專利名稱：Ic封裝件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本專利申請(qǐng)一般地涉及集成電路(IC)封裝技術(shù)，并且特別地但不作為限制，涉及用于圖案化IC封裝引線框架的系統(tǒng)和方法。
背景技術(shù)：
IC封裝是IC器件制造中所涉及的最后階段之一。在IC封裝期間，一個(gè)或多個(gè)IC 芯片被安裝在封裝基板上，與電接觸點(diǎn)相連接，并且接著用包括電絕緣體的封裝材料涂覆， 該電絕緣體例如是環(huán)氧樹脂或硅模制混合物。得到的IC封裝件可接著被安裝到印刷電路板(PCB)上和/或連接到其它電子組件。時(shí)常地，無引線的IC封裝件可包括電接觸點(diǎn)而非外部引線，其中電接觸點(diǎn)在頂部上被封裝材料所覆蓋并且在IC封裝件的底部上被暴露，因此電接觸點(diǎn)可以被連接到位于 IC封裝件之下的電子組件。時(shí)常地，使用金屬引線框架形成部分IC封裝件可以比使用層壓板或條帶材料更有成本效率，因?yàn)槔?，可使用更有成本效率的材料，例如銅、鎳或其它金屬或合金，并且使用這樣的材料可允許采用更有成本效率的制造過程，例如沖壓或蝕刻，而非多步驟層壓過程。在過去，無引線IC封裝件已經(jīng)受限制，因?yàn)榭杀焕脕碓贗C芯片的I/O端口來回傳遞電信號(hào)的端子的最大數(shù)量被限制為可位于管芯連接墊(Die-Attach Pad, DAP)的周邊周圍的端子數(shù)量。已進(jìn)行了增加可用于與IC芯片的I/O端口電連接的端子數(shù)量的嘗試，包括減少端子之間的距離以便在DAP的周邊周圍安裝更多的端子，以及增加布置在DAP的周邊周圍的端子行的數(shù)量。然而，增加端子行的數(shù)量要求減少IC芯片的尺寸或增加IC封裝件的尺寸。此外，端子之間能被減小的距離量被限制為在PCB上的連接點(diǎn)之間的最小距離， 其是相對(duì)大的。

發(fā)明內(nèi)容
考慮本申請(qǐng)公開的各種實(shí)施例。本發(fā)明的以上概要不意在表示本發(fā)明的每個(gè)實(shí)施例或每個(gè)方面。


當(dāng)結(jié)合附圖一起理解時(shí)，可通過參照隨后的詳細(xì)說明書得到本發(fā)明的各種實(shí)施例的更全面的理解，其中
圖1說明了用于IC封裝件制造過程中的引線框架帶的實(shí)施例； 圖2A-E說明了在制造過程的各階段的無引線IC封裝件的實(shí)施例的多個(gè)方面；圖3A-B是金屬引線框架的實(shí)施例的兩個(gè)視圖，金屬引線框架具有形成在其頂部表面上的多個(gè)金屬跡線；
圖4A-B是引線框架的實(shí)施例的兩個(gè)頂視圖，引線框架具有在其外圍周圍的兩行接合區(qū)域；
圖5說明了在制造過程的各階段的圖4A的引線框架的實(shí)施例的細(xì)節(jié)A和B ； 圖6A和6B說明了在兩個(gè)制造過程的各階段的IC封裝件的實(shí)施例的各方面的側(cè)視圖； 圖7A-B說明了在用于圖案化接觸墊的制造過程的各階段的IC封裝件的實(shí)施例的各方面的側(cè)視圖8A-B說明了在用于圖案化接觸墊的制造過程的各階段的IC封裝件的實(shí)施例的各方面的側(cè)視圖9是用于制造IC封裝件的過程的實(shí)施例的流程圖；以及圖10是用于制造IC封裝件的過程的各種實(shí)施例流程圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參照附圖更全面地描述本發(fā)明的各種實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以體現(xiàn)在許多不同形式，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為限定于在此闡述的實(shí)施例；而是，提供實(shí)施例使得本公開將詳盡和完整，并會(huì)將本發(fā)明的范圍全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。現(xiàn)在參照?qǐng)D1，示出了例如可用于IC封裝件制造過程的類型的金屬帶100。金屬帶100包括置于其上的多個(gè)器件區(qū)域101。在一些實(shí)施例中，金屬帶100可以是銅或其它金屬或合金，并且可具有5mil、大于5mil或小于5mil的厚度。在各種實(shí)施例中，器件區(qū)域 101可在尺寸上變化，并且在金屬帶100上的器件區(qū)域101的數(shù)量也可以變化。例如，在一些實(shí)施例中，在金屬帶100上的器件區(qū)域101的數(shù)量可以是從小于100到大于1000的任何數(shù)量。在IC制造過程期間，一個(gè)或多個(gè)IC芯片可被附著到每個(gè)器件區(qū)域101并且被封裝在封裝混合物之內(nèi)。在各種實(shí)施例中，IC芯片可通過線焊被電耦合到器件區(qū)域101或以倒裝芯片結(jié)構(gòu)直接耦合到那里。IC制造過程也可包括使器件區(qū)域101彼此之間單個(gè)化 (singulating)以形成多個(gè)IC封裝件，該多個(gè)IC封裝件可被配置為安裝到外部器件，例如 PCB。當(dāng)IC封裝件安裝到PCB上時(shí)，IC芯片可通過置于IC封裝件底部表面上的接觸區(qū)域被電耦合到PCB?，F(xiàn)在參照?qǐng)D2A-2E，示出了在制造過程的各階段的IC封裝件的實(shí)施例的多個(gè)方面。出于描述目的，相對(duì)于單個(gè)IC封裝件來描述制造過程，但在各種實(shí)施例中，制造過程的步驟可被應(yīng)用到引線框架帶的多個(gè)器件區(qū)域的一些或全部，例如圖1中示出的金屬帶100。 現(xiàn)在參照?qǐng)D2A，過程開始于未蝕刻的引線框架200，例如金屬帶的器件區(qū)域。在圖2B中，引線框架200已經(jīng)被部分地蝕刻以形成在其頂部表面限定了金屬跡線222的凹進(jìn)處226。在示出的實(shí)施例中，金屬鍍覆已經(jīng)被添加到置于金屬跡線222頂部表面上的接合區(qū)域218。接合區(qū)域218的金屬鍍覆可通過將可接合的或可焊接的材料施加到金屬跡線222來形成，該材料可例如是電鍍金屬或包層金屬，例如銀(Ag)、金(Au)、錫(Sn)、銅(Cu)或其它可接合材料。在一些實(shí)施例中，金屬跡線222的底部表面的部分可用可焊接材料來涂覆，例如金屬鍍覆。如在以下將更詳細(xì)描述的，在本實(shí)施例中已經(jīng)電鍍了將稍后成為接觸墊206的底部表面的區(qū)域。在圖2C中，IC芯片204已經(jīng)使用例如環(huán)氧樹脂的粘合材料被固定到引線框架200的頂部表面，例如通過線焊214電耦合到接合區(qū)域218，并且已經(jīng)施加封裝混合物208 (示為陰影區(qū)域)來封裝IC芯片204和線焊214。此外，封裝混合物208還已經(jīng)被填充到凹進(jìn)處226中，包括置于IC芯片204下面的凹進(jìn)處226。在圖2D中，引線框架200的底部表面已經(jīng)被蝕刻掉。在示出的實(shí)施例中，引線框架200已經(jīng)跨過其整個(gè)底部表面而被蝕刻以移除其部分200a。在各種實(shí)施例中，整個(gè)底部表面的子集可被蝕刻掉。如在作為對(duì)比圖2C的圖2D中可見的，引線框架的厚度已經(jīng)被減小。如將在以下更詳細(xì)描述的，跨過從其整個(gè)底部表面而減小引線框架200的厚度，如果有的話，在稍后的部分蝕刻或圖案化蝕刻期間將需要蝕刻掉更少的材料，這可以減少底切，由此改善了電連接性，并在一些實(shí)施例中，可允許形成更薄的接觸墊。例如，在一些實(shí)施例中， 引線框架200可具有大約^iil的厚度，并且厚度可以被減小大約Imil或更多?，F(xiàn)在參照?qǐng)D2E，引線框架200的底部表面已經(jīng)被部分蝕刻以在其中形成圖案。在各種實(shí)施例中，置于引線框架200的底部表面上的接觸墊206可以用金屬鍍覆電鍍。在各種實(shí)施例中，底部表面的蝕刻可包括與形成在引線框架200的頂部表面中的凹進(jìn)處2 相對(duì)應(yīng)的引線框架200的蝕刻部分226a，以在那些區(qū)域處完全蝕刻穿過引線框架200，并且在一些位置處，暴露封裝混合物208的底部表面。在各種實(shí)施例中，除了在凹進(jìn)處226以下的金屬跡線222之間的引線框架200的部分226a的區(qū)域之外，該蝕刻可包括移除一些金屬跡線222的區(qū)域22加。在一些實(shí)施例中，保護(hù)涂層2 可被添加到金屬跡線222的底部表面的一部分?，F(xiàn)在參照?qǐng)D3A，示出了在引線框架300上安裝IC芯片之前的引線框架300的頂視圖。在示出的實(shí)施例中，引線框架300具有蝕刻到其頂部表面中的多個(gè)凹進(jìn)處326(示為非陰影部分)，其中凹進(jìn)處3 在引線框架300的頂部表面上形成多個(gè)金屬跡線322 (示為陰影部分)。金屬跡線322可被形成具有任何尺寸的任何寬度，例如，在一些實(shí)施例中，金屬跡線322的寬度可以是大約1. 5mil，并且它們可以互相間隔開大約％iil。盡管示出的實(shí)施例具有特定圖案，但任何數(shù)量的圖案可以被蝕刻到引線框架300中。用于線焊到IC芯片的接合區(qū)域318可包括在引線框架300外圍周圍的金屬跡線322的部分并且可包括在其上的金屬鍍覆(未示出)。出于描述的目的，置于引線框架300的底部表面上用于將IC芯片電耦合到PCB上對(duì)應(yīng)的接觸點(diǎn)的接觸墊306的位置，已經(jīng)被示為置于金屬跡線322的與接合區(qū)域 318的相對(duì)端的非陰影正方形。凹進(jìn)處3 之間的引線框架300的一些非蝕刻部分可被用于對(duì)安裝在其上的IC芯片提供支撐，和/或提供電子路徑以在引線框架300的頂部表面上的接合區(qū)域318和引線框架300的底部表面上的接觸墊306之間路由信號(hào)。雖然示出的所有接觸墊306相對(duì)于接合區(qū)域318被內(nèi)部布置，但接觸墊306的一些或全部可直接置于接合區(qū)域318之下，或可從接合區(qū)域318向外朝著引線框架300的外圍來布置。圖:3B是來自圖3A的細(xì)節(jié)A的引線框架300的部分的放大橫截面的側(cè)視圖。從這個(gè)視圖，可看見被形成到引線框架300的頂部表面中的凹進(jìn)處326，以及被置于其之間的金屬跡線322和接合區(qū)域318。雖然示出的凹進(jìn)處3 具有特定深度和寬度，但在各種實(shí)施例中，凹進(jìn)處3 可以取決于設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)而具有任何深度和任何寬度。在各種實(shí)施例中，當(dāng)通過在引線框架300的頂部表面中部分地蝕刻圖案來形成接合區(qū)域318和金屬跡線322時(shí)，可能在移除了金屬跡線322的側(cè)面的部分32 的地方發(fā)生底切，由此使在上表面之下的金屬跡線322的部分比上表面要窄。
現(xiàn)在參照?qǐng)D4A，示出了具有蝕刻到引線框架的頂部表面中的圖案的引線框架400 的實(shí)施例的頂視圖。出于描述目的，示出了安裝在其上的IC芯片404的輪廓。在該實(shí)施例中，已經(jīng)通過蝕刻掉引線框架400的頂部表面的部分來形成凹進(jìn)處426，以限定接合區(qū)域 416和418以及金屬跡線422。在示出的實(shí)施例中，管芯連接區(qū)域(DA區(qū)域)是在IC芯片 404將被安裝的區(qū)域下面的引線框架的部分，并且可包括管芯連接墊和金屬跡線422的部分兩者。仍參照?qǐng)D4A，出于描述目的，在蝕刻步驟期間可被置于引線框架400的底部表面上的接觸區(qū)域的區(qū)域輪廓被示為具有虛線的圓。如可見的，引線框架400的頂部表面已經(jīng)被部分地蝕刻使得兩行接合區(qū)域416和418已經(jīng)被形成。在示出的實(shí)施例中，接合區(qū)域418 內(nèi)行的尺寸和形狀與接合區(qū)域416外行的尺寸和形狀不同。在示出的實(shí)施例中，沒有金屬跡線耦合到接合區(qū)域416的外行，因?yàn)槿缈梢姷模雍蠀^(qū)域416被直接置于接觸墊上。在這個(gè)方向上，接合區(qū)域416的中心線必須被間隔開與接觸墊的中心線之間的距離相同的距離。然而，在內(nèi)行中，接合區(qū)域418已經(jīng)被更靠近地間隔，因?yàn)橐恍┙佑|墊沒有被直接置于對(duì)應(yīng)的接合區(qū)域418下面。現(xiàn)在參照?qǐng)D4B，示出了圖4A的引線框架400的替代實(shí)施例。在這個(gè)實(shí)施例中，接合區(qū)域416的外行已經(jīng)形成為實(shí)質(zhì)上小于被示為直接置于其下面的接觸墊406?，F(xiàn)在參照?qǐng)D5，示出了在制造過程的各階段對(duì)應(yīng)于圖4A的細(xì)節(jié)A和細(xì)節(jié)B的橫截面?zhèn)纫晥D。在步驟s501，抗蝕刻材料被有選擇地施加到金屬引線框架500的頂部表面，并且凹進(jìn)處526已經(jīng)被部分地蝕刻到引線框架500的頂部表面中以在其中形成圖案。在一些實(shí)施例中，抗蝕刻涂層可被有選擇地施加到引線框架500的頂部和底部表面兩者，如相對(duì)于接合區(qū)域516所示的。在一些實(shí)施例中，抗蝕刻涂層可以是金屬鍍覆，或可在凹進(jìn)處526已經(jīng)被形成后施加金屬鍍覆。在步驟s503，引線框架500的頂部表面已經(jīng)用封裝混合物508 覆蓋。在各種實(shí)施例中，線焊(未示出)可以在施加封裝混合物508之前被接合到接合區(qū)域 516和518。在步驟s505，引線框架500的底部表面已經(jīng)被部分地蝕刻以移除其特定部分， 以限定在其中具有側(cè)壁506a的接觸墊506。如可見的，限定接觸區(qū)域506的蝕刻引線框架 500的底部表面導(dǎo)致了其側(cè)壁506a的部分被蝕刻掉或底切。仍參照?qǐng)D5，對(duì)應(yīng)細(xì)節(jié)A的側(cè)視圖示出了接觸墊506被直接置于接合區(qū)域516之下，兩者具有實(shí)質(zhì)上相同的直徑。時(shí)常地，PCB安裝的要求規(guī)定了接觸區(qū)域506的最小直徑以及它們必須被間隔開的距離(間距)。因此，將接觸區(qū)域506直接置于相應(yīng)的接合區(qū)域516 之下要求接合區(qū)域516滿足那些相同的PCB的限制。相反，對(duì)應(yīng)細(xì)節(jié)B的側(cè)視圖示出了被置于接合區(qū)域518a之下的兩個(gè)外部接觸墊506，而對(duì)應(yīng)于接合區(qū)域518b的接觸墊(未示出) 與其遠(yuǎn)距離地布置并通過金屬跡線522與其耦合。通過遠(yuǎn)距離地布置對(duì)應(yīng)于接合區(qū)域518b 的接觸墊，接合區(qū)域518a和518b可具有比細(xì)節(jié)A中所示的接合區(qū)域516更小的寬度并更靠近地間隔，而且仍滿足針對(duì)對(duì)應(yīng)的接觸墊506的PCB間隔要求。例如，在一些實(shí)施例中， 接合區(qū)域518a和51 可具有大約2. 5mil的寬度并可被間隔開大約％iil，而接觸墊506可具有大約6mil的直徑并被間隔開大約^iil或更多?，F(xiàn)在參照?qǐng)D6A和6B，示出了在兩個(gè)不同IC封裝件的制造過程的各階段的IC封裝件的側(cè)視圖?，F(xiàn)在參照?qǐng)D6A，在步驟s601，示出了引線框架600的側(cè)視圖，具有在其上限定了多個(gè)接合區(qū)域的在其頂部表面中的多個(gè)凹進(jìn)處，并具有對(duì)其添加的封裝層。在步驟s603，涂層660已經(jīng)被有選擇地施加到引線框架600的底部表面，涂層例如是金屬鍍覆、抗蝕刻涂層或其它材料。在步驟s605，引線框架600的底部表面已經(jīng)被部分地蝕刻以在其中形成凹進(jìn)處，與在其上不具有有選擇地涂層660的部分相對(duì)應(yīng)。在示出的實(shí)施例中，凹進(jìn)處限定了具有側(cè)壁606a的多個(gè)接觸墊，其中部分蝕刻引起在側(cè)壁606a中的蝕刻底切。在各種實(shí)施例中，引線框架600越厚，底切將越深地延伸到接觸墊的側(cè)壁606a中?，F(xiàn)在參照?qǐng)D6B，在步驟s601’，示出了引線框架600的側(cè)視圖，具有在其上限定了多個(gè)接合區(qū)域的在其頂部表面中的多個(gè)凹進(jìn)處，并具有對(duì)其添加的封裝層。在示出的實(shí)施例中，引線框架600的底部部分600a已經(jīng)被移除，由此將引線框架600的厚度從第一量減小到第二量。在各種實(shí)施例中，可通過機(jī)械或化學(xué)蝕刻或研磨過程來移除底部部分600a。 在步驟s603’，涂層660已經(jīng)被有選擇地施加到引線框架600的底部表面，涂層例如是金屬鍍覆、抗蝕刻涂層或其它材料。在步驟s605’，引線框架600的底部表面已經(jīng)被部分地蝕刻以移除沒有被選擇性涂層660所覆蓋的引線框架600的部分，由此在引線框架600中形成凹進(jìn)處。在示出的實(shí)施例中，凹進(jìn)處限定了具有側(cè)壁606a’的多個(gè)接觸墊，其中部分蝕刻引起在側(cè)壁606a’中的蝕刻底切。如可見的，由于從引線框架600的底部表面移除了該部分 600a，側(cè)壁606a’的底切量相對(duì)于圖6A中示出的底切已經(jīng)被減少。現(xiàn)在參照?qǐng)D7A，示出了在制造過程的各階段的金屬引線框架700的橫截面?zhèn)纫晥D。在步驟s703，金屬涂層760已經(jīng)被有選擇地施加到金屬引線框架700的底部表面。在步驟s705，金屬引線框架700的底部表面已經(jīng)被部分地蝕刻以限定接觸墊706，每個(gè)接觸墊 706具有在其的底部表面中形成的圖案。在示出的實(shí)施例中，每個(gè)接觸墊706具有在其中形成的凹痕763，凹痕763 —般是拋物線形狀的凹面?，F(xiàn)在參照?qǐng)D7B，更詳細(xì)地描述圖7A的接觸墊706之一。在步驟s707，示出了接觸區(qū)域706的透視圖和側(cè)視圖，具有與其相對(duì)布置的焊接劑(出于描述目的示為焊球)。在各種實(shí)施例中，可使用焊料絲網(wǎng)印刷方法、浸焊、焊膏、焊球或其它焊接精加工過程來施加焊接劑765。如可見的，在接觸墊706的底部表面中的凹痕763可適于為與焊接劑765接合而提供增加的表面面積。在各種實(shí)施例中，焊接劑765可以是焊球、焊絲、焊膏或其它附著材料。在步驟s709，焊接劑765已經(jīng)被接合到接觸墊706的凹痕763的表面。在一些實(shí)施例中，焊接劑765可在安裝到PCB之前或在安裝過程期間被施加到接觸墊706。現(xiàn)在參照?qǐng)D8A，示出了在制造過程的各階段的金屬引線框架800的橫截面?zhèn)纫晥D。在步驟s803，金屬涂層860已經(jīng)被有選擇地施加到金屬引線框架800的底部表面。在步驟s805，金屬引線框架800的底部表面已經(jīng)被有選擇地蝕刻以限定接觸墊806，每個(gè)接觸墊806具有在其的底部表面中形成的圖案。在示出的實(shí)施例中，每個(gè)接觸墊806具有在其中形成的多個(gè)凹痕863?，F(xiàn)在參照?qǐng)D8B，更詳細(xì)地描述圖8A的接觸墊806之一。在步驟s807，示出了接觸墊806的透視圖，具有與其相對(duì)布置的焊接劑865。如在此實(shí)施例中可見的，接觸墊806的底部包括圍繞凹坑形凹痕863a的環(huán)形通道凹痕86北。在步驟s809，焊接劑865已經(jīng)被熔化來與接觸墊806的凹痕863相符合。在各種實(shí)施例中，具有多個(gè)凹痕863在接觸墊806 和焊接劑865之間提供了增加的表面面積?，F(xiàn)在參照?qǐng)D9，示出了 IC封裝件制造過程900的實(shí)施例的流程圖。該過程在步驟 902以未蝕刻的引線框架開始，例如銅的金屬帶。在步驟904，引線框架在頂部表面上被部分地蝕刻以在其中創(chuàng)建在其上限定了金屬跡線的凹進(jìn)處。該部分蝕刻可由任何數(shù)量的蝕刻過程來執(zhí)行，例如，用諸如光可成像環(huán)氧樹脂的光可成像抗蝕刻劑的層來涂覆或?qū)訅阂€框架的頂部表面。例如，可將光阻材料旋轉(zhuǎn)涂覆到引線框架上，接著使用光工具將其曝光于紫外線，其中在顯影過程中接著移除曝光的部分?？刮g刻劑由此被圖案化以在引線框架的頂部表面上提供凹進(jìn)處。接著例如通過浸沒或加壓噴霧來蝕刻引線框架，以部分地圖案化金屬跡線。在一些實(shí)施例中，蝕刻可以是半蝕刻，使得在引線框架中形成的凹進(jìn)處延伸穿過引線框架一半。例如，在細(xì)il的引線框架中，半蝕刻將是anil蝕刻。在各種實(shí)施例中，引線框架可被蝕刻多于或少于穿過引線框架的一半。例如，在一些實(shí)施例中，部分蝕刻可以達(dá)到大約3mil+/-0. 5mil的深度。在蝕刻后，抗蝕刻劑可以被剝?nèi)?。在步驟906，部分蝕刻的引線框架可例如通過電鍍?cè)谄漤敳勘砻嫔系慕雍蠀^(qū)域而被有選擇地電鍍。接合區(qū)域的金屬鍍覆可通過施加可接合材料到金屬跡線來形成。在各種實(shí)施例中，表面粘著增強(qiáng)處理(“AE處理”)，例如用于增加粘著力的粗糙化和/或清潔表面， 可在金屬鍍覆之后。在步驟908，使用粘合材料來將IC芯片安裝到引線框架，粘合材料例如是環(huán)氧樹脂。在IC芯片被安裝到引線框架之后，IC芯片可例如通過線焊被電耦合到置于管芯連接區(qū)域外側(cè)的接合區(qū)域。在各種實(shí)施例中，可利用倒裝芯片結(jié)構(gòu)，并且可不要求線焊。此后，在步驟910，施加模制混合物來封裝IC芯片和線焊。在步驟912，蝕刻引線框架的底部表面。 在一些實(shí)施例中，在步驟912不進(jìn)行蝕刻。在一些實(shí)施例中，引線框架跨過其整個(gè)底部表面被蝕刻，由此減少引線框架的厚度。通過跨過其整個(gè)底部表面減少引線框架的厚度，在稍后的部分或圖案化蝕刻期間需要蝕刻掉較少的材料(如果有的話)，由此減少底切。在各種實(shí)施例中，在步驟912可僅例如以預(yù)定圖案反蝕刻子集，而非整個(gè)底部表面。在各種實(shí)施例中，過程900可在步驟912之后結(jié)束。在一些實(shí)施例中，過程900進(jìn)行到步驟914。在一些實(shí)施例中，在過程900進(jìn)行到步驟914之前，施加完整的金屬鍍覆到引線框架900的底部表面。在步驟914，有選擇地用材料來涂覆引線框架的底部表面。在一些實(shí)施例中，涂覆材料可以是印刷在引線框架底部表面上的焊接掩膜。在曝光和顯影焊接掩膜之后，過程900可結(jié)束。在一些實(shí)施例中，涂覆材料可以是施加到弓I線框架底部表面的抗蝕刻劑，例如藍(lán)墨水印刷，以轉(zhuǎn)移要用蝕刻劑來蝕刻的圖案的圖像，蝕刻劑例如是 ^α3。 在一些實(shí)施例中，涂覆材料為金屬鍍覆，例如，NiPdAu鍍覆，在步驟912之后被施加到引線框架的底部表面。在一些實(shí)施例中，過程900可在金屬鍍覆之后結(jié)束，可進(jìn)行到上述的焊接掩膜印刷步驟，或可進(jìn)行到上述的抗蝕刻劑步驟。在一些實(shí)施例中，在已經(jīng)用材料來涂覆引線框架的底部表面之后，過程900進(jìn)行到步驟916。在步驟916，引線框架的底部表面被部分地蝕刻以在其中形成圖案。在已經(jīng)有選擇地施加金屬鍍覆到引線框架的底部表面的實(shí)施例中，可以不需要抗蝕刻劑，可以不需要在金屬鍍覆上施加抗蝕刻劑，或可以在金屬鍍覆上施加抗蝕刻劑。在部分蝕刻之后，可執(zhí)行“去滲色(de bleed)”步驟以移除藍(lán)墨水突出物，如果有的話。在一些實(shí)施例中，如果施加的話，藍(lán)墨水可被留在金屬鍍覆上或可被添加到金屬鍍覆以使金屬鍍覆免受稍后的處理步驟影響。在各種實(shí)施例中，底部表面的反蝕刻可包括蝕刻對(duì)應(yīng)于形成在引線框架的頂部表面中的凹進(jìn)處的引線框架的部分，以由此在那些區(qū)域完全蝕刻穿過引線框架，并由此暴露封裝混合物的底部表面。在各種實(shí)施例中，反蝕刻可包括將除了在金屬跡線間的引線框架區(qū)域之外的金屬跡線的一些區(qū)域移除。在各種實(shí)施例中，反蝕刻可被重復(fù)多次，如可能是對(duì)于特定設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的需要。在一些實(shí)施例中，可添加保護(hù)涂層到弓I線框架的底部表面的一部分。例如，在一些實(shí)施例中，在步驟918，可印刷焊接掩膜到金屬跡線的底部表面的部分上以覆蓋其暴露的部分。此后，過程900可包括在步驟920的化學(xué)去毛刺(de flashing)以移除在接觸區(qū)域上的任何抗焊劑，而在暴露的金屬跡線上留下抗焊劑?？购竸┛山又还袒?，例如通過UV固化， 因此抗焊劑將抵抗焊料和化學(xué)物。在步驟922，如果有的話，剩余藍(lán)墨水可接著被剝離以暴露接觸表面的區(qū)域，用于進(jìn)一步表面安裝處理，如果有的話。現(xiàn)在參照?qǐng)D10，示出了圖9的IC封裝件制造過程900的可替換實(shí)施例的流程圖。 與圖9的過程相似，示出的實(shí)施例的IC制造過程1000在步驟1002以未蝕刻的引線框架開始，之后是在步驟1004的部分蝕刻。在步驟1006，部分蝕刻的引線框架可有選擇地在其頂部和底部表面兩者上被電鍍。接著，在步驟1008，IC芯片被安裝到引線框架并與其電耦合。 此后，在步驟1010施加模制混合物來封裝IC芯片和線焊。在步驟1012，引線框架的底部表面被部分地蝕刻。在各種實(shí)施例中，在步驟1014，噴水或其它研磨過程可被應(yīng)用到引線框架的底部表面。在各種實(shí)施例中，過程1000可在步驟1014之后結(jié)束。在一些實(shí)施例中，過程1000 進(jìn)行到步驟1016并且在其上印刷焊接掩膜，然而在其它實(shí)施例中，過程1000可進(jìn)行到 1016’并且可施加抗焊劑。從步驟1016，與圖9中的上述步驟相似，過程1000的各種實(shí)施例可包括化學(xué)去毛刺(de flash)(步驟1018)、UV固化(步驟1020)和/或藍(lán)墨水剝離(步驟1022)。從步驟1016’，與圖9中的上述步驟相似，過程1000的各種實(shí)施例可包括焊接掩膜印刷(步驟1018，)、曝光(步驟1020，)和/或顯影(步驟1022，)。盡管本發(fā)明的方法和系統(tǒng)的各種實(shí)施例已經(jīng)結(jié)合附圖被說明，并且在前述的詳細(xì)說明書中被描述，將理解的是，本發(fā)明不被限制于公開的實(shí)施例，而是在不背離在此闡述的本發(fā)明的精神的情況下，能夠有許多重新布置、修改和替換。
權(quán)利要求
1.一種形成IC封裝件的方法，該方法包括 提供具有第一值的厚度的金屬引線框架；圖案化金屬引線框架的頂部表面以在其中形成凹進(jìn)處，該頂部表面凹進(jìn)處限定了多個(gè)接合區(qū)域；有選擇地電鍍頂部表面； 安裝IC芯片到頂部表面上； 將IC芯片電耦合到多個(gè)接合區(qū)域； 在封裝混合物中封裝IC芯片；通過從金屬引線框架的底部表面移除一層金屬來將金屬引線框架的厚度減小到第二值；有選擇地電鍍金屬引線框架的底部表面以在其上形成圖案，該圖案限定了金屬引線框架要被蝕刻的部分；有選擇地蝕刻金屬引線框架的該部分以在其底部表面中形成凹進(jìn)處，該底部表面凹進(jìn)處相對(duì)于引線框架的底部表面限定了具有側(cè)壁的多個(gè)接觸墊，該引線框架的底部表面在其中具有蝕刻底切；以及其中通過將金屬引線框架的厚度減小到第二量，來減小該底切的深度。
2.權(quán)利要求1的方法，其中有選擇地蝕刻形成了在多個(gè)接觸墊的底部表面中的多個(gè)凹痕。
3.權(quán)利要求2的方法，其中有選擇地蝕刻形成了至少一個(gè)環(huán)形通道，該至少一個(gè)環(huán)形通道環(huán)繞多個(gè)凹痕中的至少一個(gè)凹痕。
4.權(quán)利要求2的方法，以及進(jìn)一步包括 施加導(dǎo)電可焊接材料到多個(gè)凹痕。
5.權(quán)利要求1的方法，其中金屬引線框架的厚度的第一值小于大約5mil。
6.權(quán)利要求1的方法，其中第一值和第二值之間的差大于約lmil。
7.一種圖案化集成電路(IC)封裝件的底部表面的方法，該集成電路封裝件的類型為具有安裝到金屬引線框架并電耦合到置于金屬引線框架頂部表面上的接合區(qū)域的IC芯片，該IC芯片被封裝在封裝混合物中，該方法包括從金屬引線框架的整個(gè)底部表面實(shí)質(zhì)上移除一層金屬以暴露其表面； 施加抗蝕刻劑材料到金屬引線框架的暴露表面以在其上形成圖案，該圖案限定了金屬引線框架要被蝕刻的部分；有選擇地蝕刻由該圖案限定的金屬引線框架的該部分以電隔離多個(gè)接觸墊，并在多個(gè)接觸墊的底部表面中形成凹痕，該多個(gè)接觸墊具有側(cè)壁，該側(cè)壁在其中具有蝕刻底切；以及其中通過從金屬引線框架的整個(gè)底部表面實(shí)質(zhì)上移除該層金屬，來減小側(cè)壁中的蝕刻底切的深度。
8.一種集成電路(IC)封裝件，包括金屬引線框架，具有在其頂部表面和底部表面上的凹進(jìn)處的圖案，在頂部表面上的凹進(jìn)處限定了多個(gè)接合區(qū)域，以及在其底部表面上的凹進(jìn)處限定了電耦合到接合區(qū)域的多個(gè)接觸墊，每個(gè)接觸墊具有蝕刻到其底部表面中的凹痕；IC芯片，安裝到金屬引線框架并電耦合到接合區(qū)域，該IC芯片被封裝在封裝混合物中；以及導(dǎo)電可焊接材料，填充每個(gè)接觸墊的凹痕。
9.權(quán)利要求8的IC封裝件，其中多個(gè)接觸墊中的至少一個(gè)接觸墊具有蝕刻到其底部表面中并且環(huán)繞凹痕的環(huán)形通道。
10.權(quán)利要求8的IC封裝件，其中至少一個(gè)接合區(qū)域的表面面積小于與其電耦合的接觸墊的表面面積。
11.權(quán)利要求的IC封裝件，其中蝕刻到至少一個(gè)接觸墊中的凹痕一般是拋物線形狀的凹面。
12.—種圖案化集成電路(IC)封裝件的底部表面的方法，該集成電路封裝件的類型為具有安裝到金屬引線框架并電耦合到置于金屬引線框架頂部表面上的接合區(qū)域的IC芯片，該IC芯片被封裝在封裝混合物中，該方法包括施加抗蝕刻劑層到IC封裝件的金屬引線框架的底部表面以在其上形成圖案，該圖案限定了金屬引線框架要被蝕刻的部分；有選擇地蝕刻由該圖案限定的金屬引線框架的該部分以電隔離多個(gè)接觸墊并在多個(gè)接觸墊的底部表面中形成凹痕；以及施加導(dǎo)電可焊接材料到多個(gè)接觸墊的底部表面。
13.權(quán)利要求12的方法，以及進(jìn)一步包括在施加抗蝕刻劑層到金屬引線框架之前，在金屬引線框架的整個(gè)底部表面上實(shí)質(zhì)上移除一層金屬引線框架。
14.權(quán)利要求12的方法，其中施加抗蝕刻劑層包括施加金屬鍍覆。
15.權(quán)利要求12的方法，其中施加抗蝕刻劑層包括施加抗蝕刻劑層到金屬引線框架的頂部表面和底部表面兩者。
16.權(quán)利要求12的方法，其中施加抗蝕刻劑包括形成具有外部周邊和內(nèi)部周邊的至少一個(gè)抗蝕刻劑環(huán)。
17.權(quán)利要求16的方法，其中有選擇地蝕刻形成了由該環(huán)的外部周邊所限定的多個(gè)接觸墊的接觸墊外邊緣，以及形成由該環(huán)的內(nèi)部周邊所限制的凹痕。
18.權(quán)利要求16的方法，其中該外部周邊和內(nèi)部周邊為圓周。
19.權(quán)利要求12的方法，其中施加抗蝕刻劑包括形成抗蝕刻劑的內(nèi)環(huán)和與至少一個(gè)內(nèi)環(huán)同心的抗蝕刻劑的外環(huán)。
20.權(quán)利要求19的方法，其中有選擇地蝕刻形成了由該外環(huán)的外部周邊所限定的多個(gè)接觸墊的接觸墊外邊緣、由該內(nèi)環(huán)的內(nèi)部周邊所限定的凹痕、以及由該內(nèi)環(huán)和外環(huán)之間的區(qū)域所限定的環(huán)形通道。
21.權(quán)利要求12的方法，以及進(jìn)一步包括從IC封裝件帶中單個(gè)化該IC封裝件。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種IC封裝件。該IC封裝件包括引線框架，該引線框架包括在第一側(cè)上部分蝕刻的金屬帶(222)。可配置該引線框架用于在其上安裝IC芯片以及用于將多個(gè)接合區(qū)域(218)電耦合到引線框架和IC芯片。IC芯片、接合區(qū)域和金屬引線框架的一部分用封裝混合物所覆蓋，并且從引線框架的底部表面突出多個(gè)接觸墊(206)。在制造過程期間，引線框架的底部表面可被蝕刻一次或多次以減小底切的深度。還提供了一種用于制造IC封裝件的方法。
文檔編號(hào)H01L23/495GK102576701SQ200980161204
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2009年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月2日
發(fā)明者李同樂 申請(qǐng)人:李同樂