專(zhuān)利名稱：優(yōu)化型三極管引線框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體分立器件，更具體地說(shuō)，涉及一種用于半導(dǎo)體元件封裝的優(yōu)化型三極管引線框架。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)技術(shù)中的三極管引線框架一般都包括相連接的散熱區(qū)和芯片區(qū)，在散熱區(qū)上開(kāi)設(shè)有一螺紋通孔，為了很好的散熱，往往需要外加散熱片，而正是通過(guò)該螺紋通孔將引線框架與散熱片之間相固定，而在利用螺釘將引線框架與散熱片相固定是會(huì)引起引線框架的散熱區(qū)變形，并會(huì)傳遞到芯片區(qū)，就會(huì)導(dǎo)致芯片區(qū)塑封體之間發(fā)生分離甚至松脫，更有可能對(duì)芯片造成損傷，嚴(yán)重影響其性能。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種結(jié)構(gòu)優(yōu)化的三極管引線框架。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案一種優(yōu)化型三極管引線框架，其包括框架本體，所述的框架本體上包括若干個(gè)框架單元，相鄰的所述的框架單元的中部及底部分別通過(guò)中筋和底筋相連接，每個(gè)所述的框架單元包括上部的散熱區(qū)、與所述的散熱區(qū)相連的芯片區(qū)、連接在所述的芯片區(qū)的下方的三個(gè)管腳，所述的散熱區(qū)具有一螺紋通孔，所述的散熱區(qū)與所述的芯片區(qū)之間設(shè)置有階梯通孔，所述的階梯通孔至少包括孔徑縮小的喉部。優(yōu)選地，所述的階梯通孔的橫截面呈“T”字形，進(jìn)一步地，所述的階梯通孔中孔徑較大的一側(cè)在前或者在后。優(yōu)選地，所述的階梯通孔的橫截面呈“工”字形。進(jìn)一步優(yōu)選地，所述的階梯通孔的任意縱截面呈長(zhǎng)圓形、矩形或者圓形。本實(shí)用新型的有益效果是在傳統(tǒng)的引線框架的散熱區(qū)與芯片區(qū)之間開(kāi)設(shè)通孔以減弱或消除散熱區(qū)的形變向芯片區(qū)的傳遞，并且將這通孔設(shè)計(jì)成階梯狀，使塑封體充滿其中，以起到良好的固定作用，本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)優(yōu)化使得效果顯著，加工工藝簡(jiǎn)單，適合在行業(yè)內(nèi)推廣使用。

附圖1為本實(shí)用新型的優(yōu)化型三極管引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖；附圖2為本實(shí)用新型的優(yōu)化型三極管引線框架的一種實(shí)施例中對(duì)應(yīng)的附圖1中 A-A向剖視圖(部分示意)；附圖3為附圖2中B-B向剖視圖(部分示意)；附圖4為本實(shí)用新型的優(yōu)化型三極管引線框架的另一種實(shí)施例中對(duì)應(yīng)的附圖1中 A-A向剖視圖(部分示意)；附圖5為附圖4中C-C向剖視圖(部分示意)。[0015]附圖中1、框架本體；2、框架單元；3、散熱區(qū)；4、芯片區(qū)；5、螺紋通孔；6、階梯通孔；7、中筋；8、底筋。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖所示的實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案作以下詳細(xì)描述實(shí)施例一如附圖1所示，本實(shí)用新型的優(yōu)化型三極管引線框架包括框架本體1， 框架本體1包括若干個(gè)框架單元2，相鄰的框架單元2的中部和底部分別通過(guò)中筋7和底筋8相連接，每個(gè)框架單元2包括上部的散熱區(qū)3、與散熱區(qū)3相連的芯片區(qū)4、連接在芯片區(qū)4的下方的三個(gè)管腳，散熱區(qū)3具有一螺紋通孔5，散熱區(qū)3與芯片區(qū)4之間設(shè)置有階梯通孔6，階梯通孔6包括孔徑縮小的喉部和孔徑較大的一段，即橫截面呈“T”字形(如附圖2 及附圖3所示)，該橫截面呈“T”字形的階梯通孔6的孔徑較大的一端可以在前或者在后。實(shí)施例二 如附圖1所示，本實(shí)用新型的優(yōu)化型三極管引線框架包括框架本體1， 框架本體1包括若干個(gè)框架單元2，相鄰的框架單元2的中部和底部分別通過(guò)中筋7和底筋 8相連接，每個(gè)框架單元2包括上部的散熱區(qū)3、與散熱區(qū)3相連的芯片區(qū)4、連接在芯片區(qū) 4的下方的三個(gè)管腳，散熱區(qū)3具有一螺紋通孔5，散熱區(qū)3與芯片區(qū)4之間設(shè)置有階梯通孔6，階梯通孔6包括孔徑縮小的喉部和分別位于該喉部的前、后兩側(cè)的孔徑較大的兩段， 即橫截面呈“工”字形(如附圖4及附圖5所示)。上述的兩個(gè)實(shí)施例中階梯通孔6的任意縱截面呈長(zhǎng)圓形、矩形或者圓形。本實(shí)用新型的優(yōu)化型三極管引線框架在傳統(tǒng)的引線框架的散熱區(qū)與芯片區(qū)之間開(kāi)設(shè)通孔以減弱或消除散熱區(qū)的形變向芯片區(qū)的傳遞，并且將這通孔設(shè)計(jì)成階梯狀，使塑封體充滿其中，以起到良好的固定作用，本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)優(yōu)化使得效果顯著，加工工藝簡(jiǎn)單，適合在行業(yè)內(nèi)推廣使用。上述實(shí)施例只為說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。 凡根據(jù)本實(shí)用新型精神所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種優(yōu)化型三極管引線框架，其包括框架本體，所述的框架本體上包括若干個(gè)框架單元，相鄰的所述的框架單元的中部及底部分別通過(guò)中筋和底筋相連接，每個(gè)所述的框架單元包括上部的散熱區(qū)、與所述的散熱區(qū)相連的芯片區(qū)、連接在所述的芯片區(qū)的下方的三個(gè)管腳，所述的散熱區(qū)具有一螺紋通孔，其特征在于所述的散熱區(qū)與所述的芯片區(qū)之間設(shè)置有階梯通孔，所述的階梯通孔至少包括孔徑縮小的喉部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的優(yōu)化型三極管引線框架，其特征在于所述的階梯通孔的橫截面呈“T”字形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的優(yōu)化型三極管引線框架，其特征在于所述的階梯通孔中孔徑較大的一側(cè)在前或者在后。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的優(yōu)化型三極管引線框架，其特征在于所述的階梯通孔的橫截面呈“工”字形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的優(yōu)化型三極管引線框架，其特征在于所述的階梯通孔的任意縱截面呈長(zhǎng)圓形、矩形或者圓形。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)一種優(yōu)化型三極管引線框架，其包括框架本體，所述的框架本體上包括若干個(gè)框架單元，相鄰的所述的框架單元的中部及底部分別通過(guò)中筋和底筋相連接，每個(gè)所述的框架單元包括上部的散熱區(qū)、與所述的散熱區(qū)相連的芯片區(qū)、連接在所述的芯片區(qū)的下方的三個(gè)管腳，所述的散熱區(qū)具有一螺紋通孔，所述的散熱區(qū)與所述的芯片區(qū)之間設(shè)置有階梯通孔，所述的階梯通孔至少包括孔徑縮小的喉部。本實(shí)用新型的引線框架通過(guò)在芯片區(qū)與散熱區(qū)之間開(kāi)設(shè)通孔來(lái)減弱或者消除散熱區(qū)的形變向芯片區(qū)的傳遞，并且將這個(gè)通孔做成階梯狀，并讓塑封體填滿其中，以起到良好的固定作用，適合在該行業(yè)內(nèi)推廣使用。
文檔編號(hào)H01L23/495GK202049947SQ20112010795
公開(kāi)日2011年11月23日 申請(qǐng)日期2011年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月13日
發(fā)明者朱成明, 楊承武 申請(qǐng)人:吳江恒源金屬制品有限公司