本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件制造方法以及MOSFET器件。

背景技術(shù)：

隨著MOSFET的關(guān)鍵尺寸的縮小，要求柵長(zhǎng)、工作電壓、柵氧厚度等都要縮小。但是，為了保證器件的工作速度，工作電壓并不能等比例縮小，而是需要以功耗變大為代價(jià)。

如傳統(tǒng)的SOI(Silicon on insulator，絕緣體上硅)NMOS制程，在柵極圖形形成之后，多晶硅柵再氧化(reoxidation)大約10～50埃，修復(fù)柵極刻蝕造成的缺陷，淀積氮化硅大約30～100埃，回刻形成偏移側(cè)墻，降低摻雜注入的橫向擴(kuò)散，優(yōu)化短溝道效應(yīng)；隨后，執(zhí)行源漏外延區(qū)(extension)注入，高溫退火；此后，淀積氧化硅大約30～200埃，再淀積氮化硅50～1000埃，回刻形成側(cè)墻；然后，執(zhí)行源漏注入，高溫退火；硅化物生成降低串聯(lián)電阻。

而且進(jìn)一步地，隨著MOSFET的縮小，尤其是22納米節(jié)點(diǎn)及以下，平面器件已經(jīng)不能滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求，所以雙柵(double-gate)器件、Ω型器件、三柵(triple-gate)器件以及FINFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，F(xiàn)in Field-Effect Transistor，F(xiàn)inFET)等三維器件結(jié)構(gòu)成為半導(dǎo)體器件的主流。

以FINFET為例，同樣尺寸的晶圓上，F(xiàn)INFET器件的有效寬度可以比平面器件的有效寬度更大。由此，同樣尺寸的晶圓上，F(xiàn)INFET器件可以獲得更大的有效電流。

現(xiàn)有的FINFET器件的工藝流程步驟包括：1)刻蝕得到鰭結(jié)構(gòu)的圖形；2)填充氧化硅、回刻；3)柵氧化層生長(zhǎng)；4)多晶硅淀積，并且進(jìn)行回刻或者化學(xué)機(jī)械研磨平整化。其中，步驟1)對(duì)于刻蝕是一個(gè)挑戰(zhàn)，高寬高比、接近于90度的直立；同樣的步驟2)要求好的填充能力。

因此，希望能夠提供一種能夠在降低工藝難度的情況下而且在不增大器件面積的基礎(chǔ)上提高器件速度的新的技術(shù)方案。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠在降低工藝難度的情況下而且在不增大器件面積的基礎(chǔ)上提高器件速度的MOSFET器件制造方法以及MOSFET器件。

為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種MOSFET器件制造方法，包括：

第一步驟：執(zhí)行刻蝕以在襯底上形成MOSFET器件的鰭結(jié)構(gòu)；

第二步驟：在鰭結(jié)構(gòu)上執(zhí)行柵氧化層生長(zhǎng)；

第三步驟：在柵氧化層上形成多晶硅柵極圖案。

優(yōu)選地，在所述MOSFET器件制造方法中，所述MOSFET器件是絕緣體上硅器件。

優(yōu)選地，在所述MOSFET器件制造方法中，襯底的材料為二氧化硅。

優(yōu)選地，在所述MOSFET器件制造方法中，所述襯底的厚度介于5nm～60nm之間。

優(yōu)選地，在所述MOSFET器件制造方法中，第三步驟包括：執(zhí)行多晶硅淀積，對(duì)多晶硅執(zhí)行平整化處理。

優(yōu)選地，在所述MOSFET器件制造方法中，所述平整化處理為回刻處理。

優(yōu)選地，在所述MOSFET器件制造方法中，所述平整化處理為化學(xué)機(jī)械研磨處理。

為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，還提供了一種采用根據(jù)所述MOSFET器件制造方法制成的MOSFET器件。

優(yōu)選地，在所述MOSFET器件中，所述MOSFET器件的器件結(jié)構(gòu)是三維結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，在所述MOSFET器件中，所述MOSFET器件的器件有效寬度Weff＝Wfin+2*Hfin+Sfin，其中Wfin是鰭結(jié)構(gòu)的寬度，Hfin是鰭結(jié)構(gòu)的高度，Sfin是兩個(gè)相鄰鰭結(jié)構(gòu)之間的距離。

由此，本發(fā)明提供了一種能夠在降低工藝難度的情況下而且在不增大器件面積的基礎(chǔ)上提高器件速度的MOSFET器件制造方法以及相應(yīng)的MOSFET器件。

附圖說(shuō)明

結(jié)合附圖，并通過(guò)參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中：

圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的MOSFET器件制造方法的第一步驟。

圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的MOSFET器件制造方法的第二步驟。

圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的MOSFET器件制造方法的第三步驟。

需要說(shuō)明的是，附圖用于說(shuō)明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類(lèi)似的元件標(biāo)有相同或者類(lèi)似的標(biāo)號(hào)。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。

圖1至圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的MOSFET器件制造方法的各個(gè)步驟。

具體地，如圖1至圖3所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的MOSFET器件制造方法包括：

第一步驟：執(zhí)行刻蝕以在襯底100上形成MOSFET器件的鰭結(jié)構(gòu)200；

優(yōu)選地，所述MOSFET器件是絕緣體上硅器件。例如，襯底100的材料為二氧化硅。優(yōu)選地，襯底100的厚度介于5nm～60nm之間。

第二步驟：在鰭結(jié)構(gòu)200上執(zhí)行柵氧化層300生長(zhǎng)；

第三步驟：在柵氧化層300上形成多晶硅柵極圖案400。

例如，第三步驟包括：執(zhí)行多晶硅淀積，對(duì)多晶硅執(zhí)行平整化處理。而且，例如，所述平整化處理為回刻處理或者化學(xué)機(jī)械研磨處理。

通過(guò)上述根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的MOSFET器件制造方法得到的器件結(jié)構(gòu)是三維結(jié)構(gòu)。

最終得到的MOSFET器件如圖3所示。

具體地，如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的MOSFET器件的器件有效寬度Weff＝Wfin+2*Hfin+Sfin，其中Wfin是鰭結(jié)構(gòu)200的寬度，Hfin是鰭結(jié)構(gòu)200的高度，Sfin是兩個(gè)相鄰鰭結(jié)構(gòu)200之間的距離。由于Sfin是器件的一部分，不需要為了得到更好地器件性能而縮小Sfin，降低了刻蝕的難度，而且不需要氧化物填充在柵對(duì)溝道逐漸失去控制的部分。

如圖3所示，整個(gè)器件建立在SOI襯底上，每一個(gè)鰭結(jié)構(gòu)上的器件的有效寬度Weff＝Wfin+2*Hfin+Sfin，相對(duì)于現(xiàn)在的器件結(jié)構(gòu)，鰭結(jié)構(gòu)高度Hfin代替鰭結(jié)構(gòu)內(nèi)外高度差，即在保證器件尺寸的基礎(chǔ)上降低了工藝難度；而且由于Sfin也是器件寬度的組成部分，所以在相同的晶圓尺寸上，可以獲得更大的有效電流。

由此，本發(fā)明提供了一種能夠在降低工藝難度的情況下而且在不增大器件面積的基礎(chǔ)上提高器件速度的MOSFET器件制造方法以及相應(yīng)的MOSFET器件。

此外，需要說(shuō)明的是，除非特別說(shuō)明或者指出，否則說(shuō)明書(shū)中的術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說(shuō)明書(shū)中的各個(gè)組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個(gè)組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。

可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而上述實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。對(duì)于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。

而且還應(yīng)該理解的是，本發(fā)明并不限于此處描述的特定的方法、化合物、材料、制造技術(shù)、用法和應(yīng)用，它們可以變化。還應(yīng)該理解的是，此處描述的術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)描述特定實(shí)施例，而不是用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。必須注意的是，此處的以及所附權(quán)利要求中使用的單數(shù)形式“一個(gè)”、“一種”以及“該”包括復(fù)數(shù)基準(zhǔn)，除非上下文明確表示相反意思。因此，例如，對(duì)“一個(gè)元素”的引述意味著對(duì)一個(gè)或多個(gè)元素的引述，并且包括本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的它的等價(jià)物。類(lèi)似地，作為另一示例，對(duì)“一個(gè)步驟”或“一個(gè)裝置”的引述意味著對(duì)一個(gè)或多個(gè)步驟或裝置的引述，并且可能包括次級(jí)步驟以及次級(jí)裝置。應(yīng)該以最廣義的含義來(lái)理解使用的所有連詞。因此，詞語(yǔ)“或”應(yīng)該被理解為具有邏輯“或”的定義，而不是邏輯“異或”的定義，除非上下文明確表示相反意思。此處描述的結(jié)構(gòu)將被理解為還引述該結(jié)構(gòu)的功能等效物?？杀唤忉尀榻频恼Z(yǔ)言應(yīng)該被那樣理解，除非上下文明確表示相反意思。