1.一種MOSFET器件制造方法，其特征在于包括：
第一步驟：執(zhí)行刻蝕以在襯底上形成MOSFET器件的鰭結構；
第二步驟：在鰭結構上執(zhí)行柵氧化層生長；
第三步驟：在柵氧化層上形成多晶硅柵極圖案。
2.根據(jù)權利要求1所述的MOSFET器件制造方法，其特征在于，所述MOSFET器件是絕緣體上硅器件。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的MOSFET器件制造方法，其特征在于，襯底的材料為二氧化硅。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的MOSFET器件制造方法，其特征在于，所述襯底的厚度介于5nm～60nm之間。
5.根據(jù)權利要求1或2所述的MOSFET器件制造方法，其特征在于，第三步驟包括：執(zhí)行多晶硅淀積，對多晶硅執(zhí)行平整化處理。
6.根據(jù)權利要求5所述的MOSFET器件制造方法，其特征在于，所述平整化處理為回刻處理。
7.根據(jù)權利要求5所述的MOSFET器件制造方法，其特征在于，所述平整化處理為化學機械研磨處理。
8.一種采用根據(jù)權利要求1之7之一所述的MOSFET器件制造方法制成的MOSFET器件。
9.根據(jù)權利要求8所述的MOSFET器件，其特征在于，所述MOSFET器件的器件結構是三維結構。
10.根據(jù)權利要求8或9所述的MOSFET器件，其特征在于，所述MOSFET器件的器件有效寬度Weff＝Wfin+2*Hfin+Sfin，其中Wfin是鰭結構的寬度，Hfin是鰭結構的高度，Sfin是兩個相鄰鰭結構之間的距離。