有機(jī)發(fā)光顯示器件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示器件及其制造方法。該有機(jī)發(fā)光顯示器件包括：基板，其包括排布為四方形的第一至第四子像素區(qū)；第一電極，其設(shè)置在第一至第四子像素區(qū)中的每一個(gè)子像素區(qū)上；第一功能層，其設(shè)置在全部第一至第四子像素區(qū)上并被配置為發(fā)射第一顏色光；形成為條狀的第二功能層，其沿著排布在行方向上的第二和第四子像素區(qū)鋪設(shè)，并被配置為發(fā)射第二顏色光；形成為另一條狀的第三功能層，其沿著排布在列方向上的第三和第四子像素區(qū)鋪設(shè)，并被配置為發(fā)射第三顏色光；以及第二電極，其設(shè)置在所述基板的包括第一至第三功能層的整個(gè)表面上。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光顯示器件及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)器件，尤其涉及一種能同時(shí)提高可見度和開口率的OLED及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]通常，OLED包括一對(duì)電極和夾設(shè)于電極間的功能層。這種OLED器件利用電極所提供的電子和空穴通過在功能層中復(fù)合而發(fā)光的原理來顯示圖像。
[0003]OLED器件是自發(fā)光器件。換言之，不像液晶顯示器件，OLED器件沒有背光單元，因此可以更薄。另外，由于其至少具有低電壓驅(qū)動(dòng)、寬視角和高速響應(yīng)的特性，OLED器件適合于顯示高質(zhì)量移動(dòng)圖片。
[0004]圖1是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的OLED的一些像素的平面圖。參照?qǐng)D1，OLED器件包括多個(gè)像素P。每個(gè)像素P都包括第一至第三子像素，各子像素分別變?yōu)榧t(R)、綠(G)、藍(lán)(B)來顯示紅色、綠色、藍(lán)色。這樣，OLED器件可以實(shí)現(xiàn)全彩色。R、G、B子像素可以排列為具有出色可視性(或高視覺辨識(shí)性)的條狀格式。
[0005]然而，由于制造工藝的限制，尤其由于掩模制造工藝的限制，條狀格式排列很難保證至少30%的開口率。為了保證理想的開口率，人們已經(jīng)嘗試將子像素排列成Λ (delta)格式或更改電路構(gòu)造。然而，Λ (delta)格式排列和更改的電路構(gòu)造甚至將可視性(視覺辨識(shí)性)降低到了條狀格式排列以下。
[0006]鑒于此，有必要為OLED器件提供一種新的既能保證開口率又能保證可視性(或視覺辨識(shí)性)的替代技術(shù)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]由此，本發(fā)明致力于實(shí)質(zhì)性消除現(xiàn)有技術(shù)中OLED器件的限制和缺點(diǎn)造成的一個(gè)或多個(gè)問題，以及這樣的制造方法。
[0008]本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種適于提高可視性(或視覺辨識(shí)性)的OLED及其制
造方法。
[0009]本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種適于提高開口率的OLED及其制造方法。
[0010]本發(fā)明的其它特性和優(yōu)點(diǎn)由后面的描述提出，部分地可以從描述明確得出，或者可以由發(fā)明實(shí)踐獲得。發(fā)明的目標(biāo)和其它優(yōu)點(diǎn)尤其可以通過下面的說明書和權(quán)利要求以及附圖提出的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)和獲得。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的目的，為了獲得這些和其它的優(yōu)點(diǎn)，如實(shí)施方式及寬泛的描述，OLED器件包括:基板，其包括排布為四方形的第一至第四子像素區(qū)；第一電極，其設(shè)置在第一至第四子像素區(qū)中的每一個(gè)子像素區(qū)上；第一功能層，其設(shè)置在全部第一至第四子像素區(qū)上并被配置為發(fā)射第一顏色光；形成為條狀的第二功能層，其沿著排布在行方向上的第二和第四子像素區(qū)鋪設(shè)，并被配置為發(fā)射第二顏色光；形成為另一條狀的第三功能層，其沿著排布在列方向上的第三和第四子像素區(qū)鋪設(shè)，并被配置為發(fā)射第三顏色光；以及第二電極，其設(shè)置在所述基板的包括第一至第三功能層的整個(gè)表面上。
[0012]另一方面，本實(shí)施方式的OLED器件的制造方法包括以下步驟:制備基板，所述基板包括排布為四方形的第一至第四子像素區(qū)；在第一至第四子像素區(qū)中的每一個(gè)子像素區(qū)上形成第一電極；在全部第一至第四子像素區(qū)上形成第一功能層，該第一功能層被配置為發(fā)射第一顏色光；使用第一掩模來形成第一條狀的第二功能層，該第二功能層被配置為發(fā)射第二顏色光，并且沿著排布在第一(行)方向的第二和第四子像素區(qū)鋪設(shè)；使用第二掩模來形成第二條狀的第三功能層，該第三功能層與第二功能層交叉并被配置為發(fā)射第三顏色光，并且沿著排布在第二(列)方向的第三和第四子像素區(qū)鋪設(shè)；以及在所述基板的包括第一至第三功能層的整個(gè)表面上形成第二電極。
[0013]說明書中所有附帶的系統(tǒng)、方法、特性和優(yōu)點(diǎn)都意圖包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)并被權(quán)利要求所保護(hù)。本部分的內(nèi)容不作為權(quán)利要求的限制。更多方面和優(yōu)點(diǎn)在下面結(jié)合實(shí)施方式進(jìn)行討論。不管本發(fā)明前面的通用描述還是后面的詳細(xì)描述都應(yīng)當(dāng)理解為范例和解釋性說明并試圖提供所要求的本公開的更深入的解釋。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]包含的附圖提供實(shí)施方式的更深入的理解，其結(jié)合到并構(gòu)成說明書的一部分，說明發(fā)明的實(shí)施方式并與說明書一起用于解釋本發(fā)明。圖中:
[0015]圖1是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的OLED器件的一些像素的平面圖；
[0016]圖2是示出根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施方式的OLED器件的一些像素的平面圖；
[0017]圖3是示出圖2中的子像素的構(gòu)造的電路示意圖；
[0018]圖4是示出圖2中的子像素的截面的截面示意圖；
[0019]圖5是示出根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施方式的子像素的截面的截面示意圖；
[0020]圖6是示出根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施方式的子像素的截面的截面示意圖；
[0021]圖7A-7D是例示了根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施方式的制造OLED器件的方法的平面圖；
[0022]圖8A-8E是例示了根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施方式的制造OLED器件的方法的截面圖；
[0023]圖9A是例示了根據(jù)對(duì)比例的形成功能層的處理的平面示意圖；
[0024]圖9B是例示了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式的形成功能層的處理的平面示意圖；
[0025]圖1OA和IOB是例示了根據(jù)對(duì)比例和本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式的OLED器件的可視性的數(shù)據(jù)圖表。
【具體實(shí)施方式】
[0026]現(xiàn)在具體討論本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，其中的例子結(jié)合附圖進(jìn)行解釋。此后介紹的優(yōu)選實(shí)施方式作為例子提供以給本領(lǐng)域技術(shù)人員傳達(dá)其精神。這樣，優(yōu)選實(shí)施方式可能以不同的形式實(shí)施，因此不局限于在此描述的優(yōu)選實(shí)施方式。圖中，器件的尺寸、厚度等等可能夸大以便于說明。在包括附圖的通篇中任何可能的地方，相同的附圖標(biāo)識(shí)表示相同或類似部件。
[0027]圖2是示出根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施方式的OLED器件的一些像素的平面視圖。參照?qǐng)D2，OLED器件包括多個(gè)像素P。每個(gè)像素P都包括第一至第四子像素SP1-SP4，它們分別為藍(lán)(B)、紅(R)、綠(G)、白(W)。由于每個(gè)像素P中包括了白色子像素W，所以可以降低OLED器件的功耗。事實(shí)上，白色子像素W可以補(bǔ)充由藍(lán)色、紅色、綠色子像素B、R、G產(chǎn)生的亮度。這樣，即使提供給子像素的驅(qū)動(dòng)電壓降低，每個(gè)像素P也能獲得理想的亮度。
[0028]第一至第四子像素SP1-SP4可以在單個(gè)像素P內(nèi)設(shè)置成四方形(quad type)。比如，第一和第二子像素SPl和SP2可以沿第一行設(shè)置而第三和第四子像素SP3和SP4可以沿第二行設(shè)置。另選的是，第一和第三子像素SPl和SP3可以沿第一行設(shè)置而第二和第四子像素SP2和SP4可以沿第二行設(shè)置。
[0029]在單個(gè)像素P內(nèi)，與藍(lán)色子像素B相對(duì)應(yīng)的第一子像素SPl可以比其它子像素也就是第二至第四子像素SP2、SP3和SP4的面積更大。這是由于藍(lán)色子像素B與顯示藍(lán)色以外的顏色的其它子像素相比具有較低的亮度。換言之，藍(lán)色子像素B通過擴(kuò)大其面積而增大亮度。雖然解釋了與藍(lán)色子像素B相對(duì)應(yīng)的第一子像素SP1，但本發(fā)明第一實(shí)施方式不限于此。
[0030]第二子像素SP2可以設(shè)置在第一子像素SPl的下側(cè)，第三子像素SP3可以設(shè)置在第一子像素SPl的左側(cè)或右側(cè)。第二子像素SP2和第三子像素SP3都可以為矩形形狀。這緣于第一子像素SPl的面積大于單個(gè)像素內(nèi)其它子像素的面積的事實(shí)，為了保證形成其它子像素的面積，尤其是第二和第三子像素SP2和SP3，這是必要的。另外，為了最大程度地保證形成第二和第三子像素SP2和SP3的空間，第二子像素和第三子像素SP2和SP3可以是在單個(gè)像素區(qū)內(nèi)形成具有沿不同方向，例如彼此垂直的方向，行進(jìn)的主軸(exes)的矩形。如果第二子像素SP2被設(shè)置成具有列方向的主軸，則第三子像素SP3可以被設(shè)置成具有行方向的主軸。這樣，不同長(zhǎng)度的第一和第三子像素SPl和SP3可以彼此交替地在列方向上排布。另外，不同長(zhǎng)度的第一和第二子像素SPl和SP2可以彼此交替地在行方向上排布。
[0031]第一子像素和第四子像素SPl和SP4都可以是水平側(cè)和豎直側(cè)長(zhǎng)度相等的規(guī)則正方形。但第一和第四子像素SPl和SP4不限于此。
[0032]另外，第二子像素SP2可以包括與第一子像素SPl相同長(zhǎng)度的水平側(cè)和長(zhǎng)度比第一子像素SPl短的豎直側(cè)。但第二子像素SP2不限于此。
[0033]再有，第三子像素SP3可以包括長(zhǎng)度比第一子像素SPl短的水平側(cè)和與第一子像素SPl相同長(zhǎng)度的豎直側(cè)。但第三子像素SP3不限于此。
[0034]更進(jìn)一步，第一子像素和第四子像素SPl和SP4可以設(shè)置在對(duì)角線而第二子像素和第三子像素SP2和SP3可以設(shè)置在另一對(duì)角線。但第一至第四子像素SP1-SP4的設(shè)置不限于此。
[0035]在這樣的一種結(jié)構(gòu)中，第一子像素SPl形成為具有比其它子像素也就是第二至第四子像素SP2-SP4更大的面積，第二和第三子像素SP2和SP3形成為各自具有不同方向的主邊。這樣，第四子像素SP4的形成空間可以被確保，而無(wú)需對(duì)像素區(qū)的面積進(jìn)行任何改變。換言之，不像現(xiàn)有技術(shù)中那樣，可以通過改變第一至第四子像素SP1-SP4的形狀和設(shè)置來保證與第四子像素SP4相對(duì)應(yīng)的開口率。
[0036]另外，第一至第四子像素SP1-SP4在像素區(qū)中的位置是固定的且第一至第四子像素SP1-SP4之間的距離是統(tǒng)一的。這樣，優(yōu)選實(shí)施方式的OLED器件就可以提供與現(xiàn)有技術(shù)的條狀格式相同的可視度。[0037]圖3是示出圖2中的子像素的構(gòu)造的電路示意圖。參照?qǐng)D3，單個(gè)子像素SP可以包括開關(guān)薄膜晶體管STr、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr、存儲(chǔ)電容器StgC和有機(jī)發(fā)光二極管E。
[0038]子像素SP可以由相互交叉的選通線GL和數(shù)據(jù)線DL限定，因此，選通線GL和數(shù)據(jù)線DL設(shè)置在子像素SP的邊緣上。另外，電源線PL以平行于數(shù)據(jù)線DL并穿過子像素SP的區(qū)域的方式形成。
[0039]開關(guān)薄膜晶體管STr連接到選通線GL和數(shù)據(jù)線DL。另外，開關(guān)薄膜晶體管STr連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr和存儲(chǔ)電容器StgC。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr連接到電源線PL和有機(jī)發(fā)光二極管E。這樣，有機(jī)發(fā)光二極管E的第一電極就可以連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr，而有機(jī)發(fā)光二極管E的第二電極可以接地。
[0040]根據(jù)上面提到的構(gòu)造，子像素SP中的開關(guān)薄膜晶體管STr可以由通過選通線GL提供的選通信號(hào)來導(dǎo)通并在數(shù)據(jù)線DL上向驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)。然后，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr基于從數(shù)據(jù)線DL傳來的數(shù)據(jù)信號(hào)來控制流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管E的電流信號(hào)的電平。這樣，子像素中的有機(jī)發(fā)光二極管E可以實(shí)現(xiàn)灰度級(jí)的變化。
[0041]同時(shí)，在開關(guān)薄膜晶體管STr截止時(shí)存儲(chǔ)電容器StgC可以恒定地維持驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr的柵極電壓。這樣，流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管E的電流信號(hào)的電平可以維持恒定。
[0042]圖4是示出圖2中的子像素的截面的截面示意圖。圖4中省去了開關(guān)薄膜晶體管和存儲(chǔ)電容器。然而，開關(guān)薄膜晶體管可以具有與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管同樣的結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D4，OLED器件可以包括具有第一至第四子像素SP1-SP4的像素。第一至第四子像素SP1-SP4可以是藍(lán)、紅、綠、白色子像素B、R、G、W，但不限于此。
[0043]每個(gè)子像素可以包括設(shè)置于基板110上的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr、在具有驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr的基板110上設(shè)置的絕緣部件130，和設(shè)置在絕緣部件130上的有機(jī)發(fā)光二極管
E0
[0044]特別地，基板110可以是平板玻璃基板和平板塑料基板，但根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的基板不限于這些材料。另選的是，基板110可以是具有能輕易彎曲而不斷裂特性的柔性膜?；?10可以被限定成多個(gè)子像素區(qū)。比如，基板110可以被限定為第一至第四子像素區(qū)。這樣，第一至第四子像素SP1-SP4可以分別設(shè)置在第一至第四子像素區(qū)中。
[0045]驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr可以在每個(gè)子像素區(qū)中形成。比如，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr可以包括設(shè)置在基板110上的半導(dǎo)體圖案120、覆蓋半導(dǎo)體圖案120的柵極絕緣膜121、設(shè)置于柵極絕緣膜121上對(duì)著半導(dǎo)體圖案120的一部分的柵極122、設(shè)置在具有柵極122的柵極絕緣膜121上的夾層絕緣膜123，以及設(shè)置在夾層絕緣膜123上并電連接至半導(dǎo)體圖案120的源極和漏極區(qū)的源極124和漏極125。示出和解釋的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr具有頂柵結(jié)構(gòu)。但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于止。
[0046]絕緣部件130可以設(shè)置在具有驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr的基板110上。絕緣部件130可以包括無(wú)機(jī)絕緣膜131或無(wú)機(jī)絕緣膜131和有機(jī)絕緣膜132的雙層膜。然而，絕緣部件130不限于上面的材料和結(jié)構(gòu)。另選的是，絕緣部件130可以由無(wú)機(jī)絕緣膜或有機(jī)絕緣膜形成單層結(jié)構(gòu)。
[0047]有機(jī)發(fā)光二極管E可以設(shè)置于每個(gè)子像素區(qū)中并電連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr。這種有機(jī)發(fā)光二極管E可以包括順序堆疊在絕緣部件130上的第一電極140、功能層150和第二電極160。[0048]第一電極140可以被構(gòu)圖成每個(gè)子像素單元(或尺寸)。這樣，每個(gè)子像素的第一電極140可設(shè)置成彼此具有固定間隔。另外，第一電極140可以通過形成在絕緣部件130中的連接孔而電連接到漏極125。
[0049]堤槽(bank) 145設(shè)置于具有第一電極140的基板110的整個(gè)表面。堤槽145具有暴露出電極140的一部分的開口。設(shè)置于基板110上的堤槽145可以覆蓋第一電極140的邊緣。另外，后面將描述的功能層和第二電極160順序地堆疊在與堤槽145的開口相對(duì)應(yīng)的第一電極140上。這樣,用于實(shí)質(zhì)發(fā)光的光發(fā)射區(qū)(圖1中的LR)由堤槽145限定。于是，子像素SP的定義和開口率可以依賴于光發(fā)射區(qū)(圖2中的LR)。
[0050]堤槽145可用于保證形成功能層150的工藝余量。功能層150可以通過利用掩模的沉積處理而選擇性地形成于期望區(qū)域。然而，功能層150可能由于比如在掩模制造工藝中的錯(cuò)誤或沉積工藝中掩模的未對(duì)準(zhǔn)等多種因素而形成于非期望區(qū)域。盡管功能層形成于不同于設(shè)計(jì)位置的區(qū)域，但是由堤槽145保證的功能層150的工藝余量能防止故障的發(fā)生。另外，堤槽145可以用于防止第一和第二電極140和160之間發(fā)生短路。
[0051]夾在后面將要描述的第一電極140和第二電極160之間的功能層150可以由通過施加流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管E的電流信號(hào)而發(fā)光的材料來形成。另外，設(shè)置在每個(gè)子像素區(qū)中的功能層150可以用于設(shè)置每個(gè)子像素的顏色。比如，功能層150可以包括能顯示彼此不同顏色的第一至第三功能層150BU50R和150G。
[0052]第一功能層150B可以形成于包括多個(gè)子像素區(qū)的整個(gè)區(qū)域，比如在每個(gè)子像素的堤槽145和第一電極140的上表面上。換言之，第一功能層150B可以包括在第一至第四子像素SP1-SP4中。這樣的第一功能層150B可以由發(fā)藍(lán)光的材料形成。作為形成第一功能層150B的材料的一個(gè)例子，可以使用螺-DPVB1、螺-6P、二苯乙烯基苯(DSB)和二苯乙烯基亞芳基(DSA)中的任意一種。另選的是，形成第一功能層150B的材料可以包括主體材料和摻雜材料。作為主體材料，CBP (4，4’ -N, N- 二咔唑聯(lián)苯)，ADN (Alq3，9，10- 二萘基葸)，TCTA(4，4，，4，，-三(N-咔唑基)_ 三苯胺)，dmCBP, Liq, TPBI, Balq(雙(2_ 甲基 _8_ 羥基喹啉-Ν1，08)-(1，1' -聯(lián)苯-4-羥基)合鋁)，和BCP中的一種可以被使用。F2Irpic,(F2PPy)2Ir (tmd)，Ir (dfppz) 3，三荷，DPAVBi (4,4’一雙[4_( 二-對(duì)甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯)，和TBP (2，5，8，11-四叔丁基二萘嵌苯)中的一個(gè)可以用作摻雜材料。
[0053]第二功能層150R可以沿第二和第四子像素SP2和SP4形成為條狀。這樣的第二功能層150R可以由發(fā)紅光的材料形成。形成第二功能層150R的材料可以包括CBP和Balq中的一種主體材料以及Ir(Mnpy)3、Btp2Ir(acac)(雙(20-苯并[4，5_a]噻吩基)吡啶-N，C30)乙酰丙酮合銥、Btp2Ir(acac)(雙(1-苯基異喹啉基)一 N，C2’)乙酰丙酮合銥(III)中的一種紅色摻雜材料的混合物。
[0054]雖然第一和第二功能層150B和150R可以在第二子像素SP2中互相交疊，但是可以通過第一和第二功能層150B和150R的材料選擇和厚度調(diào)整來防止第一功能層150B的彩色光與第二子像素SP2內(nèi)的第二功能層150R的另一彩色光之間的混合現(xiàn)象。特別地，第二功能層150R可以阻止第一功能層150B中產(chǎn)生的藍(lán)色光穿過第二功能層150R，從而第二子像素SP2可以只發(fā)紅光。另選的是，適合于從第一功能層150B吸收藍(lán)光的吸收層(未示出)可以?shī)A在第一和第二功能層150B和150R之間，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。再則，第二功能層150R可以是將從第一功能層150B發(fā)射的藍(lán)光轉(zhuǎn)換為紅光的顏色轉(zhuǎn)換層。顏色轉(zhuǎn)換層可以包括將藍(lán)光轉(zhuǎn)換成固定波長(zhǎng)光的熒光材料，但不限于此。
[0055]第三功能層150G可以沿第三和第四子像素SP3和SP4的區(qū)域形成為條狀。這樣的第三功能層150G可以由發(fā)綠光的材料形成。形成第三功能層150G的材料包括CBP和Balq中的一種主體材料和Ir (Mnpy) 3、Btp2Ir (acac)(雙(20-苯并[4，5_a]噻吩基)吡啶-N，C30)乙酰丙酮合銥、Btp2Ir(acac)(雙(1-苯基異喹啉基)-N，C2’)乙酰丙酮合銥(III)中的一種綠色摻雜材料的混合物。
[0056]雖然第一和第三功能層150B和150G在第三子像素SP3中互相交疊，但是可以通過第一和第二功能層150B和150R的材料選擇和厚度調(diào)整來防止第三子像素SP3內(nèi)的第三功能層150G的彩色光與第三功能層150G的另一彩色光之間的混合現(xiàn)象。換言之，第一功能層150G可以阻止第一功能層150B產(chǎn)生的藍(lán)色光穿過第三功能層150G，從而第三子像素SP3可以只發(fā)綠光。另選的是，適合于從第一功能層150B吸收藍(lán)光的吸收層(未示出)可以?shī)A在第一和第三功能層150B和150G之間，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。再則，第三功能層150G可以是將從第一功能層150B發(fā)射的藍(lán)光轉(zhuǎn)換為綠光的顏色轉(zhuǎn)換層。顏色轉(zhuǎn)換層可以包括將藍(lán)光轉(zhuǎn)換成固定波長(zhǎng)光的熒光材料。
[0057]第一至第三功能層150BU50R和150G可以在第四子像素SP4的區(qū)域中互相交疊。換言之，第四子像素SP4包括互相交疊的第一至第三功能層150BU50R和150G。這樣，第四子像素可以發(fā)白光。
[0058]具有不同寬度的第二和第三功能層150R和150G設(shè)置成彼此具有交叉關(guān)系。這樣，第二子像素區(qū)SP2上的第二功能層150R和第三子像素SP3上的第三功能層150G可以分別為具有互相沿不同方向的主側(cè)(或邊)的矩形形狀。在這樣的設(shè)置結(jié)構(gòu)中，第一功能層150B設(shè)置成公共層結(jié)構(gòu)，而第二和第三功能層150R和150G采用條狀掩模形成。于是，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式的OLED器件可以比現(xiàn)有技術(shù)顯著地增強(qiáng)工藝特性和產(chǎn)出率。
[0059]另外，具有不同寬度的第二和第三功能層150R和150G采用條狀掩模在彼此交叉的方向形成。這樣，用于形成第二和第三功能層150R和150G的條狀掩模的開口寬度可以加大。于是，工藝生產(chǎn)率和掩模生產(chǎn)率增加且可視度(視覺辨識(shí)率)和開口率可得到同步保證。再有，第二和第三功能層150R和150G互相交叉地形成條狀。這樣，由條狀掩模自身形成的工藝余量會(huì)減小。更進(jìn)一步，相比第二和第三功能層150R和150G，第一功能層150B可以形成為更大寬度和長(zhǎng)度。這樣，第一功能層150B可以具有比其它子像素也就是第二和第三子像素150R和150G更大的面積。
[0060]雖然沒有在圖中示出，但是空穴注入層和空穴傳輸層中至少一個(gè)可以?shī)A在第一電極140和功能層150之間以增強(qiáng)有機(jī)發(fā)光二極管E的發(fā)光效率。另外，電子注入層和電子傳輸層中至少一個(gè)可以?shī)A在功能層150和第二電極160之間。
[0061]空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層和電子傳輸層可以設(shè)置在OLED器件的整個(gè)顯示區(qū)域上。類似于功能層150，空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層和電子傳輸層都可以構(gòu)圖到像素區(qū)域中。
[0062]第二電極160可以設(shè)置在具有第一至第三功能層150B、150R和150G的基板110的整個(gè)表面上。第一和第二電極140和160可以根據(jù)OLED的發(fā)光模式由任意透明導(dǎo)電材料和反射導(dǎo)電材料形成。在朝向基板110發(fā)光的底部發(fā)光模式OLED器件中,第一電極140可以用透明導(dǎo)電材料形成，而第二導(dǎo)電極160由反射導(dǎo)電材料形成。另一方面，在朝向第二電極160發(fā)光的頂部發(fā)光模式OLED器件中,第一電極140可以由反射導(dǎo)電材料形成而第二電極160可以由透明導(dǎo)電材料形成。作為透明導(dǎo)電材料的例子，銦氧化錫(ITO)和銦鋅氧化物之一(IZO)可以使用。反射導(dǎo)電材料可以是具有反射特性的金屬，如銀Ag或鋁Al。
[0063]進(jìn)一步，雖然圖中未示出，但是OLED器件可以包括與包括有機(jī)發(fā)光二極管E的基板110相結(jié)合的密封件。密封件可以將有機(jī)發(fā)光二極管E與外部環(huán)境隔開，保護(hù)有機(jī)發(fā)光二極管E不受外部環(huán)境中潮氣和氧氣的影響。這樣的密封件可以是與基板110結(jié)合的密封層或覆蓋于包括有機(jī)發(fā)光二極管E的基板110之上的無(wú)機(jī)鈍化膜。然而，密封件不限于上面提到的形狀。
[0064]圖5是示出根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施方式的OLED器件的截面示意圖。除有機(jī)發(fā)光二極管的堆疊結(jié)構(gòu)外，第二優(yōu)選實(shí)施方式的OLED器件具有與第一實(shí)施方式相同的構(gòu)造。由此，省略本發(fā)明的第二實(shí)施方式中對(duì)于第一實(shí)施方式的重復(fù)描述。并且，圖5中省略了薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)。
[0065]參照?qǐng)D5，OLED器件可以包括具有在基板210上布置為四方形的第一至第四子像素SP1-SP4子像素的像素。第一至第四子像素SP1-SP4可以為藍(lán)、紅、綠和白色子像素B、R、G和W。每個(gè)子像素可以包括設(shè)置于基板210上的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr、設(shè)置于具有驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr的基板210上的絕緣部件130 (未示出)和設(shè)置于絕緣部件130上的有機(jī)發(fā)光二極管E。有機(jī)發(fā)光二極管E可以包括夾在第一和第二電極220和250之間的第一發(fā)光單元L1、電荷產(chǎn)生層234和第二發(fā)光單元L2。
[0066]第一發(fā)光單兀LI可以包括第一至第三子功能層24081、240R2和240G2。第一子功能層240B1可以公共地形成在多個(gè)子像素上。這樣的第一子功能層240B1可以使電流流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管E而發(fā)出藍(lán)光。類似地，第二和第三子功能層240R2和240G2可以分別發(fā)射紅光和綠光。
[0067]第一發(fā)光單元LI可以進(jìn)一步包括夾在第一電極220和第一子功能層240B1之間的子空穴注入層231和子空穴傳輸層230中的至少一個(gè)。子空穴注入層和傳輸層231和232可以用于在第一電極220和第一子功能層240B1之間有效應(yīng)用。
[0068]子空穴注入層231可以包括基于二萘嵌苯、芘、并四苯和蒽之一的材料。子空穴傳輸層232可以包括順序堆疊于子空穴注入層231之上的第一和第二子空穴傳輸層232a和232b。第一子空穴傳輸層231可以由空穴傳輸材料和子空穴注入層231的形成材料的混合物形成。作為空穴傳輸材料的例子，可以使用包括三苯胺的基于NPD(NPD-based)的材料、與二胺衍生物相對(duì)應(yīng)的基于TPD(TPD-based)的材料和與光導(dǎo)聚合物相對(duì)應(yīng)的聚(9-乙烯基咔唑)之一。同時(shí)，第二子空穴傳輸層232b可以由空穴傳輸材料形成。具有第一和第二子空穴傳輸層232a和232b的堆疊結(jié)構(gòu)的子空穴傳輸層232可以延長(zhǎng)OLED器件的壽命。
[0069]第一發(fā)光單元LI可以進(jìn)一步包括夾在第一子功能層240B1和第二發(fā)光單元L2之間的子電子傳輸層233。子電子傳輸層233可以由從如下一組材料中選出的至少一種形成:Alq3 (三(8-羥基喹啉)鋁)、PBD (2_ (聯(lián)苯_4_基)_5_ (4_叔丁基苯基)-1，3，4_噁二唑)、TAZ(3-苯基-4-(1’ -萘基)-5-苯基-1，2，4-三唑)、螺-PBD和BAlq(雙(2-甲基_8_羥基喹啉)(4-苯基-苯酚)合鋁-(III))。
[0070]第二發(fā)光單元L2可以包括適于實(shí)現(xiàn)彼此不同顏色的第一至第三功能層240B2、240R2和240G2。第一功能層240B2可以包括與第一子功能層240B1相同的材料。這樣，第一功能層240B2能發(fā)藍(lán)光。類似地，第二和第三功能層240R2和240G2可以分別發(fā)紅光和綠光。
[0071]第一功能層240B2可以公共地形成在多個(gè)子像素之上。第二功能層240R2可以沿第二和第四子像素SP2和SP4形成為條狀。類似地，第三功能層240G2可以沿第三和第四子像素SP3和SP4形成為條狀。另外，第二和第三功能層240R2和240G2可以在第四子像素SP4上互相交叉和交疊。這樣，第一至第三功能層240B2、240R2和240G2可以形成在第四子像素SP4上。這樣的第一至第四子像素SP1-SP4可以發(fā)射藍(lán)、紅、綠和白光。因此，根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的OLED器件可以實(shí)現(xiàn)全彩色。
[0072]電荷產(chǎn)生層234可以?shī)A在第一和第二發(fā)光層LI和L2之間。電荷產(chǎn)生層234可在內(nèi)部產(chǎn)生空穴和電子并當(dāng)?shù)谝缓偷诙姌O220和250之間產(chǎn)生電場(chǎng)時(shí)將空穴和電子應(yīng)用于第一和第二發(fā)光單元LI和L2。為了提供空穴和電子，電荷產(chǎn)生層234可以包括N型電荷產(chǎn)生層234a和P型電荷產(chǎn)生層234b。N型電荷產(chǎn)生層234a設(shè)置在第一發(fā)光單元LI上。N型電荷產(chǎn)生層234a可用于將電子提供給第一發(fā)光單元LI。N型電荷產(chǎn)生層234a可以包括第一主體材料和第一摻雜材料。第一摻雜材料可以預(yù)先摻入到第一主體材料中。
[0073]第一摻雜材料可以是堿金屬或堿土金屬的一種。作為堿金屬的例子，可以使用鋰L1、銫Cs、鈉Na、鉀K及類似金屬之一。堿土金屬可以包括銀Sr、鋇Ba、錯(cuò)Ra和鎂Mg等等。第一主體材料可以是電子傳輸材料，如Alq3(三(8-羥基喹啉)鋁)、Bphen(4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰菲咯啉)或其它。
[0074]P型電荷產(chǎn)生層234b夾在N型電荷產(chǎn)生層234a和第二發(fā)光單元L2之間。P型電荷產(chǎn)生層234b可以用于向第二發(fā)光單元L2提供空穴。P型電荷產(chǎn)生層234b可以包括第二主體材料和第二摻雜材料。第二摻雜材料可以預(yù)先摻入到第二主體材料中。第二摻雜材料可以包括從下面一組材料中選出的至少一種:金屬氧化物，F(xiàn)4-TCNQ(四氟四氰二甲基對(duì)苯醌)、HAT (六腈六氮雜苯并菲)、FeCl3、FeF3和SbCl5。金屬氧化物材料可以是Mo03、V205、11'0、1102、103、51102和類似物的一種。第二主體材料可以是具有從下面材料組中選擇的至少一種的空穴傳輸材料:NPD(N，N' - 二萘基_N，N' - 二苯基聯(lián)苯胺)、TPD(N，N'-雙(3-甲基苯基)-N，N' -二苯基聯(lián)苯胺)、MTDATA(4，4’，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)三苯基胺)和其它。這樣的電荷產(chǎn)生層234可以構(gòu)圖到每個(gè)子像素單元中。
[0075]第二發(fā)光單元L2可以進(jìn)一步包括夾在電荷產(chǎn)生層234和第一功能層240B2之間的空穴傳輸層235。空穴傳輸層235可以包括第一和第二空穴傳輸層235a和235b的堆疊層結(jié)構(gòu)?？昭▊鬏攲?35可以由與子空穴傳輸層232相同的材料形成。第二發(fā)光單兀L2可以進(jìn)一步包括以能夠覆蓋第一至第三功能層240B2、240R2和240G2的方式順序堆疊的電子傳輸層236和電子注入層237。電子傳輸層236可以由與子電子傳輸層233相同的材料形成。同時(shí)，電子注入層237可以由Lif、Mg0、MgF2、Li02、CaF2及其類似物中的一種形成。
[0076]這樣，發(fā)射藍(lán)光的第一功能層被附加地堆疊。這樣，根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施方式的OLED器件可以相對(duì)于其它顏色的光增強(qiáng)亮度稍弱的藍(lán)光。
[0077]圖6是示出根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施方式的OLED器件的截面示意圖。除第一發(fā)光單元的結(jié)構(gòu)外，第三優(yōu)選實(shí)施方式的OLED器件具有與第二優(yōu)選實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)。因此，省略了本發(fā)明第二實(shí)施方式中對(duì)于第一實(shí)施方式的重復(fù)描述。另外，圖6中省略了薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)。[0078]參照?qǐng)D6，OLED器件可以包括具有在基板210上設(shè)置為四方形的第一至第四子像素SP1-SP4的像素。第一至第四子像素SP1-SP4可以為藍(lán)、紅、綠和白色子像素B、R、G和W。每個(gè)子像素包括設(shè)置于基板210上的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr、設(shè)置于具有驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr的基板210上的絕緣部件130 (未示出)和設(shè)置于絕緣部件130上的有機(jī)發(fā)光二極管E。有機(jī)發(fā)光二極管E可以包括第一發(fā)光單兀L1、電荷產(chǎn)生層234和夾在第一和第二電極220和250之間的第二發(fā)光單元L2。第一和第二發(fā)光單元LI和L2可以形成為相同的結(jié)構(gòu)。
[0079]第一發(fā)光單元LI可以包括第一至第三子功能層240B1、240R1和240G1。第一子功能層240B1可以公共地形成于多個(gè)子像素上。第二子功能層240R1可以沿第二和第四子像素SP2和SP4形成為條狀。類似地，第三子功能層240G1可以沿第三和第四子像素SP3和SP4形成為條狀。另外，第二和第三子功能層240R1和240G1可以在第四子像素SP4上互相交叉和交疊。這樣，第一至第四子像素SP1-SP4可以分別發(fā)藍(lán)、紅、綠和白光。
[0080]第二發(fā)光單元L2可以包括第一至第三功能層24082、240R2和240G2。第一至第三功能層240B2、240R2和240G2可以分別形成為與第一至第三子功能層240B1、240R1和240G1相同的形狀。
[0081]根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施方式的OLED器件中，具有相同結(jié)構(gòu)的第一和第二發(fā)光單元被堆疊。紅、綠、藍(lán)和白色光的所有亮度都能增強(qiáng)。
[0082]圖7A-7D是例示了根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施方式的制造OLED器件的方法的平面圖。圖8A-8E是例示了根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施方式的制造OLED器件的方法的截面圖。
[0083]參照?qǐng)D7A和8A，為了制造OLED器件得先準(zhǔn)備基板110。基板110可以包括設(shè)置成四方形的第一至第四子像素區(qū)SP1-SP4。
[0084]每個(gè)子像素區(qū)中都形成有半導(dǎo)體圖案120。半導(dǎo)體圖案120可以通過在基板110上通過沉積工藝形成非晶硅層，使非晶硅層結(jié)晶并對(duì)結(jié)晶的非晶硅層進(jìn)行構(gòu)圖來制備。在具有半導(dǎo)體圖案120的基板110上形成柵極絕緣膜121。柵極絕緣膜121可以通過化學(xué)氣相沉積(CVD)由氮化硅和氧化硅的任一種形成。在柵極絕緣膜121上與半導(dǎo)體圖案120溝道區(qū)相對(duì)地形成柵極122。在形成柵極122的過程中，還能夠形成連接到柵極電極122的選通線(未示出)。在具有柵極電極122的柵極絕緣膜121上形成夾層絕緣膜123。夾層絕緣膜123可以通過化學(xué)氣相沉積(CVD)由氮化硅和氧化硅的任一種形成。然后，形成多個(gè)都貫通夾層絕緣膜123和柵極絕緣膜121的通孔。這些通孔可以部分地露出半導(dǎo)體圖案120的兩端，特別是可露出半導(dǎo)體圖案120的源極和漏極區(qū)。接下來，在夾層絕緣膜123上形成源極和漏極電極124和125。源極和漏極124和125通過這些通孔連接到半導(dǎo)體圖案120的源極和漏極區(qū)。這樣，可以在基板110的每個(gè)子像素區(qū)域中形成包括半導(dǎo)體圖案120、柵極絕緣膜121、柵極122和源極及漏極124和125的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr。雖然圖中沒有顯示，但是在形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr時(shí)，還形成了開關(guān)薄膜晶體管和存儲(chǔ)電容器。
[0085]在形成了驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr后，在包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr的夾層絕緣膜123上形成絕緣部件130。絕緣部件130可以包括無(wú)機(jī)絕緣膜131、有機(jī)絕緣膜132和它們的堆疊層的任意一種。無(wú)機(jī)絕緣膜131可以通過化學(xué)氣相沉積(CVD)由氮化硅和氧化硅的任一種形成。有機(jī)絕緣膜132可以通過濕法工藝形成。作為濕法工藝的一個(gè)例子，旋涂法、浸涂法、噴墨印刷法、絲網(wǎng)印刷法、模具涂層法、刮墨刀蝕法等方法之一都可以使用。有機(jī)絕緣膜132可以由光敏亞克力樹脂、苯并環(huán)丁烯樹脂、聚酰亞胺樹脂及其類似物形成。[0086]在形成絕緣部件130形成后,在絕緣部件130中形成露出驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DTr的漏極125的接觸孔。此后，在絕緣部件130上形成通過接觸孔電連接至漏極125的第一電極140?？梢酝ㄟ^在絕緣部件130上形成導(dǎo)電材料膜并將導(dǎo)電材料膜構(gòu)圖到每一個(gè)子像素區(qū)中來制備第一電極140。
[0087]在具有第一電極140的絕緣部件130上形成帶有與第一電極140的發(fā)光區(qū)相對(duì)應(yīng)的開口的堤槽145。堤槽145可以在具有第一電極140的基板110的整個(gè)表面施加光敏樹脂并對(duì)光敏樹脂進(jìn)行曝光和顯影工藝來形成。
[0088]如圖7B和SB所示，在包括第一電極140的所有多個(gè)子像素區(qū)上形成第一功能層150B。第一功能層150B可以由能發(fā)藍(lán)光的材料形成。第一功能層150B可以通過使用開口掩模的沉積工藝同時(shí)曝光多個(gè)子像素而大體上形成。換言之，可以在顯示圖像的整個(gè)顯示區(qū)上形成第一功能層150B。
[0089]作為形成第一功能層150B的材料的一個(gè)例子，螺-DPVB1、螺-6P、二苯乙烯基苯(DSB)和二苯乙烯基亞芳基(DSA)中的任一個(gè)都能使用。另選的是，形成第一功能層150B的材料可以包括主體材料和摻雜材料。作為主體材料，CBP(4,4' -N, N-二咔唑聯(lián)苯)，ADN(Alq3，9，10-二萘基蒽)，TCTA (4，4’，4”，三(N-咔唑基)-三苯胺)，dmCBP，Liq, TPBI，Balq(雙(2-甲基_8_羥基喹啉-NI，08) —(1，1’ -聯(lián)苯_4_羥基)合鋁)，和BCP中的一種可以被使用。F2Irpic, (F2ppy)2Ir (tmd), Ir (dfppz) 3，三荷，DPA VBi (4,4，-雙[4_( 二-對(duì)甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯)，和了8?(2，5，8，11-四叔丁基二萘嵌苯)中的一個(gè)可以用作摻雜材料。
[0090]參照?qǐng)D7C和SC，第二功能層150R可以沿第二和第四子像素SP2和SP4形成。這樣的第二功能層150R可以由發(fā)紅光的材料形成。作為形成第二功能層150R的材料的例子，作為一種主體材料的CBP和Balq以及Ir (Mnpy) 3、Btp2Ir (acac)(雙(20-苯并[4，5_a]噻吩基)吡啶一 N，C30)乙酰丙酮合銥、Btp2Ir(acac)(雙(1-苯基異喹啉基)-N，C2,)乙酰丙酮合銥(III)中的一種紅色摻雜材料的混合物可以使用。另選的是，第二功能層150R可以是將從第一功能層150B發(fā)出的藍(lán)光`轉(zhuǎn)換成紅光的顏色轉(zhuǎn)換層。這樣的第二功能層150R可以通過利用帶有第一條狀開口 MOl的第一掩模Ml通過沉積工藝形成。第一條狀開口 MOl可以露出互相交替和重復(fù)設(shè)置的第二和第四子像素SP2和SP4。
[0091]如圖7D和8D所示，第三功能層150G可以沿第三和第四子像素SP3和SP4的區(qū)域形成。這樣的第三功能層150G可由發(fā)綠光的材料形成。形成第三功能層150G材料可包括CBP和Balq中的一種主體材料以及Ir (Mnpy) 3、Btp2Ir (acac)(雙(20-苯并[4,5_a]噻吩基)吡啶_N，C30)乙酰丙酮合銥、Btp2Ir(acac)(雙(1-苯基異喹啉基)一 N，C2’)乙酰丙酮合銥(III)中的一種綠色摻雜材料的混合物。另選的是，第三功能層150G可以是將從第一功能層150B發(fā)出的藍(lán)光轉(zhuǎn)換成綠光的顏色轉(zhuǎn)換層。第三功能層150G可以通過使用帶有第二條狀開口 M02的第二掩模M2通過沉積工藝形成。第二條狀開口 M02可以與第一條狀開口 MOl成交叉關(guān)系。第二條狀開口 M02可以露出互相交替和重復(fù)設(shè)置的第三和第四子像素 SP3 和 SP4。
[0092]第一至第三功能層150BU50R和150G可以按照在第四子像素SP4上相互交疊的方式來形成。這緣于第一和第二條狀開口 MOl和M02在第四子像素SP4上相互交疊。
[0093]雖然圖中未示出，但是可在第一電極140和功能層150之間形成空穴注入層和空穴傳輸層中至少其一以增強(qiáng)有機(jī)發(fā)光二極管E的發(fā)光效率。另外,可在功能層150和第二電極160之間形成電子注入層和電子傳輸層中至少其一。空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層和電子傳輸層可以在OLED的整個(gè)顯示區(qū)域上通過濕法工藝和沉積工藝形成?？昭ㄗ⑷雽?、空穴傳輸層、電子注入層和電子傳輸層都可以用與有機(jī)發(fā)光層相同的方法形成并構(gòu)圖到每個(gè)子像素區(qū)中。
[0094]如圖8E所示，在帶有第一至第三功能層150BU50R和150G的基板110的整個(gè)表面上形成第二電極160。雖然圖中未顯示，但是可以進(jìn)一步執(zhí)行用于密封基板110上的有機(jī)發(fā)光二極管E的密封處理。
[0095]已說明了包括有機(jī)發(fā)光二極管單個(gè)發(fā)光單元的情況，但本發(fā)明的第四優(yōu)選實(shí)施方式并不限于此。另選的是，有機(jī)發(fā)光二極管可進(jìn)一步包括至少一個(gè)發(fā)光單元。比如，可以進(jìn)一步形成第一子功能層和電荷產(chǎn)生層。第一子功能層可以形成在第一電極和第一功能層之間以便由多個(gè)子像素共享。電荷產(chǎn)生層可以形成在第一子功能層之上。根據(jù)另外一個(gè)例子，可以進(jìn)一步在第一電極和第一功能層之間形成第一至第三子功能層和電荷產(chǎn)生層。這種情形下，第一至第三子功能層可以分別形成為與第一至第三功能層相同的結(jié)構(gòu)。
[0096]接下來，將根據(jù)對(duì)比例和本實(shí)施方式參照?qǐng)D9A和9B解釋OLED器件的制造過程。
[0097]圖9A是例示了根據(jù)對(duì)比例的形成功能層的處理的平面示意圖。參照?qǐng)D9A,對(duì)比例的OLED器件包括條狀格式的像素。在對(duì)比例中，每個(gè)像素包括設(shè)置于行方向的紅、綠和藍(lán)色子像素SPR、SPG和SPB。
[0098]在對(duì)比例中，功能層可以通過利用條狀掩模M的沉積工藝形成。條狀掩模M難于減小開口 MO之間的距離，也就是肋的寬度W1。事實(shí)上，條狀掩模M中的每個(gè)肋都必須以5-50微米的寬度范圍來形成。如果肋的寬度小于該寬度范圍，則條狀掩模M不能保證沉積處理中自身的張力。另外，條狀掩模的開口 MO的寬度M2由于沉積處理和掩模制造處理中的限制而變?yōu)榇笥?3微米。
[0099]為了提供用于吸收比如掩模沉積工藝中的對(duì)準(zhǔn)誤差及掩模制造誤差等工藝誤差的工藝余量，有必要為OLED器件形成堤槽。特別地，如果用于在互相鄰接的子像素中形成功能層的掩模未對(duì)準(zhǔn)，則鄰近的功能層會(huì)互相交疊。這樣，堤槽必須以24微米以上的寬度形成從而為吸收掩模之間的對(duì)準(zhǔn)誤差提供足夠的工藝余量。換言之，由于工藝限制很難在低于24微米的寬度下形成堤槽。
[0100]圖9B是例示了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式的形成功能層的處理的平面示意圖。參照?qǐng)DSB，本實(shí)施方式的OLED器件使每個(gè)像素都能包括設(shè)置成四方形的第一至第四子像素。
[0101]在本實(shí)施方式的OLED器件中，在第一子像素SPl的顯示操作中使用的第一功能層被設(shè)置在包括所有多個(gè)子像素的整個(gè)區(qū)域上，在第二和第三子像素SP2和SP3的顯示操作中使用的第二和第三功能層是利用具有彼此交叉的條狀開口的掩模而形成的。這樣，可以大大降低使掩模的肋以5-50微米的寬度形成的條狀掩模M的制造限制。換言之，用于形成第二和第三功能層的掩模的肋具有與第一子像素區(qū)SPl的水平和豎直長(zhǎng)度相對(duì)應(yīng)的寬度。如果本實(shí)施方式的像素具有與對(duì)比例相同的面積，則第一子像素SPl的水平和豎直長(zhǎng)度自然會(huì)比第二和第三子像素SP2和SP3的寬度更大。換句話說，第一子像素SPl可以被形成具有比第二和第三子像素SP2和SP3更大的面積。由此，即使藍(lán)光比其它顏色的光亮度低，第一子像素SPl也可以發(fā)出具有足夠高亮度的藍(lán)光。這樣，子像素之間的亮度可以統(tǒng)一。[0102]另外，由于第二和第三功能層是利用均包括互相交叉的條狀開口的多個(gè)掩模而形成的，所以即使用于形成第二和第三功能層的條狀開口未對(duì)準(zhǔn)，除了第四子像素，第二和第三功能層也不會(huì)在任何地方交疊。換言之，彼此交叉的第二和第三功能層可以減小吸收掩模對(duì)準(zhǔn)誤差的余量。這樣，堤槽的面積可以減小，可進(jìn)一步增大OLED器件的開口率。
[0103]下面的表1比較和解釋了根據(jù)本實(shí)施方式和對(duì)比例的子像素的開口率。表1中的開口率是在本實(shí)施方式和對(duì)比例的像素形成為同樣面積且本實(shí)施方式和對(duì)比例的堤槽以24微米的寬度形成的條件下獲得的。
[0104][表 I]
[0105]
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示器件，所述有機(jī)發(fā)光顯示器件包括: 基板，其包括排布為四方形的第一至第四子像素區(qū)； 第一電極，其設(shè)置在第一至第四子像素區(qū)中的每一個(gè)子像素區(qū)上； 第一功能層，其設(shè)置在全部第一至第四子像素區(qū)上并被配置為發(fā)射第一顏色光； 形成為條狀的第二功能層，其沿著排布在行方向上的第二和第四子像素區(qū)鋪設(shè)，并被配置為發(fā)射第二顏色光； 形成為另一條狀的第三功能層，其沿著排布在列方向上的第三和第四子像素區(qū)鋪設(shè)，并被配置為發(fā)射第三顏色光；以及 第二電極，其設(shè)置在所述基板的包括第一至第三功能層的整個(gè)表面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器件，其中，第一子像素區(qū)被形成為尺寸比第二至第四子像素區(qū)的尺寸更大。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示器件，其中，第二和第三功能層分別被形成為矩形形狀，并且各自的端部彼此交叉。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示器件，其中，第一至第三功能層在第四子像素區(qū)上彼此交疊以使第四子像素區(qū)能夠顯示白色。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器件，所述有機(jī)發(fā)光顯示器件還包括: 第一子功能層，其被設(shè)置為發(fā) 射第一顏色光；以及 設(shè)置在第一子功能層上的電荷產(chǎn)生層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器件，所述有機(jī)發(fā)光顯示器件還包括: 按照與第一至第三功能層相同的結(jié)構(gòu)形成的第一至第三子功能層；以及 設(shè)置在第一功能層下面的電荷產(chǎn)生層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯不器件，其中，第一顏色光為藍(lán)光。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示器件，所述有機(jī)發(fā)光顯示器件還包括: 夾在第一電極與第一子功能層之間的子空穴注入層和子空穴傳輸層中的至少一個(gè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光顯示器件，所述有機(jī)發(fā)光顯示器件還包括: 夾在第一電極與第一子功能層之間的子空穴注入層和子空穴傳輸層中的至少一個(gè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示器件，其中，所述電荷產(chǎn)生層包括N型電荷產(chǎn)生層和P型電荷產(chǎn)生層。
11.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示器件的方法，所述方法包括以下步驟: 制備基板，所述基板包括排布為四方形的第一至第四子像素區(qū)； 在第一至第四子像素區(qū)中的每一個(gè)子像素區(qū)上形成第一電極； 在全部第一至第四子像素區(qū)上形成第一功能層，該第一功能層被配置為發(fā)射第一顏色光; 使用第一掩模來形成第一條狀的第二功能層，該第二功能層被配置為發(fā)射第二顏色光，并且沿著排布在第一方向的第二和第四子像素區(qū)鋪設(shè)，該第一方向?yàn)樾蟹较颍? 使用第二掩模來形成第二條狀的第三功能層，該第三功能層與第二功能層交叉并被配置為發(fā)射第三顏色光，并且沿著排布在第二方向的第三和第四子像素區(qū)鋪設(shè)，該第二方向?yàn)榱蟹较?；以? 在所述基板的包括第一至第三功能層的整個(gè)表面上形成第二電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，第一掩模在第一沉積工藝中被使用并包括第一條狀的第一開口，并且第二掩模在第二沉積工藝中被使用并包括與第一開口交叉的第二條狀的第二開口。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，所述方法還包括以下步驟: 形成用于發(fā)射第一顏色光的第一子功能層；以及 在第一子功能層上形成電荷產(chǎn)生層。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，所述方法還包括以下步驟: 形成與第一至第三功能層的結(jié)構(gòu)相同的第一至第三子功能層；以及 在第一子功能層上形成電荷產(chǎn)生層。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，第一子像素區(qū)被形成為尺寸比第二至第四子像區(qū)中的每一個(gè)的尺寸都更大。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，第二和第三子功能層被形成為矩形形狀，并且各自的端部彼此交叉。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，第一至第三功能層在第四子像素區(qū)中彼此交疊以使第四子像素區(qū)能夠顯示白色。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，第`一顏色光為藍(lán)光。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK103515540SQ201210599278
【公開日】2014年1月15日 申請(qǐng)日期:2012年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月27日
【發(fā)明者】金鐘成, 金豪鎮(zhèn) 申請(qǐng)人:樂金顯示有限公司