元器件內(nèi)置基板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種內(nèi)置電氣或電子元器件的元器件內(nèi)置基板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]一直以來，為實現(xiàn)各種電氣、電子設備的小型化、薄型化、輕量化以及多功能化，開展了各種研究開發(fā)。尤其在手機、筆記本電腦、數(shù)碼相機等民生用品中，強烈要求在實現(xiàn)多功能化的同時，實現(xiàn)小型化、薄型化及輕量化。此外，在各種電氣、電子設備中，傳輸信號的高頻化和高速化已實現(xiàn)，因此也需要防止與之相隨的信號噪音的增大。
[0003]為了實現(xiàn)此要求，作為組裝于電氣、電子設備的電路基板，一直以來都在針對元器件內(nèi)置基板以及元器件內(nèi)置多層電路基板進行研究開發(fā)及制造，元器件內(nèi)置基板具備將以往安裝于基板表面的各種電氣或電子元器件內(nèi)置于基板絕緣層即絕緣基材內(nèi)的構(gòu)造，而元器件內(nèi)置多層電路基板將該元器件內(nèi)置基板層疊而成。例如，專利文獻I中公開了一種元器件內(nèi)置基板及其制造方法。
[0004]在專利文獻I所公開的元器件內(nèi)置基板的制造方法中，是在支承體上形成由銅箔構(gòu)成的導電薄膜層，并在該導電薄膜層上涂布粘合劑。接著，通過該粘合劑，安裝內(nèi)置的電氣或電子元器件(內(nèi)置元器件)，之后形成絕緣層(絕緣基材)以將該內(nèi)置元器件覆蓋。經(jīng)過此制造工序形成的元器件內(nèi)置基板中，基板自身的厚度比以往要薄，并且與安裝在基板表面上相比，能夠內(nèi)置更多的電氣或電子元器件，可用于各種各樣用途的電氣、電子設備。
[0005]此夕卜，使用金屬氧化膜半導體的場效應晶體管(M0SFET:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、或者集成電路(IC -1ntegratedCircuit)等IC元器件作為內(nèi)置元器件時，必須形成從埋設有該內(nèi)置元器件的絕緣層外部直達該內(nèi)置元器件的導通孔。該導通孔貫穿形成于絕緣層兩面的金屬層、以及由用于將內(nèi)置元器件粘貼在該金屬層上的絕緣材料構(gòu)成的粘合劑，并且在絕緣層內(nèi)延伸，使得從絕緣層外部電氣連接該內(nèi)置元器件的連接端子。
先行技術(shù)文獻專利文獻
[0006]專利文獻1:專利第4874305號公報發(fā)明的公開
發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0007]近年來，存在有各種各樣的電氣、電子設備，因此為對應這些電氣、電子設備的種類，開發(fā)了各種各樣的元器件內(nèi)置基板。例如，開發(fā)了將多個IC元器件埋設于絕緣層內(nèi)的元器件內(nèi)置基板、以及將I個IC元器件埋設于絕緣層內(nèi)的元器件內(nèi)置基板。在此，僅埋設I個IC元器件時，為了實現(xiàn)元器件內(nèi)置基板的小型化，需要減小絕緣層，將元器件內(nèi)置基板的大部分設定為IC元器件。而且，為了將該IC元器件可靠地粘貼于金屬層，要使粘合層的形成面積與IC元器件安裝面的面積相等或者更大。
[0008]但是，若粘合層的形成面積變大，則在形成金屬層后的真空加熱工序中，施加于粘合層的壓力變大，但構(gòu)成絕緣層的絕緣材料由于硬化收縮，在與該壓力不同的方向上會產(chǎn)生應力，造成金屬層從支承體上剝離。如此，由于金屬層剝離，導致金屬層上產(chǎn)生皺褶，使得元器件內(nèi)置基板自身缺乏可靠性。
[0009]因此，雖然通過減小粘合層的形成面積，可抑制產(chǎn)生上述皺褶，但是在形成有導通孔的區(qū)域中存在有特性不同的粘合層及絕緣層，由于形成導通孔時的蝕刻率不同，各層的構(gòu)成材料會有所殘留，可能導致導通孔連接不良的問題。
[0010]本發(fā)明鑒于此課題而完成，其目的在于提供一種使位于絕緣層上的金屬層不剝離、且不發(fā)生導通孔連接不良的元器件內(nèi)置基板及其制造方法。
解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案
[0011]為了達成上述目的，本發(fā)明的元器件內(nèi)置基板的特征在于，具有:由絕緣材料構(gòu)成的絕緣層；形成為夾住所述絕緣層的第I金屬層及第2金屬層；電氣或電子元器件，該電氣或電子元器件埋設于所述絕緣層內(nèi)，并且未形成連接端子的連接端子非形成面位于靠近所述第I金屬層的一側(cè)；粘合層，該粘合層埋設于所述絕緣層內(nèi)，并且位于所述元器件的所述連接端子非形成面上；及導通孔，該導通孔在所述絕緣層內(nèi)延伸，并且將所述第2金屬層和所述元器件的所述連接端子電氣連接，所述粘合層的與所述元器件的接觸面?zhèn)鹊拿娣e小于所述元器件的連接端子非形成面的面積。
[0012]在上述元器件內(nèi)置基板中，所述粘合層的與所述元器件的接觸面?zhèn)鹊拿娣e優(yōu)選在所述元器件的連接端子非形成面的面積的13%?40%范圍內(nèi)。
[0013]在上述任意元器件內(nèi)置基板中，所述粘合層的與所述元器件的接觸面?zhèn)鹊拿娣e優(yōu)選在所述第I金屬層的形成面?zhèn)戎兴鲈骷?nèi)置基板的面積的7%?25%范圍內(nèi)。
[0014]在上述任意元器件內(nèi)置基板中，所述粘合面的平面形狀優(yōu)選為圓形。
[0015]此外，為了達成上述目的，本發(fā)明的元器件內(nèi)置基板的制造方法的特征在于，具有:準備工序，準備在表面上形成有第I金屬層的支承板；搭載工序，在所述第I金屬層的表面上經(jīng)由粘合層搭載電氣或電子元器件，使得未形成連接端子的連接端子非形成面位于靠近所述第I金屬層的一側(cè)；絕緣層形成工序，以覆蓋所述第I金屬層及所述元器件的方式層疊絕緣材料，并形成埋設所述元器件的絕緣層；金屬層形成工序，在所述絕緣層上形成第2金屬層；及導通孔形成工序，形成在所述絕緣層內(nèi)延伸的導通孔，以使所述第2金屬層和所述元器件的所述連接端子電氣連接，在所述搭載工序中，所述粘合層的與所述元器件的接觸面?zhèn)鹊拿娣e小于所述元器件的連接端子非形成面的面積。
[0016]在上述元器件內(nèi)置基板制造方法的所述搭載工序中，所述粘合層與所述元器件接觸面?zhèn)鹊拿娣e優(yōu)選設定為所述元器件的連接端子非形成面的面積的13%?40%。
[0017]在上述任一元器件內(nèi)置基板制造方法的所述搭載工序中，所述粘合層與所述元器件接觸面?zhèn)鹊拿娣e優(yōu)選設定為所述第I金屬層的形成面?zhèn)戎性骷?nèi)置基板的面積的7%?25%。
[0018]在上述任一元器件內(nèi)置基板制造方法的所述搭載工序中，優(yōu)選以所述粘合層的平面形狀為圓形的方式形成所述粘合層。
發(fā)明效果
[0019]在本發(fā)明的元器件內(nèi)置基板及其制造方法中，元器件的連接端子非形成面以靠近第I金屬層的方式配置，粘合層的形成面積設定為小于元器件的連接端子非形成面的面積，因此能夠防止第I金屬層從絕緣層剝離以及導通孔連接不良。
[0020]在本發(fā)明的元器件內(nèi)置基板及其制造方法中，粘合層的平面形狀設定為圓形，因此在形成粘合層時，不會在粘合層內(nèi)產(chǎn)生氣泡及空隙等，能夠強力粘貼元器件。
【附圖說明】
[0021]圖1是表示本發(fā)明實施例的元器件內(nèi)置基板的概要剖面圖。
圖2是表示本發(fā)明實施例的元器件內(nèi)置基板的制造方法的各制造工序的概要剖面圖。 圖3是表示本發(fā)明實施例的元器件內(nèi)置基板的制造方法的各制造工序的概要剖面圖。 圖4是表示本發(fā)明實施例的元器件內(nèi)置基板的制造方法的各制造工序的概要剖面圖。 圖5是表示本發(fā)明實施例的元器件內(nèi)置基板的制造方法的各制造工序的概要剖面圖。 圖6是表示本發(fā)明實施例的元器件內(nèi)置基板的制造方法的各制造工序的概要剖面圖。 圖7是表示本發(fā)明實施例的元器件內(nèi)置基板的制造方法的各制造工序的概要剖面圖。
【具體實施方式】
[0022]以下，參照附圖，基于實施例，詳細說明本發(fā)明的實施方式。另外，本發(fā)明并不限定于以下說明的內(nèi)容，在不變更其要旨的范圍內(nèi)可任意變更實施。此外，用于說明實施例的附圖，