專利名稱：防水引線框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
防水引線框架技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種防水引線框架。
背景技術(shù)：
[0002]在采用引線框架封裝半導(dǎo)體器件的過程中，當芯片放在引線框架的芯片部后需要 進行塑封，為了使塑封后的半導(dǎo)體器件具有一定的防水性能，目前的引線框架通常在芯片 部的邊緣開設(shè)有V型槽或燕尾槽，并在V型槽或燕尾槽內(nèi)側(cè)設(shè)有密封槽，V型槽或燕尾槽以 及密封槽的設(shè)置可以增強引線框架與塑封料的結(jié)合強度，從而使半導(dǎo)體器件具有一定的防 水性能。但是目前的引線框架，其V型槽或燕尾槽與密封槽組合的寬度較大，占用芯片部的 面積較大，從而芯片部上形成的芯片放置區(qū)的面積受到限制，不利于較大芯片的封裝。實用新型內(nèi)容[0003]基于此，有必要提供一種有利于較大芯片封裝的防水引線框架。[0004]一種防水引線框架，包括芯片部，所述芯片部的邊緣處設(shè)有凹凸結(jié)構(gòu)，所述凹凸 結(jié)構(gòu)的寬度為0.49、.51毫米，所述凹凸結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)還設(shè)有密封槽，所述密封槽的寬度為0.24 0.26 暈米。[0005]在其中一個實施例中，所述密封槽內(nèi)部區(qū)域形成芯片放置區(qū)，用于粘貼待封裝的-H-* I I心/T O[0006]在其中一個實施例中，所述凹凸結(jié)構(gòu)的寬度為0.5毫米，所述密封槽的寬度為0.25暈米。[0007]在其中一個實施例中，還包括連接部及散熱部，所述芯片部包括頂部、底部及連接 所述頂部與底部的相對兩側(cè)，所述頂部通過所述連接部與所述散熱部連接。[0008]在其中一個實施例中，所述芯片部的兩側(cè)以及連接部均設(shè)有所述凹凸結(jié)構(gòu)。[0009]在其中一個實施例中，還包括管腳，連接于所述芯片部的底部，所述芯片部的兩側(cè) 以及與所述管腳連接處均設(shè)有所述密封槽。[0010]在其中一個實施例中，所述凹凸結(jié)構(gòu)為鋸齒狀結(jié)構(gòu)。[0011]在其中一個實施例中，所述密封槽為網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)。[0012]上述防水引線框架，在芯片部的邊緣處設(shè)有寬度為0.49、.51毫米的凹凸結(jié)構(gòu)， 在凹凸結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)還設(shè)有寬度為0.24、.26毫米的密封槽。與目前V型槽或燕尾槽和密封 槽組合的寬度相比，該凹凸結(jié)構(gòu)和密封槽組合的寬度具有更小的寬度，不會占用芯片部較 大的面積，如此，芯片部上可以形成更大面積的芯片放置區(qū)，有利于較大芯片的封裝。


[0013]圖1為本實施方式的防水引線框架的正視圖；[0014]圖2為本實施方式的防水引線框架的芯片部與連接部的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
[0015]為了解決目前防水引線框架的防水結(jié)構(gòu)限制芯片放置區(qū)的可用面積，不利于較大 芯片封裝的問題，本實施方式提供了一種防水引線框架。下面結(jié)合具體的實施例，對防水引 線框架進行具體的描述。[0016]請參考圖1，本實施方式提供的防水引線框架，包括多個獨立單元100，每個獨立 單元包括芯片部110、散熱部120、連接部130以及管腳140。[0017]芯片部110包括頂部、底部及連接頂部與底部的相對兩側(cè)。連接部130連接于芯 片部Iio的頂部，用于連接芯片部110和散熱部120。管腳140連接于芯片部110的底部。[0018]請參考圖2，為了使防水引線框架具有防水功能，芯片部110的邊緣處設(shè)有寬度為0.49、.51毫米的凹凸結(jié)構(gòu)112。在本實施方式中，具體為芯片部110的兩側(cè)以及連接部 130均設(shè)置有寬度為0.5毫米的鋸齒狀結(jié)構(gòu)的凹凸結(jié)構(gòu)112。[0019]為了進一步增強防水引線框架的防水功能，凹凸結(jié)構(gòu)112的內(nèi)側(cè)還設(shè)有密封槽 116。在本實施方式中，具體為芯片部110的兩側(cè)以及與管腳140連接處均設(shè)有寬度為0.25 毫米的網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)的密封槽116。[0020]密封槽116內(nèi)部的區(qū)域形成芯片放置區(qū)114，用于粘貼待封裝芯片。[0021]上述防水引線框架，在芯片部110的邊緣處設(shè)有凹凸結(jié)構(gòu)112，且凹凸結(jié)構(gòu)112的 內(nèi)側(cè)還設(shè)有密封槽116，增加了引線框架與塑封料的接觸面積，使得采用上述防水引線框架 封裝的半導(dǎo)體器件具有較好的防水性能。凹凸結(jié)構(gòu)112的寬度設(shè)置為0.5毫米，密封槽116 的寬度設(shè)置為0.25毫米，與目前V型槽或燕尾槽和密封槽組合的寬度相比，該凹凸結(jié)構(gòu)112 和密封槽116組合具有更小的寬度，不會占用芯片部110較大的面積，如此，芯片部110上 可以形成更大面積的芯片放置區(qū)114，有利于較大芯片的封裝。[0022]以上所述實施例僅表達了本實用新型的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細， 但并不能因此而理解為對本實用新型專利范圍的限制。應(yīng)當指出的是，對于本領(lǐng)域的普通 技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬 于本實用新型的保護范圍。因此，本實用新型專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。
權(quán)利要求1.一種防水引線框架，包括芯片部，其特征在于，所述芯片部的邊緣處設(shè)有凹凸結(jié)構(gòu)， 所述凹凸結(jié)構(gòu)的寬度為0.49、.51毫米，所述凹凸結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)還設(shè)有密封槽，所述密封槽 的寬度為0.24 0.26毫米。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防水引線框架，其特征在于，所述密封槽內(nèi)部區(qū)域形成芯片 放置區(qū)，用于粘貼待封裝的芯片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防水引線框架，其特征在于，所述凹凸結(jié)構(gòu)的寬度為0.5毫 米，所述密封槽的寬度為0.25毫米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防水引線框架，其特征在于，還包括連接部及散熱部，所述芯 片部包括頂部、底部及連接所述頂部與底部的相對兩側(cè)，所述頂部通過所述連接部與所述 散熱部連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的防水引線框架，其特征在于，所述芯片部的兩側(cè)以及連接部 均設(shè)有所述凹凸結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的防水引線框架，其特征在于，還包括管腳，連接于所述芯片部 的底部，所述芯片部的兩側(cè)以及與所述管腳連接處均設(shè)有所述密封槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、3或5所述的防水引線框架，其特征在于，所述凹凸結(jié)構(gòu)為鋸齒狀結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或6所述的防水引線框架，其特征在于，所述密封槽為網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)。
專利摘要本實用新型涉及一種防水引線框架，包括芯片部，所述芯片部的邊緣處設(shè)有凹凸結(jié)構(gòu)，所述凹凸結(jié)構(gòu)的寬度為0.49~0.51毫米，所述凹凸結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)還設(shè)有密封槽，所述密封槽的寬度為0.24~0.26毫米。上述防水引線框架，在芯片部的邊緣處設(shè)有寬度為0.49~0.51毫米的凹凸結(jié)構(gòu)，在凹凸結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)還設(shè)有寬度為0.24~0.26毫米的密封槽。與目前V型槽或燕尾槽和密封槽組合的寬度相比，該凹凸結(jié)構(gòu)和密封槽組合的寬度具有更小的寬度，不會占用芯片部較大的面積，如此，芯片部上可以形成更大面積的芯片放置區(qū)，有利于較大芯片的封裝。
文檔編號H01L23/495GK202977409SQ201220689028
公開日2013年6月5日 申請日期2012年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月13日
發(fā)明者呂勁鋒 申請人:深圳深愛半導(dǎo)體股份有限公司