技術(shù)編號：11733270
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種CMOS器件及其制造方法，特別是涉及一種通過摻雜來改變應(yīng)力層性質(zhì)的CMOS器件及其制造方法。背景技術(shù)各種應(yīng)力工程技術(shù)已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于亞130nm技術(shù)及以下技術(shù)代。CMOS技術(shù)中使用應(yīng)力工程的核心考慮是PMOS和NMOS對于不同類型的應(yīng)力響應(yīng)不同。具體地，通過向溝道區(qū)施加壓應(yīng)力而提高PMOS性能，而向溝道區(qū)施加張應(yīng)力而提高NMOS性能。一種主要的方法包括使用應(yīng)力誘導(dǎo)覆蓋層。CVD氮化硅是應(yīng)力覆蓋層的一種常用選擇，可以通過調(diào)整沉積條件例如溫度和頻率來改變應(yīng)力的大小和種類?？梢允褂脴?biāo)準(zhǔn)的...
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