的蒸汽壓，則流體3可能開始沸騰或形成氣穴。然而，可通過使間隙的高度小于氣泡的臨界半徑而防止流體3的沸騰。圖2示出了在拉開如上所述包含有流體（比如水）的板時的毛細壓力降，其被作為表示可以施加的力的大小。所描繪的曲線是從涉及兩個板（即接觸面和水）的計算得到的，這兩個板中的一個是硅片，另一個是熔融的硅石光學(xué)平面。已經(jīng)基于涉及代替SiO2的玻璃板的計算和測量對曲線的有效性進行了測試。相比于玻璃和水的曲線，該曲線指示在公稱間隙高度為10μm時顯現(xiàn)出足夠的拉力，并且在10μm以下，甚至在5μm的公稱高度時滿足常規(guī)光刻應(yīng)用。在約為1μm及以下的間隙高度以下存在著特別有趣的范圍，這是由于在該間隙高度下，壓力降超過1巴，這意味著在大氣壓下已經(jīng)在間隙液體中出現(xiàn)負壓。然而，在10μm的間隙高度已經(jīng)出現(xiàn)的接近0.2巴的壓力降，對于保證放置有晶片的晶圓工作臺的安全操作（如，在插入真空時）的這種固定足夠了。圖3示出了發(fā)明原理的實際細節(jié)，并示意性示出了光刻系統(tǒng)的一部分，其中該系統(tǒng)包括：具體化為晶片的目標1、晶片工作臺或卡盤部件8的頂側(cè)2、水形式的液體3以及所謂的氟橡膠或橡膠O型圈9。O型圈9通過被插入到晶片工作臺8高度降低的邊緣部分中來，將從包含液體3的間隙汽化的液體蒸汽密封起來。利用該方法，O型圈的頂側(cè)被設(shè)置為在高度上與晶片工作臺8的頂側(cè)上的節(jié)7的高度相對應(yīng)的水平面上，優(yōu)選地設(shè)置在稍微高于晶片工作臺8的頂側(cè)上的節(jié)7的高度的水平面上。由于O型圈在徑向一側(cè)（該實例中為徑向內(nèi)旋轉(zhuǎn)側(cè)）上配備有切口，因此O型圈在工作臺與晶片之間無需不適當?shù)牧涂梢员粔嚎s，然而卻足以防止蒸汽泄漏，而蒸汽泄漏在可以應(yīng)用這種光刻裝置的真空環(huán)境中尤其是個難題。實際上，此處具有0至5mm直徑范圍厚度的O型圈因此形成C型圈，這意味著將壓縮O型圈所需的壓力保持為最小。在O型圈與目標承載裝置8的中心的升高的工作臺部分之間保持一定的徑向距離，以允許開諸如恢復(fù)開口的開口（此處未示出）以將流體3應(yīng)用在開口之間。優(yōu)選地，O型圈或相似類型的彈性可變形的裝置可以圍繞目標周圍進行應(yīng)用。以這種方式，可以在目標與彈性可變形裝置之間施加更大的力，這允許使用具有更高粗糙度的彈性可變形裝置，其易于得到，且購買相對經(jīng)濟。可替換地，如圖4所示，通過由工作臺的外緣支撐的蒸汽限制圈9A大大地封閉了液體間隙的周圍開口、通過在圈9A與由工作臺的節(jié)7支撐的目標1之間保持非常小的垂直距離9B來防止蒸汽泄漏。具體地，其可以比目標與目標工作臺之間的間隙高度小10到20倍。為了補充根據(jù)本發(fā)明的裝置，可以對液體在其蒸汽壓以下的壓力下處于或可以處于亞穩(wěn)態(tài)的原理進行使用。應(yīng)該注意，存在氣穴的臨界半徑，對于超過該臨界半徑的這樣的氣穴將會無限增長。當使液體容量體積的最小尺寸（如根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例）相對于該臨界半徑非常小，或者甚至比該臨界半徑小時，將不會出現(xiàn)氣穴現(xiàn)象（cavitation）。當壓力降來自拉普拉斯壓力（Laplace-pressure）時，臨界半徑接近間隙高度的兩倍或更高。該高度取決于液體與固體表面（接觸角）之間的材料特性。本發(fā)明還包括一個或多個開口的存在，對于流體（可以是氣體）的進入可以關(guān)閉該開口，對于所述晶片工作臺中的流體的釋放可以打開該開口，從而使得能夠從工作臺釋放目標。優(yōu)選地，在中央提供體積高度精確的流體進入管。本發(fā)明還包括擠壓裝置，用于初始將目標擠壓為與所述目標工作臺牢固接觸，即與其上的多個節(jié)7接觸。這樣的擠壓裝置的一個實施例涉及垂直指向目標1的頂側(cè)的高壓，從而避免了目標的任何彎曲，并允許建立毛細作用。根據(jù)本發(fā)明另一方面，實現(xiàn)這種壓力的一種有利方式是將流體的裝置的流（諸如風(fēng)和水）指向所述目標。圖5示出了其中去除了可替換所示出的卡盤的初始夾具（即去除目標的彎曲）和其中以或多或少的組合方式將液體引入到目標與工作臺之間的操作的優(yōu)選方式。為此，在所述目標工作臺中提供了中心進入通道10，其具有閥V。利用由經(jīng)由多個周圍存在的開口10B施加的真空壓力Pvac產(chǎn)生的真空力，將該晶片卡緊至晶片工作臺。當晶片被精確地卡緊至晶片工作臺時，閥V打開，液體將被吸入到晶片與晶片工作臺之間的間隙中。流入到間隙中的水的注入速度是由主要的真空壓力Pvac與超壓力Pop（在進入通道10時存在或施加，即在未示出的流體源處施加）之間的壓力差和毛 細壓力Pcap之和確定的。超壓力Pop被定義為高于壓倒目標的壓力Penv。出于實際目的，將超壓力限制于1巴，以不影響目標在工作臺上的位置，以及使用其可以計算有效液體壓力Pliq。圖6示出了防止（至少進一步的最小化）來自毛細間隙（即來自目標與目標工作臺之間）的液體蒸發(fā)的方式。在目標的周圍、在目標工作臺中、在由彈性可變形裝置9密封的區(qū)域內(nèi)、或在最小間隙9B中，形成寬度比毛細間隙高度顯著大的槽，用于包含未被毛細地包含的液體3′。優(yōu)選地，流體3′與毛細包含的流體3的類型相同。然而，流體3′配備有更大的表面或界面面積。盡管可以使用液體源以壓力Pop來對該槽進行注入，但是對于通道10，其經(jīng)由分離的導(dǎo)管和閥，因此優(yōu)選地提供單獨的注入裝置，即獨立于毛細地包含的流體的供應(yīng)。該注入裝置可以是任何獨立的注入裝置，例如包括單獨的液體源、去往所述槽的專用導(dǎo)管和閥、和/或流體泵。圖7象征性地示出了引入所述毛細層的可替代方式。此處流體不是經(jīng)由如在第一實施方式的實例中的中央開口使流體進入，而是通過噴涂液滴11（例如，通過噴射）進入工作臺和目標的一個或兩個表面。然而，優(yōu)選地，以控制的方式進行噴涂以實現(xiàn)均勻分布的液體部分，例如通過利用（例如，在預(yù)定位置具有一個或多個液滴散布嘴的）液滴散布裝置來放置液滴。以這些噴涂方式，可以達到液體的快速散布，因此增強了該新的固定方法及裝置的可行性。在該實例中，液滴噴涂到目標工作臺8上。在該實施例中，為了防止含有空氣，各開口12以預(yù)定的方式進行分布，優(yōu)選地，通常在目標工作臺的區(qū)域上均勻地分布。除了以上所述的開口，目標工作臺的表面由存在的節(jié)7限定，為了經(jīng)得住毛細液體的固定壓力的作用，這些節(jié)包括有增加的密度分布。以該方式，被吸引的目標可以保持平坦，即目標將不會在毛細流體的力的作用下在各節(jié)之間彎曲。作為一個具體的方法，具體地是在所期望的固定壓力下，更具體地是在真空操作條件下，可以用影響液體與相關(guān)接觸表面之間的接觸角的材料，對目標和工作臺的接觸表面中的一個或兩個進行表面處理或涂覆。實際上，在給定目標（在為晶片的情況下）的當前標準（currentstandard）的情況下，只對目標工作臺進行涂覆。在給定液體材料、目標與目標工作臺的接觸面材料的條件的情況下，為了仍能影響根據(jù)本發(fā)明的夾具中的毛細壓力降，可以構(gòu)想使節(jié)的高度適于特定的、期望的壓力降。例如可以使這種適合滿足最小期望固定壓力，并適于各節(jié)的分布或相互距離與固定壓力的特定組合，具體地，在給定固定壓力和目標上的產(chǎn)生的力的情況下，適于防止節(jié)間的目標的局部彎曲。因此考慮了最小節(jié)高度，同時還考慮到使節(jié)密度適合，例如，可以增加節(jié)密度以滿足所需的最小固定壓力。在測量方面考慮了所述最小節(jié)高度，以在節(jié)之間和在間隙高度內(nèi)容納灰塵或其它污染物粒子。后者當然在根據(jù)本發(fā)明的將間隙高度保持為其間不會發(fā)生流體沸騰的這樣的最小高度的測量的約束條件內(nèi)。圖8示出了用于利用本發(fā)明進行改進的光刻設(shè)備或系統(tǒng)的處理流程的相關(guān)部分，其中目標由晶圓構(gòu)成。該處理部分從清潔晶片工作臺CT（在左下角標出）的動作和狀態(tài)開始。從此處可以沿兩條可選擇的處理路徑前進。第一以及上述路徑部分具有以下特征：第一步WOT，將晶片放置在目標晶片工作臺上；第二步LIG，液體通過晶片工作臺中的管道流入到晶片工作臺與晶片之間的間隙中；以及第三步CS，密封用于水的該管道（即，切斷液體供應(yīng)、排出夾氣）。實施根據(jù)本發(fā)明的處理的第二種可能性以下部的分支表示，其示出了以下步驟：第一步LOT，將液體施加到晶片工作臺；步驟WOT，將晶片放置在晶片工作臺上；以及步驟CS，密封管道，其中在此情況下，步驟CS僅包括使夾氣排出的密封。優(yōu)選地，這樣的密封在經(jīng)由多條分支連接至工作臺表面的中央排放或供給管道中執(zhí)行。在隨后的步驟IT中，工作臺和晶片插入到光刻系統(tǒng)的將為真空狀態(tài)的一部分中；在步驟PW中對晶片進行處理；在步驟RT中將工作臺和晶 片從該設(shè)備中取下，在步驟DW中，將晶片從工作臺分離，并且對晶片進行清潔，其中通過去除或打開任意管道密封來分離。在液體施加步驟LIG的情況下，利用至少一條（但可替換的還可以是多條）通過其可以將水供給至間隙的水管道來施加水。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，通過依賴于允許水或任何其它相關(guān)液體將其自身拉入到間隙中的足夠大的毛細壓力對間隙執(zhí)行注入。在另一實施例中，對該處理進行了改進，即通過在注入期間使用外部壓力來增加壓力從而加快該處理的進行。在本發(fā)明的又進一步的細節(jié)中，還使用了飽含氣體的開口來提供較低的壓力。在將水施加至工作臺LOT的情況下，通過在晶片工作臺或晶片表面上施加小的均勻分布的液滴來執(zhí)行水的施加。當將晶片放置到晶片工作臺上時，液滴將會由于毛細作用而散布。該處理可以利用通過開孔進行吸入來進行輔助。在密封管道CS的情況下，間隙的用于注入的所有孔都必須在液體施加之后被密封，以防止液體在晶片工作臺和晶片的組合處于真空時蒸發(fā)。在處理步驟DW中將晶片從工作臺分離的情況下，用于供給水和/或防止夾氣的開口還用于施加氣壓，以及在本發(fā)明的又進一步的細節(jié)中，將晶片從工作臺取下。在此情況中，至少相當均勻分布地施加氣壓，以使晶片不會損壞。還考慮到的是，間隙越小，保持流速相等所需的壓力降越大。所需壓力降的這種增加大于更小的間隙可實現(xiàn)的毛細壓力的壓力增加。因此，間隙越小，利用毛細壓力的流動就越慢，實際上，在給定包括液體材料和接觸面材料的一些條件的情況下，這些間隙大于臨界間隙高度。在非常小的間隙的情況中，電滯效應(yīng)增加了水的表觀粘度，其本質(zhì)上可以從“capillaryfillingspeedsofwaterinnanochannels”中得知。需要節(jié)來減少在晶片背面上由粒子造成的污染影響。節(jié)之間的最大間距由因毛細壓力造成的各節(jié)間之間的晶片的撓曲決定。各節(jié)的間距的典型 值是3[mm]。節(jié)的高度決定間隙，并且根據(jù)本發(fā)明，在給定其它系統(tǒng)條件（諸如材料和尺寸）的情況下，節(jié)的高度可用于調(diào)節(jié)固定壓力，而反之亦然。將每個節(jié)的表面制成足夠以使在毛細壓力下不變形或損壞。每個節(jié)的直徑約為25μm或更大。優(yōu)選地，這些節(jié)通常形成圓形，即沒有邊緣，以減少清潔期間微粒污染的可能性。這些微粒是在擦拭工作臺期間來自織物的微粒。除了或替代使用節(jié)7，還如圖9所示，在承載裝置8上均勻散布間隔件15（玻璃細粒、SiO2細粒等），例如，通過從承載裝置8上方噴射間隔件，或通過應(yīng)用間隔件15的散布方案，從而提供間隔件15。在實施例中，間隔件15散布在最終形成靜止液體層的液體3中。本發(fā)明可配置如下。（1）一種光刻系統(tǒng)，例如用于將圖像或圖像圖案投影到諸如晶片的目標（1）上，所述目標借助目標工作臺（2）而包括在所述系統(tǒng)中，固定裝置用于將所述目標固定在所述工作臺上，其中，所述固定裝置包括靜止液體層（3），該液體層以使得在液體（C）的材料和所述目標（1）和所述目標工作臺（2）的各接觸面（A、B）的材料的條件下產(chǎn)生壓力降（ΔPcap）的厚度包含在所述目標與所述目標工作臺之間。（2）根據(jù)（1）所述的系統(tǒng)，其中，所述壓力降導(dǎo)致在所述液體量中產(chǎn)生壓力（Pliq），其小于所述液體的蒸汽壓。（3）根據(jù)（1）或（2）所述的系統(tǒng)，其中，所述壓力降是在真空中實現(xiàn)的。（4）根據(jù)（1）、（2）或（3）所述的系統(tǒng)，其中，產(chǎn)生的壓力（Pliq）顯著低于所述層（3）的實際環(huán)境壓力（Penv）。（5）根據(jù)前述任一項所述的系統(tǒng)，其中，所述的包含被設(shè)置為使得所述較低的壓力（Pliq）在真空條件下、尤其是在典型的光刻真空條件下實現(xiàn)負壓。（6）根據(jù)前述任一項所述的系統(tǒng)，其中，所述晶片工作臺配備有間隔件（7，15），用于限定所述靜止液體層（3）的厚度。（7）根據(jù)前述任一項所述的系統(tǒng)，其中，所述晶片工作臺配備有節(jié)，所述液體（3）借助于預(yù)定節(jié)高度被保持在毛細條件（ΔPcap），所述預(yù)定節(jié)高度即所述目標工作臺與所述目標之間的間隙高度，所述液體（3）在給定的固定條件下被保持在這樣的最小高度，以防止所述液體（3）沸騰的可能性，即形成氣穴的可能性。（8）根據(jù)（7）所述的系統(tǒng)，其中，所述毛細條件通過將所述目標（1）與所述目標工作臺（8）之間的公稱相互距離保持在0.1μm至10μm之間來實現(xiàn)。（9）根據(jù)前述任一項所述的系統(tǒng)，其中，包括諸如O型圈的周圍的密封裝置，具體地用于防止液體蒸發(fā)。（10）根據(jù)（9）所述的系統(tǒng)，其中，所述密封裝置由彈性可變形裝置構(gòu)成，具體地具有大體為C型形式的截面。（11）根據(jù)（9）所述的系統(tǒng)，其中，所述O型圈或相似類型的彈性可變形裝置包括在圍繞所述目標的周圍。（12）根據(jù)（9）或（11）所述的系統(tǒng)，其中，所述密封裝置由這樣的O型圈構(gòu)成：該O型圈配備為沿周圈延伸，切割為槽，向O型圈的徑向側(cè)、具體地向徑向內(nèi)側(cè)開口，并且在所述O型圈的直徑的實質(zhì)部分上延伸，具體地延伸直到所述O型圈的中心附近。（13）根據(jù)（9）所述的系統(tǒng)，其中，所述周圍密封裝置由位于所述目標工作臺（8）與目標之間的、高度等于或小于實現(xiàn)用于保持所述毛細條件的高度的周圍氣體間隙（9B）形成。（14）根據(jù)前述任一項所述的系統(tǒng)，其中，所述晶片工作臺配備有用于容納流體的溝槽，所述溝槽具有比所述間隙的高度顯著大的寬度，位于所述目標工作臺的目標承載部分的周圍、位于由用于密封所述目標與所述目標工作臺之間的毛細地包含的液體的所述密封裝置限定的周圍內(nèi)。（15）根據(jù)前述任一項所述的系統(tǒng)，其中，所述工作臺配備有可關(guān)閉的釋放開口，具體地用于釋放空氣，至少釋放毛細液體進入處的氣體物質(zhì)，所述開口尤其是中心可關(guān)閉的。（16）根據(jù)（15）所述的系統(tǒng)，其中，所述開口包括在所述工作臺的凹陷的周圍邊緣中，優(yōu)選地在所述晶片工作臺的晶片承載部分即包括卡盤的周圍，尤其是在由所述密封裝置限定的周圍內(nèi)。（17）根據(jù)（15）所述的系統(tǒng)，其中，所述釋放開口大體上均勻地遍布在所述工作臺表面上。（18）根據(jù)前述任一項所述的系統(tǒng)，其中，所述固定液體由水構(gòu)成。（19）根據(jù)前述任一項所述的系統(tǒng)，其中，所述工作臺配備有至少一個優(yōu)選為中心可關(guān)閉的進入開口，尤其用于毛細液體的進入。（20）根據(jù)前述任一項所述的系統(tǒng)，其中，通過將液體散布施加到工作臺和目標的任一接觸面上來實現(xiàn)流體的進入。（21）根據(jù)前述任一項所述的系統(tǒng)，其中，通過液體噴涂裝置將受控量的液滴或液線釋放到所述工作臺表面上來以控制方式噴涂液體。（22）根據(jù)前述任一項所述的系統(tǒng)，其中，通過包括多個噴嘴的精確噴涂裝置噴涂液體。（23）根據(jù)（7）所述的系統(tǒng)，其中，所述工作臺的接觸面上的節(jié)的密度由1mm至3mm范圍內(nèi)的公稱間距值確定。（24）根據(jù)前述任一項所述的系統(tǒng)，其中，所述目標和所述工作臺的任意相互接觸面中的至少一個擁有與所述面基底不同材料的涂層。（25）根據(jù)前述任一項所述的系統(tǒng)，其中，提供初始壓力裝置，以實現(xiàn)所述目標與所述工作臺之間的初始牢固接觸。（26）根據(jù)（25）所述的系統(tǒng)，其中，所述初始壓力裝置通過一個或多個例如在中央提供的開口實現(xiàn)，包括連接至這樣的開口的供給通道中、或在連接至所有這樣的開口的中心通道中、或在每個單獨的通道中的閥，所述閥在將流體提供至所述目標與所述目標工作臺之間的間隙之前關(guān)閉，以及所述間隙通過所述晶片工作臺的晶片承載部分周圍的其它開口暴露在真空壓力下。（27）根據(jù)（25）所述的系統(tǒng)，其中，所述初始壓力裝置包括諸如水泵和氣泵或鼓風(fēng)機的泵，具體地用于通過將流動材料的流推動到所述目標上來實現(xiàn)所述目標與所述工作臺的第一接觸，具體地所述流動材料為空氣和水之一。（28）根據(jù)前述任一項所述的系統(tǒng)，其中，所述目標工作臺適于無緊固地包含，即在用于對所述工作臺承載的目標進行處理的光刻設(shè)備中沒有管道連接。（29）一種晶片工作臺，插入在諸如光刻設(shè)備的真空環(huán)境中，所述晶片工作臺配備有固定裝置，所述固定裝置適于使用靜止液體層來固定諸如晶片的目標，具體地根據(jù)權(quán)利要求1所述，用于固定諸如晶片的目標。（30）根據(jù)（29）所述的工作臺，其中，所述裝置適于在光刻設(shè)備的真空空間之外實現(xiàn)所述固定，具體地是在將其插入到用于對所述工作臺承載的目標進行處理的光刻設(shè)備的真空隔間中之前。（31）一種方法，用于將具有大體平坦的接觸面的物體固定至另一個也具有大體平坦的接觸面的另一物體，其中，為了所述物體的相互固定的目的，所容納的靜止保持液體層毛細地保持在所述面之間。（32）根據(jù)（31）所述的方法，其中，所述物體是可真空操作的光刻系統(tǒng)的一部分。（33）根據(jù)（31）或（32）所述的方法，其中，所述兩個物體彼此相互擠壓，以允許所述毛細包含部分成為固定裝置，具體地利用氣流相互擠壓。（34）根據(jù)（31）至（33）中任一項所述的方法，其中，晶片工作臺可從所述光刻系統(tǒng)中取出，以更換其上的目標。（35）根據(jù)（31）至（34）中任一項所述的方法，其中，為了在所述光刻設(shè)備中交換目標的目的，將光刻設(shè)備中的晶片工作臺與另一個工作臺交換。（36）根據(jù)（31）至（35）中任一項所述的方法，其中，在所述光刻設(shè)備之外處理所述目標工作臺，在該處理中，其溫度是可調(diào)節(jié)的。除了在前文中所描述的構(gòu)思和所有有關(guān)細節(jié)之外，本發(fā)明涉及如所附的一套權(quán)利要求所限定的全部特征以及本領(lǐng)域技術(shù)人員可從附圖中直接和毫無疑義地確定的所有細節(jié)。在所附的一套權(quán)利要求中，出于對閱讀權(quán)利要求構(gòu)成支持的原因，所包括的對應(yīng)于附圖中結(jié)構(gòu)的任何標號僅表示前述屬于的示例性含義并且出于這個原因包括括號中的含義，而不是將注意力集中于前述術(shù)語的含義。當前第1頁1 2 3