專利名稱：一種運用激光摻雜制作全背電極電池的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種運用激光摻雜制作全背電極電池的方法。
背景技術：
目前激光摻雜工藝主要運用于P型硅太陽能電池的SE工藝，磷擴形成η+后，在需要金屬化的區(qū)域進行激光摻雜形成η++，可以有效的降低串聯(lián)電阻提高電池效率。如圖1所示，全背電極硅電池制造工藝是先進行硼擴散進入硅片，生長一層掩膜，用激光刻蝕掉一部分掩膜再將磷擴散進入開槽區(qū)域，使得背面同時存在P+與η+。之后去除掩膜鍍上減反鈍化層，在不同的擴散區(qū)印刷上趾狀交叉的電極將電流導出。但是，這一工藝的缺點是，需要大量繁瑣的步驟，比如制備和去除掩膜，兩次擴散等。

發(fā)明內容
本發(fā)明要解決的技術問題是克服現(xiàn)有技術的不足，提供一種異質結疊層太陽能電池及其制備方法，工藝步驟較少，節(jié)省成本。本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是一種運用激光摻雜制作全背電極電池的方法，(1)選用單面制絨的硅片，( 單面硼擴散硅片清洗后將硅片面對面放入擴散爐中進行單面硼擴散，( 激光刻蝕擴散完后用激光對硅片背面需要形成η+的區(qū)域進行刻蝕，(4)旋涂磷酸在硅片背面旋涂磷酸，沒有被激光刻蝕的區(qū)域形成的硼硅玻璃作為掩膜用于阻擋磷原子的進入，( 激光摻雜硅片背面旋涂磷酸后在激光刻蝕的部位進行激光摻雜，形成η+區(qū)域。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明在制備全背電極電池的過程中通過( 單面硼擴散、C3)激光刻蝕、(4)旋涂磷酸、( 激光摻雜，省去了制備、去除掩膜和二次擴散的過程， 簡化了生產工藝，節(jié)約了生產成本。


下面結合附圖對本發(fā)明進一步說明。圖1是現(xiàn)有技術的工藝流程示意圖；圖2是本發(fā)明的工藝流程示意具體實施例方式現(xiàn)在結合附圖對本發(fā)明作進一步的說明。這些附圖均為簡化的示意圖僅以示意方式說明本發(fā)明的基本結構，因此其僅顯示與本發(fā)明有關的構成。如圖2所示，一種運用激光摻雜制作全背電極電池的方法，(1)選用單面制絨的硅片，( 單面硼擴散硅片清洗后將硅片面對面放入擴散爐中進行單面硼擴散，( 激光刻蝕擴散完后用激光對硅片背面需要形成η+的區(qū)域進行刻蝕，(4)旋涂磷酸在硅片背面旋涂磷酸，沒有被激光刻蝕的區(qū)域形成的硼硅玻璃作為掩膜用于阻擋磷原子的進入，(5)激光摻雜硅片背面旋涂磷酸后在激光刻蝕的部位進行激光摻雜，形成η+區(qū)域。本發(fā)明在制備全背電極電池的過程中通過(2)單面硼擴散、(3)激光刻蝕、⑷旋涂磷酸、(5)激光摻雜，省去了制備、去除掩膜和二次擴散的過程，簡化了生產工藝，節(jié)約了生產成本。以上述依據本發(fā)明的理想實施例為啟示，通過上述的說明內容，相關工作人員完全可以在不偏離本項發(fā)明技術思想的范圍內，進行多樣的變更以及修改。本項發(fā)明的技術性范圍并不局限于說明書上的內容，必須要根據權利要求范圍來確定其技術性范圍。
權利要求
1. 一種運用激光摻雜制作全背電極電池的方法，其特征在于(1)選用單面制絨的硅片，( 單面硼擴散硅片清洗后將硅片面對面放入擴散爐中進行單面硼擴散，( 激光刻蝕擴散完后用激光對硅片背面需要形成η+的區(qū)域進行刻蝕，(4)旋涂磷酸在硅片背面旋涂磷酸，沒有被激光刻蝕的區(qū)域形成的硼硅玻璃作為掩膜用于阻擋磷原子的進入，(5)激光摻雜硅片背面旋涂磷酸后在激光刻蝕的部位進行激光摻雜，形成η+區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種運用激光摻雜制作全背電極電池的方法，(1)選用單面制絨的硅片，(2)單面硼擴散硅片清洗后將硅片面對面放入擴散爐中進行單面硼擴散，(3)激光刻蝕擴散完后用激光對硅片背面需要形成n+的區(qū)域進行刻蝕，(4)旋涂磷酸在硅片背面旋涂磷酸，沒有被激光刻蝕的區(qū)域形成的硼硅玻璃作為掩膜用于阻擋磷原子的進入，(5)激光摻雜硅片背面旋涂磷酸后在激光刻蝕的部位進行激光摻雜，形成n+區(qū)域。本發(fā)明在制備全背電極電池的過程中省去了制備、去除掩膜和二次擴散的過程，簡化了生產工藝，節(jié)約了生產成本。
文檔編號H01L31/18GK102544231SQ201210041709
公開日2012年7月4日 申請日期2012年2月23日 優(yōu)先權日2012年2月23日
發(fā)明者章康平 申請人:常州天合光能有限公司