專利名稱：多圈排列雙ic芯片封裝件及其生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子信息自動化元器件制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及到四邊扁平無弓丨腳IC 芯片封裝，具體說是一種多圈排列無載體雙IC芯片封裝件，本發(fā)明還包括該封裝件的生產(chǎn)方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著移動通信和移動計(jì)算機(jī)領(lǐng)域便捷式電子元器件的迅猛發(fā)展，小型封裝和高密度組裝技術(shù)得到了長足的發(fā)展；同時，也對小型封裝技術(shù)提出了一系列嚴(yán)格要求，諸如，要求封裝外形尺寸盡量縮小，尤其是封裝高度小于1 mm。封裝后的連接可靠性盡可能提高，適應(yīng)無鉛化焊接(保護(hù)環(huán)境)和有效降低成本。QFN(Quad Flat No Lead Package)型多圈IC芯片倒裝封裝的集成電路封裝技術(shù)是近幾年發(fā)展起來的一種新型微小形高密度封裝技術(shù)，是最先進(jìn)的表面貼裝封裝技術(shù)之一。由于無引腳、貼裝占有面積小，安裝高度低等特點(diǎn)，為滿足移動通信和移動計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的便捷式電子機(jī)器，如PDA、3G手機(jī)、MP3、MP4、MP5等超薄型電子產(chǎn)品發(fā)展的需要應(yīng)用而生并迅速成長起來的一種新型封裝技術(shù)。目前的四邊扁平無引腳封裝件，由于引腳少，即I/O 少，滿足不了高密度、多I/O封裝的需要，同時焊線長，影響高頻應(yīng)用。而且QFN—般厚度控制在0. 82mm 1. 0 mm，滿足不了超薄型封裝產(chǎn)品的需要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種能實(shí)現(xiàn)引腳間距為0.65mm 0. 50 mm, I/O數(shù)達(dá)200個的高密度封裝四邊扁平無引腳的一種多圈排列雙IC芯片封裝件，本發(fā)明還提供該封裝件的生產(chǎn)方法。本發(fā)明的技術(shù)問題采用下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)
一種多圈排列雙IC芯片封裝件，包括引線框架、內(nèi)引腳、IC芯片及塑封體，引線框架四邊呈數(shù)圈排列有引線框架內(nèi)引腳，所述引線框架采用有載體的引線框架，引線框架載體上設(shè)有導(dǎo)電膠，導(dǎo)電膠上粘接第一層不帶凸點(diǎn)的IC芯片，IC芯片上端設(shè)有第二層帶凸點(diǎn)的IC 芯片，帶凸點(diǎn)的IC芯片倒裝上芯。所述的繞圈排列的內(nèi)引腳包括第一圈內(nèi)引腳、第二圈內(nèi)引腳、第三圈內(nèi)引腳及第四圈內(nèi)引腳，每圈之間通過中筋和邊筋相連接，同一圈的內(nèi)引腳之間相連接。所述的不帶凸點(diǎn)IC芯片上的焊盤與第二圈內(nèi)引腳焊接，形成第一鍵合線，與第一圈內(nèi)引腳焊接，形成第二鍵合線。所述弓I線框架每邊的內(nèi)弓I腳平行排列。所述弓I線框架每邊的內(nèi)弓I腳交錯排列。上述多圈排列雙IC芯片封裝件的生產(chǎn)方法，其工藝步驟如下 步驟1:減薄
晶圓減薄厚度IOOym 250μπι，其中帶凸點(diǎn)芯片的晶圓厚度為250μπι，粗磨速度 3ym/ s 6ym/s，精磨速度0. 6 μ m/s 1. 0 μ m/s ；不帶凸點(diǎn)芯片晶圓厚度100 μ m，粗磨速度:2ym/ s ~ 4 μ m/s ；精磨速度0. 4ym/s 0. 8 μ m/s ； 步驟2 劃片
≤8吋的晶圓采用DISC 3350雙刀劃片機(jī)，8吋到12吋晶圓采用A-WD-300TXB劃片機(jī)， 劃片進(jìn)刀速度控制在< lOmm/s ； 步驟3 —次上芯
一次上芯采用有載體框架和無凸點(diǎn)的IC芯片，使用導(dǎo)電膠一次上芯，一次上芯設(shè)備和工藝同普通QFN ； 步驟4:壓焊
不帶凸點(diǎn)的IC芯片上鍵合引線，對第一層無凸點(diǎn)芯片進(jìn)行第一次焊線壓焊，與第二圈內(nèi)引腳之間采用低弧度鍵合方法焊接，弧高控制在IOOym以內(nèi)，形成第一鍵合線，對第一層無凸點(diǎn)芯片進(jìn)行第二次焊線壓焊，使用金線或銅線，與第二圈內(nèi)引腳之間采用低弧度反向鍵合方法，弧高控制在80 μ m以內(nèi)，形成第二鍵合線；所采用弧形是防止塑封沖線； 步驟5 二次倒裝上芯
二次倒裝上芯，在不帶凸點(diǎn)的IC芯片上，采用倒裝上芯機(jī)，將帶凸點(diǎn)的IC芯片沾上焊料放置在第一層不帶凸點(diǎn)的IC芯片的相對位置上，第二層帶凸點(diǎn)的IC芯片倒裝上芯后，進(jìn)行回流焊；
步驟6 底部填充&固化
對倒裝上芯的半成品，選用熱膨脹系數(shù)低α 1 < 1的絕緣材料，將下填料加熱到80°C 110°C，采用抽真空技術(shù)，將凸點(diǎn)與框架焊盤進(jìn)行底部填充，最后在QFN通用烘箱中將下填料結(jié)束后的產(chǎn)品烘烤15分鐘 30分鐘； 步驟7 塑封&后固化
選用吸水率彡0. 25%、應(yīng)力膨脹系數(shù)α 1彡1的低吸濕、低應(yīng)力環(huán)保型塑封； 使用ESPEC烘箱將塑封后的產(chǎn)品進(jìn)行后固化，采用QFN防翹曲固化夾具，固化條件溫度為150°C，時間:5小時; 步驟8 打印同常規(guī)QFN打??； 步驟9:分離引腳磨削法分離
先將打印完的產(chǎn)品框架底部進(jìn)行腐蝕，腐蝕深度0. 04mm 0. 06mm，然后磨削，磨削深度0. 065mm 0. 045mm，使相鄰引腳分離； 步驟10 電鍍
采用化學(xué)鍍系統(tǒng)，先電鍍一層8 μ m 10 μ m的銅，然后再鍍7 μ m 15 μ m的純錫。其烘烤設(shè)備和工藝同普通QFN;
步驟11 分離產(chǎn)品采用雙刀切割機(jī)，將單元型產(chǎn)品分離成單個產(chǎn)品； 步驟12 產(chǎn)品測試、包裝入庫產(chǎn)品測試、包裝入庫同普通QFN產(chǎn)品。
所述步驟9分離引腳采用激光法分離，從切口將內(nèi)外引腳的連筋激光切斷，以分離每一圈上的引腳，激光切割深度為0. Ilmmmm 0. 13_nm。
所述步驟10電鍍，對于激光切割分離引腳間連筋的半成品，電鍍7 μ m 15 μ m的純錫。所述步驟3雙芯片一次上芯時，采用QFN膠膜片和不帶凸點(diǎn)的IC芯片，使用具備膠膜片粘片工藝的上芯機(jī)，雙芯片二次上芯采用倒裝上芯機(jī)，將帶凸點(diǎn)的IC芯片的凸點(diǎn)沾上焊料放置在已鍵合引線的IC芯片相應(yīng)位置上，全部上完芯后，進(jìn)行回流焊。本發(fā)明的多圈QFN引線框架設(shè)計(jì)，可以比同樣面積的單排引線框架的引腳數(shù)設(shè)計(jì)增加40%以上，滿足了高密度、多I/O封裝的需要，同時采用倒裝上芯，焊線少而且短，熱傳導(dǎo)熱傳導(dǎo)距離短，散熱性好；倒裝上芯，凸點(diǎn)和引腳間電容和電感遠(yuǎn)小于芯片焊盤與引腳間焊線電容和電感，減少了對高頻應(yīng)用的影響。并且倒裝上芯，凸點(diǎn)+助焊劑高度遠(yuǎn)小于芯片焊盤與引腳間焊線弧高，QFN厚度可降低到0. 5mm以下，能滿足超薄型封裝產(chǎn)品的需要。避免了焊線的交絲和開路，提高了測試良率和可靠性。


圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖2為本發(fā)明腐蝕后的剖面示意圖； 圖3為本發(fā)明磨削分離引腳后剖面示意圖； 圖4為激光分離引腳后剖面示意圖； 圖5為本發(fā)明使用膠膜片示意圖； 圖6為本發(fā)明內(nèi)引腳平行排列俯視圖； 圖7為本發(fā)明內(nèi)引腳交錯排列俯視圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明
一種多圈排列雙IC芯片封裝件，包括引線框架、內(nèi)引腳、IC芯片及塑封體，引線框架四邊呈數(shù)圈排列有引線框架內(nèi)引腳。繞圈排列的內(nèi)引腳包括第一圈內(nèi)引腳8、第二圈內(nèi)引腳9 第三圈內(nèi)引腳16及第四圈內(nèi)引腳18，每圈之間通過中筋g和邊筋f相連接，同一圈的內(nèi)引腳之間相連接。引線框架每邊a、b、c、d的內(nèi)引腳平行排列或者交錯排列。本發(fā)明的引線框架采用有載體的引線框架，引線框架載體1上設(shè)有導(dǎo)電膠5，導(dǎo)電膠5上粘接第一層不帶凸點(diǎn)的IC芯片7，IC芯片7上端設(shè)有第二層帶凸點(diǎn)的IC芯片3，帶凸點(diǎn)的IC芯片3倒裝上芯。不帶凸點(diǎn)IC芯片7上的焊盤與第二圈內(nèi)引腳9焊線連接，形成第一鍵合線11，與第一圈內(nèi)引腳8焊線連接，形成第二鍵合線15。本發(fā)明的雙芯片堆疊封裝流程1
晶圓減薄一劃片一一次上芯(導(dǎo)電膠)一壓焊一二次倒裝上芯一底部填充&固化一塑封一后固化一打印一磨削法分離引腳一電鍍一分離產(chǎn)品一外觀檢驗(yàn)一測試編帶包裝一入庫。本發(fā)明的雙芯片堆疊封裝流程2
晶圓減薄一劃片一一次上芯(絕緣膠)一壓焊一二次倒裝上芯一底部填充&固化一塑封一后固化一打印一磨削法分離引腳一電鍍一分離產(chǎn)品一外觀檢驗(yàn)一測試編帶包裝一入庫。
6
本發(fā)明的雙芯片堆疊封裝流程3
晶圓減薄一劃片一一次上芯(導(dǎo)電膠)一壓焊一二次倒裝上芯一底部填充&固化一塑封一后固化一打印一激光法分離引腳一電鍍一分離產(chǎn)品一外觀檢驗(yàn)一測試編帶包裝一入庫。本發(fā)明的雙芯片堆疊封裝流程4
晶圓減薄一劃片一一次上芯(導(dǎo)電膠)一壓焊一二次倒裝上芯一底部填充&固化一塑封一后固化一打印一激光法分離引腳一電鍍一分離產(chǎn)品一外觀檢驗(yàn)一測試編帶包裝一入庫。實(shí)施例1
(1)、晶圓減薄
使用8吋 12吋減薄機(jī)，采用粗磨、細(xì)精磨拋光防翹曲工藝，帶凸點(diǎn)芯片的晶圓減薄到250μπι，粗磨速度6ym/s，精磨速度1. 0 μ m/s ；不帶凸點(diǎn)的晶圓減薄為100 μ m，粗磨速度2ym/s，精磨速度0.8ym/s，采用防止芯片翹曲工藝。(2)、劃片
彡8吋的晶圓采用DISC 3350雙刀劃片機(jī)，8吋到12吋晶圓采用A-WD-300TXB劃片機(jī)， 劃片進(jìn)刀速度控制在< lOmm/s。(3)、一次上芯
一次上芯采用有載體框架和無凸點(diǎn)的IC芯片7，使用導(dǎo)電膠5 —次上芯，其上芯及烘烤使用的設(shè)備和工藝同普通QFN。(4)、壓焊
對第一層無凸點(diǎn)芯片7進(jìn)行第一次焊線壓焊，與第二圈內(nèi)引腳9之間采用低弧度鍵合方法焊接，弧高控制在100 μ m以內(nèi)，形成第一鍵合線11，對第一層無凸點(diǎn)芯片7進(jìn)行第二次焊線壓焊，使用金線或銅線，與第一圈內(nèi)引腳8之間采用低弧度反向鍵合方法，弧高控制在80 μ m以內(nèi)，形成第二鍵合線15 ；所采用弧形是防止塑封沖線。(5)、二次倒裝上芯
二次倒裝上芯，在不帶凸點(diǎn)的IC芯片7上，采用倒裝上芯機(jī)，將帶凸點(diǎn)的IC芯片3沾上焊料2放置在第一層不帶凸點(diǎn)的IC芯片7的相對位置上，第二層帶凸點(diǎn)的IC芯片3倒裝上芯后，進(jìn)行回流焊。(6)、底部填充&固化
對倒裝上芯的半成品，選用熱膨脹系數(shù)低α 1 < 1的絕緣材料，將下填料加熱到110°C， 采用抽真空技術(shù)，將凸點(diǎn)與框架焊盤進(jìn)行底部填充，最后在QFN通用烘箱中將下填料結(jié)束后的產(chǎn)品烘烤15分鐘分鐘。(7)、塑封
選用吸水率彡0. 25%、應(yīng)力膨脹系數(shù)α 1彡1的低吸濕、低應(yīng)力環(huán)保型塑封。(8)、后固化
使用ESPEC烘箱將塑封后的產(chǎn)品進(jìn)行后固化，采用QFN防翹曲固化夾具，固化條件溫度為150°C，時間5小時。(9)、打印同常規(guī)QFN打印。
(10)、分離引腳
采用磨削法分離，先將打印完的半成品引線框架底部進(jìn)行腐蝕，腐蝕深度0. 06mm，然后磨削，磨削深度0. 045mm，使相鄰引腳分離。(11)、電鍍
采用化學(xué)鍍系統(tǒng)，先化學(xué)鍍一層8 μ m的銅，然后再化學(xué)鍍7 μ m的純錫。其烘烤設(shè)備和工藝同普通QFN。(12)、分離產(chǎn)品
采用雙刀切割機(jī)，將單元型產(chǎn)品分離成單個產(chǎn)品。(13)、產(chǎn)品測試、包裝入庫
產(chǎn)品測試、包裝入庫同普通QFN產(chǎn)品。實(shí)施例2 (1)、晶圓減薄
使用8吋 12吋減薄機(jī)，采用粗磨、細(xì)精磨拋光防翹曲工藝，帶凸點(diǎn)芯片的晶圓減薄到250μπι，粗磨速度3ym/s，精磨速度0. 6 μ m/s ；不帶凸點(diǎn)的晶圓減薄為100 μ m，粗磨速度4ym/s，精磨速度0.4ym/s，采用防止芯片翹曲工藝。(2)、劃片
彡8吋的晶圓采用DISC 3350雙刀劃片機(jī)，8吋到12吋晶圓采用A-WD-300TXB劃片機(jī)， 劃片進(jìn)刀速度控制在< lOmm/s。(3)、一次上芯
采用QFN膠膜片(6)和不帶凹凸點(diǎn)的IC芯片(7)，使用具備膠膜片(6)粘片工藝的上芯機(jī)，雙芯片二次上芯采用倒裝上芯機(jī)，將帶凸點(diǎn)的IC芯片(3)的凸點(diǎn)(4)沾上焊料(2)放置在已鍵合引線的IC芯片(7)相應(yīng)位置上，全部上完芯后，進(jìn)行回流焊。(4)、壓焊同實(shí)施例1。(5)、二次倒裝上芯同實(shí)施例1。(6)、底部填充&固化
對倒裝上芯的半成品，選用熱膨脹系數(shù)低α 1 < 1的絕緣材料，將下填料加熱到80°C， 采用抽真空技術(shù)，將凸點(diǎn)與框架焊盤進(jìn)行底部填充，最后在QFN通用烘箱中將下填料結(jié)束后的產(chǎn)品烘烤30分鐘分鐘。(7)、塑封同實(shí)施例1。(8)、后固化同實(shí)施例1。(9)、打印同實(shí)施例1。(10)、分離引腳
采用磨削法分離，先將打印完的半成品引線框架底部進(jìn)行腐蝕，腐蝕深度0. 04mm，然后磨削，磨削深度0. 065mm，使相鄰引腳分離。
(11)、電鍍
采用化學(xué)鍍系統(tǒng)，先化學(xué)鍍一層 ο μ m的銅，然后再化學(xué)鍍15 μ m的純錫。其烘烤設(shè)備和工藝同普通QFN。(12)、分離產(chǎn)品同實(shí)施例1。(13)、產(chǎn)品測試、包裝入庫同實(shí)施例1。實(shí)施例3 (1)、晶圓減薄
使用8吋 12吋減薄機(jī)，采用粗磨、細(xì)精磨拋光防翹曲工藝，帶凸點(diǎn)芯片的晶圓減薄到250μπι，粗磨速度3ym/s，精磨速度0. 6 μ m/s ；不帶凸點(diǎn)的晶圓減薄為100 μ m，粗磨速度4ym/s，精磨速度0.4ym/s，采用防止芯片翹曲工藝。(2)、劃片
彡8吋的晶圓采用DISC 3350雙刀劃片機(jī)，8吋到12吋晶圓采用A-WD-300TXB劃片機(jī)， 劃片進(jìn)刀速度控制在< lOmm/s。(3)、一次上芯
一次上芯采用有載體框架和無凸點(diǎn)的IC芯片7，使用導(dǎo)電膠5—次上芯，其上芯及烘烤使用的設(shè)備和工藝同普通QFN。(4)、壓焊同實(shí)施例1。(5)、二次倒裝上芯同實(shí)施例1。(6)、底部填充&固化同實(shí)施例1。(7)、塑封同實(shí)施例1。(8)、后固化同實(shí)施例1。(9)、打印同實(shí)施例1。(10)分離引腳
激光法分離使用激光方法從切口 15將內(nèi)外引腳的連筋切斷，激光切割深度0. Ilmm, 分離相連的引腳。(11)、電鍍
直接化學(xué)鍍7 μ m 15 μ m的純錫。(12)、分離產(chǎn)品同實(shí)施例1。(13)、測試、編帶包裝、入庫同普通QFN。實(shí)施例4步驟(1) (8)同實(shí)施例1。(9)分離引腳
激光法分離使用激光方法從切口 15將內(nèi)外引腳的連筋切斷，激光切割深度0. 13mm, 分離相連的引腳。步驟(10) (12)同實(shí)施例3。
權(quán)利要求
1.一種多圈排列雙IC芯片封裝件，包括引線框架、內(nèi)引腳、IC芯片及塑封體，引線框架四邊呈數(shù)圈排列有引線框架內(nèi)引腳，其特征在于所述引線框架采用有載體的引線框架，引線框架載體(1)上設(shè)有導(dǎo)電膠(5)，導(dǎo)電膠(5)上粘接第一層不帶凸點(diǎn)的IC芯片(7)，IC芯片(7)上端設(shè)有第二層帶凸點(diǎn)的IC芯片(3)，帶凸點(diǎn)的IC芯片(3)倒裝上芯。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多圈排列雙IC芯片封裝件，其特征在于所述的繞圈排列的內(nèi)引腳包括第一圈內(nèi)引腳(8)、第二圈內(nèi)引腳(9)、第三圈內(nèi)引腳(16)及第四圈內(nèi)引腳(18)，每圈之間通過中筋(g)和邊筋(f)相連接，同一圈的內(nèi)引腳之間相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多圈排列雙IC芯片封裝件，其特征在于所述的不帶凸點(diǎn) IC芯片(7)上的焊盤與第二圈內(nèi)引腳(9)焊接，形成第一鍵合線(11)，與第一圈內(nèi)引腳(8) 焊接，形成第二鍵合線(15)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多圈排列雙IC芯片封裝件，其特征在于所述引線框架每邊(a、b、c、d)的內(nèi)引腳平行排列。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多圈排列雙IC芯片封裝件，其特征在于所述引線框架每邊 (a、b、c、d)的內(nèi)引腳交錯排列。
6.一種如權(quán)利要求1所述多圈排列雙IC芯片封裝件的生產(chǎn)方法，其工藝步驟如下步驟1:減薄晶圓減薄厚度IOOym 250μπι，其中帶凸點(diǎn)芯片的晶圓厚度為250μπι，粗磨速度 3ym/ s 6ym/s，精磨速度0. 6 μ m/s 1. 0 μ m/s ；不帶凸點(diǎn)芯片晶圓厚度100 μ m，粗磨速度:2ym/ s ~ 4 μ m/s ；精磨速度0· 4 μ m/s 0. 8 μ m/s ；步驟2 劃片彡8吋的晶圓采用DISC 3350雙刀劃片機(jī)，8吋到12吋晶圓采用A-WD-300TXB劃片機(jī)， 劃片進(jìn)刀速度控制在< lOmm/s ；步驟3 —次上芯一次上芯采用有載體框架和無凸點(diǎn)的IC芯片(7)，使用導(dǎo)電膠(5)—次上芯，其上芯及烘烤使用的設(shè)備和工藝同普通QFN ；步驟4 壓焊對第一層無凸點(diǎn)芯片(7)進(jìn)行第一次焊線壓焊，與第二圈內(nèi)引腳(9)之間采用低弧度鍵合方法焊接，弧高控制在100 μ m以內(nèi)，形成第一鍵合線(11 )，對第一層無凸點(diǎn)芯片(7)進(jìn)行第二次焊線壓焊，使用金線或銅線，與第一圈內(nèi)引腳(8)之間采用低弧度反向鍵合方法， 弧高控制在80 μ m以內(nèi)，形成第二鍵合線(15)，所采用弧形是防止塑封沖線；步驟5 二次倒裝上芯二次倒裝上芯，在不帶凸點(diǎn)的IC芯片(7)上，采用倒裝上芯機(jī)，將帶凸點(diǎn)的IC芯片(3) 沾上焊料(2)放置在第一層不帶凸點(diǎn)的IC芯片(7)的相對位置上，第二層帶凸點(diǎn)的IC芯片 (3)倒裝上芯后，進(jìn)行回流焊；步驟6 底部填充&固化對倒裝上芯的半成品，選用熱膨脹系數(shù)低α 1 < 1的絕緣材料，將下填料(10)加熱到 80°C 110°C，采用抽真空技術(shù)，將凸點(diǎn)(4)與框架焊盤進(jìn)行底部填充，最后在QFN通用烘箱中將下填料(10)結(jié)束后的產(chǎn)品烘烤15分鐘 30分鐘；步驟7:塑封及后固化選用吸水率彡0. 25%、應(yīng)力膨脹系數(shù)α 1彡1的低吸濕、低應(yīng)力環(huán)保型塑封； 使用ESPEC烘箱將塑封后的產(chǎn)品進(jìn)行后固化，采用QFN防翹曲固化夾具，固化條件溫度為150°C，時間5小時； 步驟8 打印同常規(guī)QFN打??； 步驟9:分離引腳磨削法分離先將打印完的產(chǎn)品框架底部進(jìn)行腐蝕，腐蝕深度0. 04mm 0. 06mm，然后磨削，磨削深度0. 065mm 0. 045mm，使相鄰引腳分離； 步驟10 電鍍采用化學(xué)鍍系統(tǒng)，先電鍍一層8 μ m 10 μ m的銅，然后再鍍7 μ m 15 μ m的純錫； 其烘烤設(shè)備和工藝同普通QFN ；步驟11 分離產(chǎn)品采用雙刀切割機(jī)，將單元型產(chǎn)品分離成單個產(chǎn)品； 步驟12 產(chǎn)品測試、包裝入庫產(chǎn)品測試、包裝入庫同普通QFN產(chǎn)品。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述一種多圈排列無多圈排列雙IC芯片封裝件的生產(chǎn)方法，其特征在于所述步驟9分離引腳采用激光法分離，從切口(15)將內(nèi)外引腳的連筋激光切斷，以分離每一圈上的引腳，激光切割深度為0. Ilmm 0. 13mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述多圈排列雙IC芯片封裝件的生產(chǎn)方法，其特征在于所述步驟10 電鍍，對于激光切割分離引腳間連筋的半成品，電鍍7 μ m 15 μ m的純錫。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述多圈排列雙IC芯片封裝件的生產(chǎn)方法，其特征在于所述步驟3 雙芯片一次上芯時，采用QFN膠膜片(6)和不帶凸點(diǎn)的IC芯片(7)，使用具備膠膜片(6)粘片工藝的上芯機(jī)，雙芯片二次上芯采用倒裝上芯機(jī)，將帶凸點(diǎn)的IC芯片(3)的凸點(diǎn)(4)沾上焊料(2)放置在已鍵合引線的IC芯片(7)相應(yīng)位置上，全部上完芯后，進(jìn)行回流焊。
全文摘要
多圈排列雙IC芯片封裝件及其生產(chǎn)方法，多圈排列雙IC芯片封裝件包括有載體的多圈QFN引線框架、內(nèi)引腳、IC芯片及塑封體。生產(chǎn)方法如下減薄、劃片、一次上芯、壓焊、二次倒裝上芯、底部填充&固化、塑封及后固化、打印、分離引腳、電鍍、分離產(chǎn)品、產(chǎn)品測試、包裝入庫。本發(fā)明的多圈QFN引線框架設(shè)計(jì)，可以比同樣面積的單排引線框架的引腳數(shù)設(shè)計(jì)增加40%以上，滿足了高密度、多I/O封裝的需要，同時采用倒裝上芯，焊線少而且短，熱傳導(dǎo)熱傳導(dǎo)距離短，散熱性好；倒裝上芯，凸點(diǎn)和引腳間電容和電感遠(yuǎn)小于芯片焊盤與引腳間焊線電容和電感，減少了對高頻應(yīng)用的影響，QFN厚度可降低到0.5mm以下，避免了焊線的交絲和開路，提高了測試良率和可靠性。
文檔編號H01L23/495GK102222657SQ20111018183
公開日2011年10月19日 申請日期2011年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月30日
發(fā)明者慕蔚, 朱文輝, 李習(xí)周, 郭小偉 申請人:華天科技(西安)有限公司, 天水華天科技股份有限公司