專利名稱：一種大功率低互調(diào)3dB衰減單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通信用低互調(diào)負(fù)載和低互調(diào)衰減器領(lǐng)域，具體是一種用于制作低互調(diào)負(fù)載或低互調(diào)衰減器的大功率低互調(diào)3dB衰減單元。
背景技術(shù)：
隨著微波通訊技術(shù)的發(fā)展，人們對寬頻帶，低互調(diào)的無源器件需求日增，其中低互調(diào)負(fù)載和低互調(diào)衰減器由于其適用范圍廣，需求更為迫切。負(fù)載和衰減器都是用來功率衰減。其中衰減器用于微波系統(tǒng)中，是一個(gè)二端口有耗微波網(wǎng)絡(luò)，其作用是將一路微波功率按一定比例衰減后輸出?，F(xiàn)有的構(gòu)成射頻微波功率衰減器的基本材料是電阻型材料。通常的、電阻是衰減器的一種基本形式，由此形成的電阻衰減器網(wǎng)絡(luò)就是集總參數(shù)衰減器。通過一定的工藝把電阻材料放置到不同波段的射頻電路結(jié)構(gòu)中就形成了相應(yīng)頻率的衰減器。由于衰減器中的電阻是一些金屬氧化物合成，內(nèi)部含有雜質(zhì)，當(dāng)微波從衰減器的一端輸入，另外一端輸出會產(chǎn)生互調(diào)失真，互調(diào)失真是由雜散信號組成，正式由于衰減器中電阻的非線性因素而產(chǎn)生的。目前此種衰減器的三階互調(diào)最小值在_120dBC。而且互調(diào)性能很不穩(wěn)定。目前為了實(shí)現(xiàn)低互調(diào)的功率，通常通過低互調(diào)線通過繞線方式來解決，但是在大功率應(yīng)用情況下，需要的低互調(diào)線大約要幾十米甚至幾百米，低互調(diào)線的成本較高，從而導(dǎo)致這樣生產(chǎn)出來的產(chǎn)品的成本會很高。另外由于低互調(diào)線的承載功率一定，所以低互調(diào)衰減器的功率容量都很有限。
背景技術(shù)：
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種大功率低互調(diào)3dB衰減單元，其結(jié)構(gòu)簡單，且保證了衰減后的低互調(diào)指標(biāo)要求。本發(fā)明的技術(shù)方案為
一種大功率低互調(diào)3dB衰減單元,包括電橋和兩個(gè)大功率電阻,一個(gè)大功率電阻連接于電橋腔體上的一輸入端上，另一個(gè)大功率電阻連接于電橋腔體上的一輸出端上。所述的兩個(gè)大功率電阻內(nèi)置于電橋腔體內(nèi)，電橋腔體外且未設(shè)置有大功率電阻的一輸入端和未設(shè)置有大功率電阻的一輸出端上均連接有射頻連接器。所述的電橋腔體上的兩輸入端和兩輸出端上均連接有射頻連接器，所述的兩個(gè)大功率電阻選用大功率電阻器，所述的大功率電阻器設(shè)置于電源腔體外且分別通過射頻連接器與電橋腔體上的一輸入端和電橋腔體上的一輸出端連接。所述的電橋選用腔體電橋或微帶電橋。所述的電橋腔體內(nèi)包括有兩個(gè)導(dǎo)帶，且兩個(gè)導(dǎo)帶的兩端均分別連接電橋腔體上的輸入端和輸出端；所述的兩個(gè)大功率電阻分別連接于同一導(dǎo)帶的兩端，或分別連接于兩個(gè)導(dǎo)帶的其中一端頭上。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)
本發(fā)明采用了四端口電橋的結(jié)構(gòu)，在電橋內(nèi)部連接大功率電阻，用大功率電阻來分擔(dān)功率，并通過矢網(wǎng)分析儀對電橋進(jìn)行調(diào)試使低互調(diào)衰減單元輸出端與輸入端形成3dB的耦合度和插損，當(dāng)兩個(gè)大功率電阻接在同一導(dǎo)帶上時(shí)，輸入端和輸出端在同一導(dǎo)帶上，此時(shí)形3dB的插損，當(dāng)大功率電阻不在同一導(dǎo)帶上時(shí)，此時(shí)輸入端和輸出端也不在同一導(dǎo)帶，兩者形成3dB耦合度，保證衰減后的輸出功率為輸入功率的一半。根據(jù)能量守恒定律，輸入端的功率等于輸出端的功率和替代另一輸出端的電阻承擔(dān)功率之和，電阻承擔(dān)的功率轉(zhuǎn)換成熱能散發(fā)。本發(fā)明的衰減功率較大，而且成本較低，替代低互調(diào)繞線的方式有效的減少了生產(chǎn)低互調(diào)負(fù)載或者低互調(diào)衰減器的生產(chǎn)成本。


圖I是本發(fā)明實(shí)施例I的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本發(fā)明實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本發(fā)明實(shí)施例3的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本發(fā)明實(shí)施例4的結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是本發(fā)明實(shí)施例5的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例I
以同邊進(jìn)同邊出電橋?yàn)槔?，見圖1，一種大功率低互調(diào)3dB衰減單元，包括電橋和兩個(gè)設(shè)置于電橋腔體I內(nèi)的大功率電阻31、32 ;電橋腔體I上設(shè)置有同側(cè)的兩輸入端和同側(cè)的兩輸出端，電橋腔體內(nèi)包括兩個(gè)不在同一平面上的導(dǎo)帶21、22，導(dǎo)帶21和導(dǎo)帶22的一端分別通過兩個(gè)大功率電阻31、32與電橋腔體I上的一輸入端、一輸出端連接，導(dǎo)帶21未連接有大功率電阻31的一端與電橋腔體I另一輸出端上的射頻連接器41連接，導(dǎo)帶22未連接有大功率電阻32的一端與電橋腔體I另一輸入端上的射頻連接器42連接。由圖1，大功率低互調(diào)衰減單元的輸入端和輸出端不在同一導(dǎo)帶上，其通過調(diào)試可以形成3dB的耦合度。實(shí)施例2
以同邊進(jìn)同邊出電橋?yàn)槔?，見圖2，一種大功率低互調(diào)3dB衰減單元，包括電橋和兩個(gè)設(shè)置于電橋腔體I內(nèi)的大功率電阻31、32 ;電橋腔體I上設(shè)置有同側(cè)的兩輸入端和同側(cè)的兩輸出端，電橋腔體內(nèi)包括兩個(gè)不在同一平面上的導(dǎo)帶21、22，導(dǎo)帶21的兩端分別通過兩個(gè)大功率電阻31、32與電橋腔體I上的一輸入端、一輸出端連接，導(dǎo)帶22的兩端分別與電橋腔體I另一輸入端上的射頻連接器41和另一輸出端上的射頻連接器42連接。由圖2，大功率低互調(diào)衰減單元的輸入端和輸出端在同一導(dǎo)帶上，兩者通過調(diào)試可以形成3dB的插損。實(shí)施例3
以非同邊進(jìn)同邊出電橋?yàn)槔?，見圖3，一種大功率低互調(diào)3dB衰減單元，包括電橋和兩個(gè)設(shè)置于電橋腔體I內(nèi)的大功率電阻31、32 ;電橋腔體I上設(shè)置有異側(cè)的兩輸入端和異側(cè)的兩輸出端，電橋腔體內(nèi)包括兩個(gè)在同一平面上的導(dǎo)帶21、22，導(dǎo)帶21的兩端分別通過兩個(gè)大功率電阻31、32與電橋腔體I上的一輸入端、一輸出端連接，導(dǎo)帶22的兩端分別與電橋腔體I另一輸入端上的射頻連接器41和另一輸出端上的射頻連接器42連接。由圖3，輸入端和輸出端在同一導(dǎo)帶上，兩者通過調(diào)試可以形成3dB的插損。實(shí)施例4
以非同邊進(jìn)同邊出電橋?yàn)槔?，見圖4，一種大功率低互調(diào)3dB衰減單元，包括電橋和兩個(gè)設(shè)置于電橋腔體I內(nèi)的大功率電阻31、32 ;電橋腔體I上設(shè)置有異側(cè)的兩輸入端和異側(cè)的兩輸出端，電橋腔體內(nèi)包括兩個(gè)在同一平面上的導(dǎo)帶21、22，導(dǎo)帶21和導(dǎo)帶22的一端分別通過兩個(gè)大功率電阻31、32與電橋腔體I上的一輸出端、一輸入端連接，導(dǎo)帶21未連接有大功率電阻31的一端與電橋腔體I另一輸入端上的射頻連接器41連接，導(dǎo)帶22未連接有大功率電阻32的一端與電橋腔體I另一輸出端上的射頻連接器42連接。由圖4，輸入端和輸出端不在同一導(dǎo)帶上，兩者通過調(diào)試可以形成3dB的耦合度。實(shí)施例5
以同邊進(jìn)同邊出電橋?yàn)槔?，見圖5，一種大功率低互調(diào)3dB衰減單元，包括電橋，兩個(gè)設(shè)置于電橋腔體內(nèi)且不在同一平面上的導(dǎo)帶21、22，四個(gè)設(shè)置于電橋腔體I外且分別與電橋腔體I上的兩輸入端和兩輸出端分別連接的射頻連接器41、42、43、44，兩個(gè)設(shè)置電橋腔體I外且分別通過射頻連接器41、43與電橋腔體上的一輸入端和一輸出端連接的大功率電阻器31、32 ;電橋腔體I上設(shè)置有同側(cè)的兩輸入端和同側(cè)的兩輸出端，導(dǎo)帶21、22的兩端均分別連接電橋腔體上的一輸入端和一輸出端上，且射頻連接器41、44連接于導(dǎo)帶21的兩端，射頻連接器42、43連接于導(dǎo)帶22的兩端。由圖5，大功率低互調(diào)衰減單元的輸入端和輸出端不在同一導(dǎo)帶上，其通過調(diào)試可以形成3dB的耦合度。權(quán)利要求
1.一種大功率低互調(diào)3dB衰減單元，其特征在于包括電橋和兩個(gè)大功率電阻，一個(gè)大功率電阻連接于電橋腔體的一輸入端上，另一個(gè)大功率電阻連接于電橋腔體的一輸出端上。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種大功率低互調(diào)3dB衰減單元，其特征在于所述的兩個(gè)大功率電阻內(nèi)置于電橋腔體內(nèi)，電橋腔體外且未設(shè)置有大功率電阻的一輸入端和未設(shè)置有大功率電阻的一輸出端上均連接有射頻連接器。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種大功率低互調(diào)3dB衰減單元，其特征在于所述的電橋腔體上的兩輸入端和兩輸出端上均連接有射頻連接器，所述的兩個(gè)大功率電阻選用大功率電阻器，所述的大功率電阻器設(shè)置于電源腔體外且分別通過射頻連接器與電橋腔體上的一輸入端和電橋腔體上的一輸出端連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種大功率低互調(diào)3dB衰減單元，其特征在于所述的電橋選用腔體電橋或微帶電橋。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種大功率低互調(diào)3dB衰減單元，其特征在于所述的電橋腔體內(nèi)包括有兩個(gè)導(dǎo)帶，且兩個(gè)導(dǎo)帶的兩端均分別連接電橋腔體上的輸入端和輸出端；所述的兩個(gè)大功率電阻分別連接于同一導(dǎo)帶的兩端，或分別連接于兩個(gè)導(dǎo)帶的其中一端頭上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種大功率低互調(diào)3dB衰減單元，包括電橋和兩個(gè)大功率電阻，一個(gè)大功率電阻連接于電橋腔體的一輸入端上，另一個(gè)大功率電阻連接于電橋腔體的一輸出端上。本發(fā)明由于衰減功率較大，而且成本較低，替代低互調(diào)繞線的方式減小功率的方法，有效的減少了生產(chǎn)低互調(diào)負(fù)載的生產(chǎn)成本，同時(shí)保證了器件的低互調(diào)指標(biāo)性能。
文檔編號H01P1/22GK102694224SQ20121020295
公開日2012年9月26日 申請日期2012年6月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月19日
發(fā)明者唐偉 申請人:合肥威科電子技術(shù)有限公司