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有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的制作方法

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有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的制作方法
【專利摘要】一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備,包括:基板;第一防反射線,該第一防反射線形成在所述基板上,并包括依次堆疊的第一金屬層和第一無(wú)機(jī)層;選通線,該選通線形成在所述第一防反射線上;柵絕緣層,該柵絕緣層形成在所述基板和所述選通線上;第二防反射線,該第二防反射線形成在所述柵絕緣層上,并包括依次堆疊的第二金屬層和第二無(wú)機(jī)層;數(shù)據(jù)線,該數(shù)據(jù)線形成在所述第二防反射線上;以及其中所述第一無(wú)機(jī)層電連接所述第一金屬層和所述選通線,并且所述第二無(wú)機(jī)層連接所述第二金屬層和所述數(shù)據(jù)線。
【專利說(shuō)明】有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備
[0001]本發(fā)明要求在2012年8月22日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)N0.10-2012-0091614的優(yōu)先權(quán),通過(guò)引用該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容將其并入這里。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備,更具體地,涉及有源矩陣型有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0003]近年來(lái),隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展,已經(jīng)提出并積極追求具有薄外形和輕重量的平板顯示(FPD)設(shè)備。平板顯示設(shè)備的代表是液晶顯示設(shè)備和有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備。有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備不需要諸如液晶顯示設(shè)備的背光的額外光源,但相比于液晶顯示設(shè)備可以顯示更清晰的圖像。
[0004]有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備包括設(shè)置在屏幕中的像素,每個(gè)像素可以包括不同顏色的子像素。子像素由交叉的選通線和數(shù)據(jù)線來(lái)限定。每個(gè)子像素可以由包括薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)元件來(lái)獨(dú)立地驅(qū)動(dòng);薄膜晶體管和金屬線可以布置在驅(qū)動(dòng)元件區(qū)域中。此時(shí),如果驅(qū)動(dòng)元件區(qū)域中的薄膜晶體管和金屬線反射外部光,則可能降低外部可見(jiàn)度。
[0005]圖1是示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)的有源矩陣型有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的一部分的截面圖。
[0006]在圖1中,相關(guān)技術(shù)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備包括有機(jī)發(fā)光二極管120和形成在基板(未示出)上的偏振器110,有機(jī)發(fā)光二極管120發(fā)出的光通過(guò)基板被透射到外部。
[0007]有機(jī)發(fā)光二極管120包括陽(yáng)極121、有機(jī)發(fā)光層122和陰極123。
[0008]當(dāng)從陽(yáng)極121注入的空穴與來(lái)自陰極123的電子結(jié)合在一起時(shí),形成激子。此時(shí),通過(guò)有機(jī)發(fā)光層122的帶隙能量發(fā)光。發(fā)出的光穿過(guò)色彩提純器130并轉(zhuǎn)換為期望的顏色。
[0009]偏振器110包括偏振入射光的線偏振器111和λ /4相位延遲器113。線偏振器111和λ /4相位延遲器113由二者之間的第一粘合層112結(jié)合在一起。
[0010]外部光通過(guò)線偏振器111而被線偏振,該線偏振器可以是水平線偏振器。因此,夕卜部光被水平偏振(線偏振)。此外,經(jīng)線偏振的光通過(guò)λ/4相位延遲器113被圓偏振。例如,其可以被左旋圓偏振。經(jīng)圓偏振的光被陰極123反射,并再一次穿過(guò)λ/4相位延遲器113。當(dāng)被反射時(shí),經(jīng)左旋偏振的光被右旋圓偏振。并且,通過(guò)λ/4相位延遲器113,該光被垂直偏振(線偏振)。由于經(jīng)垂直偏振(線偏振)的光不能穿過(guò)水平線偏振器111,所以不會(huì)反射外部光,并能夠提高可見(jiàn)度。
[0011]第二粘合層114形成在λ /4相位延遲器113的外部,并將偏振器110粘合至有機(jī)
發(fā)光二極管顯示設(shè)備。
[0012]當(dāng)通過(guò)使用偏振器110使得外部光的反射被最小化時(shí),從有機(jī)發(fā)光二極管120發(fā)出的光中的少于45%的光被透射,并損失了一半以上的亮度。因此,如果用更多的功耗來(lái)補(bǔ)償損失的亮度,則有機(jī)發(fā)光層122的壽命會(huì)減少。[0013]此外,由于偏振器110相對(duì)昂貴,采用偏振器110來(lái)阻擋反射是不具有競(jìng)爭(zhēng)力的。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]因此,本發(fā)明致力于一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備,其大體上消除了由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺陷帶來(lái)的一個(gè)或更多個(gè)問(wèn)題。
[0015]本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是提供一種可以降低制造成本的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備。
[0016]—種有機(jī)發(fā)光二極管顯不設(shè)備包括:基板;第一防反射線,該第一防反射線形成在所述基板上,并包括依次堆疊的第一金屬層和第一無(wú)機(jī)層;選通線,該選通線形成在所述第一防反射線上;柵絕緣層,該柵絕緣層形成在所述基板和選通線上;第二防反射線,該第二防反射線形成在所述柵絕緣層上,并包括依次堆疊的第二金屬層和第二無(wú)機(jī)層;數(shù)據(jù)線,該數(shù)據(jù)線形成在所述第二防反射線上;以及其中所述第一無(wú)機(jī)層電連接所述第一金屬層和所述選通線,并且所述第二無(wú)機(jī)層連接所述第二金屬層和所述數(shù)據(jù)線。
[0017]在另一方面中,一種有機(jī)發(fā)光二極管顯不設(shè)備,包括:基板;第一防反射線,該第一防反射線形成在所述基板上,并包括依次堆疊的第一金屬層和第一無(wú)機(jī)層;選通線,該選通線形成在所述第一防反射線上;柵絕緣層,該柵絕緣層形成在所述選通線上,并且形成在所述基板上;第二防反射線,該第二防反射線形成在所述柵絕緣層上,并包括依次堆疊的第二金屬層和第二無(wú)機(jī)層;數(shù)據(jù)線,該數(shù)據(jù)線形成在所述第二防反射線上;以及其中所述選通線和所述數(shù)據(jù)線分別連接到所述第一金屬層和第二金屬層。
[0018]可以理解的是,之前的一般描述和下面的詳細(xì)描述是示例性的和說(shuō)明性的,且旨在為所要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]附圖被包含進(jìn)來(lái)以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步說(shuō)明,并且附圖被并入且構(gòu)成本發(fā)明的一部分,附圖示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施方式,并與說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本發(fā)明的原理。
[0020]圖1是示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)的示例性有源矩陣型有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的一部分的截面圖。
[0021]圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的示例性有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的截面圖。
[0022]圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的另外的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的第一和第二防反射線的截面圖。
[0023]圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明的另外的實(shí)施方式的包括第一和第二防反射線的示例性有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的截面圖。
[0024]圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施方式的包括第一和第二防反射線的示例性有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的截面圖。
[0025]圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的在金屬線區(qū)域中阻擋光的原理的截面圖。
[0026]圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的在薄膜晶體管區(qū)域中阻擋光的原理的截面圖?!揪唧w實(shí)施方式】
[0027]將參考在附圖中示出的示例對(duì)本發(fā)明示例性實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0028]圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的截面圖。
[0029]在圖2中,根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備可以包括基板210、第一防反射線220和第二防反射線225、金屬線230,鈍化層240、色彩提純器250以及有機(jī)發(fā)光層270。
[0030]基板210可以包括多個(gè)像素,并且像素可以被分為發(fā)光部分和驅(qū)動(dòng)元件部分。發(fā)光部分是發(fā)光的區(qū)域,以及驅(qū)動(dòng)元件部分是沒(méi)有用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的電路的區(qū)域。
[0031]第一防反射線220和第二防反射線225可以形成在基板210上并且可以阻擋外部光的反射。外部光的反射可能發(fā)生在金屬區(qū)域中。因此,阻擋外部光的反射可以增強(qiáng)可見(jiàn)度。第一防反射線220和第二防反射線225可以具有相同的結(jié)構(gòu),但可以單獨(dú)設(shè)置。第一防反射線220可以形成在選通線231下面以阻擋在選通線231處對(duì)外部光的反射,并且第二防反射線225可以形成在數(shù)據(jù)線235下面以阻擋在數(shù)據(jù)線235處對(duì)外部光的反射。
[0032]由于第一防反射線220和第二防反射線225的結(jié)構(gòu)是彼此相同的,因此針對(duì)第一防反射線220來(lái)對(duì)該結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。第一防反射線220可以包括第一金屬層221和在第一金屬層221上的第一無(wú)機(jī)層222。為了增強(qiáng)阻擋反射的效果,可以重復(fù)第一金屬層221和第一無(wú)機(jī)層222的結(jié)構(gòu)(例如兩次以上)以形成多層結(jié)構(gòu)。類似地,第二防反射線225可以包括第二金屬層226和在第二金屬層226上的第二無(wú)機(jī)層227。
[0033]當(dāng)采用多層結(jié)構(gòu)時(shí),防反射性是優(yōu)秀的,但是有機(jī)發(fā)光層270的光透射率可能變低。因此,可以通過(guò)考慮防反射和光透射率來(lái)確定層的數(shù)量。將參考圖3和圖4對(duì)第一防反射線220和第二防反射線225的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。
[0034]防反射線220對(duì)金屬層221上反射的光和形成在無(wú)機(jī)層222上的金屬線230上反射的光帶來(lái)相消干涉(destructive interference),這導(dǎo)致被反射的光的耗散。因此,如果第一金屬層221和第一無(wú)機(jī)層222依次形成在基板210上并且金屬線230形成在第一無(wú)機(jī)層222上,則可以通過(guò)對(duì)穿過(guò)第一無(wú)機(jī)層222而在第一金屬層221處反射的光和在金屬線230處反射的光的相消干涉來(lái)防止外部光的反射。在這時(shí),第一金屬層221可以部分地透射光,金屬線不透射光。下面將參考圖6和圖7來(lái)詳細(xì)地說(shuō)明光耗散的原理。
[0035]同時(shí),金屬線可以形成在像素的驅(qū)動(dòng)元件部分中。金屬線230不僅包括選通線231和數(shù)據(jù)線235,還包括從選通線231延伸的柵極232和從數(shù)據(jù)線235延伸的源極236。金屬線230還可以包括薄膜晶體管的漏極237。
[0036]此外,金屬線可以包括補(bǔ)償電路的線,該補(bǔ)償電路是用于顯示每個(gè)像素的正確色調(diào)楔(wedge)的電路。關(guān)于補(bǔ)償電路線,可以包括薄膜晶體管、存儲(chǔ)電極或連接它們的線。補(bǔ)償電路線進(jìn)一步包括與選通線231或數(shù)據(jù)線235同時(shí)形成的線,或與選通線231或數(shù)據(jù)線235在同一層上形成的其它線。
[0037]由于在基板210的大多數(shù)區(qū)域中具有很多金屬,因此可以形成覆蓋整個(gè)基板210的防反射層220。然而,由于防反射層220吸收從發(fā)光部分中的有機(jī)發(fā)光層270發(fā)出的光,因此層220可能導(dǎo)致光亮度的減少。通過(guò)利用額外的光刻工藝可以僅在非發(fā)光層中形成防反射層220,隨后將參考附圖4對(duì)其進(jìn)行說(shuō)明。[0038]如上所述,金屬線230可以形成在基板210的驅(qū)動(dòng)元件部分中。金屬線包括薄膜晶體管的柵極231、選通線232和補(bǔ)償電路線233。如圖中所示的補(bǔ)償電路線233是整個(gè)補(bǔ)償電路的一部分,可以是存儲(chǔ)電容器或?qū)⑦B接至存儲(chǔ)電容器的線。然而,根據(jù)本發(fā)明,不對(duì)金屬線進(jìn)行限制,金屬線還可以是與柵極231或同一層上的其它線同時(shí)形成的任何線。還可以包括為每個(gè)像素施加電力的電力線。金屬線230并不限于上面說(shuō)明的那些,還可以包括反射外部光的任何線或部分。
[0039]因此,第一防反射線220可以延伸到柵極232,并且第二防反射線225可以延伸到源極236。可以形成接觸金屬線230的另外的防反射線,或在與外部光的入射方向相反的方向在相應(yīng)區(qū)域中形成另外的防反射線。例如,可以形成另外的防反射線以接觸漏極237、補(bǔ)償電路線或電力線,或在與外部光的入射方向相反的方向在相應(yīng)區(qū)域中形成另外的防反射線。
[0040]接下來(lái),可以在金屬線230上形成鈍化層240以保護(hù)薄膜晶體管和金屬線230并且使薄膜晶體管和金屬線230與外圍元件絕緣。
[0041 ] 隨后,可以在發(fā)光部分中的鈍化層240上形成色彩提純器250。色彩提純器250可以位于與有機(jī)發(fā)光層270接觸陽(yáng)極260和陰極280的區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域中。因此,通過(guò)色彩提純器250,在發(fā)光部分發(fā)出的光被轉(zhuǎn)換為期望的顏色。色彩提純器250可以被看作與LCD裝置的濾色器相同的元件。
[0042]同時(shí),根據(jù)發(fā)光方法可以確定色彩提純器250的垂直位置。例如,在頂部發(fā)光型中,色彩提純器250可以位于陰極280上。并且,不論發(fā)光方法如何,都可以根據(jù)制造效率或發(fā)光效率來(lái)對(duì)色彩提純器250進(jìn)行定位。
[0043]接下來(lái),可以在整個(gè)基板210上形成有機(jī)發(fā)光層270。在基板210上發(fā)出光的發(fā)光部分是有機(jī)發(fā)光層270接觸陽(yáng)極260和陰極280的區(qū)域,并發(fā)出白光。發(fā)出的光可以穿過(guò)形成在有機(jī)發(fā)光層270下面的色彩提純器250,并可以被轉(zhuǎn)換為具有特定顏色(例如,紅色、綠色、藍(lán)色、黃色、品紅色和青色中的一種),并被發(fā)射到基板210的外部。
[0044]發(fā)光過(guò)程如下。如果易于流動(dòng)的方向的電流被施加到陽(yáng)極260和陰極280上,則來(lái)自陽(yáng)極260的空穴與來(lái)自陰極280的電子移動(dòng)到有機(jī)發(fā)光層270,并相互復(fù)合。結(jié)合的空穴和電子被稱為激子。如果激子降到基態(tài),則能量以光的形式釋放,從而有機(jī)發(fā)光層270發(fā)出光。
[0045]根據(jù)有機(jī)發(fā)光層270的材料,像素發(fā)出的光的顏色是不同的。例如,通常通過(guò)混合紅色、綠色和藍(lán)色發(fā)光材料,或通過(guò)堆疊紅色、綠色、藍(lán)色發(fā)光材料以混合每種材料的光的顏色來(lái)實(shí)現(xiàn)白光。
[0046]圖3是示出了根據(jù)第一實(shí)施方式的第一防反射線220和第二防反射線225的截面圖。
[0047]如圖3所示,可以通過(guò)將第一無(wú)機(jī)層222堆疊在第一金屬層221上形成第一防反射線220,并且選通線231可以位于第一防反射線220上??梢酝ㄟ^(guò)將第二無(wú)機(jī)層227堆疊在第二金屬層226上形成第二防反射線225,并且數(shù)據(jù)線235可以位于第二防反射線225上。
[0048]第一金屬層221可以是反射、透射和吸收光的薄半透明層。第一無(wú)機(jī)層222可以包括導(dǎo)電性氧化物。導(dǎo)電性氧化物可以是透明的以透射光,并電連接第一金屬層221和選通線231,這可以防止在第一金屬層221和選通線231之間產(chǎn)生電容。
[0049]如果在第一金屬層221和選通線231之間產(chǎn)生電容,則電信號(hào)的正常發(fā)送在選通線231和從選通線231延伸的柵極232處會(huì)受到干擾。此外,干擾可以是像素的各種異常驅(qū)動(dòng)的原因,因此不能顯示像素的正確的色調(diào)楔,并且像素的發(fā)光定時(shí)可能被延遲。
[0050]因此,通過(guò)電連接第一金屬層221和選通線231以阻止寄生電容的發(fā)生,防反射線220可以阻擋外部光的反射,并可以使得能夠?qū)㈦娦盘?hào)正確地發(fā)送到選通線231和柵極232。
[0051]與第一防反射線220類似,第二防反射線225的第二無(wú)機(jī)層227可以包括導(dǎo)電性氧化物,并可以防止第二金屬層226和數(shù)據(jù)線235之間的寄生電容的發(fā)生。因此,可以阻止光的反射,并且可以將正確的電信號(hào)發(fā)送到數(shù)據(jù)線235和從數(shù)據(jù)線235延伸的源極236。
[0052]圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的第一防反射線220和第二防反射線225的截面圖。
[0053]如圖4所示,通過(guò)堆疊第一金屬層221和第一無(wú)機(jī)層222可以形成第一防反射線220。第一金屬層221可以是反射、透射和吸收光的薄半透明層。第一無(wú)機(jī)層222可以是透明絕緣材料。
[0054]選通線231可以位于第一無(wú)機(jī)層222上。選通線231的側(cè)邊部分可以在第一無(wú)機(jī)層222的側(cè)面上向著第一金屬層221延伸以連接到第一金屬層221。此外,選通線231的多個(gè)側(cè)邊部分或一個(gè)側(cè)邊部分可以延伸到第一金屬層221。更進(jìn)一步地,側(cè)邊區(qū)域的整體部分或一部分可以接觸第一金屬層221。
[0055]可以通過(guò)堆疊第二金屬層226和第二無(wú)機(jī)層227來(lái)形成第二防反射線225。第二金屬層226可以是反射、透射和吸收光的薄半透明層。第二無(wú)機(jī)層227可以是透明絕緣材料。
[0056]數(shù)據(jù)線235可以位于第二無(wú)機(jī)層227上。與選通線231類似,數(shù)據(jù)線235的側(cè)邊部分可以在第二無(wú)機(jī)層227的側(cè)面上向著第二金屬層226延伸以連接到第二金屬層226。此夕卜,數(shù)據(jù)線235的多個(gè)側(cè)邊部分或一個(gè)側(cè)邊部分可以延伸到第二金屬層226。更進(jìn)一步地,側(cè)邊區(qū)域的整體部分或一部分可以接觸第二金屬層226。
[0057]當(dāng)選通線231和數(shù)據(jù)線235分別連接到第一金屬層221和第二金屬層226時(shí),可以防止寄生電容的發(fā)生。因此,可以阻擋光的反射。此外,可以向選通線231和柵極232發(fā)送正確的電信號(hào)。
[0058]圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的另外的實(shí)施方式的第一和第二防反射線220和225的截面圖。
[0059]如圖5所示,通過(guò)堆疊第一金屬層221和第一無(wú)機(jī)層222來(lái)形成第一防反射線220,選通線231布置在第一防反射線220上。第一無(wú)機(jī)層222可以是透明絕緣材料,并可以被圖案化以露出第一金屬層221,選通線231連接到第一金屬層221。第一無(wú)機(jī)層222的一個(gè)以上區(qū)域可以被圖案化以通過(guò)該一個(gè)以上圖案化區(qū)域?qū)⑦x通線231連接到第一金屬層 221。
[0060]與第一防反射線220類似,通過(guò)堆疊第二金屬層226和第二無(wú)機(jī)層227來(lái)形成第二防反射線225,數(shù)據(jù)線235布置在第二防反射線225上。第二無(wú)機(jī)層227可以是透明絕緣材料,并可以被圖案化以露出第二金屬層226,數(shù)據(jù)線235連接到第二金屬層226。第二無(wú)機(jī)層227的一個(gè)以上區(qū)域可以被圖案化以通過(guò)該一個(gè)以上圖案化區(qū)域?qū)?shù)據(jù)線235連接到第二金屬層226。
[0061]由于選通線231和數(shù)據(jù)線235分別連接到第一金屬層221和第二金屬層226,所以可以防止寄生電容的發(fā)生。因此,可以阻止光的反射。此外,可以向選通線231和柵極232發(fā)送正確的電信號(hào)。
[0062]圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的在金屬線區(qū)域中阻擋光的原理的截面圖。
[0063]如圖6所不,第一防反射線220可以包括第一金屬層221和第一無(wú)機(jī)層222,選通線231形成在第一防反射線220上??梢酝ㄟ^(guò)在基板210上依次堆疊第一金屬層221和第一無(wú)機(jī)層222形成第一防反射線220。在金屬層221下面可以形成額外的無(wú)機(jī)層(未示出)。并且為了增加阻擋反射的效果,可以重復(fù)上述結(jié)構(gòu)以具有多層結(jié)構(gòu)。
[0064]第一防反射線220阻擋光反射的過(guò)程可以包括以下兩個(gè)過(guò)程。一個(gè)是吸收外部光,另外一個(gè)是通過(guò)對(duì)來(lái)自第一金屬層221的光和來(lái)自形成于第一無(wú)機(jī)層222上的選通線231的光的相消干涉使得光耗散。
[0065]將詳細(xì)說(shuō)明以上過(guò)程。如果入射到基板210上的外部光遇到第一金屬層221,則一部分光被反射成為第一反射光(Rl);然后另外一部分光被第一金屬層221吸收,其余的光被透射。一部分被透射的光在選通線231處被反射成為第二反射光(R2),并且剩下的透過(guò)到第一無(wú)機(jī)層222。此時(shí),如圖所不,如果第一和第二反射光Rl和R2具有λ/2的相位差,則發(fā)生相消干涉,并且反射光被耗散。
[0066]為了引起相消干涉,第一金屬層221可以由金屬材料(例如,鈦(Ti)、鑰(Mo)、鉻(Cr)或它們的混合物)制成,并可以具有從大約50Α到大約200Α、從大約80Α到大約100Α或大約50Α到大約150Α的厚度。如果材料形成為具有大約50人到大約200Α厚度的薄膜,光可以被部分地透射,例如太陽(yáng)鏡或偏振板。因此,從有機(jī)發(fā)光層270發(fā)出的光被發(fā)射到基板210的外部。
[0067]第一無(wú)機(jī)層222可以由導(dǎo)電性氧化物(例如,銦錫氧化物)制成。由于導(dǎo)電性氧化物是導(dǎo)電的,所以可以防止第一金屬層221和選通線231之間可能產(chǎn)生的寄生電容。此夕卜,由于導(dǎo)電性氧化物是透明的,所以光從第一金屬層221到達(dá)選通線231的時(shí)間保持不變。為了帶來(lái)相消干涉,第一無(wú)機(jī)層222具有從大約500Α到大約3000Α、從大約800Α到大約2500Α、從大約1000Α到大約1500Α或從大約1000人到大約2000Α的厚度。
[0068]例如,當(dāng)防反射線220具有多層結(jié)構(gòu)時(shí),其中分別具有800Α、150Α和800Α的厚度的絕緣層222、金屬層221以及絕緣層222依次堆疊,光透射率為44%,該透射率比偏振板大1%。
[0069]可以調(diào)節(jié)第一金屬層221和第一無(wú)機(jī)層222的厚度以引起相消干涉。這是因?yàn)榈谝缓偷诙瓷涔?Rl和R2)的反射點(diǎn)之間的距離可以確定第一反射光(Rl)的波峰和第二反射光(R2)的波谷的重疊。
[0070]此外,第二防反射線225也可以包括第二金屬層226和第二無(wú)機(jī)層227,數(shù)據(jù)線235形成在第二防反射線225上??梢酝ㄟ^(guò)在基板210上依次堆疊第二金屬層226和第二無(wú)機(jī)層227形成第二防反射線225。在第二金屬層226下面可以形成額外的無(wú)機(jī)層(未示出)。并且,為了增加阻擋反射的效果,可以重復(fù)以上結(jié)構(gòu)以具有多層結(jié)構(gòu)。[0071]第二防反射線225可以與延伸到源極236的數(shù)據(jù)線235相對(duì)應(yīng)地延伸,因此能夠防止在柵極232處對(duì)外部光的反射。然而,由于源極236下面的第二防反射線225應(yīng)該接觸半導(dǎo)體層217,因此可能發(fā)生接觸問(wèn)題或驅(qū)動(dòng)問(wèn)題。在這種情況下,可以與柵極232下面形成的第一防反射線220同時(shí)形成額外的防反射線,該額外的防反射線形成在基板210上與源極236相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中。在額外的防反射線上可以形成有與柵極232相同材料的額外的金屬層,以滿足相消干涉條件。
[0072]此外,通過(guò)延伸數(shù)據(jù)線235可以形成數(shù)據(jù)焊盤(pán)部分(未示出),并且第二防反射線225可以與數(shù)據(jù)焊盤(pán)部分相對(duì)應(yīng)地延伸。在這種情況下,與源極236的情況相同,可以形成額外的防反射線。
[0073]如上所述,第二防反射線225可以與延伸的數(shù)據(jù)線235相對(duì)應(yīng)地延伸,并不限制可以延伸的區(qū)域。
[0074]此外,由于第二防反射線225在數(shù)據(jù)線235的下面,數(shù)據(jù)線235通常形成在柵絕緣層215上,所以第二防反射線225可以形成在柵絕緣層215上并接觸數(shù)據(jù)線235。或者,第二防反射線225可以形成在基板上與數(shù)據(jù)線235對(duì)應(yīng)的區(qū)域中。換句話說(shuō),第二防反射線225可以形成在與數(shù)據(jù)線235相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中,與外部光的入射方向相對(duì)。
[0075]當(dāng)?shù)诙婪瓷渚€225形成在基板210上與數(shù)據(jù)線235對(duì)應(yīng)的區(qū)域時(shí),通過(guò)在第二防反射線225上形成額外的金屬層可以滿足相消干涉條件。額外的金屬層,而非數(shù)據(jù)線235,可以形成第二反射光R2。額外的金屬層可以與柵極232同時(shí)形成。
[0076]同時(shí),第二防反射線225的阻擋反射的原理與第一防反射線220相同,利用對(duì)第二金屬層226和數(shù)據(jù)線235處分別反射的第一反射光Rl和第二反射光R2的相消干涉來(lái)阻擋外部光的反射。
[0077]第二無(wú)機(jī)層227可以由與第一無(wú)機(jī)層222相同的導(dǎo)電性氧化物(例如,銦錫氧化物)制成,但并不限于此。因此,可以防止第二金屬層226和數(shù)據(jù)線235之間可能產(chǎn)生的寄生電容。
[0078]同時(shí),除了第一防反射線220和第二防反射線225之外,可以形成額外的防反射線。除了選通線231和數(shù)據(jù)線235之外,像素中可以存在很多金屬線230以驅(qū)動(dòng)像素。額外的防反射線可以形成在這些金屬線的對(duì)應(yīng)區(qū)域中,與外部光的入射方向相對(duì)。
[0079]例如,額外的防反射線可以形成在漏極237下面。在這種與源極236的情況類似的情況下,額外的防反射線可以形成在漏極237下面以接觸半導(dǎo)體層217,或額外的防反射線可以與柵極232下面形成的第一防反射線220同時(shí)形成在基板210上與漏極237相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中。
[0080]由于金屬線230可以與選通線231和數(shù)據(jù)線235同時(shí)形成,所以額外的防反射線可以與第一防反射線220或第二防反射線225同時(shí)形成。
[0081]圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的在薄膜晶體管區(qū)域中阻擋反射的原理的截面圖。
[0082]如圖7所示,在柵極232下面,第一防反射線220可以被延伸以阻擋在柵極232處的外部光的反射。此外,第一防反射線220可以被延伸到選通線231例如延伸到選通焊盤(pán)(未示出)的對(duì)應(yīng)區(qū)域,。換句話說(shuō),并不限制第一防反射線220的延伸區(qū)域。
[0083]在源極236下面,第二防反射線225可以延伸。由于源極236被形成為從數(shù)據(jù)線235(圖中未示出?)延伸,所以第二防反射線225可以延伸。第二無(wú)機(jī)層227可以是導(dǎo)電性氧化物,以使得能夠?qū)㈦娦盘?hào)發(fā)送到源極236。
[0084]在漏極237的下面,額外的防反射線可以與第二防反射線225分開(kāi)形成。額外的防反射線包括與第一和第二防反射線220和225相同的金屬層和無(wú)機(jī)層。無(wú)機(jī)層可以是導(dǎo)電性氧化物,并且使得能夠向漏極237發(fā)送電信號(hào)。
[0085]根據(jù)本發(fā)明,由于為了阻擋外部光的反射而采用了具有金屬層和無(wú)機(jī)層的防反射線,所以可以不使用昂貴的偏振板,從而降低制造成本。
[0086]此外,通過(guò)電連接防反射線的金屬層和金屬線,能夠防止防反射線和金屬線之間寄生電容的產(chǎn)生,從而可以適當(dāng)?shù)乜刂葡蚪饘倬€發(fā)送信號(hào)。
[0087]另外,通過(guò)使用高透射率的防反射線,可以提高亮度并減少電力消耗。
[0088]對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言將顯而易見(jiàn)的是,可以在不背離本發(fā)明的精神或范圍的情況下對(duì)本發(fā)明做出各種修改和變化。因此,本發(fā)明旨在覆蓋落在本發(fā)明所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)的修改和變化。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯不設(shè)備,包括: 基板; 第一防反射線,該第一防反射線形成在所述基板上,并包括依次堆疊的第一金屬層和第一無(wú)機(jī)層; 選通線,該選通線形成在所述第一防反射線上; 柵絕緣層,該柵絕緣層形成在所述基板和所述選通線上; 第二防反射線,該第二防反射線形成在所述柵絕緣層上,并包括依次堆疊的第二金屬層和第二無(wú)機(jī)層; 數(shù)據(jù)線,該數(shù)據(jù)線形成在所述第二防反射線上;以及 其中,所述第一無(wú)機(jī)層電連接所述第一金屬層和所述選通線,并且所述第二無(wú)機(jī)層連接所述第二金屬層和所述數(shù)據(jù)線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,該設(shè)備進(jìn)一步包括: 柵極,該柵極從所述選通線延伸, 其中,所述第一防反射線延伸到所述柵極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,該設(shè)備進(jìn)一步包括: 源極,該源極從所述數(shù)據(jù)線延伸, 其中,所述第二防反射線延伸到所述源極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,該設(shè)備進(jìn)一步包括: 第三防反射線,該第三防反射線形成在所述柵絕緣層上,并包括依次堆疊的第三金屬層和第三無(wú)機(jī)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備,該設(shè)備進(jìn)一步包括: 金屬線,所述金屬線形成在所述第三防反射線上, 其中,所述第三無(wú)機(jī)層電連接所述第三金屬層和多個(gè)所述金屬線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備,其中,所述金屬線包括漏極、電力線、存儲(chǔ)電極和補(bǔ)償電路線。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備,其中,所述第一金屬線、所述第二金屬線和所述第三金屬線包括選自于由鈦T1、鑰Mo、鉻Cr以及它們的混合物組成的組中的材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中,所述第一無(wú)機(jī)層、所述第二無(wú)機(jī)層和所述第三無(wú)機(jī)層包括選自于由銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化錫、氧化鋅以及它們的混合物組成的組中的材料。
9.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯不設(shè)備,包括: 基板; 第一防反射線,該第一防反射線形成在所述基板上,并包括依次堆疊的第一金屬層和第一無(wú)機(jī)層; 選通線,該選通線形成在所述第一防反射線上; 柵絕緣層,該柵絕緣層在所述選通線上,并且在所述基板上; 第二防反射線,該第二防反射線形成在所述柵絕緣層上,并包括依次堆疊的第二金屬層和第二無(wú)機(jī)層; 數(shù)據(jù)線,該數(shù)據(jù)線形成在所述第二防反射線上;以及其中,所述選通線和所述數(shù)據(jù)線分別連接到所述第一金屬層和所述第二金屬層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備,其中,所述選通線和所述數(shù)據(jù)線在側(cè)邊區(qū)域處分別連接到所述第一金屬層和所述第二金屬層。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備,其中,所述選通線和數(shù)據(jù)線分別穿過(guò)所述第一無(wú)機(jī)層和所述第二無(wú)機(jī)層連接到所述第一金屬層和所述第二金屬層。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備,其中,所述第一金屬線和所述第二金屬線包括選自于由鈦T1、鑰Mo、鉻Cr以及它們的混合物組成的組中的材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備,其中,所述第一無(wú)機(jī)層和所述第二無(wú)機(jī)層包括選自于由銦錫氧化物、銦鋅氧化物 、氧化錫、氧化鋅以及它們的混合物組成的組中的材料。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK103633112SQ201210599197
【公開(kāi)日】2014年3月12日 申請(qǐng)日期:2012年12月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月22日
【發(fā)明者】李鐘均, 梁熙皙, 白承旼 申請(qǐng)人:樂(lè)金顯示有限公司
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