技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種CMOS器件，包括：第一MOSFET；與第一MOSFET類型不同的第二MOSFET；覆蓋在第一MOSFET上的第一應(yīng)力層，具有第一應(yīng)力；覆蓋在第二MOSFET上的第二應(yīng)力層，其中第二應(yīng)力層中具有摻雜離子，從而具有與第一應(yīng)力不同的第二應(yīng)力。依照本發(fā)明的CMOS器件及其制造方法，利用分區(qū)離子注入方法實(shí)現(xiàn)了雙應(yīng)力墊層，無需光刻/刻蝕去除PMOS區(qū)的張應(yīng)力層或NMOS區(qū)的壓應(yīng)力層，簡(jiǎn)化了工藝，降低了成本，同時(shí)也避免了沉積工藝的熱過程對(duì)NMOS區(qū)或PMOS區(qū)墊層中應(yīng)力可能造成的破壞。

技術(shù)研發(fā)人員：徐秋霞;趙超;許高博
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
文檔號(hào)碼：201210075694
技術(shù)研發(fā)日：2012.03.21
技術(shù)公布日：2017.05.03