專利名稱：四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造及其導線架條的制作方法
技術(shù)領域：
本實用新型涉及一種四方扁平無外引腳(QFN)封裝構(gòu)造及其導線架條，特別是有關于一種在預設切割道位置具有連接橋設計的四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造及其導線架條。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今，半導體封裝產(chǎn)業(yè)為了滿足各種高密度封裝的需求，逐漸發(fā)展出各種不同型式的封裝構(gòu)造，而這些封裝構(gòu)造通常是選用導線架(Ieadframe)或封裝基板(substrate) 來做為承載芯片的載板(carrier)，其中常見使用導線架的封裝構(gòu)造例如為小外型封裝構(gòu)造(small outline package，SOP)、四方扁平封裝構(gòu)造(quadflat package, QFP)或四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造(quad flat no-lead package, QFN)等。請參照圖1A、1B、1C、1D、2A及2B所示，其揭示一種現(xiàn)有四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造(QFN)的制造流程示意圖，其中一無外引腳半導體封裝構(gòu)造100主要包含由一金屬板11 形成的一導線架條110、一芯片12、數(shù)條導線13及一封裝膠體14。在制造流程上，如圖IA 所示，首先準備一金屬板11，其是一平坦且未加工過的金屬板體，接著，對所述金屬板11的一第一表面進行第一次半蝕刻(half-etching)作業(yè)，因而形成一芯片承座111及數(shù)個內(nèi)延伸腳112的預設凸島狀構(gòu)形，其中所述數(shù)個內(nèi)延伸腳112以單組或多組方式環(huán)繞排列在所述芯片承座111的周圍。在第一次半蝕刻作業(yè)后，如圖IB及2A所示，對所述金屬板11的第二表面進行第二次半蝕刻(half-etching)作業(yè)，因而使所述芯片承座111及所述內(nèi)延伸腳112的凸島狀構(gòu)形彼此分離，因而形成一四方扁平無外引腳型的導線架條(leadframe strip) 110，其中每一內(nèi)延伸腳112的底部對應蝕刻出一外接點113，同時各二相鄰導線架的相鄰內(nèi)延伸腳112暫時以一切割道連接框條114連接在一起(如圖2A的下視圖所示)。在完成二次半蝕刻作業(yè)后，如圖IC所示，將所述芯片12固定在所述芯片承座111 上，且利用所述數(shù)條導線13進行打線作業(yè)，以將所述芯片12上的數(shù)個接墊分別電性連接到所述數(shù)個內(nèi)延伸腳112上。在打線作業(yè)后，另利用所述封裝膠體14進行封膠作業(yè)，以包埋保護所述芯片12、導線13及所述金屬板11的第一表面?zhèn)?，所述封裝膠體14將裸露出突出狀的所述外接點113(及芯片承座111)。在封膠作業(yè)后，如圖ID及2B所示，利用切割刀具(未繪示)至少切除大部份的所述切割道連接框條114，如此使各二相鄰封裝構(gòu)造彼此分離，以完成數(shù)個無外引腳半導體封裝構(gòu)造100的制造過程，其中所述封裝膠體14的下表面裸露出所述外接點113的下表面， 其可做為輸入/輸出端子。另外，一小部分的內(nèi)延伸腳112會對應所述外接點113而裸露在所述封裝膠體14的各側(cè)表面上(如圖2B的立體下視圖所示)。在上述無外引腳半導體封裝構(gòu)造100中，由于各外接點113利用對應的內(nèi)延伸腳 112向內(nèi)延伸(即朝向所述芯片承座111延伸)，因此可相對縮短所述導線13的打線長度， 進而減少打線的材料成本。然而，在實際上仍具有下述問題，例如在進行第二次半蝕刻作業(yè)形成所述導線架條110后，各二相鄰導線架的相鄰內(nèi)延伸腳112暫時以所述切割道連接框條114連接在一起。但是，考量所述切割道連接框條114能提供的支撐結(jié)構(gòu)強度有限，因此所述內(nèi)延伸腳112向內(nèi)延伸的長度Dl將受到限制(如圖2A所示)。一般而言，所述向內(nèi)延伸的長度Dl需控制在小于350 μ m(微米)，否則所述導線架條110上的各內(nèi)延伸腳 112將容易因未得到足夠支撐，進而受重力影響造成向下彎曲的問題，此問題將會導致后續(xù)進行打線時的良品率(yield)大幅降低。另一方面，由于所述內(nèi)延伸腳112向內(nèi)延伸的長度Dl需小于350 μ m，因此所述內(nèi)延伸腳112向內(nèi)延伸的程度有限，因此也限制了進一步縮短所述導線13打線長度的可能性，使得打線的材料成本難以再進一步減少。再者，如圖2B所示，所述封裝膠體14的下表面具有所述外接點113做為輸入/輸出端子，但所述外接點113至所述封裝膠體14的下表面邊緣之間有一小部分不具有金屬表面，因此在后續(xù)進行表面固定(SMT)焊接到電路板上時，所述外接點113的有效沾錫金屬面積受限，且焊錫無法延伸沾到所述封裝膠體14的側(cè)表面裸露出的內(nèi)延伸腳112處。因此， 使得所述無外引腳半導體封裝構(gòu)造100的SMT側(cè)面沾錫效果不佳及SMT焊接強度低落。故，有必要提供一種四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造及其導線架條，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

實用新型內(nèi)容本實用新型的主要目的在于提供一種四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造及其導線架條， 其中在導線架條上除了利用一切割道連接框條連接任二相鄰導線架的引腳部的內(nèi)延伸腳外，更進一步在所述切割道連接框條上凸設有數(shù)個輔助橋接部，每一輔助橋接部用來輔助連接各二相鄰導線架的相鄰引腳部的外接點，如此使得各二相鄰引腳部之間同時具備有縱向延伸及橫向橋接的十字形雙重立體支撐結(jié)構(gòu)，因而相對提高了對引腳部的內(nèi)延伸腳的總體支撐強度，以便進一步增加內(nèi)延伸腳向內(nèi)延伸的長度至大于350 μ m。本實用新型的次要目的在于提供一種四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造及其導線架條， 其中導線架條同時利用切割道連接框條及輔助橋接部來雙重支撐各二相鄰引腳部的內(nèi)延伸腳及外接點，使得內(nèi)延伸腳可在足夠的支撐強度下進一步增加向內(nèi)延伸的長度，因而相對減少了芯片至內(nèi)延伸腳的距離及導線所需的打線長度，并進而降低打線所需的材料成本及整體封裝成本。本實用新型的另一目的在于提供一種四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造及其導線架條， 其中所述封裝膠體的下表面裸露的外接點以及所述封裝膠體的側(cè)表面裸露的內(nèi)延伸腳之間另裸露有輔助橋接部，輔助橋接部由所述封裝膠體的下表面經(jīng)由側(cè)緣角隅延伸到其側(cè)表面，因此使得無外引腳半導體封裝構(gòu)造的有效沾錫金屬表面擴增到封裝膠體的側(cè)緣及側(cè)表面，故在進行表面固定(SMT)焊接時能大幅提高其側(cè)面沾錫效果及SMT焊接強度。本實用新型的再一目的在于提供一種四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造及其導線架條， 其中所述切割道連接框條上凸設有的輔助橋接部僅占有一小部份體積，因此所述輔助橋接部的設置并不會影響切割刀具的原有切割使用壽命，也不會增加更換切割刀具的耗材成本。為達成本實用新型的前述目的，本實用新型提供一種四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造的導線架條，其特征在于所述導線架條包含至少二導線架單元，各包含數(shù)個引腳部，所述引腳部各包含一內(nèi)延伸腳及一外接點；一切割道連接框條，連接在任二相鄰所述導線架單元的引腳部之間，所述切割道連接框條連接及支撐所述引腳部的內(nèi)延伸腳；以及，數(shù)個輔助橋接部，每一所述輔助橋接部連接在任二相鄰所述導線架單元的一對相鄰所述引腳部之間，所述輔助橋接部連接及支撐所述引腳部的外接點，并輔助支撐所述引腳部的內(nèi)延伸腳。在本實用新型的一實施例中，每一所述導線架單元另包含一芯片承座，其中所述引腳部圍繞排列在所述芯片承座的四周。在本實用新型的一實施例中，所述輔助橋接部的寬度小于所述外接點的寬度。在本實用新型的一實施例中，所述導線架條的厚度介于100至300 μ m (微米)之間，優(yōu)選為介于127至2Μμπι之間。在本實用新型的一實施例中，所述輔助橋接部的厚度為所述導線架條的厚度的 1/5至1/3之間。在本實用新型的一實施例中，所述內(nèi)延伸腳向內(nèi)延伸的長度(即朝向所述所述芯片承座延伸的長度)大于350 μ m。再者，本實用新型提供另一種四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造，其包含一導線架單元，包含數(shù)個引腳部，所述引腳部各包含一內(nèi)延伸腳、一外接點及一輔助橋接部；至少一芯片，具有數(shù)個焊墊分別電性連接至對應的所述內(nèi)延伸腳；以及，一封裝膠體，包覆所述芯片、 所述內(nèi)延伸腳、所述外接點及所述輔助橋接部，其中所述封裝膠體的一下表面裸露所述外接點的一下表面及所述輔助橋接部的一下表面；及所述封裝膠體的至少一側(cè)表面裸露所述內(nèi)延伸腳的一側(cè)表面及所述輔助橋接部的一側(cè)表面；且所述外接點的下表面、所述輔助橋接部的下表面及側(cè)表面與所述內(nèi)延伸腳的側(cè)表面依序相互連接。在本實用新型的一實施例中，所述芯片的焊墊通過數(shù)條導線電性連接至對應的所述內(nèi)延伸腳。在本實用新型的一實施例中，所述導線架單元另包含一芯片承座，其中所述引腳部圍繞排列在所述芯片承座的四周。在本實用新型的一實施例中，所述輔助橋接部的寬度小于所述外接點的寬度。在本實用新型的一實施例中，所述導線架單元的厚度介于100至300 μ m(微米) 之間，優(yōu)選為介于127至2Μμπι之間。在本實用新型的一實施例中，所述輔助橋接部的厚度為所述導線架條的厚度的 1/5至1/3之間。在本實用新型的一實施例中，所述內(nèi)延伸腳向內(nèi)延伸的長度大于350μπι。
圖1A、1B、1C及ID是一現(xiàn)有四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造的制造流程示意圖。圖2A是圖IB的局部放大下視圖。圖2B是現(xiàn)有四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造的立體下視圖。圖3A、3B、3C及3D是本實用新型第一實施例四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造及其導線架條的示意圖。圖4A是圖;3B的局部放大下視圖。圖4B是本實用新型第一實施例四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造的立體下視圖。圖5A是本實用新型第二實施例切割四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造時的示意圖。圖5B是本實用新型第二實施例四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造的立體下視圖。
具體實施方式
為讓本實用新型上述目的、特征及優(yōu)點更明顯易懂，下文特舉本實用新型較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。再者，本實用新型所提到的方向用語，例如「上」、「下」、 「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本實用新型，而非用以限制本實用新型。請參照圖3A、3B、3C、3D、4A及4D所示，其揭示本實用新型第一實施例的四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造的制造流程示意圖，其中一無外引腳半導體封裝構(gòu)造200主要包含由一金屬板21形成的一導線架條210、一芯片22、數(shù)條導線23及一封裝膠體M。在制造流程上，請參照圖3A所示，首先準備一金屬板21，其是一平坦且未加工過的金屬板體，且具有一第一表面及一第二表面。在本步驟中，所述金屬板21可選自各種具良好導電性的金屬，例如銅、鐵、鋁、鎳、鋅或其合金等。所述金屬板21可利用后續(xù)步驟來制做一導線架條210，其上面可包含一個、二個或數(shù)個導線架單元。再者，所述金屬板21的第一表面及第二表面則是分別以圖3A中的上表面及下表面為例來進行說明。接著，本實用新型是對所述金屬板21的第一表面進行第一次半蝕刻作業(yè)，以形成數(shù)個凹陷部(未標示)來定義出一芯片承座211及數(shù)個內(nèi)延伸腳212的凸島狀構(gòu)形(profile)。在本步驟中，所述第一次半蝕刻作業(yè)可選擇使用濕式化學蝕刻或干式物理蝕刻來進行，例如選擇使用蝕刻液或激光來形成所述凹陷部。所述內(nèi)延伸腳212通常是圍繞排列在所述芯片承座211的四周。 當選用蝕刻液進行所述第一次半蝕刻作業(yè)時，通常預先以一光刻膠膜(未繪示)覆蓋所述芯片承座211及數(shù)個內(nèi)延伸腳212的對應位置，并另以一臨時保護層覆蓋所述金屬板21的第二表面，接著再進行半蝕刻。另外，當選用激光進行所述第一次半蝕刻作業(yè)時，所述激光僅需搭配可重復使用的光罩(未繪示)及/或移動式激光載具，而不需搭配無法重復使用的光刻膠膜及保護膜，故有利于簡化第一次半蝕刻作業(yè)的制造過程。接著，請參照圖;3B及4A所示，對所述金屬板21的第二表面進行第二次半蝕刻作業(yè)，以形成數(shù)個凹陷部(未標示)來定義所述芯片承座211、數(shù)個外接點213、至少一切割道連接框條214及數(shù)個輔助橋接部215，因而構(gòu)成一導線架210。在本步驟中，可如同第一次半蝕刻作業(yè)般選擇使用濕式化學蝕刻或干式物理蝕刻來進行，例如選擇使用蝕刻液或激光來形成所述第二表面的凹陷部，其中一部分的第二表面的凹陷部連通于第一表面的凹陷部， 以完全分隔所述芯片承座211及數(shù)個引腳部的凸島狀構(gòu)形；同時，另一部分的第二表面的凹陷部則用以定義暫時相連在一起的外接點213、切割道連接框條214及輔助橋接部215， 其共同形成類似魚骨狀的凸島狀構(gòu)形。所述外接點213是對應凸設在所述內(nèi)延伸腳212的底部，且所述外接點213的水平延伸長度小于所述內(nèi)延伸腳212的水平延伸長度，其中每一組所述外接點213及內(nèi)延伸腳212在下文將其共同定義為一個「引腳部」，其圍繞排列在所述芯片承座211的四周。惟，在某些產(chǎn)品設計中，其可能省略設置所述芯片承座211。再者，所述切割道連接框條214連接在任二相鄰導線架單元的數(shù)對相鄰引腳部之間，所述切割道連接框條214用以連接及支撐所述引腳部的內(nèi)延伸腳212。每一所述輔助橋接部215連接在任二相鄰所述導線架單元的一對相鄰所述引腳部之間，所述輔助橋接部 215連接及支撐所述引腳部的外接點213。如圖;3B所示，所述導線架條210的厚度優(yōu)選介于100至300 μ m(微米)之間，優(yōu)選為介于127至2M μ m之間。所述輔助橋接部215的厚度則為所述導線架條210的厚度的1/5至1/3之間。如圖4A所示，所述輔助橋接部215的寬度W2優(yōu)選小于所述外接點213的寬度W1。同時，值得注意的是，由于在所述切割道連接框條214上凸設有數(shù)個輔助橋接部215，且每一輔助橋接部215用來輔助連接各二相鄰導線架的相鄰引腳部的外接點213，因此使得各二相鄰引腳部之間同時具備有縱向延伸及橫向橋接的十字形雙重立體支撐結(jié)構(gòu)，因而相對提高了對所述引腳部的內(nèi)延伸腳212的總體支撐強度，故有利于進一步增加所述內(nèi)延伸腳212向內(nèi)延伸的長度D2至大于350 μ m。接著，請參照圖3C所示，本實用新型提供一芯片22并將所述芯片22固定在所述芯片承座211的第一表面上；以及利用數(shù)個導線23來電性連接所述芯片22至所述內(nèi)延伸腳212的第一表面上。在本步驟中，可利用液態(tài)黏著劑(underfill)或半固化黏著膠帶 (tape)來將所述芯片22黏固在所述芯片承座211上。再者，由于所述內(nèi)延伸腳212向內(nèi)延伸的長度D2可大于350 μ m以盡可能接近所述芯片承座211及芯片22，因此可相對減少該芯片22至內(nèi)延伸腳212的距離及所述導線23所需的打線長度，并進而降低打線所需的材料成本及整體封裝成本。另外，所述導線23可選自金線、銅線、鋁線、鍍鈀銅線或其他金屬線材，本發(fā)明并不加以限制。所述數(shù)個導線23是電性連接在所述芯片22朝上的一有源表面的數(shù)個接墊與所述內(nèi)延伸腳212的第一表面之間。在打線作業(yè)后，利用一封裝膠材M來包覆保護所述芯片22、所述導線23以及所述導線架210的第一表面?zhèn)?，以?gòu)成一無外引腳半導體封裝構(gòu)造200的半成品。在本步驟中，所述封裝膠材M優(yōu)選是選自環(huán)氧樹脂模造塑料(印oxy moldingcompoimcbEMC)，其泛指常用的封裝材料。所述封裝膠體M的下表面將裸露出上述芯片承座211、外接點113及輔助橋接部215的下表面。最后，請參照圖3D及4B所示，本實用新型利用切割刀具(未繪示)至少切除一部份的所述切割道連接框條214及輔助橋接部215，如此使各二相鄰封裝構(gòu)造彼此分離，以完成數(shù)個無外引腳半導體封裝構(gòu)造200的制造過程，其中所述封裝膠體M的下表面裸露出所述外接點213及剩余一小部分的輔助橋接部215兩者的下表面，此兩者可做為輸入/輸出端子。再者，所述封裝膠體對的下表面也裸露出所述芯片承座211的下表面，其可用于芯片散熱或接地等用途。另外，所述封裝膠體M四周的數(shù)個側(cè)表面則裸露出所述內(nèi)延伸腳212 及輔助橋接部215兩者的側(cè)表面(如圖4B所示)，其中所述封裝膠體M側(cè)表面裸露出的內(nèi)延伸腳212也可以視為是剩余一小部分的切割道連接框條214。在整體外觀上，所述外接點213的下表面、所述輔助橋接部215的下表面及側(cè)表面與所述內(nèi)延伸腳212的側(cè)表面依序相互連接。值得注意的是，在上述切割分離作業(yè)期間，所述切割道連接框條214上凸設有的輔助橋接部215僅占有一小部份體積，因此所述輔助橋接部215的設置并不會大幅影響切割刀具的原有切割使用壽命，也不會增加更換切割刀具的耗材成本。再者，所述封裝膠體M 的下表面裸露的外接點213以及所述封裝膠體M的側(cè)表面裸露的內(nèi)延伸腳212之間另裸露有所述輔助橋接部215，所述輔助橋接部215由所述封裝膠體M的下表面經(jīng)由側(cè)緣角隅延伸到其側(cè)表面。在外觀上，所述封裝膠體M的下表面及側(cè)表面各具有概呈“T”且相連的有效沾錫金屬表面，也就是所述無外引腳半導體封裝構(gòu)造200的有效沾錫金屬表面能連帶的擴增到所述封裝膠體M的側(cè)緣及側(cè)表面，故在進行表面固定(SMT)焊接時能大幅提高所述無外引腳半導體封裝構(gòu)造200的側(cè)面沾錫效果及SMT焊接強度。請參照圖5A及5B所示，本實用新型第二實施例的四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造及其導線架條相似于本實用新型第一實施例，并大致沿用相同元件名稱及圖號，但第二實施例的差異特征在于所述第二實施例的四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造200在進行切割時切除整個切割道連接框條214及全部的輔助橋接部215。因此，在最終的四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造200的外觀上，所述封裝膠體M的側(cè)表面僅裸露所述內(nèi)延伸腳212及外接點213兩者的側(cè)表面，所述封裝膠體M的下表面僅裸露所述外接點213的下表面。如上所述，相較于圖IA至2B的現(xiàn)有四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造100的導線架條 110能提供的所述切割道連接框條114支撐結(jié)構(gòu)強度及所述內(nèi)延伸腳112向內(nèi)延伸的長度 Dl及SMT側(cè)面沾錫效果皆極為有限等缺點，圖3A至5B的本實用新型在所述導線架條210 上除了利用一切割道連接框條214連接任二相鄰導線架的引腳部的內(nèi)延伸腳212外，更進一步在所述切割道連接框條214上凸設有數(shù)個輔助橋接部215，每一輔助橋接部215用來輔助連接各二相鄰導線架的相鄰引腳部的外接點212，如此使得各二相鄰引腳部之間同時具備有縱向延伸及橫向橋接的十字形雙重立體支撐結(jié)構(gòu)，因而相對提高了對引腳部的內(nèi)延伸腳212的總體支撐強度，以便進一步增加所述內(nèi)延伸腳212向內(nèi)延伸的長度D2至大于 350 μ m。再者，所述導線架條210同時利用所述切割道連接框條214及輔助橋接部215來雙重支撐各二相鄰引腳部的內(nèi)延伸腳212及外接點213，使得所述內(nèi)延伸腳212可在足夠的支撐強度下進一步增加向內(nèi)延伸的長度D2，因而相對減少了所述芯片22至內(nèi)延伸腳212 的距離及所述導線22所需的打線長度，并進而降低打線所需的材料成本及整體封裝成本。另外，所述封裝膠體M的下表面裸露的外接點213以及所述封裝膠體M的側(cè)表面裸露的內(nèi)延伸腳212 (即剩余一小部分的切割道連接框條214)之間另裸露有所述輔助橋接部215，且所述輔助橋接部215由所述封裝膠體M的下表面經(jīng)由側(cè)緣角隅延伸到其側(cè)表面，因此使得所述無外引腳半導體封裝構(gòu)造200的有效沾錫金屬表面擴增到所述封裝膠體 M的側(cè)緣及側(cè)表面，故在進行表面固定(SMT)焊接時能大幅提高其側(cè)面沾錫效果及SMT焊接強度。此外，所述切割道連接框條214上凸設有的所述輔助橋接部215僅占有一小部份體積，因此所述輔助橋接部215的設置并不會大幅影響切割刀具的原有切割使用壽命，也不會增加更換切割刀具的耗材成本。本實用新型已由上述相關實施例加以描述，然而上述實施例僅為實施本實用新型的范例。必需指出的是，已公開的實施例并未限制本實用新型的范圍。相反地，包含于權(quán)利要求書的精神及范圍的修改及均等設置均包括于本實用新型的范圍內(nèi)。
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權(quán)利要求1.一種四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造的導線架條，其特征在于所述導線架條包含 至少二導線架單元，各包含數(shù)個引腳部，所述引腳部各包含一內(nèi)延伸腳及一外接點； 一切割道連接框條，連接在任二相鄰所述導線架單元的引腳部之間，所述切割道連接框條連接及支撐所述引腳部的內(nèi)延伸腳；以及數(shù)個輔助橋接部，每一所述輔助橋接部連接在任二相鄰所述導線架單元的一對相鄰所述引腳部之間，所述輔助橋接部連接及支撐所述引腳部的外接點，并輔助支撐所述引腳部的內(nèi)延伸腳。
2.如權(quán)利要求1所述的四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造的導線架條，其特征在于每一所述導線架單元另包含一芯片承座，其中所述引腳部圍繞排列在所述芯片承座的四周。
3.如權(quán)利要求1所述的四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造的導線架條，其特征在于所述輔助橋接部的寬度小于所述外接點的寬度。
4.如權(quán)利要求1所述的四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造的導線架條，其特征在于所述導線架條的厚度介于100至300微米之間。
5.如權(quán)利要求4所述的四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造的導線架條，其特征在于所述輔助橋接部的厚度為所述導線架條的厚度的1/5至1/3之間。
6.如權(quán)利要求1所述的四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造的導線架條，其特征在于所述內(nèi)延伸腳向內(nèi)延伸的長度大于350微米。
7.一種四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造，其特征在于所述四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造包含一導線架單元，包含數(shù)個引腳部，所述引腳部各包含一內(nèi)延伸腳、一外接點及一輔助橋接部；至少一芯片，具有數(shù)個焊墊分別電性連接至對應的所述內(nèi)延伸腳；以及一封裝膠體，包覆所述芯片、所述內(nèi)延伸腳、所述外接點及所述輔助橋接部，其中所述封裝膠體的一下表面裸露所述外接點的一下表面及所述輔助橋接部的一下表面；及所述封裝膠體的至少一側(cè)表面裸露所述內(nèi)延伸腳的一側(cè)表面及所述輔助橋接部的一側(cè)表面；且所述外接點的下表面、所述輔助橋接部的下表面及側(cè)表面與所述內(nèi)延伸腳的側(cè)表面依序相互連接。
8.如權(quán)利要求7所述的四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造，其特征在于所述芯片的焊墊通過數(shù)條導線電性連接至對應的所述內(nèi)延伸腳；所述導線架單元另包含一芯片承座，其中所述引腳部圍繞排列在所述芯片承座的四周。
9.如權(quán)利要求7所述的四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造，其特征在于所述輔助橋接部的寬度小于所述外接點的寬度。
10.如權(quán)利要求7所述的四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造，其特征在于所述導線架單元的厚度介于100至300微米之間；所述輔助橋接部的厚度為所述導線架條的厚度的1/5至1/3 之間；及所述內(nèi)延伸腳向內(nèi)延伸的長度大于350微米。
專利摘要本實用新型公開一種四方扁平無外引腳封裝構(gòu)造及其導線架條，所述導線架條上利用一切割道連接框條連接任二相鄰導線架的引腳部的內(nèi)延伸腳，同時也進一步在所述切割道連接框條上凸設有數(shù)個輔助橋接部，每一輔助橋接部用來輔助連接各二相鄰導線架的相鄰引腳部的外接點，如此使得各二相鄰引腳部之間同時具備有縱向延伸及橫向橋接的十字形雙重立體支撐結(jié)構(gòu)，因而相對提高了對引腳部的內(nèi)延伸腳的總體支撐強度，以便進一步增加內(nèi)延伸腳向內(nèi)延伸的長度至大于350微米。
文檔編號H01L23/31GK202003988SQ20112004436
公開日2011年10月5日 申請日期2011年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月22日
發(fā)明者包鋒, 羅賽文 申請人:蘇州日月新半導體有限公司