專利名稱：半導(dǎo)體器件封裝件及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件封裝件及方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件被使用在各種電子器件應(yīng)用方式中，諸如，個(gè)人電腦、移動(dòng)電話、數(shù)碼相機(jī)以及其他電子設(shè)備。通常通過(guò)在半導(dǎo)體襯底上方相繼地沉積絕緣層或介電層以及半導(dǎo)體材料層，并且使用光刻圖案化各個(gè)材料層從而形成電路部件以及其上的元件來(lái)制造半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體工業(yè)通過(guò)持續(xù)減小最小部件尺寸來(lái)改進(jìn)各個(gè)電子部件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度，這使得能夠在給定面積內(nèi)集成更多的部件。在一些應(yīng)用方式中，這些較小的電子部件同時(shí)只需要較小的封裝件，這些封裝件所占用的空間比原來(lái)的封裝件更小。一種更小的半導(dǎo)體封裝類型是倒裝芯片芯片級(jí)封裝件(FcCSP)，在該封裝件中，半導(dǎo)體管芯上下顛倒地放置在襯底上并且使用凸塊與襯底相接合。該襯底具有被布線成將管芯上的凸塊與襯底上的具有更大足跡(footprint)的接觸焊盤相連接的引線。焊球陣列形成在沉積的背面上并且被用于將封裝的管芯與終端應(yīng)用(end application)電連接。然而，一些FcCSP封裝件易于在處理過(guò)程中(諸如，在溫度應(yīng)力下)襯底翹曲的位置上出現(xiàn)彎曲。該彎曲導(dǎo)致了可靠性問題，諸如，凸塊的接合損壞、底部填充分層以及管芯上的鈍化層分層。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的問題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種結(jié)構(gòu)，包括襯底，具有第一面，所述第一面包括凹陷部；芯片，位于所述襯底的所述第一面上方，并且與所述第一面相接合；以及強(qiáng)化部件，位于所述襯底的所述第一面的第一區(qū)域上方，所述第一區(qū)域不位于所述芯片下方，所述強(qiáng)化部件的一部分設(shè)置在所述第一區(qū)域中的至少一些所述凹陷部中。在該結(jié)構(gòu)中，所述襯底包括層和下部襯底，所述層位于所述下部襯底上方，所述凹陷部是穿過(guò)所述層的開口。在該結(jié)構(gòu)中，所述凹陷部是所述襯底的所述第一面中的凹口。在該結(jié)構(gòu)中，還包括底部填充材料，位于所述芯片和所述襯底之間，所述底部填充材料設(shè)置在所述襯底的所述第一面的第二區(qū)域中的至少一些凹陷部中，所述第二區(qū)域位于所述芯片下方。在該結(jié)構(gòu)中，所述強(qiáng)化部件包括蓋狀物和粘合劑，所述蓋狀物具有位于所述芯片上方的第一部分以及位于所述襯底的所述第一面的所述第一區(qū)域上方的第二部分，所述粘合劑位于所述蓋狀物的所述第二部分和所述襯底的所述第一面之間，所述粘合劑設(shè)置在所述第一區(qū)域中的至少一些所述凹陷部中。
在該結(jié)構(gòu)中，所述蓋狀物的所述第二部分包括蓋狀物凹陷部，所述粘合劑設(shè)置在至少一些所述蓋狀物凹陷部中。在該結(jié)構(gòu)中，還包括位于所述芯片的面和所述蓋狀物的所述第一部分之間的熱界面材料，所述蓋狀物的所述第一部分包括蓋狀物凹陷部，所述熱界面材料設(shè)置在至少一些所述蓋狀物凹陷部中。在該結(jié)構(gòu)中，所述強(qiáng)化部件包括環(huán)和粘合劑，所述環(huán)圍繞著所述芯片并且位于所述第一區(qū)域上方，所述粘合劑位于所述環(huán)和所述襯底的所述第一面之間，所述粘合劑設(shè)置在所述第一區(qū)域的至少一些所述凹陷部中。在該結(jié)構(gòu)中，所述環(huán)包括環(huán)凹陷部，所述粘合劑設(shè)置在至少一些所述環(huán)凹陷部中。在該結(jié)構(gòu)中，所述強(qiáng)化部件包括位于所述第一區(qū)域上方的模塑料，所述模塑料設(shè)置在至少一些所述凹陷部中。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種結(jié)構(gòu)，包括襯底，在頂面中具有凹陷部；芯片，與所述頂面相接合；底部填充材料，位于所述襯底的所述頂面和所述芯片之間，所述底部填充材料位于所述襯底的所述頂面的第一區(qū)域中的至少一些凹陷部中，所述第一區(qū)域位于所述芯片下方；以及部件，選自于基本上由蓋狀物和第一粘合劑、環(huán)和第二粘合劑、以及模塑料所構(gòu)成的組，所述部件位于所述襯底的所述頂面上，并且所述部件的一部分設(shè)置在所述襯底的所述頂面的第二區(qū)域中的至少一些所述凹陷部中，所述第二區(qū)域不位于所述芯片下方。在該結(jié)構(gòu)中，所述部件是所述蓋狀物和所述第一粘合劑，所述蓋狀物位于所述芯片上方，所述蓋狀物具有位于所述芯片上方的所述蓋狀物的第一部分中的第一蓋狀物凹陷部并且具有位于所述第一區(qū)域上方的所述蓋狀 物的第二部分中的第二蓋狀物凹陷部，熱界面材料位于所述芯片和所述第一部分之間并且設(shè)置在至少一些所述第一蓋狀物凹陷部中，所述第一粘合劑設(shè)置在至少一些所述第二蓋狀物凹陷中并且設(shè)置在所述第二區(qū)域中的至少一些所述凹陷部中。在該結(jié)構(gòu)中，所述部件是所述環(huán)和所述第二粘合劑，所述環(huán)圍繞著所述芯片，所述環(huán)具有環(huán)凹陷部，所述第二粘合劑設(shè)置在至少一些所述環(huán)凹陷中并且設(shè)置在所述第二區(qū)域中的至少一些所述凹陷部中。在該結(jié)構(gòu)中，所述部件是所述模塑料，所述模塑料位于所述第二區(qū)域中的至少一些所述凹陷部中。在該結(jié)構(gòu)中，所述襯底包括層和下部襯底，所述層位于所述下部襯底上方，所述凹陷部是穿過(guò)所述層的開口。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種方法，包括提供襯底，所述襯底在頂面中具有凹陷部；將所述芯片與所述襯底的所述頂面相接合；以及在所述襯底的所述頂面上提供強(qiáng)化部件，所述強(qiáng)化部件的一部分設(shè)置在至少一些所述凹陷部中。在該方法中，所述強(qiáng)化部件包括蓋狀物和第一粘合劑、環(huán)和第二粘合劑、模塑料、或其組合中的至少一種。在該方法中，所述強(qiáng)化部件包括所述蓋狀物、所述環(huán)、或者其組合中的至少一種，利用第一壓鑄形成所述蓋狀物，并且利用第二壓鑄形成所述環(huán)，所述第一壓鑄和所述第二壓鑄均使用了分別具有與所述蓋狀物和所述環(huán)中的凹口相對(duì)應(yīng)的圖案的模具。
在該方法中，提供所述襯底包括在下部襯底上方形成層；以及穿過(guò)所述層圖案化開口，所述開口是所述凹陷部。在該方法中，提供所述襯底包括在所述襯底中蝕刻凹口，所述凹口是所述凹陷部。


為了更全面地理解實(shí)施例及其優(yōu)勢(shì)，現(xiàn)將結(jié)合附圖所進(jìn)行的描述作為參考，其中圖1是根據(jù)實(shí)施例的芯片級(jí)封裝件(CSP)結(jié)構(gòu)的一部分；圖2A和圖2B是根據(jù)實(shí)施例的層和開口的示例性圖案；圖3是根據(jù)實(shí)施例的另一個(gè)CSP結(jié)構(gòu)的一部分；圖4是根據(jù)實(shí)施例的又一個(gè)CSP結(jié)構(gòu)的一部分；以及圖5是根據(jù)實(shí)施例的又一個(gè)CSP結(jié)構(gòu)的一部分。
具體實(shí)施例方式下面，詳細(xì)討論本發(fā)明各實(shí)施例的制造和使用。然而，應(yīng)該理解，本發(fā)明提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實(shí)現(xiàn)的可應(yīng)用的概念。所討論的具體實(shí)施例僅僅示出了制造和使用本發(fā)明的具體方式，而不用于限制不同實(shí)施例的范圍。將根據(jù)具體語(yǔ)境(即，芯片級(jí)封裝件(CSP)，尤其是倒裝芯片CSP (FcCSP))描述實(shí)施例。然而，也可以將其他實(shí)施例應(yīng)用于其他封裝技術(shù)(諸如，倒裝芯片球柵陣列(FcBGA)封裝件)或用于封裝件內(nèi)的其他襯底，諸如，中介層(interposer)或位于2.5維集成電路(2. 5DIC)結(jié)構(gòu)或三維IC(3DIC)結(jié)構(gòu)中的其他有源芯片。圖1是根據(jù)實(shí)施例的CSP結(jié)構(gòu)8的部分。結(jié)構(gòu)8包括襯底10、芯片20以及蓋狀物(Iid) 26。通過(guò)位于襯底10的相應(yīng)焊盤16上的電連接件18將芯片20與襯底10的頂面相接合。襯底10具有位于頂面上的層12。在芯片20下方的區(qū)域以及在芯片20下方以外的區(qū)域中，層12具有穿過(guò)層12到達(dá)襯底10的頂面的開口 14。底部填充材料28位于芯片20和襯底10的頂面之間并且圍繞著電連接件18。在芯片20的下方以及鄰近芯片20的位置上，底部填充材料28進(jìn)一步位于襯底10的頂面上的一些開口中14中。底部填充材料28可以進(jìn)一步在芯片20和襯底10之間提供機(jī)械連接和支撐。蓋狀物26位于芯片20上方并且與芯片20以及襯底10共形，使得在蓋狀物26從芯片20中向外延伸時(shí)，蓋狀物26朝向襯底10的頂面彎曲。熱界面材料22位于芯片20的頂面和蓋狀物26之間。蓋狀物26位于芯片20上方的部分的底部具有凹口 24。熱界面材料22設(shè)置在蓋狀物26的凹口 24中。遠(yuǎn)離芯片20的蓋狀物26的凸緣(flange)部分的底部具有凹口 34。粘合劑32位于蓋狀物26的凸緣部分和襯底10的頂面之間。粘合劑32位于蓋狀物26的凹口 34中以及層12中的開口 14中。在該實(shí)施例中，例如，使用金屬壓鑄來(lái)形成蓋狀物26。例如，通過(guò)在壓鑄蓋狀物26時(shí)使用具有與凹口 24和34相應(yīng)的圖案的模具來(lái)在 蓋狀物26中形成凹口 24和34。該實(shí)施例中的蓋狀物26是鋼，而在其他實(shí)施例中可以是銅、不銹鋼等或其組合。凹口 24和34具有以下尺寸，例如，在大約ΙΟμπ 和ΙΟΟμ 之間的深度以及在所描繪的截面圖中處于大約IOym和IOOym之間的寬度。應(yīng)該注意，這些實(shí)施例也可以考慮凹口 24和34的其他尺寸，并且可以在不過(guò)多地進(jìn)行試驗(yàn)的情況下確定所應(yīng)用的理想尺寸。該實(shí)施例中的襯底10是有機(jī)襯底，包括味之素薄膜(ABF)，層12是厚度在大約10 μ m和大約20 μ m之間的阻焊膜(solder resist)、聚酰亞胺和/或光刻膠。可以通過(guò)適當(dāng)?shù)募夹g(shù)形成襯底10，通過(guò)涂布來(lái)形成層12并且使用光刻進(jìn)行圖案化來(lái)形成開口 14。也可以將其他材料用于層12，諸如，陶瓷、塑料、有機(jī)材料等或其組合。在該實(shí)施例中，開口 14具有以下尺寸，諸如，與層12的厚度相應(yīng)的處于大約10 μ m和20 μ m之間的深度，然而也可以使用其他深度，并且在所描繪的截面圖中的寬度處于大約ΙΟμπι至20μπι之間。應(yīng)該注意，這些實(shí)施例也可以考慮開口 14的其他尺寸，并且可以在不過(guò)多地進(jìn)行試驗(yàn)的情況下確定所應(yīng)用的理想尺寸?？梢愿鶕?jù)適當(dāng)?shù)募夹g(shù)形成芯片20，并且實(shí)施例可以考慮帶有任意功能的芯片。該實(shí)施例中的電連接件18是帶有形成在其上的無(wú)鉛焊料(諸如，共熔材料，諸如，SnAgCu( “SAC”))的金屬柱(諸如，銅柱)。金屬連接件18也可以是由適當(dāng)?shù)姆椒ㄐ纬傻那驏抨嚵?BGA)球或類似的。使用，例如，拾取放置工具(pick-and-place)將芯片20與襯底10相接合并且將電連接件18進(jìn)行回流。在將芯片20從晶圓中分離出來(lái)之前，例如，通過(guò)將熱界面材料22涂布在包括了芯片20的晶圓上來(lái)將熱界面材料22形成在芯片20的頂面上。然后，使用拾取放置工具將芯片20放置在襯底10上，其中，熱界面材料22位于芯片20的頂面上。熱界面材料22可以是導(dǎo)熱并且電絕緣的材料，諸如，環(huán)氧樹脂(例如，混有金屬(例如，銀或金)的環(huán)氧樹脂)、“熱脂”、“白潤(rùn)滑脂”等或其組合。在回流電連接件18之后，使用適當(dāng)?shù)姆植脊ぞ叻植嫉撞刻畛洳牧?8。然后將底部填充材料28固化。底部填充材料28可以是液體環(huán)氧樹脂、可變形的膠、硅膠等或其組合。使用,例如,適當(dāng)?shù)姆植荚O(shè)備將粘合劑32應(yīng)用于襯底10的邊緣。然后,例如,使用拾取放置工具將蓋狀物26放置在芯片20和襯底10上方，并且將粘合劑32固化。該粘合劑可以是膠、聚合物、環(huán)氧 樹脂、膜等或其組合。圖2A和圖2B是層12和開口 14的示例性圖案。應(yīng)該注意，可以為蓋狀物26中的凹口 24和34形成的相同的或類似的圖案。在圖2A中，第一層12’中的第一開口 14’在與襯底10的頂面平行的平面中具有圓形截面。在圖2B中，第二層12”的第二開口 14”在與襯底10的頂面平行的平面中具有溝槽截面(trench cross section)。雖然存在兩個(gè)圖案實(shí)例，但其他實(shí)施例也可以考慮其他截面圖案，諸如，矩形、六邊形、八邊形、橢圓形等或其組合。圖3是根據(jù)實(shí)施例的另一個(gè)CSP襯底40的一部分。襯底40包括多個(gè)與圖1所示的結(jié)構(gòu)8的部件相同的部件，以相同的參考標(biāo)號(hào)代表這些部件。因此，為了簡(jiǎn)潔而省略了這些部件的具體描述。結(jié)構(gòu)40不包括圖1中的蓋狀物26，而包括沿著襯底10的邊緣圍繞著芯片20但并不位于芯片20的頂面上方的環(huán)42。環(huán)42具有位于底部中的凹口。粘合劑46位于襯底10的頂面和環(huán)42的底部之間，并且粘合劑46設(shè)置在環(huán)42的凹口 44和層12的開口 14中，該凹口和開口都不位于芯片20之下的區(qū)域中。通過(guò)金屬壓鑄，利用具有與凹口 44相應(yīng)的圖案的模具在環(huán)42中形成凹口 44?？梢岳门c，例如，圖1的蓋狀物26中的凹口 34相同或類似的圖案和尺寸在環(huán)42中形成凹口 44。環(huán)42可以是鋼、不銹鋼、銅等或其組合。與圖1的粘合劑32類似，可以將粘合劑46應(yīng)用到襯底10的頂面上。可以使用拾取放置工具將環(huán)42放置在粘合劑46上方，并且可以將粘合劑46固化。圖4是根據(jù)實(shí)施例的又一個(gè)CSP結(jié)構(gòu)50的一部分。結(jié)構(gòu)50襯底包括多個(gè)與圖1所示的結(jié)構(gòu)8的部件相同的部件，以相同的參考標(biāo)號(hào)代表這些部件。因此，為了簡(jiǎn)潔而省略了這些部件的具體描述。結(jié)構(gòu)50不包括圖1中的蓋狀物26，而包括封裝了芯片20以及襯底10的頂面的模塑料52。模塑料52位于層12的一些開口 14中，這些開口不位于芯片20下方的區(qū)域中。使用例如壓縮模塑法應(yīng)用模塑料52。圖5是根據(jù)實(shí)施例的另外一個(gè)CSP結(jié)構(gòu)60的一部分。結(jié)構(gòu)60襯底包括多個(gè)與圖5所示的結(jié)構(gòu)50的部件相同的部件，以相同的參考標(biāo)號(hào)代表這些部件。因此，為了簡(jiǎn)潔而省略了這些部件的具體描述。圖5中的襯底10和層12被替換成襯底62，并且襯底62使用了跡線上凸塊(BOT)技術(shù)。襯底62包括導(dǎo)電跡線64，在該導(dǎo)電跡線上接合了電連接件18并且將該電連接件回流。襯底62具有形成在襯底62的頂面中的凹口 66。模塑料52位于不處在芯片20下方區(qū)域中的凹口 66中，而底部填充材料28位于芯片20下方區(qū)域中的凹口66中。

可以相同或類似的尺寸將凹口 66形成為與圖5中的開口 14相同或類似的圖案。例如，使用適當(dāng)?shù)墓饪毯?或蝕刻工藝(諸如，干式蝕刻或濕式蝕刻)或通過(guò)激光微調(diào)來(lái)形成凹口 66。蝕刻工藝的實(shí)例是使用了磷酸(H3PO4)的濕式蝕刻。應(yīng)該注意，與襯底62相類似的襯底通常包括多個(gè)層，并且凹口 66可以延伸到襯底62的一個(gè)或多個(gè)層中。另外，襯底62的這些部件可以被應(yīng)用于之前所述的實(shí)施例。在實(shí)施例中，CSP結(jié)構(gòu)中的各個(gè)部件可以更緊密地粘合在一起，從而可以減小該結(jié)構(gòu)內(nèi)的區(qū)域中的應(yīng)力。在公開的實(shí)施例中，通過(guò)在襯底的開口和/或凹口中設(shè)置底部填充材料，使底部填充材料具有更大的接觸區(qū)域，從而能夠與襯底更大范圍地粘合。類似地，各個(gè)實(shí)施例中的模塑料或粘合劑也可以通過(guò)位于襯底的開口和/或凹口中來(lái)與襯底進(jìn)行更大范圍的粘合。蓋狀物或環(huán)中的凹口也能夠?yàn)檎澈蟿?shí)現(xiàn)更大范圍的粘合。與蓋狀物、環(huán)和/或模塑料的更大范圍的粘合可以使得這些部件吸收襯底開始翹曲時(shí)(諸如，在包括了加熱的步驟中)所產(chǎn)生的大量應(yīng)力。由此，被吸收的應(yīng)力可以從電連接件、底部填充等中傳遞出來(lái)，從而盡可能地防止可能另外產(chǎn)生應(yīng)力的故障。一個(gè)實(shí)施例涉及的是一種結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)包括襯底、芯片以及強(qiáng)化部件。襯底具有第一面，而該第一面包括凹陷部。芯片位于襯底的第一面上方并且與其相接合。強(qiáng)化部件位于襯底的第一面的第一區(qū)域上方。該第一區(qū)域不位于芯片下方。強(qiáng)化部件具有設(shè)置在第一區(qū)域中的至少一些凹陷部中的部分。另一個(gè)實(shí)施例涉及的是一種結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)包括襯底、芯片、底部填充材料以及部件。該襯底具有位于頂面中的凹陷。該芯片與頂面相接合。底部填充材料位于襯底的頂面和芯片之間。該底部填充材料位于襯底頂面的第一區(qū)域中的至少一些凹陷部中，并且該第一區(qū)域位于芯片下方。部件選自于基本上由(I)蓋狀物和第一粘合劑，(2)環(huán)和第二粘合齊U，以及(3)模塑料所構(gòu)成組。該部件位于襯底的頂面上并且該部件的一部分設(shè)置在襯底頂面的第二區(qū)域中的至少一些凹陷部中。該第二區(qū)域不位于芯片下方。又一個(gè)實(shí)施例是一種方法。該方法包括提供在頂面中具有凹陷部的襯底，將芯片與襯底的頂面相接合，以及在襯底的頂面上提供強(qiáng)化部件。強(qiáng)化部件的一部分位于至少一些凹陷中。盡管已經(jīng)詳細(xì)地描述了本發(fā)明及其優(yōu)勢(shì)，但應(yīng)該理解，可以在不背離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明主旨和范圍的情況下，做各種不同的改變，替換和更改。而且，本申請(qǐng)的范圍并不僅限于本說(shuō)明 書中描述的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法和步驟的特定實(shí)施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解，通過(guò)本發(fā)明，現(xiàn)有的或今后開發(fā)的用于執(zhí)行與根據(jù)本發(fā)明所采用的所述相應(yīng)實(shí)施例基本相同的功能或獲得基本相同結(jié)果的工藝、機(jī)器、制造，材料組分、裝置、方法或步驟根據(jù)本發(fā)明可以被使用。因此，所附權(quán)利要求應(yīng)該包括在這樣的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種結(jié)構(gòu)，包括 襯底，具有第一面，所述第一面包括凹陷部； 芯片，位于所述襯底的所述第一面上方，并且與所述第一面相接合；以及 強(qiáng)化部件，位于所述襯底的所述第一面的第一區(qū)域上方，所述第一區(qū)域不位于所述芯片下方，所述強(qiáng)化部件的一部分設(shè)置在所述第一區(qū)域中的至少一些所述凹陷部中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述襯底包括層和下部襯底，所述層位于所述下部襯底上方，所述凹陷部是穿過(guò)所述層的開口。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述凹陷部是所述襯底的所述第一面中的凹口。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu),還包括底部填充材料,位于所述芯片和所述襯底之間，所述底部填充材料設(shè)置在所述襯底的所述第一面的第二區(qū)域中的至少一些凹陷部中，所述第二區(qū)域位于所述芯片下方。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述強(qiáng)化部件包括蓋狀物和粘合劑，所述蓋狀物具有位于所述芯片上方的第一部分以及位于所述襯底的所述第一面的所述第一區(qū)域上方的第二部分，所述粘合劑位于所述蓋狀物的所述第二部分和所述襯底的所述第一面之間，所述粘合劑設(shè)置在所述第一區(qū)域中的至少一些所述凹陷部中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述蓋狀物的所述第二部分包括蓋狀物凹陷部，所述粘合劑設(shè)置在至少一些所述蓋狀物凹陷部中。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的結(jié)構(gòu)，還包括位于所述芯片的面和所述蓋狀物的所述第一部分之間的熱界面材料，所述蓋狀物的所述第一部分包括蓋狀物凹陷部，所述熱界面材料設(shè)置在至少一些所述蓋狀物凹陷部中。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述強(qiáng)化部件包括環(huán)和粘合劑，所述環(huán)圍繞著所述芯片并且位于所述第一區(qū)域上方，所述粘合劑位于所述環(huán)和所述襯底的所述第一面之間，所述粘合劑設(shè)置在所述第一區(qū)域的至少一些所述凹陷部中。
9.一種結(jié)構(gòu),包括 襯底，在頂面中具有凹陷部； 芯片，與所述頂面相接合； 底部填充材料，位于所述襯底的所述頂面和所述芯片之間，所述底部填充材料位于所述襯底的所述頂面的第一區(qū)域中的至少一些凹陷部中，所述第一區(qū)域位于所述芯片下方；以及 部件，選自于基本上由蓋狀物和第一粘合劑、環(huán)和第二粘合劑、以及模塑料所構(gòu)成的組，所述部件位于所述襯底的所述頂面上，并且所述部件的一部分設(shè)置在所述襯底的所述頂面的第二區(qū)域中的至少一些所述凹陷部中，所述第二區(qū)域不位于所述芯片下方。
10.一種方法，包括 提供襯底，所述襯底在頂面中具有凹陷部； 將所述芯片與所述襯底的所述頂面相接合；以及 在所述襯底的所述頂面上提供強(qiáng)化部件，所述強(qiáng)化部件的一部分設(shè)置在至少一些所述凹陷部中。
全文摘要
本發(fā)明涉及的是一種結(jié)構(gòu)的實(shí)施例。該結(jié)構(gòu)包括襯底、芯片、以及強(qiáng)化部件。該襯底具有第一面，并且該第一面包括凹陷部。該芯片位于襯底的第一面上方并且與該第一面相接合。強(qiáng)化部件位于襯底的第一面的第一區(qū)域上方。該第一區(qū)域不位于芯片下方。強(qiáng)化部件的一部分設(shè)置在第一區(qū)域中的至少一些凹陷部中。本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體器件封裝件及方法。
文檔編號(hào)H01L21/60GK103050462SQ201210203260
公開日2013年4月17日 申請(qǐng)日期2012年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月12日
發(fā)明者劉浩君, 莊其達(dá), 郭正錚, 陳承先 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司