本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域,特別是指一種開關(guān)N型LDMOS器件的工藝方法。
背景技術(shù):
在0.18μm BCD工藝?yán)?,開關(guān)N型LDMOS器件的結(jié)構(gòu)如圖1所示,圖中STI 1是常規(guī)的隔離槽(如深度),STI2(如厚度)是比SIT1淺的隔離槽,只用在開關(guān)N型LDMOS里,因為淺,做常規(guī)的隔離不滿足需求。
目前開關(guān)N型LDMOS器件的制造工藝包含這些步驟:
1.N型埋層1的注入及推進(jìn);
2.P型埋層3的注入及熱推進(jìn);
3.P型外延層2形成;
4.N型深阱4注入及推進(jìn),STI2(第二STI)光刻及刻蝕,STI 1(第一STI)的光刻及刻蝕;
5.N阱(NW)5及P阱(PW)的光刻及注入;
6.N型漂移區(qū)6(NF)的光刻及注入;
7.柵氧化層形成及柵極多晶硅形成;
8.P型體區(qū)光刻及刻蝕、離子注入;
9.柵極光刻及刻蝕;形成側(cè)墻;
10.重?fù)诫sN型區(qū)的形成及注入;重?fù)诫sP型區(qū)的形成及注入;
11.快速熱退火激活;
12.鈷硅化物形成;淀積層間介質(zhì)。
上述制造工藝的問題在于:如圖1中所示,DA區(qū)(是柵極下STI2邊緣到N型漂移區(qū)的長度)、PF(P型漂移區(qū),圖中PF)、PA區(qū)域(是柵極邊緣到N型漂移區(qū)中漏區(qū)之間的區(qū)域)的摻雜分布是由N型漂移區(qū)的注入決定;2.P型漂移區(qū)/PA區(qū)域的摻雜分布是相同的,若PF/PA區(qū)域的摻雜太淡,則會導(dǎo)致源漏導(dǎo)通電阻Rds比較大,若PF/PA區(qū)域的摻雜太濃,則又會導(dǎo)致?lián)舸╇妷航档汀?/p>
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供所述的開關(guān)N型LDMOS器件的工藝方法。
為解決上述問題,本發(fā)明所述的一種開關(guān)N型LDMOS器件的工藝方法,其特征在于:包含如下的工藝步驟:
第1步,離子注入形成N型埋層,并進(jìn)行熱推進(jìn);
第2步,離子注入形成P型埋層,并進(jìn)行熱推進(jìn);
第3步,P型外延層形成,然后進(jìn)行N型深阱的注入及熱推進(jìn);
第4步,光刻及刻蝕形成第二STI;
第5步,進(jìn)行一次P型離子注入;
第6步,光刻及刻蝕形成第一STI,熱氧化層的形成;
第7步,光刻定義及離子注入形成N阱;
第8步,光刻定義及離子注入形成P阱;
第9步,光刻定義及離子注入形成N型漂移區(qū);N型漂移區(qū)與靠源區(qū)的有源區(qū)無交接;
第10步,柵氧化層形成及多晶硅層形成;
第11步,光刻定義及離子注入形成P型體區(qū);
第12步,光刻及刻蝕形成多晶硅柵極;
第13步,形成側(cè)墻;
第14步,光刻定義及離子注入形成重?fù)诫sN型區(qū);
第15步,光刻定義及離子注入形成重?fù)诫sP型區(qū);
第16步,快速熱退火;
第17步,鈷硅化物形成,淀積層間介質(zhì)。
進(jìn)一步地,所述第4步形成的第二STI,其深度小于后續(xù)第6步形成的第一STI。
進(jìn)一步地,所述第5步的注入能量是依據(jù)后續(xù)的第6步熱氧化溫度來確定,離子注入后會在后續(xù)的熱氧化層的作用下擴(kuò)散到DA/PF/PA區(qū)域;注入的劑量是根據(jù)器件的特性需求來調(diào)整。
進(jìn)一步地,所述第9步,N型漂移區(qū)域的注入需要保證與靠源區(qū)的有源區(qū)無交接,沒有DA區(qū)域,同時PF區(qū)域縮小。
本發(fā)明所述的開關(guān)N型LDMOS器件的工藝方法,在第二STI刻蝕形成之后增加一步低能量的P型注入,將漂移區(qū)摻雜變成了非均勻摻雜,N型漂移區(qū)沒有注入的漂移區(qū)濃度小,有N型注入的漂移區(qū)濃度大,最強(qiáng)電場會出現(xiàn)在第二STI的底部(靠近漏端);調(diào)整Rds和調(diào)整BV更加方便,可以兩個注入分開調(diào)節(jié),互不影響。
附圖說明
圖1是開關(guān)N型LDMOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是N型漂移區(qū)域不同注入劑量的電場分布示意圖。
圖3是本發(fā)明工藝流程圖。
附圖標(biāo)記說明
1是N型埋層,2是P型外延,3是P型埋層,4是N型深阱,5是N阱,6是N型漂移區(qū)(NF),7是P型體區(qū)。
具體實施方式
本發(fā)明所述的開關(guān)N型LDMOS器件的工藝方法,包含如下的工藝步驟:
第1步,離子注入形成N型埋層,并進(jìn)行熱推進(jìn)。
第2步,離子注入形成P型埋層,并進(jìn)行熱推進(jìn)。
第3步,P型外延層形成,然后進(jìn)行N型深阱的注入及熱推進(jìn)。
第4步,光刻及刻蝕形成第二STI。該第二STI的深度要小于后續(xù)步驟要形成第一STI的深度。第二STI也僅是開關(guān)N型LDMOS器件所需要的工藝。
第5步,進(jìn)行一次P型離子注入。注入的能量為低能量注入,依據(jù)后續(xù)的熱推進(jìn)溫度來確定,離子注入后會在后續(xù)的熱氧化層的作用下擴(kuò)散到DA/PF/PA區(qū)域;離子注入的劑量則根據(jù)器件的特性需求來調(diào)整。
第6步,光刻及刻蝕形成第一STI;第一STI是基于埋層工藝。
熱氧化層形成
第7步,光刻定義及離子注入形成N阱。
第8步,光刻定義及離子注入形成P阱。
第9步,光刻定義及離子注入形成N型漂移區(qū)。此處的NF注入需要修改版圖,使N型漂移區(qū)離子注入與靠源區(qū)的有源區(qū)無交接。不再具有DA區(qū),同時PF區(qū)域縮小,縮小的程度依據(jù)熱氧化層來確定。
第10步,柵氧化層形成及多晶硅層形成;
第11步,光刻定義及離子注入形成P型體區(qū);
第12步,光刻及刻蝕形成多晶硅柵極;
第13步,形成側(cè)墻;
第14步,光刻定義及離子注入形成重?fù)诫sN型區(qū);
第15步,光刻定義及離子注入形成重?fù)诫sP型區(qū);
第16步,快速熱退火;
第17步,鈷硅化物形成,淀積層間介質(zhì)。
經(jīng)過上述工藝步驟,本發(fā)明變更了NF注入?yún)^(qū)域,去除了傳統(tǒng)的DA區(qū)域,縮小了PF區(qū)域,漂移區(qū)變成非均勻摻雜,N型漂移區(qū)域沒有注入的漂移區(qū)濃度小,有NF注入的漂移區(qū)濃度大,最強(qiáng)電場會出現(xiàn)在第二STI的底部,靠近漏端。如圖2所示,是N型漂移區(qū)域在不同的離子注入劑量下的電場分布示意圖,分別表示的是N型漂移區(qū)域離子注入劑量為3E12CM-2、3.5E12CM-2、4E12CM-2、4.5E12CM-2下的電場分布對比,從圖2中可以看出,N型漂移區(qū)域越輕的離子注入劑量,電場擊穿的發(fā)生越靠近表面。
以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例,并不用于限定本發(fā)明。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說,本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。