專利名稱：用于芯片級(jí)封裝的凸塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地來說，涉及用于芯片級(jí)封裝的凸塊。
背景技術(shù)：
隨著各種電子元件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成度的不斷提高，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了快速增長。在大多數(shù)情況下，這種集成度的提高來自于最小特征尺寸的持續(xù)縮小，從而允許更多的元件集成到給定的區(qū)域。隨著近期對更小的電子器件的需求的增長，加劇了對更小和更有創(chuàng)造性的半導(dǎo)體管芯封裝技術(shù)的需求。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，作為一種有效的替代，出現(xiàn)了基于芯片級(jí)或芯片尺寸封裝的半導(dǎo)體器件，以進(jìn)一步縮小半導(dǎo)體管芯的物理尺寸。在基于芯片級(jí)封裝的半導(dǎo)體器件中，封裝產(chǎn)生在由多種凸塊提供接觸件的芯片上。采用基于芯片級(jí)封裝的半導(dǎo)體器件可以實(shí)現(xiàn)更高的密度。更進(jìn)一步地，基于芯片級(jí)封裝的半導(dǎo)體器件可以實(shí)現(xiàn)更小的形狀系數(shù)，更有效益的成本支出，更高的性能和更低的功耗?；谛酒?jí)封裝的半導(dǎo)體器件可以包括在半導(dǎo)體管芯的多個(gè)凸塊下金屬(UBM)開口上形成的多個(gè)焊球。焊球可以由錫、鉛形成。在回流工藝之前，半導(dǎo)體器件在對準(zhǔn)之后被拾取并放置在印刷電路板(PCB)上。因此，基于芯片級(jí)封裝的半導(dǎo)體器件上的多個(gè)焊球與PCB板上的相應(yīng)的焊盤對準(zhǔn)。通過采用熱空氣流動(dòng)和適當(dāng)?shù)膲毫?，使焊球加熱，然后融化從而將半?dǎo)體器件與PCB板連接。芯片級(jí)封裝技術(shù)具有一定的優(yōu)勢。芯片級(jí)封裝的有益特征之一是芯片級(jí)封裝技術(shù)可以降低制造成本。另一個(gè)基于芯片級(jí)封裝的多芯片半導(dǎo)體器件的有益特征是通過將凸塊夾置在半導(dǎo)體器件和PCB板之間來減少附加損耗。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一個(gè)器件包括:半導(dǎo)體管芯；具有第一直徑的第一凸塊，所述第一凸塊在所述半導(dǎo)體管芯上的第一區(qū)域上；以及具有第二直徑的第二凸塊，所述第二凸塊在所述半導(dǎo)體管芯上的第二區(qū)域上，其中所述第二直徑不同于所述第一直徑。在該器件中，所述第一直徑大于所述第二直徑。在該器件中，所述第一區(qū)域是所述半導(dǎo)體管芯的內(nèi)部區(qū)域；以及所述第二區(qū)域是所述半導(dǎo)體管芯的外部區(qū)域。在該器件中，所述外部區(qū)域的寬度大約等于或小于所述內(nèi)部區(qū)域的寬度的三分之一。在該器件中，所述第一區(qū)域是所述半導(dǎo)體管芯的內(nèi)部區(qū)域；以及所述第二區(qū)域是所述半導(dǎo)體管芯的角部。在該器件中，所述第一凸塊形成在所述第一凸塊下金屬結(jié)構(gòu)上；以及所述第二凸塊形成在所述第二凸塊下金屬結(jié)構(gòu)上，其中所述第一凸塊下金屬結(jié)構(gòu)不同于所述第二凸塊下金屬結(jié)構(gòu)。
在該器件中，所述第二凸塊下金屬結(jié)構(gòu)的直徑大于第一凸塊下金屬結(jié)構(gòu)的直徑。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一個(gè)器件包括:半導(dǎo)體管芯；具有第一直徑和第一高度的第一凸塊，所述第一凸塊在鄰近所述半導(dǎo)體管芯的邊緣處形成；以及具有第二直徑和第二高度的第二凸塊，所述第二凸塊在不鄰近所述半導(dǎo)體管芯的邊緣處形成，其中所述第二凸塊不同于所述第一凸塊。在該器件中，所述第一直徑大于所述第二直徑。在該器件中，所述第一高度高于所述第二高度。在該器件中，所述第一凸塊形成在所述半導(dǎo)體管芯的外部區(qū)域上；以及所述第二凸塊形成在所述半導(dǎo)體管芯的內(nèi)部區(qū)域上。在該器件中，所述外部區(qū)域的寬度大約等于或小于所述內(nèi)部區(qū)域的寬度的三分之
O在該器件中，所述第一凸塊形成在所述半導(dǎo)體管芯的第一角部上；以及所述第二凸塊形成在所述半導(dǎo)體管芯的內(nèi)部區(qū)域上。在該器件中，所述半導(dǎo)體管芯包括:襯底；層間介電層，所述層間介電層形成在所述襯底上；多個(gè)金屬化層，所述多個(gè)金屬化層形成在所述層間介電層的上方；鈍化層，所述鈍化層形成在所述多個(gè)金屬化層的上方；聚合物層，所述聚合物層形成在所述鈍化層上，其中，在所述聚合物層中形成再分布層。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種結(jié)構(gòu)包括:半導(dǎo)體管芯；具有第一直徑的第一凸塊下金屬結(jié)構(gòu)，所述第一凸塊下金屬結(jié)構(gòu)形成在所述半導(dǎo)體管芯的外部區(qū)域上；以及具有第二直徑的第二凸塊下金屬結(jié)構(gòu)，所述第二凸塊下金屬結(jié)構(gòu)形成在所述半導(dǎo)體管芯的內(nèi)部區(qū)域上，其中所述第一凸塊下金屬結(jié)構(gòu)不同于所述第二凸塊下金屬結(jié)構(gòu)。在該結(jié)構(gòu)中，所述第二直徑大于所述第一直徑。在該結(jié)構(gòu)中，所述外部區(qū)域所具有的寬度大約等于或小于所述內(nèi)部區(qū)域的寬度的
三分之一。該結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括:第一凸塊，所述第一凸塊形成在所述第一凸塊下金屬結(jié)構(gòu)上；以及第二凸塊，所述第二凸塊形成在所述第二凸塊下金屬結(jié)構(gòu)上。在該結(jié)構(gòu)中，所述第一凸塊比所述第二凸塊??；以及所述第一凸塊具有沙漏的形狀。在該結(jié)構(gòu)中，所述半導(dǎo)體管芯包括:襯底；層間介電層，所述層間介電層形成在所述襯底上；多個(gè)金屬化層，所述多個(gè)金屬化層形成在所述層間介電層的上方；鈍化層，所述鈍化層形成在所述多個(gè)金屬化層的上方；以及聚合物層，所述聚合物層形成在所述鈍化層上，其中在所述聚合物層中形成再分布層。


為了更全面地理解本發(fā)明的實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)將結(jié)合附圖所進(jìn)行的以下描述作為參考，其中:圖1示出了根據(jù)實(shí)施例具有芯片級(jí)封裝部件的凸塊結(jié)構(gòu)的頂視圖和截面圖；圖2示出了根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例具有芯片級(jí)封裝部件的凸塊結(jié)構(gòu)的頂視圖和截面圖3示出了根據(jù)又一個(gè)實(shí)施例具有芯片級(jí)封裝部件的凸塊結(jié)構(gòu)的頂視圖和截面圖。除非另有說明，不同附圖中的相應(yīng)標(biāo)號(hào)和符號(hào)通常指相應(yīng)部件。將附圖繪制成清楚地示出實(shí)施例的相關(guān)方面而不必須成比例繪制。
具體實(shí)施例方式下面，詳細(xì)討論本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的制造和使用。然而，應(yīng)該理解，本發(fā)明提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實(shí)現(xiàn)的可應(yīng)用的概念。所討論的具體實(shí)施例僅僅示出制造和使用本發(fā)明的具體方式，而不用于限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明將根據(jù)在特定的背景下的實(shí)施例對用于芯片級(jí)封裝的凸塊設(shè)計(jì)技術(shù)進(jìn)行描述。然而，本發(fā)明也可以應(yīng)用于多種半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的封裝。首先參考圖1。圖1示出了根據(jù)實(shí)施例具有芯片級(jí)封裝部件的凸塊結(jié)構(gòu)的頂視圖和截面圖。如圖1所示，凸塊結(jié)構(gòu)形成在半導(dǎo)體管芯100上。半導(dǎo)體管芯100包括襯底192。襯底192可以是硅襯底?？蛇x地，襯底192可以是絕緣體上硅襯底。襯底192可以進(jìn)一步包括多種電路(未示出)。電路形成在襯底上192上，并且可以是適用于特定應(yīng)用的任何類型的電路。根據(jù)實(shí)施例，電路可以包括各種η型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)和/或ρ型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)器件，如晶體管、電容器、電阻器、二極管、光電二極管、熔絲等。電路可以互連以執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)功能。這些功能可以包括存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)、處理結(jié)構(gòu)、傳感器、放大器、配電系統(tǒng)、輸入/輸出電路等。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解，上述描述性實(shí)施例僅用作進(jìn)一步解釋本發(fā)明的應(yīng)用，并不以任何方式限制本發(fā)明。層間介電層182形成在襯底192上。例如，層間介電層182可以由低-K介電材料(如，氧化硅)形成。層間介電層182可以通過本領(lǐng)域已知的任何合適的方法(如，旋涂、化學(xué)汽相沉積(CVD)和等離子體增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(PECVD))形成。還應(yīng)當(dāng)指出的是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，層間介電層182可以進(jìn)一步包括多個(gè)介電層。底部金屬化層172和頂部金屬化層152形成在層間介電層182上。如圖1所不，底部金屬化層172包括第一金屬線174。同樣地,頂部金屬化層152包括第二金屬線162。金屬線174和162由金屬材料(如，銅或銅合金等)形成。應(yīng)當(dāng)指出的是，圖1示出了底部金屬化層172和頂部金屬化層152，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，一個(gè)或多個(gè)金屬間介電層(未示出)和相關(guān)聯(lián)的金屬化層(未示出)形成在底部金屬化層172和頂部金屬化層152之間。通常，使用一個(gè)或多個(gè)金屬間介電層和相關(guān)聯(lián)的金屬化層實(shí)現(xiàn)襯底192上電路的彼此互連并且提供外部電連接。鈍化層142形成在頂部金屬化層152上。根據(jù)實(shí)施例，鈍化層142由非有機(jī)材料(如，未摻雜的硅酸鹽玻璃、氮化硅、氧化硅等)形成。鋁焊盤160可以形成在鈍化層142的頂部上。此外，鋁焊盤160可以通過通孔164連接到頂部金屬線162。根據(jù)實(shí)施例，通孔164被金屬材料(如，銅、銅合金、鋁、銀、金及其任意組合)填充。通孔164可以通過合適的技術(shù)(如，CVD)形成。可選地，通孔164可以通過濺射、電鍍等形成。第一聚合物層132形成在鈍化層142上。第一聚合物層132由聚合物材料(如，環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺等)形成。第一聚合物層132可以由本領(lǐng)域已知的任何合適的方法(如，旋涂)形成。再分配層166形成在第一聚合物層132上。如圖1所示，再分配層166將鋁焊盤160與半導(dǎo)體管芯100的頂面相連接。更具體地，再分配層166提供導(dǎo)電路徑，該導(dǎo)電路徑在金屬線(例如，金屬線162)和半導(dǎo)體管芯100的頂面(例如，UBM 116)之間。第二聚合物層122形成在第一聚合物層132上。如圖1所不,再分配層166和再分配層164嵌入到第二聚合物層122中。再分配層166和再分配層164由金屬材料(如，鋁、鋁合金、銅、銅合金等)形成。第二聚合物層122被圖案化，以形成多個(gè)開口。而且，多個(gè)凸塊下金屬(UBM)結(jié)構(gòu)(例如，UBM 116)形成在開口上。UBM結(jié)構(gòu)(例如，UBM116)用于將再分配層(例如，再分配層166)與多個(gè)輸入和輸出端子(例如，凸塊106和104)相連接。每個(gè)UBM結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步包括多個(gè)子層(如，晶種層(未示出)、粘附層(未示出)等)。UBM結(jié)構(gòu)可以通過的任何合適的技術(shù)(如，蒸發(fā)、電鍍等)形成。凸塊104和106分別形成在UBM結(jié)構(gòu)114和116上。根據(jù)實(shí)施例，凸塊104和106是焊球。在整個(gè)說明書中，為簡單起見，凸塊104和106分別可選地稱為焊球104和106。焊球104和106可以由任意合適的材料形成。根據(jù)實(shí)施例，焊球104和106包括SAC 405。SAC 405包括95.5%的錫,4.0%的銀和0.5%的同。如圖1所示，在回流工藝之后，焊球104和106均被加熱，隨后融化，以連接半導(dǎo)體管芯100和印刷電路板(PCB) 102。應(yīng)該指出，PCB 102和半導(dǎo)體管芯100可以具有與焊球104和106不同的熱膨脹系數(shù)。因而，不同的熱膨脹系數(shù)可能會(huì)造成焊球104、106和PCB102之間的焊點(diǎn)處具有較大的應(yīng)力和塑性應(yīng)變。而且，焊球104和106上的多個(gè)溫度循環(huán)所積累的大的應(yīng)力和塑性應(yīng)變可能會(huì)導(dǎo)致在焊球104、106和PCB 102之間的焊點(diǎn)區(qū)產(chǎn)生裂紋。為了重新分配上述應(yīng)力和塑性應(yīng)變使其均勻分布在整個(gè)焊球(例如，焊球104)的球體上，半導(dǎo)體管芯100的頂面上的焊球可以被配置為內(nèi)部區(qū)域具有大焊球(例如，焊球106)以及外部區(qū)域具有小焊球(例如，焊球104)。根據(jù)實(shí)施例，半導(dǎo)體管芯100的頂視圖示出了焊球的布局。在頂視圖中，半導(dǎo)體管芯100具有水平長度Wl和垂直長度W2。在半導(dǎo)體管芯100的頂面上，多種焊球可以形成在相應(yīng)的UBM結(jié)構(gòu)上。如在圖1所示，多個(gè)小焊球(例如，焊球104)形成在半導(dǎo)體管芯100的外部區(qū)域。同樣地，多個(gè)大焊球(例如，焊球106)形成在半導(dǎo)體管芯100的內(nèi)部區(qū)域。值得注意的是，根據(jù)實(shí)施例，“小焊球”的直徑小于“大焊球”的直徑的90%。換句話說，當(dāng)大焊球的直徑是大約300um時(shí)，相應(yīng)的小焊球的直徑等于或小于270um。使小焊料球形成在半導(dǎo)體管芯100的外部區(qū)域上的有益特征之一是，小焊球使得半導(dǎo)體管芯100具有細(xì)間距封裝件以及額外的輸入和輸出端子。而且，根據(jù)實(shí)施例，回流焊工藝之前的小焊球的直徑應(yīng)大于回流工藝之后的大焊球的高度。例如，在回流工藝之前，大焊球和小焊球的直徑分別為250um和225um。在回流工藝之后，兩個(gè)焊球都熔化并且夾在半導(dǎo)體管芯100的頂面和PCB 102之間?；亓鞴に囍蟮拇蠛盖虻母叨仁谴蠹s210.5um。因此，通過控制PCB 102和半導(dǎo)體管芯100之間的距離，焊球可以形成可靠的焊點(diǎn)?？梢杂枚喾N方式來界定內(nèi)部區(qū)域和外部區(qū)域之間的邊界。根據(jù)實(shí)施例，外部區(qū)域包括四個(gè)邊緣區(qū)域。每個(gè)邊緣區(qū)域都具有寬度(例如，W3和W4),該寬度大約等于或小于相應(yīng)半導(dǎo)體管芯100的長度(例如，W1和W2)的20%。通過在半導(dǎo)體管芯100頂面上采用不同的焊球，在回流工藝之后，外凸塊(例如，焊球104)比其相應(yīng)的內(nèi)凸塊(例如，焊球106)更薄。因此，由PCB 102和半導(dǎo)體管芯100之間的熱膨脹差所產(chǎn)生的應(yīng)力可以被重新分配的焊球104的球體上，從而減少產(chǎn)生裂紋的可能性。半導(dǎo)體管芯100的外部區(qū)域具有小焊球的有益特征之一是，小焊球有助于重新分配應(yīng)力和應(yīng)變，從而改進(jìn)熱循環(huán)的可靠性。根據(jù)實(shí)施例，在半導(dǎo)體管芯100和印刷電路板102之間的焊點(diǎn)處的溫度循環(huán)測試(TCT)的一個(gè)周期過程中，累計(jì)塑性應(yīng)變可減少16%。圖2示出了根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例具有芯片級(jí)封裝部件的凸塊結(jié)構(gòu)的頂視圖和截面圖。如圖2所示，半導(dǎo)體芯200的結(jié)構(gòu)與圖1所示的半導(dǎo)體管芯100的結(jié)構(gòu)類似，但是半導(dǎo)體管芯200的UBM結(jié)構(gòu)(例如，UBM結(jié)構(gòu)216)與半導(dǎo)體管芯100的UBM結(jié)構(gòu)(例如，UBM結(jié)構(gòu)116)不同。如頂視圖(移除焊球以顯示UBM的差異)所示，在半導(dǎo)體管芯200的外部區(qū)域中設(shè)置多個(gè)大的UBM結(jié)構(gòu)(例如，UBM結(jié)構(gòu)216)。與此相反，在內(nèi)部區(qū)域中設(shè)置多個(gè)小的UBM結(jié)構(gòu)。根據(jù)實(shí)施例，小的UBM結(jié)構(gòu)(例如，UBM結(jié)構(gòu)214)的直徑小于或等于大的UBM結(jié)構(gòu)(例如，UBM結(jié)構(gòu)216)的直徑的90%。根據(jù)實(shí)施例，具有大致相同尺寸的焊球(例如，焊料204和206)形成在具有不同直徑的UBM結(jié)構(gòu)上。因此，在回流工藝之后，不同區(qū)域的焊球可以具有不同的形狀。更具體地，與在小的UBM結(jié)構(gòu)上形成焊球相比，形成在大的UBM結(jié)構(gòu)上的焊球在回流工藝中被拉伸。如圖2所示，形成在外部區(qū)域上的焊球(例如，焊球206)可以具有沙漏形狀。相比之下，形成在內(nèi)部區(qū)域上的焊球(例如，焊球204)可以具有球形。這種夾在半導(dǎo)體管芯200和PCB 102之間的沙漏形的焊料柱有助于減少半導(dǎo)體管芯200和PCB 102之間的焊點(diǎn)處的應(yīng)力。圖3示出了根據(jù)又一個(gè)實(shí)施例具有芯片級(jí)封裝部件的凸塊結(jié)構(gòu)的頂視圖和截面圖。圖3所示的半導(dǎo)體管芯300的結(jié)構(gòu)與圖1所示的半導(dǎo)體管芯100相似，除了半導(dǎo)體管芯300的較小的焊球的分布不同于半導(dǎo)體管芯100的較小的焊球的分布。如頂視圖所示，四個(gè)小焊球形成在集成芯片的芯片300的四角上。相比之下，大焊球形成在內(nèi)部區(qū)域中?；谏鲜鲫P(guān)于圖1的類似原因，半導(dǎo)體管芯300的小焊球有助于減少小焊球和PCB 102之間的焊點(diǎn)處的應(yīng)力和應(yīng)變，以減少產(chǎn)生裂紋的可能性，并提高熱循環(huán)的可靠性。盡管已經(jīng)詳細(xì)地描述了本發(fā)明及其優(yōu)勢，但應(yīng)該理解，可以在不背離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明主旨和范圍的情況下，做各種不同的改變，替換和更改。而且，本申請的范圍并不僅限于本說明書中描述的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法和步驟的特定實(shí)施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解，通過本發(fā)明，現(xiàn)有的或今后開發(fā)的用于執(zhí)行與根據(jù)本發(fā)明所采用的所述相應(yīng)實(shí)施例基本相同的功能或獲得基本相同結(jié)果的工藝、機(jī)器、制造，材料組分、裝置、方法或步驟根據(jù)本發(fā)明可以被使用。因此，所附權(quán)利要求應(yīng)該包括在這樣的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一個(gè)器件包括: 半導(dǎo)體管芯； 具有第一直徑的第一凸塊，所述第一凸塊在所述半導(dǎo)體管芯上的第一區(qū)域上；以及具有第二直徑的第二凸塊，所述第二凸塊在所述半導(dǎo)體管芯上的第二區(qū)域上，其中所述第二直徑不同于所述第一直徑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述第一直徑大于所述第二直徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中: 所述第一區(qū)域是所述半導(dǎo)體管芯的內(nèi)部區(qū)域；以及 所述第二區(qū)域是所述半導(dǎo)體管芯的外部區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其中，所述外部區(qū)域的寬度大約等于或小于所述內(nèi)部區(qū)域的寬度的三分之一。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其中； 所述第一區(qū)域是所述半導(dǎo)體管芯的內(nèi)部區(qū)域；以及 所述第二區(qū)域是所述半導(dǎo)體管芯的角部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中: 所述第一凸塊形成在所述第一凸塊下金屬結(jié)構(gòu)上；以及 所述第二凸塊形成在所述第二凸塊下金屬結(jié)構(gòu)上，其中所述第一凸塊下金屬結(jié)構(gòu)不同于所述第二凸塊下金屬結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其中，所述第二凸塊下金屬結(jié)構(gòu)的直徑大于第一凸塊下金屬結(jié)構(gòu)的直徑。
8.一個(gè)器件包括: 半導(dǎo)體管芯； 具有第一直徑和第一高度的第一凸塊，所述第一凸塊在鄰近所述半導(dǎo)體管芯的邊緣處形成；以及 具有第二直徑和第二高度的第二凸塊，所述第二凸塊在不鄰近所述半導(dǎo)體管芯的邊緣處形成，其中所述第二凸塊不同于所述第一凸塊。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其中，所述第一直徑大于所述第二直徑。
10.一種結(jié)構(gòu)包括: 半導(dǎo)體管芯； 具有第一直徑的第一凸塊下金屬結(jié)構(gòu)，所述第一凸塊下金屬結(jié)構(gòu)形成在所述半導(dǎo)體管芯的外部區(qū)域上；以及 具有第二直徑的第二凸塊下金屬結(jié)構(gòu)，所述第二凸塊下金屬結(jié)構(gòu)形成在所述半導(dǎo)體管芯的內(nèi)部區(qū)域上，其中所述第一凸塊下金屬結(jié)構(gòu)不同于所述第二凸塊下金屬結(jié)構(gòu)。
全文摘要
芯片級(jí)半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體管芯、第一凸塊和第二凸塊。具有第一直徑和第一高度的第一凸塊形成在半導(dǎo)體管芯的外部區(qū)域上。具有第二直徑和第二高度的第二凸塊形成在半導(dǎo)體管芯的內(nèi)部區(qū)域上。第二直徑大于第一直徑，而第二高度與第一高度相同。通過改變凸塊的形狀，可以重新分配整個(gè)凸塊的應(yīng)力和應(yīng)變。因此，提高了芯片級(jí)半導(dǎo)體器件的熱循環(huán)可靠性。本發(fā)明還提供了一種用于芯片級(jí)封裝的凸塊。
文檔編號(hào)H01L23/488GK103107152SQ20121004160
公開日2013年5月15日 申請日期2012年2月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月11日
發(fā)明者林俊宏, 陳玉芬, 林宗澍, 普翰屏, 陳憲偉 申請人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司