技術(shù)特征：
1.一種CMOS器件，包括：第一MOSFET；與第一MOSFET類型不同的第二MOSFET；覆蓋在第一MOSFET上的第一應(yīng)力層，具有第一應(yīng)力，第一應(yīng)力層包括DLC，具有4～12GPa的應(yīng)力；覆蓋在第二MOSFET上的第二應(yīng)力層，其中部分的DLC的第一應(yīng)力層具有摻雜離子而轉(zhuǎn)變?yōu)閼?yīng)力不同的第二應(yīng)力層，其中第一、第二MOSFET包括的柵極導(dǎo)電層的材料為材質(zhì)不同的金屬單質(zhì)或金屬合金或金屬氮化物，摻雜離子對于PMOS而言包括Ga、In及其組合，對于NMOS而言包括Sb、As及其組合。2.如權(quán)利要求1的CMOS器件，其中，第一應(yīng)力和第二應(yīng)力類型相同，且第二應(yīng)力的絕對值小于第一應(yīng)力。3.如權(quán)利要求1的CMOS器件，其中，第二應(yīng)力的類型與第一應(yīng)力不同。4.如權(quán)利要求1的CMOS器件，其中，第一應(yīng)力或第二應(yīng)力之一為零應(yīng)力。5.一種CMOS器件的制造方法，包括步驟：形成第一MOSFET，以及與第一MOSFET類型不同的第二MOSFET，其中第一、第二MOSFET包括的柵極導(dǎo)電層的材料為材質(zhì)不同的金屬單質(zhì)或金屬合金或金屬氮化物；在第一MOSFET和第二MOSFET上形成第一應(yīng)力層，具有第一應(yīng)力，第一應(yīng)力層包括DLC，具有4～12GPa的應(yīng)力；選擇性地向第二MOSFET上的DLC的第一應(yīng)力層摻雜，摻雜離子使得第二MOSFET上的部分DLC的第一應(yīng)力層轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙?yīng)力層，具有與第一應(yīng)力不同的第二應(yīng)力，摻雜離子對于PMOS而言包括Ga、In及其組合，對于NMOS而言包括Sb、As及其組合。6.如權(quán)利要求5的CMOS器件的制造方法，其中，第一應(yīng)力和第二應(yīng)力類型相同，且第二應(yīng)力的絕對值小于第一應(yīng)力。7.如權(quán)利要求5的CMOS器件的制造方法，其中，第二應(yīng)力的類型與第一應(yīng)力不同。8.如權(quán)利要求5的CMOS器件的制造方法，其中，第一應(yīng)力或第二應(yīng)力之一為零應(yīng)力。9.如權(quán)利要求5的CMOS器件的制造方法，其中，選擇性地向第二MOSFET上的第一應(yīng)力層摻雜的步驟具體包括：形成光刻膠圖形，覆蓋第一MOSFET上的第一應(yīng)力層而暴露第二MOSFET上的第一應(yīng)力層；采用離子注入，向暴露的第一應(yīng)力層中摻雜，摻雜離子使得第二MOSFET上暴露的部分第一應(yīng)力層轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙?yīng)力層，具有與第一應(yīng)力不同的第二應(yīng)力；去除光刻膠圖形。10.如權(quán)利要求9的CMOS器件的制造方法，其中，離子注入摻雜離子之后，還在200～1200℃溫度下進(jìn)行熱處理。